智慧財產法院行政判決
102年度行專訴字第115號民國103年8月27日辯論終結原 告 羅門哈斯電子材料CMP控股公司代 表 人 布雷克 T. 畢德曼訴訟代理人 郭雨嵐律師
呂紹凡律師輔 佐 人 洪珮瑜被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 王美花（局長）住同上訴訟代理人 李聖賢
董必正
參 加 人 美商卡博特微電子公司(Cabot Microelectronics
Corporation)代 表 人 史提芬 魏斯曼訴訟代理人 陳翠華專利師
陳群顯律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
2 年9 月12日經訴字第10206101280 號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下︰
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要︰原告之前手即訴外人羅戴爾股份有限公司（下稱羅戴爾公司）前於民國85年8 月27日以「拋光墊」向前中央標準局（88年1 月26日改制為智慧財產局，即被告）申請發明專利，復申請將原發明名稱修正為「可用於積體電路晶圓之拋光墊」，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I097574 號專利證書（下稱系爭專利）。嗣羅戴爾公司於89年8 月9 日申請將系爭專利權移轉予原告（更名前為羅戴爾控股股份有限公司），並經被告核准在案。
其後，參加人於98年9 月30日以系爭專利有違核准時專利法第20條第1 項前段、第2 款、第2 項及第71條第3 款規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。原告乃於99年2 月4 日提出系爭專利申請專利範圍更正本，案經被告審查，認與87年9 月11日公告本相較，為申請專利範圍之減縮，未超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，未變更實質內容，准予更正。本件舉發案應依該更正本審查，並認系爭專利違反核准時專利法第20條第1 項第2 款及第2 項之規定，以101 年12月28日（101 ）智專三（三）05053 字第10121532060 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，案經經濟部於102 年9 月12日以經訴字第10206101280 號訴願決定書駁回訴願，原告不服，遂向本院提起行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，倘訴願決定及原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依參加人之聲請，裁定准許參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告主張：
（一）證據3 不具證據能力，不得作為系爭專利之先前技術：擬制喪失新穎性之規定係為貫徹先申請主義，避免重複專利，故應以「在我國」申請在先並經核准者為限，且不應與優先權混淆。又系爭專利係於85年8 月27日申請，而證據3 即我國公告第00000000號發明專利則係於86年7 月25日申請，87年9 月1 日公告，故證據3 形式上即不符合系爭專利核准審定時之專利法第20條第1 項第2 款規定之「申請在先並經核准專利者」之要件。詎原處分及訴願決定竟以證據3 之優先權日（85年8 月16日）作為證據3 之「申請日」，顯然違反專利法之規定。蓋所謂證據3 之優先權日係指美國專利申請號08/689,930於美國之申請日，而該美國專利並非於我國之申請案，與系爭專利為中華民國發明專利之地域不同，不生「重複專利」之問題，亦非審定時專利法第20條第1 項第2 款所欲規範之對象。是以，證據3 不具證據能力，不得作為系爭專利之先前技術。
（二）證據3 及證據6 均不足以證明系爭專利申請專利範圍第1、3 、4 項擬制喪失新穎性：
１、系爭專利申請專利範圍第1 項、第3 項、第4 項所載發明係一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該等請求項所請之拋光墊主要具有下列共同技術特徵：該拋光墊是由兩個部分所構成，包括「透光之視窗（即第一部分）」以及「墊片（即第二部分）」；「透光之視窗（即第一部分）」是由一固體均勻聚合體片材所組成；「透光之視窗（即第一部分）」不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力。
２、證據3部分：ꆼ證據3 說明書第16頁第18至20行記載：「上插件部602 之
頂面606 係與該拋光墊片18之頂面共同位於同一平面」，因為係位於同一平面，因此，當拋光墊進行研磨時，插件也必然接觸到晶圓。又該說明書第19頁第10至11行及第16頁第15行分別記載：「該插件係與拋光墊片18之其他部分以同樣之速率磨耗」、且該插件「係與該拋光墊以同等之速率銷蝕者」，可知當進行晶圓之研磨時，研磨墊與插件均同被晶圓磨耗。既然研磨墊與插件均以相同的速率被磨耗，即顯示插件與拋光墊均具有拋光能力，依參加人之邏輯，即「具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」，此顯非系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵。
ꆼ證據3 係教示「兩段式插件600 之部位並未有溝槽或凹窪
，故將不致有漿液之堆積而致阻礙到雷射光束34」（說明書第18頁倒數第2 行至第19頁第1 行），惟不會「堆積」漿液並非「不具吸收或傳輸」淤漿粒子，蓋研磨漿液係使用次微米等級之淤漿粒子，而漿液之堆積則是肉眼可視之等級，兩者顯非描述同等之事件。易言之，漿液是否堆積，並無法推導出是否可吸收或傳輸淤漿粒子之結果。
ꆼ綜上，結合證據3 前揭「該插件係與拋光墊片18之其他部
分以同樣之速率磨耗」之敘述，可得知漿液不會堆積在插件，但插件卻可吸收或傳輸淤漿粒子，因而導致該插件以同樣於拋光墊片之速率而磨耗（即拋光、研磨），足證證據3 確實並未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之技術特徵。
３、證據6部分：ꆼ證據6 係揭示一種用於化學機械拋光操作之定位監測的方
法及裝置（即「半導體設備」），與系爭專利之「拋光墊」已屬不同發明。又證據6 所揭示者為一種「在拋光一基材時在原來的位置上測定其層之均一性的方法」，該方法係「運用一終點偵測器產生一雷射光束34透過旋轉平台16所形成之孔30緊鄰的窗朝向晶片14上的該層，監測自該層反射之光束所造成的干涉信號，再由干涉信號計算出均一性」。而其實現上述方法的方式有3 種：ꆼ直接在拋光設備的旋轉平台上設置「窗」；ꆼ以整片墊片作為「窗」；ꆼ在墊片中形成一「窗」。
ꆼ由前述說明可知，證據6 所揭技術內容為如何利用通過「
窗」（無論是將窗設置在旋轉平台上、以整個墊片作為「窗」、或是將窗設置在墊片中）的透射光束來進行晶片層均一性的監測，更具體地，是在於探測之干涉信號的傳輸、接收、儲存與處理等，其僅記載需「確保由雷射干涉儀所產生的雷射光束能夠不受阻擋地通過窗且射在晶片上」。亦即，除了訊號處理之技術內容以外，證據6 僅記載「窗」（無論是設置在旋轉平台上、或是設置在墊片中）具有透光性，而與墊片上之窗的製法、材質與性質無涉，更完全沒有揭示系爭專利中「由聚合體片材所組成」以及「不具吸收與傳輸淤漿粒子的固有能力」之技術特徵。
４、綜上，證據3 及證據6 均未明確揭露系爭專利申請專利範圍第1 、3 、4 項之「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」共同技術特徵，自不足以證明系爭專利申請專利範圍第1、3、4 項擬制喪失新穎性。
５、原處分雖以不具添加物、具透射性而錯誤「推論」為不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力，然此部分推論顯非「直接且無歧異得知」，且其推論過程亦屬謬誤。蓋依美國專利公開第2004/0000000A1號及日本專利公開第0000-00000
0 號所揭示之內容，可知含有「添加物」可不影響其對光線的「透射性」，且有「吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力」，足證原處分所憑據之「不具添加物」即有「高透射性」即屬「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之推論邏輯顯有錯誤。又是否含有「添加物」（或是否具有「透射性」）皆與「吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力」無關，並非具有添加物之聚氨酯即表示具有「吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力」，此觀美國專利第6,860,793 號所揭示之內容即明。而且，並非不具添加物之聚氨酯即不具「吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力」，蓋市售聚氨酯本身都含有少量水分，在塑製（casting ）聚氨酯片材或插塞期間，這些水分會與聚氨酯之聚氰酸酯基（is ocyanate ）反應而產生二氧化碳，而此反應會使聚氨酯形成發泡。換言之，即使未對聚氨酯添加任何添加物，其內部二氧化碳的產生即可導致孔洞生成，因而產生吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力。除此之外，熟習該項技藝人士亦可得知，當塑製程序不是在真空環境中進行時，聚氨酯製品也會因空氣摻入而產生含有孔洞的情形，因而具有吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力。基此，原處分及訴願決定認為「不具添加物」的「堅硬之聚氨酯不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力」云云，顯將證據6 中聚氨酯之抑制透光性添加物的有無錯誤理解為視窗材質的固有研磨能力，錯認只要聚氨酯不具添加物（亦即具有高透光性）即代表其無法吸收或傳輸淤漿粒子之固有研磨（拋光）能力，其論證顯屬錯誤。
６、原處分及訴願決定自行演繹證據6 中所無之內容：ꆼ訴願決定明知證據6 之揭露為「不含某些抑制透射性之添
加物」，卻另外引用證據6 之對應美國專利（並非本案之引證文件），而稱「墊片材料仍含有某些抑制透射性之添加物」云云，顯然違反辯論主義並有不依卷內證據解釋之違法。又原處分及訴願決定雖稱證據6 之第3C圖實施例之聚氨酯插塞不具添加物，以代替該區域之典型墊片材料等語，然翻遍證據6 之整份說明書，竟無一處記載「第3C圖之聚氨酯不具添加物」，足證原處分及訴願決定係自行演繹證據6 所無之內容，其違背法令之情況，實屬顯而易見。
ꆼ證據6 已明確揭示其視窗係一「插塞」，卻無任何關於「片材」之記載，兩者顯非相同之發明：
ꆼ證據6 全然沒有關於「片材」之說明，詎原處分竟罔顧
證據6 中所揭真實內容，逕自演繹證據6 內容所無之技術意涵，甚至空言「該聚氨酯插塞42係一固體的片材」且「請求項第1 項所載『該墊具有至少一個部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成』係相同於證據6 所揭示之一聚氨酯片材或一堅硬的聚氨酯插塞」等顯非證據6 所揭露之內容，並進而判認系爭專利擬制喪失新穎性云云，其處分顯屬違法，不應維持。
ꆼ原處分及訴願決定在判斷證據6 之揭露是否為「不含某
些抑制透射性之添加物」時，自行引用證據6 之對應美國專利（並非本案之引證文件）。且觀諸該美國專利，通篇都使用「plug（中譯：插塞）」，而無使用「shee
t （中譯：片材）」，依原處分之邏輯，豈不更應肯定證據6 所揭示者與系爭專利不同，則二者既非相同發明，自不可適用擬制喪失新穎性之規定。
（三）證據2 與證據4 之組合無法證明系爭專利申請專利範圍第
1 至5 項不具進步性；證據2 與證據5 之組合亦不足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性；
１、證據2 與證據4 之組合欠缺組合動機，不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 至5 項不具進步性：
證據2 為85年2 月6 日公告之美國第5,489,233 號「Polishing Pads and Methods for Their Use」專利案；證據
