智慧財產法院行政判決
102年度行專訴字第19號民國102年5月30日辯論終結原 告 晶元光電股份有限公司代 表 人 李秉傑訴訟代理人 范曉玲律師
謝祥揚律師複 代理 人 郭雨嵐律師輔 佐 人 周碧凰被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 王美花（局長）住同上訴訟代理人 簡信裕
參 加 人 陳威霖上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國
101 年12月6 日經訴字第10106114790 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要國聯光電科技股份有限公司前於民國91年1 月15日以「具複合反射層之高亮度發光二極體結構及其製造方法」向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，於92年9 月2日審定准予發明第189531號專利（下稱系爭專利），嗣該專利移轉登記予原告。參加人於98年10月23日以系爭專利有違核准時即90年10月24日修正公布之專利法第20條第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。原告分別於100 年9月8 日、9 月21日、101 年2 月14日、3 月9 日提出申請專利範圍更正本。案經被告審查，認為原告於101 年3 月9 日提出之更正本（原證2 號，見本院卷第80頁）與公告本相較，為申請專利範圍之減縮，且未實質擴大或變更申請專利範圍，准予更正，經被告以101 年3 月9 日更正本審查，認系爭專利有違上開專利法第20條第2 項規定，於101 年8 月27日以（101 ）智專三（二）04069 字第10120884070 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，經遭決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。本院認為本件判決之結果將影響參加人之權利或法律上利益，爰依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、本件原告主張：
（一）被告所為舉發成立之審定理由未洽，理由如下：
１、證據2 、證據5 、證據6 欠缺結合動機，上開證據彼此間之組合無法證明系爭專利各申請專利範圍不具進步性：
（１）證據2 （90年9 月21日公告之我國第00000000號「發光二極體及其製造方法」發明專利案）及證據5 （西元2001年4 月24日公告之美國第6,222,207B1 號「DIFFUSION BARRIER FOR INCREASED MIRRORREFLECTIVITY IN REFLECTIVE SOLDERABLE CONTACTS
ON HIGH POWER LED CHIP」專利案）原在解決與系爭專利技術特徵顯不相同之技術問題，熟習系爭技術之人「並無任何動機」將證據2或 證據5 與其他習知技術（如證據6 （西元1998年1 月6 日公開之日本特開平10-420
8 號「面發光型半導体發光素子」專利案））結合，進而完成系爭專利技術：
①系爭專利說明書「發明目的」記載：系爭專利所欲解決
之技術問題厥為：「提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構（本發明多加了一惰性導電性氧化層於反射金屬層與p 型歐姆接觸層之間）」。其次，「本發明採用了所述透明導電型氧化層114於高反射率金屬層116 與所述透明歐姆接觸層110 之間。這樣可以防止高溫退火製程中所述反射金屬層116 與所述透明歐姆接觸層110 兩者之間的反應」。故系爭專利係為防止「反射金屬層」與「歐姆磊晶接觸層」間因為高溫退火製程而生之反應（簡言之，係為防止「金屬」與「半導體」間因「高溫」製程所生之反應），乃於其二者間加入「惰性透明導電型氧化層」，藉此提高光反射率。再者，為達到「減低歐姆接觸阻抗」、「降低整體元件操作電壓」等目的，LED 業者於將「光發射結構層」與LED 結構頂端之「金屬電極」結合後，一般均會採取「高溫退火」步驟，以降低彼此間之電阻阻抗（電阻值）。然而，前述「高溫退火」步驟卻又會使「反射金屬層」與「光發射結構層」中之「歐姆接觸層」發生反應，導致「反射金屬層」之表面因此無法維持平整光滑，進而降低鏡面效果，無法充分反射「光發射結構層」所生光線。因此，於LED 整體結構製造過程中，
LED 業者即面臨：如未實施「高溫退火」步驟，其電阻值即無法降低，連帶影響整體結構之操作電壓高低；但如實施「高溫退火」步驟後，又將導致「反射金屬層」因發生反應而折損其「鏡面效果」之兩難。為解決上開技術難題，系爭專利乃於「光發射結構層」與「反射金屬層」間，另加入「惰性透明導電性氧化層」。該「惰性透明導電性氧化層」即可避免「反射金屬層」於實施「高溫退火」步驟時，與「光發射結構層」發生反應，因而得以維持「反射金屬層」之鏡面效果。同時該「惰性透明導電性氧化層」因具備透光性，亦不致減損來自「光發射結構層」之光線。換言之，系爭專利所欲達成之主要功效即在於：使具有「反射金屬層」之LED 結構，於整體結構製造過程中，一方面可實施「高溫退火」以降低電阻值，另方面又得維持「反射金屬層」之鏡面反射效果。
②證據2 無法解決或達成系爭專利之主要發明目的，與系
爭專利顯有不同，證據2 主要目的是將具有「反射金屬層」之發光二極體結構透過在該「反射金屬層」與「金屬黏著層」之間加入一「擴散阻障層」，以避免在融接過程中前開「金屬黏著層」之金屬擴散至該「反射金屬層」，惟證據2 所載各發明目的中，完全未見系爭專利所欲達成之「提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構。」證據2 所欲解決之問題是防止「金屬黏著層」擴散至「反射金屬層」（簡言之，係為防止「金屬」與「金屬」間因「低溫」製程所生之反應）。而系爭專利所欲解決的技術問題卻是：反射金屬層與「歐姆磊晶接觸層」間因為高溫退火製程而生之反應，兩者顯然不同（簡言之，係為防止「金屬」與「半導體」間因「高溫」製程所生之反應）。從而，證據2 不僅無法達成系爭專利上開「提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構」之目的與功能，證據2 更無法解決因實施「高溫退火」步驟而導致「歐姆接觸層」與「反射金屬層」間發生反應之問題。
③證據5 「無法」解決或達成系爭專利之主要發明目的，
證據5 乃在解決防止「反射層」(reflector 34)與「焊接層」(solder layer 38) 於製程溫度下相互融接(intermixing) 之問題（見本院卷第95頁反面），與證據2 較為相似，即係為防止「金屬」與「金屬」間因「低溫」製程所生之反應，然與系爭專利所欲解決之主要技術問題，係為防止「金屬」與「半導體」間因「高溫」製程所生之反應，顯然不同。證據5 完全未揭示上開具反射層34的LED 結構之製程步驟，亦未提及上開LED結構在製造過程中可能會面臨之問題或缺失。且無任何「教示」足以引導熟悉系爭技術之人產生進一步改良。證據5 （具有反射層34之LED 結構）之動機，進而將其他習知技術（如證據6 ）應用至證據5 所揭示具有反射層34之LED 結構，並因此獲致系爭專利所揭示之發光二極體構造。證據5 （見本院卷第96頁第3 欄第18至20行）所欲解決之問題為：避免「焊接層」(solder layer)在溫度略高於攝氏156 度之製程中，與「反射層」(back reflector)融接(intermixing) ，並藉此維持「反射層」之鏡面效果。證據5 不僅無法達成系爭專利上開「提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構」之目的與功能，證據5 更無法解決因實施「高溫退火」步驟而導致「歐姆接觸層」與「反射金屬層」間發生反應之問題。
（２）系爭專利乃「在高溫環境下所生問題之解決方法」，證據2 或證據5 卻均屬「在較為低溫的環境下所生問題之解決方法」，彼此間差異甚大，熟習系爭技術之人更無「動機」將證據2 或證據5 與其他前案技術結合，進而完成系爭專利之技術：
①系爭專利屬「在高溫環境下所生問題之解決方法」，系
爭專利說明書記載：「隨後所述之發光二極體結構體再進行350-600 ℃的高溫退火步驟，已降低接觸電阻值」，系爭專利更正後申請專利範圍第5 項已揭露「形成一歐姆接觸金屬層於該發光二極體磊晶層之裸露表面，以做為歐姆接觸電極」之製造方法。熟習系爭技術領域之人於參考上開製造方法後，均可直接得知系爭專利於將發光二極體頂部安裝「頂部電極」後，必定會實施「高溫退火」步驟，以降低彼此間之電阻值。
②證據2 屬「在相對較低溫環境下所生問題之解決方法」
，證據2 主要係在處理：在「反射金屬層」與「金屬黏著層」（即「金錫焊接層22」或「金錫合金22」融接過程中，該「金屬黏著層」之金屬（即「金錫合金」「擴散至」該「反射金屬層」之問題。其「金錫合金」之熔點約為攝氏280 度。證據2 說明書第5 頁更已明確記載，該發明係「在較低溫下進行黏合製程」，更足證明參加人所稱「證據2 屬高溫製程」云云，顯與證據2 說明書之明確記載矛盾。其次，晶圓接合製程是否應包含「退火」步驟，乃至於其製程溫度為何，均應視各LED 結構之具體情形而定，無法一概而論。參加人辯稱「退火」步驟係證據2 晶圓接合製程中之必要步驟、「證據2形成n 型歐姆電極之狀況與系爭專利完全相同，當然會有高溫退火製程」云云，亦不足採。