4 為84年2 月28日公告之日本第H00-000000號「WaferPolishing Method and Device Therefore 」專利案。又證據4 之拋光墊雖開啟一窗口，惟其並未揭露一具有視窗材質之第一部分及墊片材質之第二部分所組成之拋光墊。是以，證據4 既未揭露具有「視窗材料」之拋光墊，則如何以證據2 所揭材質來取代證據4 之玻璃材質。且縱以證據2 所揭材質來取代證據4 之玻璃材質，則得到的僅是一種墊片上設有開口，配合設於拋光平台中之固體均勻聚合物插塞而進行光學偵測，根本不是系爭專利所請由「兩部分」所組成之拋光墊，熟悉該項技術者自無從將兩個分屬不同的部分強加組合，足證參加人及被告之組合，顯屬後見之明，欠缺組合動機。
２、證據2 與證據5 之組合欠缺組合動機，無法證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：：
證據5 為82年11月22日公告之日本第H00-000000號「Bond
ed Wafer Polishing Pad」專利案。又證據5 所揭示者係利用整片透光的墊片進行研磨，以光學方式檢測研磨終點之研磨方法，證據5 之檢測方法完全未揭示任何具有視窗結構之研磨墊。又證據2 及證據5 所揭示之結構均為「整片墊片」，而完全未揭示如系爭專利具有「視窗結構」之研磨墊，考量系爭專利所欲解決問題之一即在於「以光學方法偵測晶圓表面狀態」，則熟悉該項技術者在看到證據
5 所揭示「整片透光的墊片」時，豈不更應認為證據5 之墊片才能達成此一目的，又有何動機加以組合證據2 及證據5 ，足見被告及參加人僅係為了組合而組合，毫無任何動機可為支持，更屬後見之明。
３、系爭專利申請專利範圍第1至5項具備進步性：ꆼ系爭專利申請專利範圍第1項具備進步性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項之用於積體電路晶圓之拋
光墊的一部分是由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力、且可透光（190 至3500 nm ）之固體均勻聚合體片材（sheet ）所組成；藉此，在晶圓拋光或平面化置程中得以光學方式同步進行晶圓表面狀態（例如：拋光之平坦程度）之檢測，同時提昇拋光墊之拋光效果。換言之，本案所欲解決的技術問題在於如何設計一種拋光墊，藉其得以於拋光期間利用光學方式同步檢測晶圓表面狀態、且可維持（甚至提升）其拋光效果。
ꆼ由前述說明可知，證據2 所提為一種與整片皆由拋光材
料製成之傳統拋光墊截然不同的構想，其係利用表面紋理圖樣的形成，賦予原不具拋光能力之固體均勻聚合物片材良好的拋光能力，證據2 並未揭示該請求項中關於「該墊具有一部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」以及「該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過」之技術特徵。
ꆼ同前，證據4 揭露一種由拋光布與透光視窗所組成之拋
光裝置，以於拋光過程中利用光學方法測得晶圓厚度，進而有效與精確控制晶圓拋光程序，其中透光視窗是由玻璃製成，且供具680 至800 nm波長範圍之光進行反射，藉由光反射之特性來決定拋光終點。換言之，證據4提出一種可利用光學方法來確認拋光終點的技術方案，利用在拋光墊中形成一玻璃視窗部分，藉由光反射作用來計算拋光厚度與終點。證據4 同樣未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項中關於「該墊具有一部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」之技術特徵。
ꆼ因此，如非系爭專利之教示，CMP 技術領域中具通常知
識者即使組合證據2 與證據4 之技術內容，尚無法實現系爭專利之「該墊具有一部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」之技術特徵，勢必仍無法解決本案所欲解決之技術問題，即於拋光期間利用光學方式同步檢測晶圓表面狀態、且可維持（甚至提升）其拋光效果，絕對無法結合證據2 與證據4 而輕易完成系爭專利之技術內容、實現其所實現之技術功效，故系爭專利申請專利範圍第1 項確實具有進步性。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第2項具備進步性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第2 項係依附於第1 項，並進一
步限定第1 項之拋光墊中作為視窗部分的固體均勻聚合合體片材的表面型態與特徵，利用外部工件形成表面紋理與圖樣，賦予視窗部分拋光能力。又證據2 與證據4既未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項中關於「該墊具有一部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」之技術特徵，亦無法實現系爭專利所能實現之技術功效，故系爭專利申請專利範圍第2 項所限定之附加技術特徵當然具備進步性。
ꆼ證據5 所揭係關於一種改善拋光晶圓層厚度之正確性的
方法。根據證據5 所載，其係教示使用雷射光與透明拋光墊以測量所拋光之晶圓層的厚度，從而適時終止拋光程序。證據5 僅揭示了整片拋光墊皆為透光材質，藉以使雷射光穿透其間而進行晶圓層厚度偵測，而未揭示任何關於視窗結構之技術內容。又證據2 與證據5 兩者皆為墊片本身的設計，兩者俱未揭示墊片中另設有一視窗結構。是以，即使結合證據2 與證據5 之技術內容，熟習該項技術者亦僅能推知一種「整片皆由透光材質製成」之拋光墊，無法實現系爭專利中關於拋光墊的一部分是由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力、且可透光（190至3500nm）之固體均勻聚合體片材（sheet ）所組成之技術特徵，亦無法完成申請專利範圍第2 項所載之技術內容，故系爭專利申請專利範圍第2 項相較於證據2與證據5 自具備進步性。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第3項及第4項具備進步性：
系爭專利申請專利範圍第3 項及第4 項之拋光墊具有由固體均勻聚合體片材所組成之第一部分（即視窗部分）、以及非由該聚合體片材所組成之第二部分（例如：微孔聚胺基甲酸乙酯結構、充填或膨脹之複合聚胺基甲酸乙酯、固體均勻聚合體），且該第一部分（即「視窗」部分）可為波長在190 至3500 nm 範圍間之光所通過。
又證據2 與證據4 均未揭露系爭專利關於拋光墊具有由透光固體均勻聚合體片材所組成之第一部分之技術特徵，亦無法實現系爭專利所能實現之技術功效，故系爭專利申請專利範圍第3 項及第4 項確實具有進步性。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第5項具備進步性：
系爭專利申請專利範圍第5 項之拋光墊之第一部分（即視窗部分）係由透光之固體均勻聚合體片材所組成，而其第二部分（墊體部分）係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力、具表面紋理與圖樣之固體均勻聚合體所組成，其中該表面紋理及圖樣係用於傳載淤漿粒子且單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。又如前說明，證據2 與證據4 均未揭露系爭專利之關於拋光墊具有由透光固體均勻聚合體片材所組成之第一部分之技術特徵，亦無法實現系爭專利所能實現之技術功效，故系爭專利申請專利範圍第5 項確實具有進步性。
ꆼ綜上，系爭專利申請專利範圍第1 至5 項相較於證據2與
證據4 之組合確實具備進步性。原處分機關所為之處分顯無所據，應予以撤銷。
（五）聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
三、被告抗辯如下：
（一）系爭專利核准公告時所適用專利法第20條第1 項第2 款之「擬制新穎性」的規定，係為貫徹同法第27條「先申請原則」之精神，此觀90年10月24日修正公布之專利法第20條之1 的修法說明及系爭專利核准審定時所適用之專利審查基準第1-2-12頁末段以及第1-2-14頁倒數第二段之規定內容即明。又擬制喪失新穎性之規定既為貫徹先申請主義之精神，則於認定是否為「申請在先」之發明或新型專利申請案時，若擬比對之申請案有主張優先權，當然應將擬比對之申請案的「優先權日」納入考量。準此，證據3 之優先權日為85年8 月16日，早於系爭專利之申請日（85年8月27日），當然可擬制作為與系爭專利比對之先前技術，檢視系爭專利之新穎性，故原處分並無原告所稱之違法情事。
（二）證據3 及證據6 均足以證明系爭專利申請專利範圍第1 、
3 、4 項擬制喪失新穎性：
１、證據3部分：ꆼ有關具視窗之拋光墊，證據3 及證據6 除於說明書中提供
相關文字說明，更輔以圖式進行例示教導，此二證據針對其第3A至3C圖所例示的態樣（其中3B及3C係3A之變形，且3B優於3A，3C優於3B），更分別於證據3 說明書第13至15頁及證據6 說明書第16至17頁，說明如何得到各該圖所例示之拋光墊。尤其，證據3 第14頁第1 段倒數6 行以及證據6 第16頁第2 段倒數5 行，已針對第3A圖漿液40所存在之間隙說明厚度，分別教導「在本發明一已經測試用之實施例中，此一插件38及晶片14間之間隙係被設定為10密位（250 微米）而具有令人滿意之效果者」以及「在本發明之一測試實施例中，插入物38與晶片14之間的間隙設定在10密耳（250 μm 微米）可得到令人滿意的結果」。基於證據3 與證據6 之說明書以及圖式的整體內容，無論證據
3 第3C圖之塞片42或證據6 第3C圖之插塞42，皆毫無疑問是一薄且平坦的片材。又證據3 係揭示在用於化學機械拋光裝置之拋光墊片中形成透明視窗之方法，其說明書第4頁第10至13行述及：「在現代的半導體積體電路（ICs ）製造程序當中，往往必需在先前成型的集層暨構造上再予成型各種材料之集層暨構造，然而，先前成型的結構時常會在該製程中之晶片（晶圓）頂面形成一具有隆起」。而其第3 圖揭示運用一終點偵測器產生一雷射光束34透過旋轉平台16所形成之孔30緊鄰的窗朝向晶片14上的該層，監測自該層反射之光束所造成的干涉信號，再由干涉信號計算出均一性。旋轉平台16上覆有一拋光墊片18，拋光墊片具有一與平台形成接觸面之背襯層20，及一被化學研漿濕潤且與晶片形成接觸面之包覆層22。該拋光墊片18之窗至少在晶片置於窗上面的期間提供一光束之通道以照射於該晶片上。另說明書第5 頁第15至17行述及：「包覆層22通常是為一發泡成型之聚脂胺（聚氨酯）（如型號為羅得爾
IC 1000 ）者，或是一層具有溝槽狀表面之聚脂胺（聚氨酯）（如型號為羅得爾EX2000）者」；說明書第15頁第13行至第21行述及：「雖說，該墊片包覆層所使用之聚胺脂（聚氨酯）材料係為實質上可允許雷射光束的傳遞，惟該材料事實上仍包含有諸如尼龍微粒的會妨礙其穿透性之添加劑，此一問題則可經由第3C圖所示的本發明之實施例予以解決，在此一實施例中，覆蓋住該壓盤孔洞30處之典型墊片的材料係予以由一整體的聚胺脂塞片42所替代，其係由不含尼龍微粒之聚胺脂材料製成，以作為可供雷射光束使用之窗口，是以，經由該塞片42所穿透的雷射光束34之衰減將會降到最低的程度，而塞片42亦係可為一體模製於墊片18之中者。」因此，在第3C圖的實施例中，覆於壓盤孔30上方之區域中的典型墊片材料已被一堅硬的聚氨酯塞片42代替。因為第3C圖之實施例中該塞片為「聚氨酯」，該聚氨酯塞片42係一固體的片材。該證據3 所揭示之堅硬的聚氨酯插塞，不具添加物，熟悉該項技術者可瞭解該堅硬的聚氨酯不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力。再者，證據3 說明書第35頁第22至24行則已述及「至於雷射光束之波長則可予以使用由遠紅外線至紫外線範圍中之任一波長皆可，然而最好是使用在紅光範圍之光束為宜」。
ꆼ由上述可知，系爭專利申請專利範圍第1 項所載「一種用
於積體電路晶圓之拋光墊」等同於證據3 所揭示一種用於積體電路晶圓之拋光墊18；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「該墊具有一個部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」係相同於證據3所揭示之一聚氨酯片材或一堅硬的聚氨酯插塞；系爭專利申請專利範圍第1 項所載「波長在190 至3500nm範圍間之光」相同於證據3 所揭示之「至於雷射光束之波長，可利用從遠紅外線至紫外線區間的波長」。由於遠紅外線至紫外線區間的波長包含190 至3500nm之間波長範圍的光，而紅光的波長亦落在190 至3500nm之間波長範圍內。因為證據3 已揭示可利用從遠紅外線至紫外線區間的波長，等同於已揭示系爭專利申請專利範圍第1 項所請求之「波長在
190 至3500 nm 範圍間之光」，且舉發附件7 亦顯示常見雷射光之波長範圍係在190 至3500nm之間波長範圍。因此，系爭專利申請專利範圍第1 項所請求之發明為證據3 所揭露，擬制喪失新穎性。
ꆼ系爭專利之申請專利範圍並未針對所請拋光墊之製法或視
窗與墊片之間的相對位置做任何界定，而證據3 已教示其拋光墊具有「由聚合體片材所組成」，且為「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之視窗，是證據3 足以證明系爭專利申請專利範圍第1 、3 、4 項擬制喪失新穎性。
２、證據6部分：ꆼ證據6 係揭示一種在拋光一基材時在原來的位置上（in-s
itu ）測定其層之均一性的方法，其說明書第4 頁第6 至
8 行述及「在製造現代化之半導體積體電路（ICs ）的程序中，需要在先前形成之層與構造上形成多種材料層以及構造。但是，先前的成形往往使得在製品晶片（晶圓）的頂部表面地形高度不規則」。而其第3 圖揭示之技術內容則與證據3 第3 圖相同。又證據6 說明書第5 頁第7 至9行述及：「覆蓋層22通常為一開孔泡沫聚氨酯（例如Rode
l ICl000），或者一片具有槽紋表面之聚氨酯（例如Rode
l IC2O00）」；第16頁倒數第4 行起述及：「第3B圖繪示平台16和墊片16（應為18）的替代實施例。在此實施例中，石英插入物已被去除且為有通孔存在於墊片18中，在置於平台16中之孔30上的區域墊片18之背襯層20（如果存在）已被除去，僅留下墊片18的聚氨酯覆蓋層22在晶片14與平台16底部之間，業已發現使用在覆蓋層22中的聚氨酯材料大體上可透射來自雷射干涉儀32之雷射光束34」；第17頁第13至15行述及：「可注意到的是利用敞開式或開槽式表面之墊片型態已證明雷射光束相對於開槽式表面墊片減弱地較少。因此，最好使用此型態的墊片」；第17頁倒數第9 行起述及：「雖然使用在墊片之覆蓋層中的聚氨酯材料實質上對於雷射光束具有穿透性，其不含（應為「含有」之誤）某些抑制透射性之添加物。此一問題在描述於第3C圖中之本發明實施例中已被消除。在此實施例中，覆於平台孔30上方之區域中的典型墊片材料已被一堅硬的聚氨酯插塞42代替」；第7 頁第13至14行述及：「此插塞最好係由一對於雷射光束具有高度透射性的聚氨酯製成」。因此，在第3C圖的實施例中，覆於平台孔30上方之區域中的典型墊片材料已被一堅硬的聚氨酯插塞42代替。因為第3C圖之實施例中該插塞為「聚氨酯」，該聚氨酯插塞42係一固體的片材。而證據6 所揭示之堅硬的聚氨酯插塞，不具添加物，熟悉該項技術者可瞭解該堅硬的聚氨酯不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力。再者，證據6 說明書第31頁最後一段至第32頁第一段已述及：「至於雷射光束之波長，可利用從遠紅外線至紫外線區間的波長…選擇的理由有兩重，首先…波長愈長散射愈少。但是…波長愈短，一週期中被切削之材料愈少。合意的是在每一週期期間所切削之材料愈少愈好，俾使得任何過量材料被切削的可能性減至最少。…咸信如果選擇紅光雷射光束則在波長的選擇中這兩種相抗因素中有最佳的平衡。紅光提供一可接受程度的散射，同時不會造成每一週期有過量之材料被切削」。ꆼ由上述可知系爭專利申請專利範圍第1 項所載「一種用於
積體電路晶圓之拋光墊」等同於證據6 所揭示一種用於積體電路晶圓之拋光墊18；另所載「該墊具有一個部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」係相同於證據6 所揭示之一聚氨酯片材或一堅硬的聚氨酯插塞；而所載「波長在190 至3500nm範圍間之光」相同於證據6 所揭示之「至於雷射光束之波長，可利用從遠紅外線至紫外線區間的波長」（說明書第31頁第23至24行）以及「如果選擇紅光雷射光束則在波長的選擇中這兩種相抗因素中有最佳的平衡」（說明書第32頁第12至13行）。由於遠紅外線至紫外線區間的波長包含190 至3500nm之間波長範圍的光，而紅光的波長亦落在190 至3500nm之間波長範圍內。因為證據6 已揭示可利用從遠紅外線至紫外線區間的波長，而等同於已揭示系爭專利申請專利範圍第1 項所請求之「波長在190 至3500nm範圍間之光」。且舉發附件7 亦顯示常見雷射光之波長範圍係在190 至3500nm之間波長範圍。因此，系爭專利申請專利範圍第1項所請求之發明為證據6 所揭露，擬制喪失新穎性。
ꆼ證據6 之說明書第5 頁第7 、8 行揭示「覆蓋層22通常為
一開孔泡沫聚氨酯（例如，Rodel IC1000）」。因此，證據6 實質上已揭示系爭專利申請專利範圍第3 項之「該墊含一個由該透光之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，以及一個由微孔聚胺基甲酸乙酯結構所組成之第二部分」技術特徵。因此，系爭專利申請專利範圍第3 項所請求之發明已為證據6 所揭露，擬制喪失新穎性。
ꆼ證據6 之說明書第5 頁第7 、8 行揭示「覆蓋層22通常為
一開孔泡沫聚氨酯（例如，Rodel IC1000）」，熟悉該技術領域之人士應了解，泡沫材料係藉由吹入空氣而形成，而固體材料與泡沫聚氨酯之組合本質上就是一複合結構。因此，泡沫聚氨酯為膨脹的複合聚氨酯結構，故證據6 實質上已揭示系爭專利申請專利範圍第4 項之「該墊含有一個由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，以及一個由充填或膨脹之複合聚胺基甲酸乙酯所組成之第二部分」技術特徵。職故，系爭專利申請專利範圍第4 項所請求之發明已為證據6 所揭露，擬制喪失新穎性。
３、綜上說明，證據3 與證據6 均足資證明系爭專利申請專利範圍第1 、3 、4 項擬制喪失新穎性，違反審定時專利法第20條第1 項第2 款之規定。至原告雖稱原處分及訴願決定自行演繹證據6 中所無之內容云云，惟不含添加物之堅硬聚氨酯（solid polyurethane）片材不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力，乃業界所週知之既有事實，且清楚記載於原告所有之專利即證據2 中。簡言之，不含添加物之soli
d polyurethane片材，不僅有高度透射性，且不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力，證據2 之文件中已清楚說明不具添加物之「堅硬」聚氨酯（solid polyurethane）片材不具拋光能力，即不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力（事實上，正因為該等片材不具拋光能力，故證據2 教導在片材表面外加紋理及圖樣，以提供拋光能力）。又原告於訴願時所提出之訴願理由附件5 （證據6 之美國第5,893, 796號專利對應案），其中說明書第6 欄第9 至12行所載，與證據
6 說明書第17頁第19至21行所揭示之內容大致相同，而由證據6 之美國第5,893,796 號專利對應案可知含有「添加物」縱使其對光線具有透射性，惟含有某些抑制透射性之添加物，如尼龍微球粒，會抑制透射性，亦即含有「添加物」之聚氨酯材料會影響透射性。因此證據6 之美國第5,893,796 號專利對應案之第3C圖發明態樣係於平台孔30上方之區域中的典型墊片材料已被一堅硬的聚氨酯插塞42代替。其係由不含尼龍微粒之聚氨酯材料製成，以作為可供雷射光束使用之窗口，是以，經由該塞片42所穿透的雷射光束34之衰減將會降到最低的程度，此一插塞42係被一體成型於墊片18中。因此原處分並無原告所稱對於證據6的揭露有所矛盾，且自行演繹證據6 中所無之內容之情事。
（三）證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1至5項不具進步性：
１、證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第
1 項不具進步性：證據4 已揭露具有視窗之拋光墊，該視窗係由可為波長19
0 至3500nm範圍間之光所通過之固體均勻材料（如：玻璃）所構成，且教導利用光學方法，以偵測所拋光晶圓之拋光程度。又系爭專利申請專利範圍第1 項之拋光墊，除了所界定的透光的「一個部分」以外，另外含有其他部分時，其與證據4 之不同處，在於該透光的「一個部分」係由「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材」所組成，證據4 則是由玻璃所組成。然而，具透光性的固體均勻聚合體片材係系爭專利申請前已存在的材料，屬習知技術，此於系爭專利之專利說明書第6 頁第1 段「發明說明」開宗明義即清楚指出，系爭專利之發明所使用的固體均勻聚合物片材，係詳述於US 5,489,233專利案即證據2 。而證據2 是在「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材」的表面形成紋理圖樣，其實施例4 更具體例示在市售之Dow Isoplast 302EZ之聚氨基甲酸乙酯聚合體片材表面形成紋理圖案，此說明DowIsoplast 302EZ是「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材」。此外，聚氨基甲酸乙酯之固體均勻片材具有可為「可見光」透過的特性，可由舉發附件
6 進一步說明。因此，CMP 技術領域中熟悉該項技術者當然可以輕易思及，以證據2 所揭露如聚氨基甲酸乙酯等習知透光性固體均勻聚合體片材，取代證據4 透光視窗之（易碎）玻璃，輕易完成系爭專利申請專利範圍第1 項之拋光墊，故系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
２、證據2 與證據4 之組合及證據2 與證據5 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第2 項係附屬項，除具第1 項之全
部技術特徵外，並進一步描述如第1 項之用於積體電路晶圓之拋光墊，該固體均勻聚合體片材之表面係有包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上之外部工件所製成。又證據
2 之摘要及圖式第2 圖已揭示一種拋光墊，其中該固體均勻聚合體片材具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。是以，證據2 與證據
4 之組合既足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，而系爭專利申請專利範圍第2 項之附屬特徵復為證據2 所揭露，則證據2 與證據4 之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第2 項只有界定所請拋光墊「必須
」具有「一個部分」，該部分由「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」，且在表面帶有特殊紋理圖案之透光聚合體片材所提供，至於是否「必須」另外有其他部分，則完全沒有界定。由系爭專利之說明書第6 頁末段「熟於製造聚合體片材方法如成模及押出方法之人士可藉此製成透光墊……」及第7 頁第一段「若希望在不透明墊上獲得一透光視窗，一種可能的製造方法為……」的揭露內容，可知系爭專利的拋光墊，可以是整片透光的態樣，也可以是在不透光墊上具有透光視窗的態樣。不同於系爭專利申請專利範圍第5 項有清楚界定「第一部分」以及「第二部分」。如上述說明，系爭專利申請專利範圍第2 項只有界定所請拋光墊必須具有「一個部分」。換言之，系爭專利申請專利範圍第2 項亦包括只由所界定「一個部分」構成的整片透光的態樣。又證據5 已經揭露整片透光之拋光墊，用來偵測拋光終點，而證據2 已經揭露表面具有紋理及圖案的透光聚合物墊，故系爭專利之發明所屬技術領域具通常知識者，在看到證據5 及證據2 時，當然會輕易想到將證據2 的透光材料使用在證據5 上，得到整片透光之透光墊，可以用來偵測拋光終點，而輕易完成系爭專利申請專利範圍第2 項整片透光的態樣，故證據2 與證據5 之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
３、證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第3項所揭示「一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含一個由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分」與「該聚合體片材可為波長在190至3500nm範圍間之光所通過」之技術特徵，係為所屬技術領域中具通常知識者得依證據2及證據4之組合所能輕易完成者，已如前述；另證據2說明書第6及7欄已揭示習知商業產品Rodel IC1000拋光墊係由微孔聚氨基甲酸乙酯結構所組成，故系爭專利申請專利範圍第3 項所揭示「一個由微孔聚胺基甲酸乙酯結構所組成之第二部分」之技術特徵亦為證據2 所揭露。是以，系爭專利申請專利範圍第3 項之技術內容僅屬證據2 及證據4 習知技術之簡易轉用，不具進步性。