③證據5 亦屬「在相對較低溫環境下所生問題之解決方法
」，證據5 主要係在處理：因為「反射層」(reflector34) 與「焊接層」(solder layer 38) 於製程溫度下相互融接(intermixing) 之問題。其「焊接層」(solder)之熔點約為156 度（見本院卷第96頁第3 欄第19至22行），屬「在相對較低溫環境下所生問題之解決方法」。系爭專利所欲處理之問題，其問題產生時之溫度實「遠高於」證據2 或證據5 所欲解決問題發生之溫度，彼此間差異極大，熟習系爭技術之人在瞭解證據2 或證據5等「低溫環境下所生問題的解決方法」之後，實無任何「動機」將證據2 或證據5 與其他前案技術（如證據6），進而完成系爭專利之「高溫環境下所生問題的解決方法」。
（３）「擴散阻障層」之形成方式及接合方法，證據2 、證據
5 之教示與系爭專利顯存差異，益證熟知系爭技術之人確無結合動機：
①「擴散阻障層」之形成方法，證據2 說明書記載：在晶
圓接合過程中，為避免「反射金屬層30」局部熔化或整層熔化，可先於「反射金屬層30」與「焊接層22」（即「 金屬黏著層」）間提供一抗融化層（即所謂「擴散阻
障層」），其材質，係採用鉑(Pt)、鉬(Mo)或鎢(W) 等金屬。鉑(Pt)等金屬與金錫合金（焊接層）黏著性不佳。為解決前此黏著性不佳之問題，證據2 乃教示：可在前述「抗融化層」（即「擴散阻障層」，其材質為鉑
(Pt)等金屬）與「焊接層」間再形成一金屬層來增加黏著性。
②「擴散阻障層」之形成方法，證據5 （見本院卷第95頁
第2 欄、96頁第3 欄）分別記載：為避免在高於攝氏15
6 度之製程溫度進行晶圓接合時，「反射金屬層」（其材質為銀）與「焊接層」（其材質為銦）互相擴散，可在前述這兩層間形成鉬(Mo)、鎢(W) 、鉭(Ta)等高熔點（其熔點溫度分別攝氏2610、3410、2996度）之擴散阻障層，然而，前此材質之擴散障層難以「沈積」甚至無法以「蒸鍍」方式形成。其「擴散阻障層」採用高熔點之鉬(Mo)、鎢(W) 、鉭(Ta)等金屬時，該等金屬「難以」「沈積」方式形成於「反射金屬層」表面，進而亦無從透過該等高熔點金屬擴散阻障層與「焊接層」（即金屬融接層）黏合。
③「擴散阻障層」之形成方法，系爭專利所選用之材質為
鎢、鉬等高溫金屬材質，與證據2 、證據5 之「擴散阻障層」所選用之材質無甚差異。系爭專利乃係以「沈積」方法形成其「擴散阻障層」。惟證據5 明確教示其「擴散阻障層」「難以沈積」方式形成；證據2 也明確教示其所採用鉑(Pt)等金屬作為「擴散阻障層」，然其材質與焊接層之黏著性不佳。因此，熟知系爭技術之人於參酌證據2 及證據5 之教示後，均得以明瞭「擴散阻障層」應採用熔點較高之金屬，然該等金屬難以「沈積」方式形成於反射金屬層之上。從而，熟習系爭技術之人於瞭解證據2 、證據5 前開教示後，自「無」任何動機將證據2 或證據5 另與其他習知技術結合，進一步完成系爭專利「以沈積方式形成擴散阻障層」之技術特徵。
（４）證據2 與證據5 原在解決與系爭專利技術特徵顯不相同之技術問題。且證據2 及證據5 之發明人根本並未認知到LED 結構中將會面臨系爭專利所欲解決之技術問題。
從而，熟習系爭技術之人即沒有「動機」將證據6 結合至證據2 或者證據5 ，自不可能在將前開舉發證據彼此結合後「輕易完成」系爭專利技術內容。是以，證據2、證據5 、證據6 即不足證明系爭專利欠缺進步性。
２、證據2 、證據6 分別已有明確「反向教示」，熟習系爭技術之人更不可能將證據2 、證據6 與其他習知技術結合，進而完成系爭專利技術特徵，前開證據彼此間之組合自無法證明系爭專利各申請專利範圍欠缺進步性：
（１）證據2已有明確「反向教示」：證據2 說明書第5 頁之「發明目的」記載：「本發明之另一項優點為可在較低溫度下進行黏合製程」；證據2第8 頁第2 段另記載：「本發明之製程溫度可以遠低於傳統之製程溫度」；第8 頁第3 段更有進一步說明。證據2 已明確教示「反射金屬層30可直接形成在p+砷化鎵表面覆蓋層10上面即有很好的歐姆接觸」，熟悉該項技藝者依上開教示已可獲知：既然已有良好歐姆接觸，自無其必要接著再進行高溫退火製程，亦即，該LED 結構當無因高溫製程而致使其「光發射結構」與「反射金屬層」間之接觸面有不平整之問題。證據2 已明確教示「光發射層結構(10,12,14,16) 與反射金屬層30之間的界面並不需要惰性透明導電型氧化層」。已為相反於系爭專利技術內容之教示，熟悉系爭技術之人不可能在瞭解證據2 揭示的技術內容後，再透過將證據2 與其他習知技術（如證據6 ）結合之方式，進以完成系爭專利之技術內容。被告認定熟知系爭技術之人可將證據2 與其他前案證據相結合並完成系爭專利之技術特徵，其認定顯有違誤。其次，參加人辯稱「證據2 形成n 型歐姆電極之狀況與系爭專利完全相同，當然會有高溫退火製程」，並據此否認證據2 確有「反向教示」云云。惟參加人上開主張完全未見諸證據2 說明書之記載，且原告主張證據2 之「反向教示」係指：「證據2 已明確教示『光發射層結構(10,12,14,16) 與反射金屬層30之間的界面並不需要惰性透明導電型氧化層』」而言，與參加人所稱證據2 會否實施「高溫退火」製程原屬二事，乃參加人竟將此二不同爭點混為一談，顯不足採。
（２）證據6已為「反向教示」：證據6 已明確教示：「ITO 層」不得任意與「光發射結構層」「直接接觸」，而應另設「緩衝介面」，熟習系爭技術之人於參考上開教示後，即無「動機」將「ITO層」直接置放在「光發射結構」之下，自無據以完成系爭專利技術特徵之可能。證據6 第34段落明確記載：「透明電極8 例如ITO 與n-GaAlAs下包覆層4 ，這些物件之界面上的接觸電阻高。因此，電流難以在半導體層中流動。因此，於下包覆層4 中與透明電極8 接合的部分10摻雜與下包覆層4 之導電型相同的導電型的摻雜物，藉以能使接合部分10之接觸電阻減少，因此，能使充分的激發電流流動。」證據6 乃在「ITO 層」與「下包覆層4 」間，另行加入「摻雜物層10」，以避免光發射結構層底層之「下包覆層4 」與「ITO 層」直接接觸。熟習系爭技術之人「絕無」任何「合理動機」採用證據6「於半導體基板與底部電極層間加入ITO 層」之教示，進而將「ITO 」直接放置於「光發射結構層」之下，自無法「輕易思及」系爭專利揭示之「於光發射結構層與反射金屬層間加入惰性透明導電性氧化層」，而完成系爭專利上開技術特徵。因此，被告認為證據6 「並未教示或建議ITO 層不可放置在半導體層與反射金屬層9 之間」云云，顯不足採。
（３）證據2 、證據6 各自均已為明確「反向教示」，熟習系爭技術之人於參酌上開「反向教示」後，自無任何動機將證據2 或證據6 與其他習知技術（如證據5 ）結合，益證證據2 、證據5 、證據6 確實欠缺結合動機，上開證據彼此間之組合確實無法證明系爭專利各申請專利範圍不具進步性。
３、縱將證據6 與證據2 或證據5 直接結合，熟習系爭技術之人仍然無法「輕易完成」系爭專利揭示之技術內容：
依據系爭專利申請專利範圍第1 項所示，其技術特徵：在「光發射層結構」與「反射金屬層」間，加入一「惰性透明導電型氧化層」。惟證據6 乃在解決LED 基座之「半導體基板」以及該基座底部之「金屬電極層」因合金化反應而導致該電極層表面無法維持平整，進而影響光反射效果之問題。為解決上開問題，證據6 之發明遂於「半導體基板5 」及「金屬電極9 」之間，加入一「透明導電氧化層
(ITO)8」，兩者已有不同。其次，證據6 係在解決LED 結構中「底部基座層」（基板與底部電極）所遭遇之問題。
系爭專利卻係在解決「光發射結構層」與「反射金屬層」間所遭遇之問題；亦即，系爭專利係在解決LED 結構「上半部」之「光發射結構層」應如何與「反射金屬層」接觸之問題，兩者顯不相同。再者，將證據6 上開教示直接運用於證據2 揭示之LED 結構，仍然無從獲得系爭專利揭示之技術特徵；且將證據6 上開教示直接運用於證據5 揭示之LED 結構，亦無從獲得系爭專利揭示之技術特徵。故熟習系爭技術之人無從自證據2 、證據5 或證據6 得知證據
6 「ITO 層」能否與證據2 「p+GaAs表面覆蓋層」及證據
5 「摻雜之AlInGaP 下包覆層」直接接觸，而仍能維持良好歐姆接觸，自無法輕易完成系爭專利技術內容。且熟習系爭技術之人，均已明確知悉「p 型半導體」與他種材料間之接觸效果，與「n 型半導體」與相同他種材料間之接觸效果，「顯非必然相等」，兩者「無法」任意相互置換，無可能在未經實驗結果確認之前，任意將證據2 、證據
5 、證據6 相互結合。縱將證據2 或證據5 與證據6 結合，亦無法輕易得知系爭專利技術特徵。從而，證據2 、證據5 、證據6 各自間之組合，自無法證明系爭專利欠缺進步性。
（二）聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
三、被告則以：