４、證據2與證據4之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第4 項之「一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含一個由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過」技術內容，已為證據2 與證據4 之組合所能輕易完成。又證據2第1欄 第17至20行關於發明背景技術之說明，已提及充填聚氨基甲酸乙酯之墊材，且證據2 第2 欄第50至67行關於習知墊材的記載，也說明填充或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯早為習知墊材。因此，系爭專利申請專利範圍第4 項所載「由充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯所組成之第二部分」的技術特徵，根本為習知技術。是故，系爭專利申請專利範圍第4 項之技術內容，僅是證據4 及證據2 習知技術之簡易轉用，不具進步性。
５、證據2與證據4之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第5項之「一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含一個由透光之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，其中該第一部分可為波長在190至3500nm範圍間之光所通過」技術內容，已為證據4 及證據2 之組合所能輕易完成。又證據2 其摘要及圖式第2 圖已揭示由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體所組成，且其表面透過外部工件而提供包含大及小型流體槽之表面紋理及圖案，該等槽容許含有粒子之淤漿能通過該表面。因此，本項所載「第二部分具以一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖案，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成」的技術特徵，根本為習知技術，是系爭專利申請專利範圍第5 項之技術內容，僅是證據4 及證據2 習知技術之簡易轉用，不具進步性。
（四）聲明：原告之訴駁回。
四、參加人則抗辯如下（與被告答辨相同者，不再贅述）：
（一）證據3可作為認定系爭專利擬制喪失新穎性之證據：參酌歐洲專利審查基準partC,Chapter Ⅳ7.1.1 、美國AIA35U.S.C. 第102 條（d ）及SPLT（SubstantivePatent Law Treaty ）第8 條（2 ）規定之意旨，證據3當以優先權日代替審定時專利法第20條第1 項第2 款之申請日。又經濟部95年10月11日經訴字第09506180160 號決定書已認定在判斷專利案申請之先後次序時，原則上應以申請日之先後判斷，但在有主張優先權之案件，應以優先權日判斷之。而專利審查基準93年版第2-3-17頁第ꆼ點、
102 年版第2-3-12頁第ꆼ點亦均已載明：「先申請案主張國際優先權或國內優先權者，對於已揭露於優先權基礎案及先申請案所附說明書、申請專利範圍或圖式中之發明或新型，認定申請先、後的時點應為該先申請案之優先權日。」是以，證據3 當可作為認定系爭專利擬制喪失新穎性之證據。
（二）證據3 或證據6 可各自證明系爭專利申請專利範圍第1 、
3、4項擬制喪失新穎性：
１、證據3 或證據6 可各自證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性：
ꆼ證據3部分：
ꆼ證據3 係關於用於化學機械拋光裝置之拋光墊片，該拋
光墊具透明視窗，其可在原加工位置就地進行晶圓表面特性或厚度是否已達所要求程度的監測。
ꆼ證據3 說明書教導各種於拋光墊中形成透明視窗的方法
。其中，證據3 說明書配合第3B圖教導一墊片18具有覆蓋於孔洞30上的聚氨酯（polyurethane，即「聚氨基甲酸乙酯」）包覆層22部位，其為供雷射光束34用之窗口。而其第3C圖則進一步教導，以不含添加物之「整體（solid ）聚氨酯塞片42」（solid polyurethane plug42，即「固體聚氨基甲酸乙酯塞片42」）取代作為可供雷射光束使用之窗口，排除第3B圖態樣因為添加物所造成之雷射光束穿透性的妨礙，且該塞片視窗可為一體模製於墊片18之中者。其中，該雷射光束，係指波長範圍在遠紅外線至紫外線範圍者。
ꆼ按不含添加物之聚氨酯只有單一組成，當然為均勻者。
又均勻之「固體聚氨酯」不具有吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力，業經證據2 清楚記載。而原告亦自承只要是固體均勻聚合體片材，就不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力。此外，原告已確認系爭專利請求項所記載波長
190 至3500 nm 範圍之光，已被證據3 所記載之遠紅外線至紫外線雷射光所揭露。而證據3 第3C圖已經教導一用於晶圓拋光且可於拋光過程中偵測拋光終點之墊片18，具有由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚氨酯所構成的窗口，該窗口可為波長190 至3500nm範圍之光通過。
ꆼ再者，證據3 更於其第3D圖之拋光墊態樣教導使用EX-2
000 於拋光墊中提供薄片視窗。其中，EX-2000 即證據2之「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之固體均勻聚合體片材，其表面帶有透過機械加工所形成的表面紋理或圖案。
ꆼ據此，證據3 第3D圖已經教導一供晶圓拋光且可於拋光
過程中偵測拋光終點之墊片18，具有由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚合體片材所構成的窗口，該窗口可為波長190 至3500nm範圍之光通過，顯已具備系爭專利申請專利範圍第1 項拋光墊之全部技術特徵。
ꆼ證據6部分：
證據6 說明書配合第3C圖，已揭露與證據3 第3C圖相同之實質內容，即，揭露一用於晶圓拋光且可於拋光過程中偵測拋光終點之墊片18，具有由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚氨酯所構成的窗口，該窗口可為波長190至3500nm範圍之光通過。
ꆼ綜上所述，無論證據3 第3C或3D圖、抑或證據6 第3C圖，
皆已單獨揭露具備系爭專利申請專利範圍第1 項所請拋光墊之全部技術特徵、用於晶圓拋光以於拋光過程偵測拋光終點的拋光墊。是以，系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性。
２、證據3 或證據6 可各自證明系爭專利申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性：
ꆼ證據3 與證據6 皆係針對既有用以拋光晶圓之拋光墊的改
良，其改良重點主要在於在拋光墊中具有一可傳送雷射光之窗口，該窗口可具不同態樣或材質。證據3 第3C圖或第3D圖以及證據6 第3C圖，已分別揭露一具有透光窗口的拋光墊，該透光窗口由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚合體片材所組成，可為波長190 至3500nm範圍之光通過。
ꆼ證據3 與證據6 皆已分別單獨教導使用如羅德爾（Rodel
）IC1000之微孔聚氨酯（即「微孔聚氨基甲酸乙酯」）以提供拋光片之包覆層22。
ꆼ因此，證據3 與證據6 已分別教導一供晶圓拋光且可於拋
光過程中偵測拋光終點之墊片18，具有由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚合體片材所構成的窗口（第一部分），該窗口可為波長190 至3500nm範圍之光通過，以及由微孔聚氨基甲酸乙酯所組成的包覆層（第二部份），具有系爭專利申請專利範圍第3 項拋光墊全部技術特徵。是以，系爭專利申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性。
３、證據3 或證據6 可各自證明系爭專利申請專利範圍第4 項擬制喪失新穎性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第3 項與第4 項之拋光墊，均為具
有二個部分，其中第一部分相同，皆由可為波長190 至3500nm範圍之光所通過的不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體均勻聚合體片材所組成，此二項拋光墊之差異，僅在於第二部分，第3 項係由「微孔聚氨基甲酸乙酯結構」所組成，第4 項則由「充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯」所組成。換言之，系爭專利申請專利範圍第4 項之發明拋光墊，與證據3 或證據6 所揭露拋光墊之差異，僅在於第二部分的材質。
ꆼ早在證據2 申請專利之前，「微孔聚氨基甲酸乙酯墊材」
以及「充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯墊材」即為CMP技術領域所習知習用，故CMP 技術領域具通常知識者，依通常知識即能透過直接置換，完成系爭專利申請專利範圍第4 項之拋光墊。
ꆼ因此，基於證據3 或證據6 ，系爭專利申請專利範圍第4項當然擬制喪失新穎性。
（三）證據2 與證據4 之組合可證明系爭專利申請專利範圍第1至5 項不具進步性：
１、證據2 ：ꆼ係關於供CMP 操作使用之拋光墊，且揭露特別適用於積體
電路晶圓拋光的拋光墊。又系爭專利技術特徵所在之可為波長190 至3500nm之光所通過之不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材，無論其表面是否有外加紋理圖樣，皆已揭露於證據2 。此外，證據2 已清楚指出，供CMP 拋光墊使用之微孔聚氨基甲酸乙酯墊材（microporous urethane pad）以及充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯（filled or blown composit eurethane ）墊材早為公知習用。
ꆼ證據2 所提及不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的固體
均勻聚合體片材如聚氨基甲酸乙酯、聚碳酸酯、尼龍等，均可通過可見光。於此，證據2 雖未提及所揭露拋光墊材料的透光性質，然一物質是否可通過可見光（波長範圍約
390 至770nm ，落入190 至3500nm範圍內），乃不須借助任何測試之一眼即知的本質特性，此可證諸原告於本件舉發案在被告審理階段之面詢過程中所提示之墊片樣本。CM
P 業者於進行晶圓拋光墊之改良時，基於證據2 說明書清楚提及其發明拋光墊特別適用於晶圓拋光之揭露，當可輕易參考證據2 ，且可輕易察覺證據2 所揭露可為波長在190至3500nm範圍間之光所通過的拋光墊材料為透光者。
ꆼ簡言之，CMP 領域具通常知識者，可輕易由證據2 得知以
下4 種材料：ꆼ可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過之不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材；ꆼ可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過之不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材，其透過外部機械加工而具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖案，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面；ꆼ具微孔聚氨基甲酸乙酯結構之墊材；以及ꆼ具充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯結構之墊材。