（一）原處分認為證據2 或證據5 與系爭專利申請專利範圍第1項之差異在於，證據2 或證據5 並未揭示在光發射層結構(12 、14及16) 與反射金屬層(30)間尚有一惰性透明導電型氧化層存在，證據6 揭示為解決反射金屬層與三五族化合物半導體其接觸面因高溫退火產生反應而使得反射率下降之問題及方法，於反射金屬層與三五族化合物半導體間插入一ITO 惰性透明氧化層，故系爭專利之發明所屬技術領域中具通常知識者，在參酌證據2 或證據5 之結構下，為解決發光曾遇反射金屬層間因高溫退化時反應而降低反射率之問題，有動機採用證據6 之ITO 透明導電氧化物，於光發射層結構與導體基板上之反射層間加入一惰性透明導電型氧化層完成系爭專利之發明。
（二）原告主張證據2 與證據5 原在解決與系爭專利技術特徵顯不相同之技術問題，熟習該項技術之人「並無任何動機」將證據2 或證據5 與其他習知技術( 證據6)結合進而完成系爭專利技術云云。惟系爭專利說明書第10頁發明目的及概述中記載「本發明之一目的係1 、提供一具有反射金屬層之高效率發光二極體結構。2 、本發明之另一目的係提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構（本發明多加了一惰性導電性氧化層於反射金屬層與p 型歐姆接觸層之間）。3 、本發明之再一目的係提供一種防止黏著層與反射金屬層反應之結構。以進一步避免反射金屬層和相鄰層反應。4 、本發明之更一目的係提供發光二極體散熱良好之基板。」故系爭專利所提出之結構及方法係為達成或解決上開4 個目的或問題。經比對證據2 或證據5 與系爭專利申請專利範圍間，證據2 或證據
5 除未揭示系爭專利在光發射層結構(12 、14及16) 與反射金屬層(30)間尚有一惰性透明導電型氧化層存在之技術特徵外，其餘技術特徵均為證據2 或證據5 所揭露，故證據2 或5 可解決或達成前述所載之相同目的或問題1 、2、4 。另證據6 揭示一種發光二極體結構，其揭示於GaAs基板5 上提供磊晶層(2,3,4) 之後於GaAs基板之一側形成
ITO 透明導電氧化層8 ，並於ITO 透明導電氧化物8 上形成金屬電極金屬層9 ，該金屬電極層材料可以為Au，或Au/Cu ，金屬電極層9 具有一平坦表面可以將LED 磊晶結構產生之光線進行反射( 此與系爭專利說明書所記載之反射金屬層之材料及目的功效相同) ，而GaAs基板5 與金屬電極9 之間可插入一ITO 透明導電氧化層8 ，使得基板與金屬電極間不會因退火過程而反應，進而使金屬電極層9 可以維持平整而不影響反射率，故證據6 揭示為解決反射金屬層與三五族化合物半導體其接觸面因高溫退火產生反應而使得反射率降低之問題及方法，於反射金屬層與三五族化合物半導體間插入一ITO 惰性透明導電氧化層，此與系爭專利為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題，將惰性透明導電氧化層設於光發射層結構與反射金屬層之間，以達到防止高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之功效相同，因證據2 、證據5 及證據6 均為發光二極體之相同領域，且證據6 揭示系爭專利為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題，故熟習該項技術者在參酌證據2或證據5 所揭示之結構下，為解決發光層與反射金屬層間因高溫退火時反應而降低反射率之問題，有合理之動機會採用證據6 之ITO 透明導電氧化物8 ，於光發射層結構與導體基板(26)上之反射金屬層(30)間加入一惰性透明導電型氧化層，來完成系爭專利之發明，故系爭專利為發明所屬技術領域中具通常知識者依據證據2(或證據5)與證據6之組合所能輕易完成，原告此部分主張，並無理由。
（三）原告主張「系爭專利乃『在高溫下所生問題之解決方法』，證據2 或證據5 卻均屬『在較為低溫的環境下所生問題之解決方法』，彼此間差異甚大，熟習系爭專利技術之人更無『動機』將證據2 或證據5 與其他證據結合進而完成系爭專利之技術」云云；惟原告主張關於證據揭示為低溫環境與系爭專利解決高溫下所產生之問題並非系爭專利請求項所限定之條件，再證據2 所揭示較低溫係指以金錫合金作為焊接層可在較低溫下進行基板與磊晶層之黏著，而系爭專利之請求項3 之金屬黏著層亦採用金錫合金，故系爭專利亦採用證據2 或證據5 相同之金屬黏著層材料，至於原告主張系爭專利在解決因高溫退火時反射金屬層與
LED 磊晶層間之反射率降低之問題，此技術特徵乃揭露於證據6 ，且證據2 及證據5 與證據6 於技術上並無不相容處，故熟習該項技術在參酌證據2 或證據5 之結構下為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題有動機會採用證據6 所揭示之結構或方法而完成系爭專利之發明。
（四）原告主張「證據6 乃在教示在『半導基板』與『金屬電極板』間加入『透明導電氧化層』之技術特徵，縱將證據6教示與證據2 或證據5 直接結合，熟習系爭專利技術之人仍無法『輕易完成』系爭專利揭示之技術內容」云云。惟證據6 揭示為解決反射金屬層與三五族化合物半導體其接觸面因高溫退火產生反應而使得反射率降低之問題及方法，於反射金屬層與三五族化合物半導體間插入一ITO 惰性透明導電氧化層，此與系爭專利為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題，將惰性透明導電氧化層設於光發射層結構與反射金屬層之間，以達到防止高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之功效相同，且證據6 之第4 圖揭示該ITO 可置於下包覆層4 與金屬反射層9 之間，故熟習該項技術者在依據證據
2 或證據5 揭示之結構下，為解決高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低，易於思及採用證據6 所教示於反射金屬層與LED 磊晶層間插入一惰性透明導電氧化層。
（五）原告主張依據證據6 說明書第34段揭示ITO 透明導電層『不能』任意與LED 光發射結構層緊密相接云云，惟證據6圖4 係揭示ITO8與下包覆層4 之界面接觸電阻高，使電流難以在半導體層之間流動，乃建議在下包覆層4 與ITO 層
8 之接合面，另外再摻雜與該下包覆層4 之導電型相同之導電摻雜物，其目的係為減少下包覆層4 與ITO 層8 之電流流動性，其並未教示或建議ITO 層不可放置在半導體層與反射性金屬層9 之間。其反而教示該ITO 層除設置於基板與金屬反射層間外還可以置於下包覆層之半導體層與金屬反射層9 之間，原告主張並無理由等語，資為抗辯。
（六）答辯聲明：原告之訴駁回。
四、參加人主張：
（一）證據2 、證據6 之組合或證據5 、證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
１、證據2 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
（１）證據2 是利用晶圓接合技術（wafer bonding ）製造之具有鏡面基板(mirror substrate)的發光二極體(LED)。證據2 提供光發射磊晶層結構(10 、12、14、16) 與Au金屬層30( 即金屬反射層) 覆蓋於光發射磊晶層結構上。證據2 說明書第8 頁第二段，此Au金屬層30扮演具有高反射率鏡面，故可以是其他具有高反射與高導電物質，例如Ag、Al 等。另外提供矽基板26( 即導體基板)，其上有AuSn焊接層22與歐姆金屬層24，並利用AuSn焊接層22( 即金屬黏著層) 連接光發射磊晶層結構之Au金屬層30於矽基板26上。證據2 說明書第9 頁第二段9 見本院卷第87頁反面），為避免金屬層30於晶圓接合時被破壞，金屬層30可以變厚或者，此抗融化層可為鉑、鉬、鎢等金屬。而此層抗融化層即是一種擴散阻障層，而鉑、鉬、鎢等金屬均是屬於高溫金屬層。利用AuSn焊接層22連接光發射磊晶層結構上之Au金屬層30後，去除GaAs基板20並形成歐姆接觸半導體層32於下包覆層16上，即完成如證據2 第3 圖（見本院卷第92頁）之具有鏡面基板(mirror substrate)的發光二極體(LED) 。證據
2 已經揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之1 至3 、5至7 等要件。
（２）證據6 是利用透明導電氧化層ITO 的發光二極體(LED)。參考證據6 發明摘要及其附圖（見本院卷第99頁至10
9 頁），GaAs 基板5 上提供LED 磊晶層結構（包含n-GaAlAs覆蓋層4 、活性層3 、p-GaAlAs層2 ）GaAs基板
5 與金屬電極反射層9 之間因為多了ITO 透明導電氧化層8 ，GaAs基板5 與金屬電極反射層9 不會因為退火過程起反應，進而使金屬電極反射層9 可以維持平整而不會影響其反射率。而此ITO 透明導電氧化層8 因可避免III-V 族半導體層與金屬反射層因退火而起反應，故證據6 之ITO 透明導電氧化層8 即是" 惰性" 透明導電氧化層。其次，系爭專利說明書第13頁亦記載，ITO(氧化銦錫) 除是透明導電氧化層外，ITO 亦不會與金屬反射層起反應固可避免退火時產生之問題，故原告亦自認