２、證據4：ꆼ證據4 揭露一種如其說明書第1 圖所示之用以拋光晶圓的
拋光裝置。該拋光裝置具有一拋光布（研磨布）5 與透光的視窗部分4 ，該拋光布5 可由聚酯非織布織物所構成，該視窗部分4 可由玻璃（即，不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力）製成且供具680 至800nm 波長範圍之光通過（即，可為波長190 至3500nm範圍間之光所通過），透過探針9 與光學纜線10等光學方法之運用，以在拋光過程中無須卸下晶圓7 即可測得其層厚度，進而有效且精準地控制晶圓拋光程序。
ꆼ按依功能分，證據4 拋光工具可大分為拋光墊區與壓盤區
，其中，拋光墊區之拋光墊係包含一由玻璃構成之透明視窗（第一部分），以及一由聚酯不織布所構成之拋光布（第二部分）。依證據4 之教導，拋光布之形狀與壓盤（直徑300mm ）相同且厚度為0.7mm ，其上具有與壓盤溝槽2相同形狀的開口（拋光布窗6 ），於該開口中嵌有厚度為
0.5mm 且直徑10mm之薄片玻璃視窗，該玻璃視窗的表面係低於研磨布表面。此即，證據4 已揭露一供晶圓拋光用的拋光墊，該拋光墊包含一個由（直徑300nm 且厚度0.7mm之）拋光布5 所組成且具有一開口（拋光布窗6 ）的部分，以及一個嵌於該開口且由（直徑10mm且厚度0.5mm ）玻璃視窗4 所組成的部分，該視窗不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力，且可為波長190 至3500 nm 範圍間之光所通過。事實上，證據4 已揭露一拋光墊且該拋光墊之ㄧ部分係由透光視窗所構成之技術內容。
３、CMP 領域具通常知識者，可輕易結合證據4 與證據2 而完成具系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項之全部技術特徵的拋光墊，該二請求項不具進步性：
ꆼ如前所述，證據4 已揭露供晶圓拋光用的拋光墊，透過該
墊之使用，可於拋光晶圓之同時，進行晶圓表面狀態之偵測。該墊具有一個可為波長190 至3500nm範圍間之光所通過的第一部分，該部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力的玻璃所組成，以及一個由拋光布（其上有一開口）所組成的第二部分。亦即，證據4 拋光墊與系爭專利申請專利範圍第1 項拋光墊之差異在於，證據4 拋光墊之透光部分為「玻璃」，系爭專利申請專利範圍第1 項拋光墊之透光部分則為「固體均勻聚合體片材」。
ꆼ如CMP 業者所知，相較於如聚氨基甲酸乙酯之聚合體材料
，「玻璃」乃相對剛性的材質，若在拋光過程中接觸到晶圓，容易造成晶圓刮痕。此所以證據4 教導玻璃視窗的表面必須低於拋光布表面。然而，由於在拋光過程中拋光布會因為受到來自壓盤與晶圓的相對壓力而壓縮（按：拋光布係位於壓盤與晶圓之間），仍易露出剛性玻璃，造成晶圓刮痕。因此，CMP 領域具通常知識者，當然可輕易思及，以證據2 適用於晶圓拋光之（具或不具表面紋理圖樣的）透光聚合體片材，取代證據4 之剛性玻璃視窗，既可提供所欲之透光路徑、便於光學偵測，又可徹底排除剛性玻璃視窗在晶圓造成刮痕的潛在問題，還可免除因玻璃之「易碎」本質而可能在拋光過程中發生視窗損害破裂的問題，輕易完成具系爭專利申請專利範圍第1 項及第2 項之全部技術特徵的拋光墊。因此，系爭專利申請專利範圍第1項及第2 項不具進步性。
４、CMP 領域具通常知識者，可輕易結合證據4 與證據2 而完成具系爭專利申請專利範圍第3 項及第4 項之全部技術特徵的拋光墊，該二請求項不具進步性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第3 項與第4 項所請拋光墊，與申
請專利範圍第1 項拋光墊之差異，在於第3 項與第4 項之拋光墊除了第1 項由透光「固體均勻聚合體片材」所組成的一個部分以外（即「第一部分」），另外含有一個「第二部分」，該「第二部分」於第3 項係由「具微孔聚氨基甲酸乙酯結構」所組成，於第4 項則由「充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯」所組成。
ꆼ然具微孔聚氨基甲酸乙酯結構之墊材，以及具充填或膨脹
之複合聚氨基甲酸乙酯結構之墊材，皆為CMP 領域所習知習用，此經證據2 清楚載明。因此，系爭專利申請專利範圍第3 項及第4 項之拋光墊，僅係結合證據4 與證據2 而可輕易完成之拋光墊，以習知習用墊材對其中的拋光布5進行簡單置換，無不可預期之功效。是以，系爭專利申請專利範圍第3 項與第4 項不具進步性。
５、CMP 領域具通常知識者，可輕易結合證據4 與證據2 而完成具系爭專利申請專利範圍第5 項之全部技術特徵的拋光墊，該請求項不具進步性：
ꆼ系爭專利技術特徵所在之可為波長190 至3500nm之光所通
過之不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材，無論其表面是否有外加紋理圖樣，皆已揭露於證據2 ，此經系爭專利說明書所明白記載，且為原告所不否認。
ꆼ證據4 已揭露供晶圓拋光用的拋光墊，該拋光墊包含一個
由拋光布5 （其上具一開口）所組成的部分，以及一個嵌於拋光布開口且由玻璃視窗4 所組成的部分，該視窗不具吸收或傳輸淤漿粒子之固有能力，且可為波長190 至3500nm範圍間之光所通過。則CMP 領域具通常知識者，基於證據4 結合證據2 ，可輕易思及，一方面以證據2 之透光聚合體片材，取代證據4 之剛性玻璃視窗，既可提供所欲之透光路徑而便於光學偵測，又可排除玻璃視窗在晶圓造成刮痕以及因玻璃之易碎本質所發生的（玻璃視窗）元件損害等潛在問題；另一方面以證據2 適用於晶圓拋光、提供均勻移除之表面具紋理圖樣的透光聚合體片材來取代證據
4 之拋光布，輕易完成系爭專利申請專利範圍第5 項之拋光墊。是故，系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
（三）證據2 與證據5 之組合可證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：
１、證據5 係關於一種可改善所拋光晶圓層厚度之正確性的拋光方法，如證據5 第1 圖所示，其教示使用雷射光與可供該雷射光通過之透明的拋光墊1 ，以測量所拋光之晶圓11層之厚度，從而適時地終止拋光程序。
２、按一般雷射光之波長，即在190 至3500nm的範圍內，故證據5 已揭露使用可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過之拋光墊，從而監控晶圓拋光過程。而不同於系爭專利申請專利範圍第3 項、第4 項或第5 項之界定所請拋光墊必定具有二個部分，系爭專利申請專利範圍第2 項，係包括整片透光之拋光墊。
３、系爭專利所採（具或不具表面紋理圖樣之）透光聚合體片材業經證據2 揭露，此為系爭專利說明書所明確記載。而
CMP 領域具通常知識者，可輕易思及使用證據2 之透光材料作為證據5 之墊材，完成具系爭專利申請專利範圍第2項之全部技術特徵的拋光墊（事實上，原告亦確認CMP 技藝人士可基於證據5 結合證據2 而輕易完成整片透光之拋光墊），是系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
（四）綜上所述，系爭專利更正後之申請專利範圍第1 、3 及4項業經證據3 或證據6 所單獨揭露或可基於證據3 或證據
6 之單獨揭露而直接置換完成，違反核准審定時專利法第20條第1 項第2 款之規定，且CMP 領域具通常知識者可基於證據4及 證據2 之教導而輕易完成系爭專利更正後之申請專利範圍第1 至5 項、可基於證據5 及證據2 之教導而輕易完成系爭專利更正後之申請專利範圍第2 項，是系爭專利申請專利範圍第1 至5 項違反核准審定時專利法第20條第2 項之規定，系爭專利之專利權依法應予撤銷。
（五）聲明：原告之訴駁回。
五、本院之判斷：
（一）經查，系爭專利係於87年8 月12日審定准予專利，是系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之83年1 月21日修正公布之專利法（下稱83年專利法）為斷。次按利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依法申請取得發明專利，然若有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者，不得取得發明專利；又發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前開所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利，83年專利法第19條、第20條第1 項第2 款、第2項分別定有明文。而對於獲准專利權之發明，有違反第19條、第20條第1 項第2 款、第2 項之規定者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，復為同法第71條第3 款所明文。
（二）系爭專利技術分析：
１、系爭專利之技術內容：系爭專利係提供一種用於拋光矽晶片用之機器中的墊，當拋光晶片時，該墊可進行晶片表面狀態之偵測。其完成係藉由在不具有吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合物片材上建構一完整或部分之墊，且其可為光學方法中用以偵測晶圓表面狀態之光所通過。適用於建構此種墊之聚合物係可為190 至3500nm波長之光線所通過（參系爭專利中文發明摘要，本院卷一第183 頁）。又系爭專利所欲解決的技術問題為：習用之CMP （化學機工拋光裝置）上將半導體晶片平面化所遭遇之特定問題在於決定晶圓是否已拋光至所欲之平坦程度，大部分終端檢測方法在於當移除一重疊層時，晶圓表面結構之變化。因此，無法測得平坦，只得退而考慮重疊層的移除，測量的方法包括偵測介於晶圓與拋光墊之間的磨擦力改變、藉由反射音波之分析可量測晶圓的厚度、使用導電淤漿而可量測介電層之厚度等依賴特定電子電路所完成測試；或是將晶圓部分外露於拋光機墊之外緣再以一雷射干涉計之量測晶圓之下方氧化層等光學量測方式。因此，有需要一種可在整個連續拋光狀態下，應用此類雷射光量測晶圓的裝置。而系爭專利所欲達成的主要目的在於提供一種用於拋光矽晶片用之機械的墊，當拋光晶片時，該墊可進行晶片表面狀態之偵測（參系爭專利說明書第4 至5 頁，本院卷一第183 頁背面至第184頁）。
２、系爭專利申請專利範圍：系爭專利於99年2 月4 日申請更正，經被告核准更正並於
101 年12月11日公告，是其更正溯及自申請日生效，本件應以更正後之申請專利範圍為審理。又更正後之系爭專利申請專利範圍共計5 項，其中第1 、3 至5 項為獨立項，第2 項為依附於第1 項之附屬項，其內容分別如下：ꆼ第1 項：一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊具有一個
部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成，該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過。
ꆼ第2 項：如申請專利範圍第1 項之用於積體電路晶圓之拋
光墊，其中該固體均勻聚合體片材具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。ꆼ第3 項：一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含一個由
不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，以及一個由微孔聚胺基甲酸乙酯結構所組成之第二部分，該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過。
ꆼ第4 項：一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含有一個
由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，以及一個由充填或膨脹之複合聚胺基甲酸乙酯所組成之第二部分，該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過。
ꆼ第5 項：一種用於積體電路晶圓之拋光墊，該墊含一個由
透光之固體均勻聚合體片材所組成之第一部分，以及一個由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體所組成的第二部分，其中該第一部分可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過，該第二部分具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。