ITO 透明導電氧化層8 即是" 惰性" 透明導電氧化層。證據6 已經揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之第3 至
5 要件。故熟習發光二極體技術者可輕易以證據2 之晶圓接合技術，將證據6 之發光二極體結構（惰性透明導電氧化層ITO 位於LED 磊晶結構與金屬反射電極層9 之間）使用於證據2 之發光二極體結構中( 即於證據2 中金屬反射層30與LED 結構之間加入惰性透明導電氧化層ITO)，因此證據2 、證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
２、證據5 與證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
（１）證據5 是利用金屬黏著層將具有反射金屬層之LED 結構黏著於導電基板上。證據5 第2 圖（見本院卷第94頁），LED 結構28上具有金屬反射層34，此金屬反射層34可以是銀或其合金、鋁、金等金屬一擴散阻障層36位於金屬反射層34與金屬黏著層38之間。此金屬黏著層38可以是銦(In)、鉛(Pb)、金(Au) 、 錫(Sn)、或其合金。此金屬黏著層38用以將LED 結構黏著於另一基板上，而此基板可以是導線架(lead frame)或晶粒墊(die pad) ，而熟知LED 相關技術領域之人均可知悉，導線架(leadframe)或晶粒墊(die pad) 係用於導電之用故屬於一種導電基板。擴散阻障層36於金屬反射層34與金屬黏著層38之間，可以避免因為後續高溫製程，而使金屬反射層34與金屬黏著層38產生兩層材料產生混合，並且也可以避免金屬反射層34之變質。擴散阻障層36之材料可以是金屬鎳、鎳釩合金、鈦鎢金屬: 氮、鈦金屬、鈦鎢金屬等。而熟知LED 相關技術領域之人均可知悉，鎳、鎳釩合金、鈦鎢金屬: 氮、鈦金屬、鈦鎢金屬等即屬於高溫金屬材料。是以，證據5 已經揭露上開更正後申請專利範圍第1 項之1 至3 、5 至7 等要件。
（２）證據6 正是利用惰性透明導電氧化層ITO 的發光二極體
(LED) 。證據6 ，GaAs基板5 上提供LED 磊晶層結構(包含n-GaAlAs覆蓋層4 、活性層3 、p-GaAlAs層2)。於
LED 磊晶結構上形成惰性ITO 透明導電氧化層8 ，並於惰性ITO 透明導電氧化物8 上形成金屬電極反射層9 ，其材料可以是Au或Au/Cu 。金屬電極反射層9 可以將
LED 磊晶結構產生之光線進行反射，而GaAs基板5 與金屬電極反射層9 之間因為多了惰性ITO 透明導電氧化層
8 ，GaAs基板5 與金屬電極反射層9 不會因會退火過程起反應，進而使金屬電極反射層9 可以維持平整而不會影響其反射率。故證據6 已經揭露系爭專利申請專利範圍第1 項之第3 至5 要件。熟習發光二極體技術者可輕易將舉發證據6 之發光二極體結構（惰性透明導電氧化層ITO 位於LED 磊晶結構與金屬反射電極層9 之間）使用於證據5 之發光二極體結構中( 即於證據5 金屬反射層34與LED 結構28之間加入惰性透明導電氧化層ITO)，因此證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
（二）證據2 與證據6 之組合或證據5 與證據6 組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：
１、證據2 與證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：
證據2 、證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第
1 項所有技術。證據2 說明書第9 頁第二段（見本院卷第87頁反面），為了避免金屬層30於晶圓接合時被破壞，在焊接層22與金屬層30間加上抗融化層( 即為擴散阻障層)，避免金屬層30受到破壞而影響反射率，此抗融化層可為鉑、鉬、鎢等金屬，而鉬、鎢等金屬即是高溫金屬層。是以證據2 、證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第2 項所有要件，故系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
２、證據5 與證據6 組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第
2 項不具進步性：證據5 與證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第
1 項所有技術。證據5 揭露將擴散阻障層36置於金屬反射層34與金屬黏著層38之間，可以避免因為後續高溫製程，而使金屬反射層34與金屬黏著層38產生兩層材料產生混合，並且也可以避免金屬反射層34之變質。此擴散阻障層36之材料可以是金屬鎳、鎳釩合金、鈦鎢金屬: 氮、鈦金屬、鈦鎢金屬等。而熟知LED 相關技術領域之人均可知悉，鎳、鎳釩合金、鈦鎢金屬: 氮、鈦金屬、鈦鎢金屬等即屬於高溫金屬材料，故依證據5 與證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
（三）證據2 、證據6 之組合或證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：
１、證據2 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：
證據2 已經揭露系爭專利申請專利範圍第3 項之1 至3 、
5 至7 等要件，證據6 已經揭露系爭專利申請專利範圍第
3 項第3 至5 要件。故熟習發光二極體技術者可輕易以證據2 之晶圓接合技術，將證據6 之發光二極體結構（惰性透明導電氧化層ITO 位於LED 磊晶結構與金屬反射電極層之間）使用於證據2 之發光二極體結構中（即於證據2 中金屬反射層30與LED 結構之間加入惰性透明導電氧化層
ITO ），因此證據2 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
２、證據5 與證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：
證據5 已經揭露系爭專利申請專利範圍第3 項之1 至3 、
5 至7 等要件，證據6 已經揭露系爭專利申請專利範圍第
3 項之第3 至5 要件。故熟習發光二極體技術者可輕易將證據6 之發光二極體結構（惰性透明導電氧化層ITO 位於III-V 族半導體結構與金屬反射電極層9 之間）使用於證據5 之發光二極體結構中（即於證據5 金屬反射層34與III-V 族LED 結構28之間加入惰性透明導電氧化層ITO ），因此證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
（四）證據2 、證據6 之組合或證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
１、證據2 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
證據2 、證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第
3 項所有技術，是以證據2 、證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第4 項所有要件，故系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
２、證據5 與證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
證據5 與證據6 之組合已經揭露系爭專利申請專利範圍第
3 項所有技術。故熟知LED 相關技術領域之人均可知悉，鎳、鎳釩合金、鈦鎢金屬: 氮、鈦金屬、鈦鎢金屬等即屬於高溫金屬材料，因此依證據5 與證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
（五）證據2 、證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性：
如上所述，證據2 已經揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之第1 至2 、4 至9 要件；證據5 亦揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之第6 、9 等要件；證據6 已經揭露系爭專利申請專利範圍第5 項之第2 至4 要件。故熟習發光二極體技術者可輕易以證據2 與證據5 之晶圓接合技術，將證據6 之發光二極體結構（惰性透明導電氧化層ITO 位於LE
D 磊晶結構與金屬反射電極層之間）使用於證據2 與證據
5 之發光二極體結構中( 即於證據2 與證據5 中，金屬反射層與III-V 族磊晶結構之間加入惰性透明導電氧化層ITO)，因此證據2 、證據5 、證據6 之組合，足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