（三）參加人提出之舉發證據如下：
１、證據2（主要圖式如附圖一所示）：證據2 為85年2 月1 日公告之美國第5,489,233 號「POLISHING PADS AND METHODS FOR THEIR USE」專利案，其公告日早於系爭專利案申請日（85年8 月27日），故可執為系爭專利核准審定時所適用之83年專利法第20條第2項規定的引證資料。又證據2 係提供一種改良型研磨墊，係在不具有本質上能吸收或傳輸研磨漿顆粒能力的固態均勻聚合物片表面，同時設置有大小流通道的紋理或圖案以使研磨漿橫越研磨墊表面，而該流通道不是材料結構的一部分而是由機械製造而成的。在一較佳的發明，研磨墊表面的紋理包括一使用前形成的宏觀紋理，以及一在使用過程定時運用具凸出物研磨工具所形成的微觀紋理（摘譯自證據2 摘要，參本院卷一第188頁）。
２、證據3（主要圖式如附圖二所示）：ꆼ證據3 為87年9 月1 日公告之我國第00000000號「在用於
化學機械拋光裝置之拋光墊片中形成透明視窗之方法」專利案，其公告日雖晚於系爭專利案申請日（85年8 月27日），但其優先權日（85年8 月16日）係早於系爭專利案申請日，故可執為系爭專利核准審定時所適用之83年專利法第20條第1 項第2 款規定的引證資料。又證據3 係揭露用於一化學機械拋光裝置之拋光墊片，以及使用前述設備之方法；該拋光墊片係為一具有一拋光表面之包覆層以及一緊鄰壓盤之底層者；一位於該包覆層中的第一開口係具有一第一斷面面積，而一位於該底層的第二開口則係具有一不同的第二斷面面積，並藉由二者構成一穿過該拋光墊片之孔洞；一實質上是為透明之聚氨酯插件，係設於該孔洞之中，以及一用以將該插件定位於該孔洞中之黏著材料（參證據3 中文發明摘要，本院卷一第193 頁）。
ꆼ原告固然指稱證據3 之申請日及公告日，均晚於系爭專利
之申請日，形式上即不符合「申請在先並經核准專利者」之要件，自不該當83年專利法第20條第1 項第2 款之先前技術等語。惟查：
ꆼ由於專利法賦與專利權人「專有」排除他人未經其同意
實施其專利之權，故一項發明或創作，只應授予一個專利權，若對於相同的發明或創作，授予兩個以上的專利權，顯然違反專利制度之宗旨，應該予以禁止，一般將這項原則稱為「一發明一專利原則」。又針對專利權的申請，因係採取上述「一發明一專利原則」，一件發明或創作，只能提出一件專利申請案，倘若由於專利申請人研發成果的巧合，造成同一專利申請人，就相同發明或創作之內容，先後提出二個以上的專利申請，或者二個以上的專利申請人，就相同發明或創作之內容，先後提出二個以上的專利申請時，為落實上述「一發明一專利原則」，即有所謂先發明原則或「先申請原則」之產生。而我國專利法是以專利提出申請的先後來決定專利的歸屬，此即為先申請原則，亦即同一發明有二以上之專利申請案時，僅得就其最先申請者，准予發明專利。
因此，同一發明有二以上之專利申請案時，為貫徹「先申請原則」之精神，係以其中「申請日」最早之申請案，始授予專利權，其他申請日較晚的專利申請案，則因申請時已經不具備「新穎性」，而無法取得專利權。ꆼ惟所謂先前技術係指涵蓋申請前所有能為公眾得知之資
訊，故倘申請在先而在後申請案申請後始公開或公告之發明或新型專利之先申請案原本並不構成先前技術的一部分，然為貫徹先申請原則之精神，法律乃將後申請案擬制喪失新穎性。而關於我國擬制喪失新穎性之規定，依90年10月24日修正公布、91年1 月1 日施行之專利法第20條之1 規定：「申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限。」其立法理由並說明：「一、本件新增。二、本條規定先申請案之地位，係由現行條文第二十條第一項第二款修正後移列。三、就後案申請前，已有他人申請在先尚未公開之相關專利內容，為貫徹先申請主義之精神，乃擬制其屬新穎性審查範圍，明定後申請案不可申請取得發明專利。」而92年2 月6 日修正公布、93年7 月1 日施行之專利法（下稱92年專利法）復將上開條文移列至第23條。由此可知，92年專利法第23條之規定最早係源於83年專利法第20條第1 項第2 款，而其等之條文內容固稍有不同，但其精神則為一致，即均係為了貫徹先申請原則之精神，而認定後申請案喪失新穎性。而關於在先、後申請案有主張優先權之情況時，在系爭專利核准審定時之基準中雖未明確界定，但在其後93年之審查基準，則有明訂：「審查擬制喪失新穎性時，引證文件必須為申請在先而在後申請案申請日之後始公開或公告之發明或新型先申請案。認定先申請案是否得作為引證文件的有關事項如下：……ꆼ先申請案之申請日（主張優先權者為優先權日）必須早於後申請案之申請日（主張優先權者為優先權日），且應在該後申請案申請日之後公開或公告。先申請案於審查當時尚未公開或公告者，不得作為引證文件。……ꆼ先申請案主張國際優先權或國內優先權者，對於已揭露於優先權基礎案及先申請案說明書全文中之發明或新型，認定申請先、後的時點應為該先申請案之優先權日；對於僅揭露於先申請案說明書全文但未揭露於優先權基礎案之發明或新型，認定申請先、後的時點應為該先申請案之申請日」（93年審查基準第2-3-16至2-3-17頁）。又93年版之審查基準雖係在系爭專利核准審定後方公布，惟92年專利法第23條之規定既係源自83年專利法第20條第
1 項第2 款，則就主張優先權之申請案得否作為引證文件應作相同之解釋。
ꆼ何況，83年專利法第24條第1 、4 項已分別規定：「申
請人就相同發明在與中華民國相互承認優先權之外國第一次依法申請專利，並於第一次提出申請專利之次日起12個月內，向中華民國提出申請專利者，得享有優先權」、「主張優先權者，其專利要件之審查，以優先權日為準」。是依上開規定，對於享有優先權者，於審查其申請專利之發明是否具備新穎性與進步性等專利要件時，係以『優先權日』（亦即優先權基礎案之申請日）」之前的先前技術為比對之基準，而非以我國的「專利申請日」為準。換言之，倘於我國之先申請案與後申請案均已通過審查而予以核准審定，則就先申請案是否有83年專利法第20條第1 項第2 款之情事而應予撤銷，原則上雖仍應以申請日為判斷基準，但倘後申請案所主張之優先權日早於先申請案之申請日時，自仍應以優先權日判斷，否則豈不違反一發明一專利之原則。蓋此時倘認應以先後申請案之申請日為判斷基準，則因先申請案之申請日在先，自無違反83年專利法第20條第1 項2 款之情事；而後申請案之申請日雖然在後，惟因其優先權日係在先申請案之申請日之前，依83年專利法第24條第4項之規定，後申請案亦不違反83年專利法第20條第1 項第2 款之情事，則將致先、後申請案均併存有效，而與前述之一發明一專利原則相悖。
ꆼ綜上，從上述專利法及基準之沿革，可以看出在比對先
後申請案有否擬制喪失新穎性時，其判斷申請在先的時點，若依法有主張優先權則為主張的優先權日，而非在我國取得的申請日。又系爭專利之申請日為85年8 月27日，而證據3 之優先權日則為85年8 月16日，早於系爭專利案之申請日，揆諸前開說明，證據3 自得為系爭專利相關之先前技術。是以，原告主張證據3 不該當83專利法第20條第1 項第2 款之先前技術等語，洵無可採。
３、證據4（主要圖式如附圖三所示）：證據4 為84年2 月28日公告之日本專利特開平7-52032 號「ꆼꆼꆼ研磨方法及ꆼꆼꆼ裝置」(Wafer PolishingMethod and Device Therefor) 專利案，其公告日早於系爭專利案申請日（85年8 月27日），故可執為系爭專利核准審定時所適用之83年專利法第20條第2 項規定的引證資料。又證據4 揭露一種晶圓研磨的方法及裝置，使得在研磨作業中可以不需要暫時取下晶圓即可獲知研磨薄膜厚度，而達到有效率且可精確控制的研磨作業。其係在研磨台
1 及研磨墊5 中分別設置一彼此對應的透明窗材4 及研磨墊窗6 ，使得在晶圓7 研磨的過程中，研磨台下方光纜線10的光可以經由探針9 照射到的研磨中的晶圓薄膜上，並藉由電荷耦合裝置收集分析比對反射光頻譜而判斷晶圓上薄膜被研磨移除的程度（摘譯自證據4 摘要，參本院卷一第226 頁）。
４、證據5（主要圖式如附圖四所示）：證據5 為82年11月22日公告之日本專利特開平0-000000號「貼ꆼ合ꆼꆼꆼꆼ－ꆼꆼ研磨方法」(Bonded WaferPolishing Method) 專利案，其公告日早於系爭專利案申請日（85年8 月27日），故可執為系爭專利核准審定時所適用之83年專利法第20條第2 項規定的引證資料。又證據
5 揭露一種改善SOI 貼合晶片元件製作表面研磨精度的研磨方法，其係將SOI 貼合晶片黏貼於透光的研磨台上，並用透光的研磨墊1 及研漿10加以研磨，其間藉由雷射光源4照射SOI 貼合晶片，藉由設置在雷射光源另側的光檢出器6所偵測到光訊號，而控制SOI 貼合晶片研磨的厚度（摘譯自證據5 摘要，參本院卷一第230頁）。
５、證據6 （主要圖式如附圖五所示）：證據6 為88年9 月11日公告之我國第00000000號「用於化學機械拋光操作之定位監測的方法及裝置」專利案，其公告日雖晚於系爭專利案申請日（85年8 月27日），但其申請日為85年4 月25日，係早於系爭專利案申請日，故可執為系爭專利核准審定時所適用之83年專利法第20條第1 項第2 款規定的引證資料。又證據6 揭露一種在拋光一基質上之層期間原地測定其均一性的方法，此方法包括之步驟有使一光束在拋光期間導向該層；監測由自基質反射之光束所造成之干涉信號；以及由干涉信號計算出均一性之尺寸（參證據6 中文發明摘要，本院卷一第237頁）。
（四）證據3 足以證明系爭專利申請專利範圍第1 、4 項擬制喪失新穎性，但不足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性：
１、按「ꆼ判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同( 含能由熟習該項技術者直接推導) 為準。不相同即具有新穎性；相同即不具新穎性。ꆼ比對方式，應採單獨比對方式，以個別獨立的引證資料與請求項所載發明進行比對……」（83年審查基準第1-2-6 頁，判斷新穎性之基本原則）；「……所指之發明，固然皆係指先、後申請案所載申請專利範圍之『請求項所載發明』而言。惟當後申請案之發明，雖未記載於先申請案之申請專利範圍中，但已揭露於先申請案之發明說明或圖式內時，基於先申請案之發明在審定公告前，申請人尚得依專利法第四十四條第一項規定，將記載於發明說明或圖式內，而未記載於申請專利範圍中之發明，補充修正於申請專利範圍中，因此在認定先申請案之發明是否為本條款所規定之『相同之發明』時，除應考量其申請專利範圍外，凡在發明說明或圖式中有記載之發明，亦包涵在內。」（83年審查基準第1-2-12至1-2-13頁，I 有相同之發明）；「由於『申請在先並經核准專利』之發明，在後申請案申請當日之前，尚未公告於專利公報，因此後申請案之發明並無申請前已見於刊物之情事，依理於申請當日應無不具有新穎性的道理，惟法律為顧及專利權之專用排他性及一發明一專利原則，乃將此等先申請案所記載之發明以法律擬制(legalfiction)為既有技術，而使後申請案之發明不具新穎性，故此項規定，僅能適用於考量新穎性之用，不得作為考量進步之用。」（83年審查基準第1-2-13頁，II有相同之發明）；「『先申請並經核准專利之發明案或新型案所記載之技術』，應就該先申請案之說明書或圖式所記載之事項來認定。其認定可參酌該先申請案申請當時之既有技術。如參酌該先申請案申請當時之既有技術而可導出之事項，亦可作為『先申請並經核准專利之發明案或新型案所記載之技術』之認定基礎。」（83年審查基準第1-2-17至1-2-18頁，新穎性判斷用之引證資料類型及認定理由(3) ）足見擬制喪失新穎性，係法律為顧及專利權之專用排他性及一發明一專利原則，乃將先申請案所記載之發明以法律擬制為既有技術，而使後申請案之發明不具新穎性。並應就先申請案之說明書或圖式所記載之事項，以及在先申請案申請當時之既有技術而可導出之事項，來認定後申請案之發明是否擬制喪失新穎性，合先敘明。
２、證據3 足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項及證據3 之技術內容，業如
前述。又證據3 說明書第5 頁所載之聚脂胺與第15、16頁所載之聚胺脂，其原文名稱均為polyurethane，多譯為聚氨酯，或聚氨基甲酸脂。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項與證據3 技術特徵比對說明如下：
ꆼ證據3 說明書第5 頁第9 至12行揭示：「請參見第一圖
所示，一典型的化學機械拋光(CMP) 裝置10，係包括有一用以夾持半導體晶片14使抵靠該拋光壓盤16之拋光頭12，該拋光壓盤16係以一墊片18予以包覆……」等語（參本院卷第194 頁）。其中「墊片18」可對應於系爭專利申請專利範圍第1 項所載之「拋光墊」。