（六）證據2 與系爭專利之第2 技術特徵相同，原告辯稱證據2不同於系爭專利或有「反面教示」云云，惟：
１、證據2 也是利用晶圓融合技術（wafer bonding ）製造之具有鏡面基板(mirror substrate)的發光二極體(LED) 。
參考證據2 第1 至3 圖（見本院卷第91頁反面至92頁），於第一圖之發光二極體結構和第二圖之鏡面基板分別形成後，然後將兩者以晶圓融合方式將黏著，最後才形成n 型歐姆接觸金屬層。而此n 型歐姆接觸金屬層形成後，高溫退火製程以降低n 型歐姆電極之電阻是必要步驟。證據2係為了避免金屬層30於後續高溫被破壞，金屬層30可以變厚或者在焊接層22與金屬層30間加上抗融化層，避免金屬層30受到破壞而影響反射率，此抗融化層可為鉑、鉬、鎢等金屬。而此層抗融化層即是一種擴散阻障層，而鉑、鉬、鎢等金屬均是屬於高溫金屬層。而n 型歐姆接觸金屬層形成後之高溫退火製程就會容易造成焊接層22與金屬層30反應，故證據2 揭露之「抗融化層」即可以解決焊接層（即是黏著層）22與金屬層（即是金屬反射層）30反應問題，故證據2 與系爭專利之第2 技術特徵相同。
２、原告辯稱證據2 有「反面教示」，無非以「證據2 可以在較低溫度進行黏合、反射金屬層可以直接形成於P+砷化鎵表面覆蓋層上即有很好歐姆接觸…，而不需再進行高溫退火」云云。惟原告所謂證據2 可以在較低溫度進行黏合，係指證據2 因為利用低熔點之金錫焊接層進行晶片融合，因此可以在較低溫度下進行，而非指「形成n 型歐姆接觸金屬層」於較低溫度下進行。而系爭專利之金屬黏著層
124 也是選自低溫金屬或焊錫，以方便於低溫下進行晶片融合，故可得知「利用低熔點之金錫焊接層進行晶片融合」與「形成n 型歐姆接觸金屬層」所需溫度無關。因此證據2 形成n 型歐姆電極之狀況與系爭專利完全相同，當然會有高溫退火製程。
（七）證據5 與系爭專利之第2 技術特徵相同，原告辯稱證據5不同於系爭專利云云，惟：
證據5 是利用金屬黏著層將具有反射金屬層之LED 結構黏著於導電基板上。擴散阻障層36位於金屬反射層34與金屬黏著層38之間。此金屬黏著層38可以是銦(In)、鉛(Pb)、金(Au)、錫(Sn)、或其合金。此金屬黏著層38用以將LED結構黏著於另一基板上，而此基板可以是導線架(leadframe)或晶粒墊(die pad) 。擴散阻障層36可以避免因為後續高溫製程，而使金屬反射層34與金屬黏著層38產生兩層材料產生混合，並且也可以避免金屬反射層34之變質。證據5 主要與系爭專利之第2 技術特徵相同，係解決因後續製程溫度導致金屬反射層34與金屬黏著層38產生兩層材料產生混合。原告辯稱證據5 與系爭專利不同，無非以「證據5 未能防止金屬反射層與p 型歐姆接觸層反應之問題」云云，惟系爭專利包含兩個技術特徵，原告上述辯稱內容屬於第1 技術特徵，而證據5 主要與系爭專利之第2 技術特徵相同。
（八）證據6 與系爭專利之第1 技術特徵相同，原告辯稱證據6不同於系爭專利云云，惟：
１、證據6 是利用透明導電氧化層ITO 的發光二極體(LED) 。ＧaAs 基板5 上提供LED 磊晶層結構( 包含n-GaAlAs覆蓋層4 、活性層3 、p-GaAlAs層2)。之後於LED 磊晶結構上形成ITO 透明導電氧化層8 ，並於ITO 透明導電氧化物8上形成金屬電極反射層9 ，其材料可以是Au或Au/Cu 。金屬電極反射層9 可以將LED 磊晶結構產生之光線進行反射，而GaAs基板5 與金屬電極反射層9 之間因為多了ITO 透明導電氧化層8 ，GaAs基板5 與金屬電極反射層9 不會因為退火過程起反應，進而使金屬電極反射層9 可以維持平整。其中GaAs基板即是III-V 族半導體，故證據6 明顯揭示利用ITO 透明導電氧化層位於III-V 族半導體（即GaAs基板5 ）和金屬電極反射層9 之間，以避免GaAs基板5 與金屬電極反射層9 因為退火過程起反應。證據6 因為有
ITO 透明導電氧化層8 位於金屬電極反射層9 與GaAs基板
5 之間，所以退火不會導致「合金化」，因此可以維持金屬電極反射層9 之反射面平整性。所謂「合金化」即是金屬反射層與III-V 族半導體反應之問題。故證據6 也是解決金屬反射層與III-V 族半導體反應之問題，並提出於金屬反射層( 即金屬電極反射層9)與III-V 族半導體( 即GaAs基板5)之間，多了一層「惰性導電性氧化層」( 即
ITO 透明導電氧化層8)以防止「金屬反射層與III-V 族半導體因後續製程溫度反應，使金屬反射層表面合金化粗糙進而降低反射率」，故證據6 與系爭專利之第1 技術特徵完全相同。
２、原告辯稱證據6 僅僅教示「於LED 半導體基板與底部金屬電極層加入透明導電氧化層」，而與系爭專利無關云云，惟證據6 之摘要已述明，金屬電極反射層9 就是金屬反射層，而GaAs基板5 即是III-V 族半導體，故證據6 揭露於金屬反射層( 即金屬電極反射層9)與III-V 族半導體( 即GaAs基板5)之間，多了一層「惰性導電性氧化層」，而非如原告上述辯稱證據6 僅僅教示「於LED 半導體基板與底部金屬電極層加入透明導電氧化層」。
３、原告另稱「證據6 中透明導電氧化層接觸GaAs基板，其砷化鎵GaAs材料與系爭專利中透明導電氧化層接觸之磊晶層
110 材料為砷化鋁鎵AlGaAs、磷砷化鎵GaAsP 、磷化鎵
GaP 等不同」云云，惟砷化鎵GaAs材料即是III-V 族半導體，而砷化鋁鎵AlGaAs、磷砷化鎵GaAsP 、磷化鎵GaP 等材料亦是III-V 族半導體，而系爭專利第1 技術特徵，即是要解決金屬反射層與III-V 族半導體反應之問題，而提出於金屬反射層與III-V 族半導體之間，多了一層「惰性導電性氧化層」。
４、原告又稱依據證據6 第34段文字，證據6 教示ITO 層不能任意與光發射結構直接接觸云云，惟僅是說明要於下包覆層4 與透明電極8 接合部分，增加摻雜雜質之濃度以增加導電性，而非下包覆層4 與透明電極8 不能直接接觸，故原告之主張，顯無理由等語，資為抗辯。
（九）答辯聲明：原告之訴駁回。
五、系爭專利係於92年9 月2 日審定准予發明第189531號專利，經參加人提起舉發，被告於101 年8 月27日為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，原告不服，提起本件訴訟，是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24日修正公布，91年1 月1 日施行之專利法為斷。本件並經兩造同意整理爭點如下（見本院卷第145 頁）：
（一）證據2 、6 之組合可否證明系爭專利申請專利範圍第1 至
4 項不具進步性？
（二）證據5 、6 之組合可否證明系爭專利申請專利範圍第1 至
4 項不具進步性？
（三）證據2 、5 、6 之組合可否證明系爭專利申請專利範圍第
5 項不具進步性？
六、得心證之理由：
（一）系爭專利技術內容：系爭專利為一高效率之發光二極體具有鏡面反射層形成於其中，其中鏡面反射層係由一透明導體氧化層和一高反射金屬層所構成，透明導電型氧化層可允許絕大多數的光通過然後再被反射金屬層反射回來。透明導電型氧化層可以選取和高反射金屬層不會反應或幾乎不反應的材料，這樣即使是在高溫環境下，也可避免在進行歐姆接觸退火步驟時反射金屬層和III-V 族化合物半導體的反應所導致反光性退化的問題。因此，具有上述之鏡面反射層之發光二極體可以使得產品具有高良率，進而降低製造成本。而本創作所欲解決的技術問題其一為：n 型歐姆接觸金屬電極47係在所述光發射磊晶層40和一支撐基板35黏著後再進行，因此，為達到低接觸電阻之目的，高溫退火製程通常是必要的，但這一製程步驟，通常就會犧牲掉反射金屬層37b之反射率。如果不希望犧牲掉反射層之反射率，勢必不能進行高溫退火，換言之，就不能達到低阻值歐姆接觸的目的。另一目的則係提供一種防止反射金屬層和p 型歐姆接觸層之間因退火而反應之結構（多加一惰性導電性氧化層於反射金屬層與p 型歐姆接觸層之間）。
（二）系爭專利申請專利範圍依101 年3 月9 日更正本（101 年
9 月11日公告）共計5 項，其中第1 項、第3 項、第5 項為獨立項，其餘項次為附屬項（主要圖面如附圖1 所示，見本院卷第63至82頁）。
１、第1 項：一種發光二極體，至少包含：一導體基板；一光發射層結構，具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一惰性透明導電型氧化層形成於該光發射層結構上；一反射金屬層形成於該惰性透明導電型氧化層上；一金屬黏著層黏著該導體基板及該反射金屬層，以形成該發光二極體；以及一擴散阻障層形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。
２、第2 項：如申請專利範圍第1 項之發光二極體，其中上述之擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種。