ꆼ證據3 說明書第23頁第10至19行記載：「解決前述問題
的方法之一是在該壓盤孔洞旋轉之方向上延長該孔洞，換句話說，即係如第7 圖中所示者的該窗口構造66' （即插件、墊片或塞片）係為一弧形者，……惟二種方法之最後結果都是為能在壓盤的任一圈轉動中，得以延長該資料搜集之時間」等語（參本院卷一第203 頁），可知墊片中做為雷射光束透射的窗口，其形狀可以為成弧形墊片並沿著平台旋轉方向沿伸，以延長經由雷射光束資料搜集之時間。其中「插件、墊片或塞片」可對應於系爭專利申請專利範圍第1 項所記之「片材」。
ꆼ證據3 說明書第16頁第9 至16行記載：「請參見第3D圖
所示的本發明之另一實施例，一兩段式插件600 係在該壓盤孔洞30之上的被置於拋光墊片18中，該兩段式插件
600 係由一較為透明而可供雷射光束作窗口用之材料所製成，此一材料可為由紐澤西州紐華克的羅得爾公司所產製的型號為EX-2000 之實質上是為純聚胺脂（聚氨酯），此一材料相對於拋光加工程序則是為一化學上的物件，且係與該拋光墊以同等之速率銷蝕者；……」等語、第16頁第22行至第17頁第5 行記載：「由晶片14之施加一負荷予該拋光墊片18會使得該底層20產生壓縮，是以該間隙610 之寬度將會減少，……而由於有間隙610的存在，故頂面606 雖然有與該晶片14接觸，卻不致於對其施加壓力，是以該兩段式插件600 的較為稠密之材料將不致於增加局部的壓力，即該兩段式插件600 不致於會對晶片14的拋光加工產生不利的影響」等語，以及第18頁第22行至第19頁第6 行記載：「此外，該兩段式插件600 之頂面606 並未予以加工有溝槽，而由於兩段式插件600 之部位並未有溝槽或凹窪，故將不致有漿液之堆積而致阻礙到雷射光束34；在調和拋光墊片18的過程中，若是用以恢復拋光墊片18的糙度之調合劑由該包覆層22之頂面23脫離時，該兩段式插件600 的頂面606將會被括到並因而受損，惟，由於聚胺脂（聚氨酯）係為一擴散性之材料，故頂面606 之受損程度將不致於會嚴重到影響該雷射干涉儀32之表現」等語（參本院卷一第199 頁背面至201 頁），可知兩段式插件600 實質上是為純聚氨酯（羅得爾公司製EX-2000 ），是比拋光墊片18的底層20較為稠密之材料，並且在頂面606 並未有溝槽或凹窪或是可以減低被調合劑括損程度，可避免漿液堆積而阻礙到雷射光束34。另外參酌系爭專利說明書第7 頁第15至22行之記載：「同樣可以將視窗插入任何目前所用於積體電路晶化學機械拋光之拋光墊。……此種墊非由本身不具吸收或傳輸淤漿粒子能力之固體聚合體片材所製成，其等係藉由可傳輸淤漿之含孔性質」等語（參本院卷一第185 頁），可知習知研磨墊係因本身包含孔隙而「具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」。ꆼ因此，證據3 雖未明確揭示純聚胺脂之兩段式插件600
係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組，惟其係一「純」聚氨酯，可知其本身係不含有研磨粒等非聚氨酯的材料，又由頂面並未有溝槽或凹窪且仍需配合研磨墊整體被調合劑調合括傷（即形成微孔洞），可知其本身在使用前即不存在孔隙，故熟習該項技術者基於上述內容可以直接導出兩段式插件
600 為本身不具吸收或傳輸淤漿粒子能力之固體均勻聚合體。
ꆼ證據3 說明書第36頁第13至14行已記載：「相信在前述
二相互競合的考量因子之下，選用一紅光雷射光束應是為最為平衡之合宜選擇…：」等語（參本院卷一第209頁背面）。且原告不爭執系爭專利請求項所記載之190至3500nm範圍被證據3 所記載之紅光雷射所揭露（本院
10 3年5 月13日準備程序筆錄）。其中「紅光雷射」可對應於系爭專利申請專利範圍第1 項所記之「波長在19
0 至3500nm範圍間之光」。ꆼ綜上，系爭專利申請專利範圍第1 項所載之：「一種用
於積體電路晶圓之拋光墊（可對應於證據3 之墊片18、第3D圖），該墊具有一個部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成（證據3為兩段式插件600 ），該聚合體片材可為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過（對應於證據3 之紅光雷射）」技術特徵已為證據3 所揭露。因此，證據3 足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性。
ꆼ原告雖稱：由證據3 所揭示之插件與拋光墊片以同樣之速
率磨耗即顯示插件均有拋光能力，即具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力等語，惟查，系爭專利說明書內容並未記載拋光墊片「具有拋光能力」與「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力間」兩者間的關係。反而由系爭專利說明書第
6 頁第4 至13行所記：「……固體均勻聚合體片材不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力。……所有習知技藝之墊的大體結構為纖維所製成，含有填充以微小球體或製造中進氣所造成之孔隙，或是填充有研磨料。……用於本發明之聚合體片材表面提供有巨大及微細谷紋以將固態均勻片材送入一良好之拋光墊中……」等語（參本院卷一第184 頁背面），可知系爭專利之研磨墊係因為固體均勻聚合體片材不包含微小球體、孔隙或纖維而「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」，但可以經由在表面形成有巨大及微細谷紋而成為良好拋光墊。換言之，研磨墊是否為「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」，主要係由其中是否含有上述孔隙等物質所決定，與是否具研磨能力無關。而插件或拋光墊磨耗則是由晶圓與拋光墊間物理性接觸彼此研磨之所產生的結果，倘依原告上述邏輯推論，系爭專利之固體均勻聚合體片材視窗因不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力而不具拋光能力也不會磨耗，勢必會在拋光墊其他部分磨耗後仍然凸出於拋光墊而形成高低不平的研磨表面，客觀上顯然會不利於晶圓的平坦化作業，即便系爭專利為整片態樣，其將不會被磨耗而無需汰換亦有違常理。是以，插件與拋光墊片以同樣之速率磨耗，與插件含有孔隙而具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力，兩者並不相同亦無必然之關係，故原告之主張尚難採信。
ꆼ原告另稱：系爭專利另案判決書（本院102 年度行專訴字
第114 號）之內容，已肯認證據6 與證據3 無擬制喪失新穎性之適用云云，然查，另案判決書係以本案之證據6為判斷擬制喪失新穎性之證據，並非本案之證據3 ，兩者在形式上即有不同。再者，本件證據6 說明書中並未記載證據3 第15頁第18行至第19頁13行的內容等關於第3C至3F圖實施例中塞片42係由不含尼龍微粒之聚氨酯材料製成、兩段式插件600 為純聚氨酯等內容。是以，證據6 與證據3至少在作為援引判斷的內容上即非實質相同。因而，原告上開主張，顯有誤會。
３、證據3 不足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第3 項之技術內容，業如前述。
ꆼ相較於系爭專利申請專利範圍第1 項，第3 項係再進一步
增加「以及一個由微孔聚胺（氨）基甲酸乙酯結構所組成之第二部分」之技術限定。經參酌系爭專利說明書第7 頁第15至22行記載：「同樣可以將視窗插入任何目前所用於積體電路晶片化學機械拋光之拋光墊。此種墊之態樣如內含甲酸乙酯之聚酯墊、市售之微孔氨基甲酸乙酯墊如Delaware Newark, Rodel Inc之Politex ，及同樣DelawareNewark, Rodel Inc 所製之如IC系列及MH系列的充填及／或膨脹複合氨基甲酸乙酯，……」等語（參本院卷一第18
5 頁），可知本項所進一步界定之由微孔聚氨基甲酸乙酯結構所組成之第二部分，應係指Rodel Inc 之Politex ，而非Rodel Inc 之IC系列。是以，證據3 第5 頁第15至16行記載：「包覆層22通常是為一發泡成型之聚脂胺（聚氨酯）（如型號為羅得爾IC1000）……」等語，及參加人答辯狀附件8 所載「IC is a microporous polyurethanematerial……」等語，所揭示之IC1000非為本項所記載之微孔聚氨基甲酸乙酯結構。
ꆼ準此，由於證據3 並未揭示本項所有的技術特徵，故證據
3 不足以證明系爭專利申請專利範圍第3 項擬制喪失新穎性。
４、證據3 足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項擬制喪失新穎性：
ꆼ系爭專利申請專利範圍第4 項之技術內容，業如前述。
ꆼ相較於系爭專利申請專利範圍第1 項，第4 項係再進一步
增加之「以及一個由充填或膨脹之複合聚胺（氨）基甲酸乙酯所組成之第二部分」技術限定。經參酌系爭專利說明書第7 頁第15至22行所記內容，本項所進一步界定之由充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯所組成之第二部分，應係指Rodel Inc 之IC系列。而證據3 說明書第5 頁第15至16行記載「包覆層22通常是為一發泡成型之聚脂胺（聚氨酯）（如型號為羅得爾IC1000）者」等語，或參加人答辯狀附件8記 載「IC is a microporous polyurethanematerial……」一語，均已明確記載IC1000（參本院卷一第194 、292 頁）。又因證據3 第2 圖及第3D圖所示之研磨墊片18及包覆層22之元件編號均為相同，且第3D圖係特別強調兩段式插件600 雷射透射窗結構及材質之改良，故可知包覆層22除兩段式插件600 雷射透射窗外的部分係為證據3 申請前之習知技術，其可為IC1000，與系爭專利所記載由充填或膨脹之複合聚氨基甲酸乙酯所組成第二部分相同。
ꆼ如前所述，證據3 既足以證明系爭專利申請專利範圍第1
項擬制喪失新穎性，而本項更進一步增加之技術特徵亦已揭露於證據3 ，故證據3 亦足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項擬制喪失新穎性。
（五）證據6 不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 、3 、4 項擬制喪失新穎性：
１、證據6 不足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性：
ꆼ關於系爭專利申請專利範圍第1 項及證據6 之內容，業如前述。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項與證據6 技術特徵比對說明如下：
ꆼ證據6 說明書第5 頁第2 至4 行揭示：「如第1 圖所示
，一典型之CMP 裝置10包括一拋光頭12以將半導體晶片維持抵觸拋光台板16。拋光台板16係覆蓋一墊片18」等語（參本院卷一第238 頁），其中「墊片18」可對應於系爭專利申請專利範圍第1項所載之「拋光墊」。
ꆼ證據6 說明書第21頁第5 至7 行記載：「此一問題的一
種解決方式是將平台孔沿著平台旋轉方向沿伸。易言之，窗構造66' （即，插入物，墊片或插塞）將採取一弧形的形狀，如第7 圖中所示」等語（參本院卷一第246頁），可知插入物、墊片或插塞位於墊片之覆蓋層中，其形狀可以成弧形沿著平台旋轉方向沿伸。其中「插件、墊片或塞片」可對應於系爭專利申請專利範圍第1 項所載之「片材」。
ꆼ證據6 說明書第17頁第16至21行記載：「雖然使用在墊
片之覆蓋層中的聚氨酯材料實質上對於雷射光束具有透射性，其不含有某些抑制透射性之添加物。此一問題在描述於第3C圖中之本發明實施例中已被消除。在此實施例中，覆於平台孔30上方之區域中的典型墊片材料已被一堅硬的聚氨酯插塞42代替。此一插塞42係被一體成型於墊片18中」等語（參本院卷一第244 頁），可知堅硬的聚氨酯插塞42被一體成型於墊片18中，可以消除如第3B圖中所示使用典型墊片覆蓋層的雷射光束透射性的問題。
ꆼ證據6 說明書第32頁第12至13行已記載：「咸信如果選
擇一紅光雷射光束則在波長的選擇中這兩種相抗因素有最佳的平衡……」等語（參本院卷一第251 頁背面），且原告不爭執系爭專利請求項所記載之190 至3500nm範圍被證據6 所記載之紅光雷射所揭露（本院103 年5 月13日準備程序筆錄），其中「紅光雷射」可對應於系爭專利申請專利範圍第1 項所載之「波長在190 至3500nm範圍間之光」技術特徵。