３、第3 項：一種發光二極體，至少包含：一導體基板；一反射金屬層形成於該導體基板上；一惰性透明導電型氧化層形成於該反射金屬層上；一光發射層結構，形成於該惰性透明導電型氧化層上，該光發射層結構具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一金屬黏著層形成於該反射金屬層與該導體基板之間，該金屬黏著層係選自由In、Au-Sn 合金、Au-Si 合金、Pb-Sn 合金、Au-Ge合金或PdIn合金其中之一種；及一擴散阻障層形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。
４、第4 項：如申請專利範圍第3 項之發光二極體，其中上述之擴散阻障層材料係選自由導電型氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族的其中之一種。
５、第5 項：一種發光二極體之製造方法，至少包含以下步驟：提供一發光二極體磊晶層，該磊晶層包含複數層III-V族化合物半導體層形成於一暫時性基板上；形成一惰性透光性導電氧化層在該磊晶層上；形成一反射金屬層於該惰性透光性導電氧化層上；提供一導體基板，該導體基板具有第一歐姆接觸金屬層於該導體基板之上表面，一第二歐姆接觸金屬層於該導體基板之下表面；利用一低熔點金屬黏著層將該第一歐姆接觸金屬層與該反射金屬層粘貼在一起；移除該暫時性基板；形成一歐姆接觸金屬層於該發光二極體磊晶層之裸露表面，以做為歐姆接觸電極；及先形成一擴散阻障層於該反射金屬層上，再進行該低熔點金屬黏著層黏著步驟。
（三）參加人主張系爭專利申請專利範圍第1 至5 項不具進步性，所引用之證據包括：
１、證據2 ：90年9 月21日公告之我國第00000000號「發光二極體及其製造方法」專利案。其公開日早於系爭專利案申請日（91年1 月15日），可為系爭專利相關之先前技術。
其技術內容運用了一高導電性與高反射性之金屬以避免發出之光被基板吸收掉，以及採用可融化成液態之焊接層來進行焊接製程，因此可獲得較佳之導接性質同時可在較低的溫度下進行焊接製程。本發明係提供垂直堆疊之發光二極體晶粒結構，因此僅需要一單一之導線，可使得發光二極體的配線變得更容易施行，並且可以降低製造成本。此外，本發明可以大幅降低發光二極體晶粒之尺寸，且具有較佳之散熱效果，因此發光二極體的效能穩定性較佳且可以被應用於較高的電流強度之下（主要圖面如附圖2 所示，見本院卷第83至92頁）。
２、證據5 ：2001年4 月24日公告之美國第0000000 號「DIFFUSION BARRIER FOR INCREASED MIRRORREFLECTIVITY IN REFLECTIVE SOLDERABLE CONTACTS ONHIGH POWER LED CHIP 」專利案。其公開日早於系爭專利案申請日（91年1 月15日），可為系爭專利相關先前技術。其技術內容為使用能夠在LED 晶片的高溫製程中防止反射層與銲著層間分子遷移的擴散阻障層(diffusionbarrier)可銲接LED 晶片及其製造方法（主要圖面如附圖
3 所示，見本院卷第93至98頁）。
３、證據6 ：1998年1 月6 日公開之日本特開平00-000000 號「面發光型半導体發光素子」專利案，其公開日早於系爭專利案申請日（91年1 月15日），可為系爭專利相關先前技術。其技術內容在於提供一種面發光型半導體發光元件，將朝向光取出面相反側的光效率佳地取出到外部。其在半導體基板5 與n 側電極9 之間夾著透明電極8 ，所以退火不會導致合金化。因此，金屬電極9 之反射面能保持平坦的狀態，不形成粗糙面（主要圖面如附圖4 所示，見本院卷第99至109頁）。
（四）證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至
4 項不具進步性：
１、證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
（１）證據2 在第3 圖揭示一種發光二極體，至少包含：一矽基板26（專利說明書第8 頁第3 行，見本院卷第87頁）；一磊晶結構包括p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層16（專利說明書第7 頁第5 至8 行，見本院卷第86頁反面）；一p 型歐姆接觸金屬層30（專利說明書第8 頁第8 行，見本院卷第87頁）形成於磊晶結構與該矽基板之間；一焊接層22（專利說明書第8 頁第18行，見本院卷第87頁）黏著該矽基板及該p 型歐姆接觸金屬層，以及一抗融化層（專利說明書第9 頁第9 行，見本院卷第87頁反面）形成於該p 型歐姆接觸金屬層及該焊接層之間。其中「矽基板」、「p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層16之磊晶結構」、「p 型歐姆接觸金屬層30」、「焊接層22」及「抗融化層」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第1 項之「導體基板」、「光發射層結構」、「反射金屬層」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「一種發光二極體，至少包含：一導體基板(26)；一光發射層結構(12 、14及16) ，具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一反射金屬層
(30)形成於光發射層結構與該導體基板(26)之間；一金屬黏著層(22)黏著該導體基板(26)及該反射金屬層(30)，以形成該發光二極體；以及一擴散阻障層( 抗融化層) 形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間」。證據2與系爭專利申請專利範圍第1 項之差異在於：系爭專利申請專利範圍第1 項尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構(12 、14及16) 與反射金屬層(30)之間。由系爭專利說明書第14頁第3 至13行（見本院卷第90頁）記載可知：該惰性透明導電型氧化層之目的為「…可以防止高溫退火製程中所述反射金屬層116 與所述透明歐姆接觸層110 兩者之間的反應。…若兩者產生反應將對所述反射金屬層116 之反光性有明顯的損害」。
（２）證據6 專利說明書第[0030]-[0034] 文段及第4 圖（見本院卷第106 、102 頁）中揭示：在n-GaAs半導體基板
5 之一表面上依序成長磊晶層下包覆層4 、活性層3 ，及上包覆層2 ，後移除半導體基板5 ，再於露出的下包覆層4 表面依序形成透明電極8(如ITO)及n 側金屬電極
9 。另在專利說明書第[0004]文段（見本院卷第104 頁）揭示：p 側金屬電極61與上包覆層62之界面，以及以
n 側金屬電極66與n-GaAs半導體基板65之界面因退火而合金化，以及在專利說明書第[0009]文段（見本院卷第
104 頁）揭示：於最下層之半導體層與其下金屬電極之間形成有透明導電膜，所以退火不會導致金屬電極及半導體層合金化，並使得金屬電極與活性層之相對表面能保持平坦不形成粗糙表面，所以能使來自活性層之光朝向發光二件之光取出面效率佳地反射。是證據6 已明確揭示在發光二極體的製造過程中使用退火處理以及使用透明導電膜避免金屬電極與活性層之相對表面合金化之技術。
（３）準此，系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵均為證據2 、證據6 所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6 所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據2 所揭示發光二極體中的磊晶結構與p 型歐姆接觸金屬層間，並可預期如證據6 專利說明書第[0009]文段（見本院卷第104 頁）所教示獲得p 型歐姆接觸金屬層與磊晶結構之相對表面能保持平坦不成粗糙表面可有效地反射到光取出面的功效，是系爭專利申請專利範圍第
1 項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據2 、證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
（４）原告固主張：證據2 在解決與系爭專利技術特徵不相同之技術問題，無任何動機與證據6 結合而完成系爭專利技術，證據2 有反向教示，縱將證據6 與證據2 直接結合仍無法輕易完成系爭專利等語。惟系爭專利所欲解決問題即防止「反射金屬層」與「歐姆磊晶接觸層」間因高溫退火製程而生之反應，採取之技術手段乃於兩者間加入「惰性透明導電型氧化層，而此技術手段雖未見於證據2 ，但已分別見於證據6 第[0004]文段及第[0009]文段，業如上述。且系爭專利之高溫環境乃係對「反射金屬層」與「歐姆磊晶接觸層」進行處理，同樣技術手段亦見於證據6 ，況證據2 之較低溫環境乃是對「p 型歐姆金屬接觸層」與「基板側之歐姆金屬接觸層」，與所稱之高溫環境進行處理的對象不同，自無所稱之反向教示。其次，證據6 明確揭示在「金屬電極9 」與「下包覆層4 」間加入一透明電極，該二層可對應於原證3之p 型歐姆接觸金屬層30與磊晶結構中的p-型上包覆層12，故證據6 亦已明確教示透明電極層之形成位置。再者，證據2 與證據6 於技術上並無不相容處，故熟悉該項技術在參酌證據2 之結構下為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題有動機會採用證據6 所揭示之結構或方法而完成系爭專利之發明。
另證據6 揭示為解決反射金屬層與三五族化合物半導體其接觸面因高溫退火產生反應而使得反射率降低之問題及方法，於反射金屬層與三五族化合物半導體間插入一
ITO 惰性透明導電氧化層，此與系爭專利為解決因高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之問題，將惰性透明導電氧化層設於光發射層結構與反射金屬層之間，以達到防止高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低之功效相同，且證據6 之第4 圖揭示該ITO 可置於下包覆層4 與金屬反射層9 之間，故熟習該項技術者在依據證據2 揭示之結構下，為解決高溫退火時反射金屬層與LED 磊晶層間之反射率降低，易於思及採用證據6 所教示於反射金屬層與LED 磊晶層間插入一惰性透明導電氧化層。又原告所稱之半導體層的載子型態僅記載於系爭專利說明書，在系爭專利申請專利範圍未明確記載該技術限定且系爭專利並未強調克服或是解決n 型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間所產生接觸之問題，而改採用p 型歐姆接觸磊晶層接觸惰性透明導電型氧化層，亦未提出適當之通常知識或是先前技術佐證p 型歐姆接觸磊晶層難與惰性透明導電型氧化層形成接觸，自難認為p 型歐姆接觸磊晶層與惰性透明導電型氧化層間有組合困難。另證據6 第[0009]文段明確揭示：「…於最下層之半導體層與其下金屬電極之間形成有透明導電膜，所以退火不會導致金屬電極及半導體層合金化…」（見本院卷第104 頁反面），並未限制與透明導電膜接觸之半導體層載子型態，縱證據6 之實施例中係以n-GaAs半導體基板5(第1 實施例) 或是n-GaAlAs下包覆層4(第4 實施例) 與透明導電膜接觸，但其僅是例示性揭露其技術內容並未特別限制於n 型半導體材料和透明導電膜才能接觸，亦無特別指出p 型半導體材料不能和透明導電膜接觸的反向教示。是證據2 與證據6 等先前技術之組合，對熟悉發光二極體技術者而言並無不能組合或無法輕易代換之情事，原告此部分主張，尚無可採。
（５）從而，證據2 與證據6 之組合已揭露系爭專利所欲解決的問題及解決問題的技術手段、無反向教示，並明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，故熟悉發光二極體技術者有合理的的動機組合先前技術，且能輕易完成。故證2 與證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
２、證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：
（１）系爭專利申請專利範圍第2項為依附於第1項之附屬項，證據2 於其專利說明書第9 頁第9 至10行（見本院卷第87頁反面）業已記載：抗融化層（即系爭專利之擴散阻障層）材料，例如鉑、鉬、或鎢等金屬層。可以當作擴散阻障材料，上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第2 項即擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種之技術特徵
（２）原告固主張擴散阻障層之形成方式及接合方法，證據2、證據5 之教示與系爭專利顯存差異，無任何動機將證據2 或證據5 另與其他習知技術結合，進一步完成系爭專利以沈積方式形成擴散阻障層之技術特徵等語。惟原告所稱之擴散阻障層之形成方式，在系爭專利申請專利範圍第2 項中並未明確記載其形成方式。其次，系爭專利申請專利範圍第2 項之標的為發光二極體，屬物品發明範疇，所稱「沉積」乃屬方法步驟，其對於發光二極體整體是否具專利性，仍需以該沉積方法所賦與特性之擴散阻障層本身，並非由製造方法決定。再者，證據2已明確揭露系爭專利說明書所記載之高溫金屬材料鎢及鉬，當然能達到與系爭專利相同之功效，原告此部分之主張，尚無可採。
３、證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：
證據2 第3 圖（見本院卷第92頁）揭示一種發光二極體，至少包含：一矽基板26；一p 型歐姆接觸金屬層30形成於該矽基板之上；一磊晶結構包括p-型上包覆層12、活性層
14、及n-型下包覆層16形成於p 型歐姆接觸金屬層上；一焊接層22黏著該矽基板及該p 型歐姆接觸金屬層，其材質金錫合金；以及一抗融化層形成於該p 型歐姆接觸金屬層及該焊接層之間。其中「矽基板26」、「p 型歐姆接觸金屬層30」、「p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層之磊晶結構16」、「焊接層22」及「抗融化層」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第3 項之「導體基板」、「反射金屬層」、「光發射層結構」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第3項「一種發光二極體，至少包含：一導體基板(26)；一反射金屬層(30)形成於該導體基板上；一光發射層結構(12、14及16) ，形成於該反射金屬層上，該光發射層結構具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一金屬黏著層(22)形成於該反射金屬層與該導體基板之間，該金屬黏著層係選自由In、Au-Sn 合金、Au-Si 合金、Pb-Sn 合金、Au-Ge 合金或PdIn合金其中之一種；及一擴散阻障層( 抗融化層) 形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。」09。證據2 與系爭專利申請專利範圍第3 項之差異在於：第3 項尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構與反射金屬層之間，然此部分技術特徵亦為證據6 所揭露，已詳如上述，且證據2 、6 之組合已揭露系爭專利所欲解決之問題及解決問題之技術手段、無反向教示，以及明確教示透明電極層的形成位置及所能獲得的功效，均詳如上述，是熟悉發光二極體技術者有合理動機組合並能輕易完成。故證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
４、證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
證據2 在其專利說明書第9 頁第9 至10行（見本院卷第87頁反面）載明：抗融化層材料，例如鉑、鉬、或鎢等金屬層，上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第4 項即擴散阻障層材料係選自由導電型氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族的其中之一種之技術特徵。故證據2 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
（五）證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至
4 項不具進步性：
１、證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
（１）證據5 在第2 圖（見本院卷第94頁）揭示一種發光二極體，至少包含：一基板40；一磊晶結構28；一反射層34形成於磊晶結構與該基板之間；一焊料層38黏著該基板及該反射層，以及一擴散阻障層36形成於該反射層及該焊料層之間。其中「基板40」、「LED 之磊晶結構28」、「反射層34」、「焊料層38」及「擴散阻障層36」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第1 項之「導體基板」、「光發射層結構」、「反射金屬層」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「一種發光二極體，至少包含：一導體基板(40)；一光發射層結構(28)，具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一反射金屬層(34)形成於光發射層結構與該導體基板(40)之間；一金屬黏著層(38)黏著該導體基板(40)及該反射金屬層(34)，以形成該發光二極體；擴散阻障層(36)於反射金屬層34與金屬黏著層38之間」。證據5 與系爭專利申請專利範圍第1 項之差異在於：系爭專利尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構(28)與反射金屬層(34)之間。
惟此部分技術特徵亦經證據6 所揭露，已詳如上述。
（２）準此，系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵均為證據5 、證據6 所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6 所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據5 所揭示發光二極體中的磊晶結構與p 型歐姆接觸金屬層間，並可預期如證據6 專利說明書第[0009]文段（見本院卷第104 頁）所教示獲得p 型歐姆接觸金屬層與磊晶結構之相對表面能保持平坦不成粗糙表面可有效地反射到光取出面的功效，是系爭專利申請專利範圍第
1 項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據5 、證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
２、證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第2 項為依附於第1 項之附屬項，證據5 在其專利說明書記載：耐火金屬，例如鉬、鎢、或鉭等可以當做擴散阻障材料，而上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第2 項即擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種之技術特徵。故證據5、6之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
３、證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性：
證據5 在第2 圖（見本院卷第94頁）揭示一種發光二極體，至少包含：一基板40；一磊晶結構28；一反射層34形成於磊晶結構與該基板之間；一焊料層38黏著該基板及該反射層，以及一擴散阻障層36形成於該反射層及該焊料層之間。其中「基板40」、「LED 之磊晶結構28」、「反射層34」、「焊料層38」及「擴散阻障層36」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第3 項之「導體基板」、「光發射層結構」、「反射金屬層」、「金屬黏著層」及「擴散阻障層」，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第3 項「一種發光二極體，至少包含：一導體基板(26)；一反射金屬層
(30)形成於該導體基板上；一光發射層結構(12 、14及16) ，形成於該反射金屬層上，該光發射層結構具有複數層發光二極體磊晶層，用以當電流注入後產生光；一金屬黏著層(22)形成於該反射金屬層與該導體基板之間，該金屬黏著層係選自由In、Au-Sn 合金、Au-Si 合金、Pb-Sn 合金、Au-Ge 合金或PdIn合金其中之一種；及一擴散阻障層（抗融化層）形成於該反射金屬層及該金屬黏著層之間。
」。證據5 與系爭專利申請專利範圍第3 項之差異在於：
系爭專利尚有一惰性透明導電型氧化層，介於光發射層結構與反射金屬層之間。惟此部分技術特徵亦經證據6 所揭露，均詳如上述，是熟悉發光二極體技術者有合理動機組合並能輕易完成。故證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
４、證據5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第4 項為依附於第3 項之附屬項，證據5 在其專利說明書記載：耐火金屬，例如鉬、鎢、或鉭等可以當做擴散阻障材料，而上開金屬均為高溫金屬材料，業已揭示系爭專利申請專利範圍第4 項即擴散阻障層材料係選自由導電性氧化層、高溫金屬層、高溫金屬矽化物層所組成之族群的其中之一種之技術特徵。故證據5 、
6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
（六）證據2 、5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第
5 項不具進步性：
１、證據2 在專利說明書第7 頁第3 行至第10頁第5 行及第1至3 圖（見本院卷第86至88、91至92頁）揭示一種發光二極體之製造方法，包括在一n 型砷化鎵基板(20)上，形成包含複數層磷化鋁鎵銦層p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層16為一發光二極體之磊晶結構；形成一p 型歐姆接觸金屬層30於該發光二極體之磊晶結構；提供一矽基板26，其具有一歐姆接觸金屬層24，及另一歐姆接觸金屬層28；利用一焊接層22將該第一歐姆接觸金屬層與p 型歐姆接觸金屬層粘貼在一起；移除該n 型砷化鎵基板；及形成另一歐姆接觸金屬層32於該發光二極體磊晶結構之裸露表面，以做為歐姆接觸電極，其中可以先形成一抗融化層於該p 型歐姆接觸金屬層上，再進行該焊接層黏著步驟。其中「n 型砷化鎵基板20」、「p-型上包覆層12、活性層14、及n-型下包覆層16」、「p 型歐姆接觸金屬層30」、「矽基板26」、「歐姆接觸金屬層24」、「歐姆接觸金屬層28」、「焊接層22」、「歐姆接觸金屬層32」及「抗融化層」，可分別對應至系爭專利申請專利範圍第5 項之「暫時性基板」、「III-V 族化合物半導體層」、「反射金屬層」、「導體基板」、「第一歐姆接觸金屬層」、「第二歐姆接觸金屬層」、「金屬黏著層」、「歐姆接觸金屬層」及「擴散阻障層」，故其已揭露系爭專利申請專利範圍第5 項「一種發光二極體之製造方法，其係提供一發光二極體磊晶層，該磊晶層包含複數層III-V 族化合物半導體層(12 、14及16) 形成於一暫時性基板(20)上；形成一反射金屬層(30)於該發光二極體磊晶層；提供一導體基板(26)，該導體基板(26)具有第一歐姆接觸金屬層(24)於該導體基板(26)之上表面，一第二歐姆接觸金屬層(28)於該導體基板(26)之下表面；利用一低熔點金屬黏著層(22)將該第一歐姆接觸金屬層(24)與該反射金屬層(30)粘貼在一起；移除該暫時性基板(20)；及形成一歐姆接觸金屬層
(32)於該發光二極體磊晶層之裸露表面，以做為歐姆接觸電極，及先形成一擴散阻障層( 抗融化層) 於該反射金屬層上，再進行該低熔點金屬黏著層黏著步驟。」證據2 與系爭專利申請專利範圍第5 項之差異在於：系爭專利申請專利範圍第5 項先形成有一惰性透明導電型氧化層於磊晶層(12 、14及16) 上，再形成反射金屬層(30)於惰性透明導電型氧化層上。惟證據6 業已揭示該技術特徵，均詳如上述。
２、準此，系爭專利申請專利範圍第5 項之技術特徵均為證據
2 、證據6 所揭露，且為其所屬發光二極體技術領域中具有通常知識者可輕易將證據6 所揭示之在磊晶結構層與金屬層之間形成有透明導電膜之技術，組合運用於證據2 所揭示發光二極體中的磊晶結構與p 型歐姆接觸金屬層間，並可預期如證據6 專利說明書第[0009]文段（見本院卷第
104 頁）所教示獲得p 型歐姆接觸金屬層與磊晶結構之相對表面能保持平坦不成粗糙表面可有效地反射到光取出面的功效，是系爭專利申請專利範圍第5 項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，故證據2 、證據6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性，且因證據2 、證據6 之組合既足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性，故證據2 、證據5 、證據6 之組合自亦足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
七、綜上所述，證據2 、6 之組合或證據5 、6 之組合既足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至4 項不具進步性；證據2 、
5 、6 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性，系爭專利有違系爭專利核准審定時有效之專利法第20條第2 項規定，則被告就本件專利舉發案所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。原告訴請撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。
八、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 102 年 6 月 27 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 蔡惠如法 官 陳容正上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審訴│ 。 ││ 訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 102 年 7 月 5 日
書記官 劉筱淇