ꆼ綜上，系爭專利申請專利範圍第1 項所載：「為一種用
於積體電路晶圓之拋光墊（對應於證據6 之墊片18），該墊具有一個部分係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成（證據6 為堅硬的聚氨酯插塞42），該聚合體片材可為波長在190至3500nm範圍間之光所通過（對應於證據6 之紅光雷射）」技術特徵，雖為證據6 所揭示，然而證據6 並未明確揭示堅硬的聚氨酯插塞42係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成，亦非熟習該項技術者參酌證據6 申請當時之既有技術可導出之事項，故證據6 尚難謂足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項擬制喪失新穎性。
ꆼ被告及參加人固稱：因為第3C圖之實施例中該插塞為「聚
氨酯」，該聚氨酯插塞42係一固體的片材。該證據6 所揭示之堅硬的聚氨酯插塞，不具添加物，熟悉該項技術者可瞭解該堅硬的聚氨酯不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力，亦即系爭專利之固體聚合體塞（視窗）係由聚氨基甲酸乙酯所製成，而證據6 之插塞亦係由一對於雷射光束具有高度透射性的聚氨酯（聚氨基甲酸乙酯之縮寫）製成。由於系爭專利之固體聚合體塞（視窗）與證據6 係由相同之材質所製成，且是具高度透射性之特性，其所能達成之「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之功效當然亦屬相同。否則若具吸收或傳輸淤漿粒子，則無法具有高度透射性等等語。然查：
ꆼ比對後申請案之發明有無擬制喪失新穎性時，係應就該
先申請案之說明書或圖式所記載之事項來認定。其認定可參酌該先申請案申請當時之既有技術。就證據6 所揭示之「堅硬的聚氨酯」而言，在沒有適當的證據6 申請當時之既有技術可供參酌的情況下，尚難謂能直接導出「不含添加物」。再者，即便在「堅硬的聚氨酯不含添加物」的情況下，參酌系爭專利說明書第7 頁第15至22行記載：「同樣可以將視窗插入任何目前所用於積體電路晶片化學機械拋光之拋光墊。此種墊之態樣如內含甲酸乙酯之聚酯墊、市售之微孔氨基甲酸乙酯墊如Delaware Newark, Rodel Inc之Politex ，及同樣Delaware Newark, Rodel Inc所製之如IC系列及MH系列的充填及/ 或膨脹複合氨基甲酸乙酯，此種墊非由本身不具吸收或傳輸淤漿粒子能力之固體聚合體片材所製成，其等係藉由可傳輸淤漿之含孔性質」等語（參本院卷一第185 頁），可知不含添加物之固體氨基甲酸乙酯聚合體也有可能因包含孔隙而「具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」。是以，在沒有適當的證據6 申請當時之既有技術可供參酌的情況下，亦尚難謂能由上述「堅硬的聚氨酯不含添加物」直接導出系爭專利申請專利範圍第
1 項所載「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之技術特徵。
ꆼ由證據6 所揭示之「插塞最好係由一對於雷射光束有高
度透射性的聚氨酯製成」等語（說明書第7 頁第13至14行，本院卷一第239 頁），聚氨酯具有「對於雷射光束有高度透射性」與「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」，文字上即屬不相同的性質，其是否為直接必然關係，在沒有適當的證據6 申請當時之既有技術可供參酌的情況下，尚難謂為能由「具有對於雷射光束有高度透射性」即可直接導出「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」。再者，參酌參加人答辯狀附件8 第1 頁所記之「IC is a microporous polyurethane material …」、「Manufactured from RODEL's proprietarypolyurethane….that incorporates a unique,vertically-oriented pore structure」等語（參本院卷一第292 頁），均屬含有微孔的聚氨酯（polyurethane ） 材料，以及如前系爭專利說明書第7頁第15至22行之記載，可知參加人答辯狀附件8 所揭示之聚氨酯拋光墊因含孔性質而具備吸收或傳輸淤漿粒子能力。證據6 所揭示之插塞材質與系爭專利之固體均勻聚合體之材質雖然同為聚氨酯，但有可能因聚氨酯含孔性質而具備吸收或傳輸淤漿粒子能力，因此尚難由具有相同的聚氨酯材質，即可直接導出具有相同的「不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力」之功效。因此，被告及參加人前開抗辯，即非可採。
２、證據6 不足證明系爭專利申請專利範圍第3 、4 項擬制喪失新穎性：
系爭專利申請專利範圍第3 、4 項之內容，業如前述，而該第3 、4 項亦具有如第1 項所載「一個由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成」之技術特徵。又該技術特徵未能明確揭示於證據6 ，亦非熟習該項技術者參酌證據6 申請當時之既有技術即可導出之事項，已如前述，故證據6 亦不足證明系爭專利申請專利範圍第3 、4 項擬制喪失新穎性。
（六）證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第
1、2 項不具進步性，但不足以證明第3 、4 、5 項不具進步性：
１、證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第
1 項不具進步性：ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項與證據2 、證據4 之技術內容，業如前述。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項與證據2 、證據4 之組合之技術特徵比對如下：
ꆼ證據2 說明書第3 欄第34至36行即揭示其改良的拋光墊
係由包含不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材（An improved polishing pad isprovided comprising a solid uniform polymersheet having no intrinsic ability to absorb ortransport slurry particles）、第7 欄第64行至第8
欄第4 行實施例4 即使用無充填物、基本上均勻的固體聚氨酯拋光墊（a sheet of solid,unfilled,essentially homogeneous polyurethane) 進行晶圓的拋光。證據2 雖未進一步揭示，該無充填物、基本上均勻的固體聚氨酯拋光墊，可為190 至3500nm之波長範圍之光通過。然參酌系爭專利說明書第6 頁第13至16行記載：「如US專利5,489,233 號案所指出，此種墊可為包含聚乙烯甲酸酯、聚丙烯、聚碳酸酯、尼龍及聚酯等之任何固體均勻聚合體所製成。由於其等為具190 至3500nm之波長範圍之光可通過的聚合體所製成……」等語，以及第7 頁第7 至8 行記載：「如USA 專利5,489,233號案所示，用於積體電路晶片之化學機械拋光墊為一聚合體片材所製成，該片材不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力，……」等語（參本院卷一第184 頁背面至第185 頁），以及系爭專利未特別強調係如何地使US專利5,489,
233號案所指出聚乙烯甲酸酯等材料可以為雷射光所通過的製造技術，可知證據2 所揭示之拋光墊係整體由固體均勻聚合物片材、不具吸收或傳輸淤漿粒子之能力、且可為190 至3500nm之波長範圍之光通過的聚合體所製成。
ꆼ系爭專利申請專利範圍第1 項所載「具有一個部分」之
「具有」究竟屬於開放式、封閉式或半開放式連接詞，以及是否含括了「該墊全部」，經參酌說明書上、下文義，如第6 頁最後文段、第7 頁第2 文段等記載拋光墊整片為相同材質的態樣；另如第7 頁第1 文段、最後文段等記載拋光墊為不同材質的兩部分態樣，可知系爭專利申請專利範圍第1 項所記內容並未排除或足以區隔整個拋光墊係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成的態樣。
ꆼ由於證據2 已揭示整體為無充填物、基本上均勻的固體
聚氨酯拋光墊。又參酌系爭專利說明書，可知證據2 所揭示之拋光墊可為190 至3500nm之波長範圍之光所通過，熟習該項技術者依據證據2 揭示內容即能輕易完系爭專利申請專利範圍第1 項之發明，故證據2 即足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，從而證據2與證據4 之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。又證據2 既單獨足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性，則其與證據4 是否有組合之動機，本院即不再論究，附此敘明。
ꆼ原告雖稱：系爭專利申請專利範圍第1 項所載該墊具有一
個部分」是指一部分的意思，並沒有包括該墊全部等語。然如前所述，在參酌說明書上下文義以及申請專利範圍其他獨立項所記載的內容後，第1 項所記內容並未如申請專利範圍第3 至5項所記之第一部分及第二部分的技術特徵，可以排除或足以區隔整個拋光墊的態樣。是故，原告之主張尚無足採。又證據2 在說明書第1 欄第30至35行已揭示具凹槽表面之Suba拋光墊為習知之技術。另在第7 欄第64行至第8 欄第22行所揭示之實施例4 中明確教示該實施例具有高而均勻的研磨速率（A high and uniformpolishing rate…was observed）。因此，熟習CMP 研磨技術者為了獲得證據2 所教示之具有高而均勻的研磨速率之功效，即有合理的動機將證據2 所揭示之實施例4 表面具有溝槽紋路之均勻的固體聚胺酯拋光墊，置換證據4 所揭示之Suba-500拋光墊，從而，認定系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，是原告主張證據2 與證據4 之組合欠缺組合動機云云，亦難採信
２、證據2 與證據4 之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第2 項係直接依附第1 項之附屬項，進一步界定其中該固體均勻聚合體片材具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。又上開進一步界定之技術特徵亦已揭示於證據2 第
7 欄第64行至第8 欄第9 行實施例4 ：「……a seriesofannular grooves haveinf a pitch of 0.055 in.and adepth of 0.010 in. were cut into a sheet of solid,unfilled, essentially homogeneous polyurethane…
i.e. the diamond conditioner was used microtextureprior to the polishing…」（參本院卷一第190 頁背面），亦即拋光墊在使用前先在表面加工形成有大及小型流體槽之表面紋理及圖樣（macro- and microtexture ）。
準此，證據2 既足以證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，而其第2 項進一步界定之技術特徵亦揭示於證據2 之實施例中，則證據2 即足以證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。從而，證據2 與證據4 之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第第2 項不具進步性。
３、證據2 與證據4 之組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性：
ꆼ系爭專利申請利範圍第3 項之技術內容，業如前述。
ꆼ如前所述，證據2 所揭示者係整體由不具吸收或傳輸淤漿
粒子的固有能力，且為波長在190 至3500nm範圍間之光所通過之固體均勻聚合體片材所組成。是以，證據2 並未揭示由兩個部分所組成的研磨墊。
ꆼ證據4 雖揭示有具槽2 的研磨布5 及透明玻璃製的透明窗
材4 ，然而由證據4 之[0023]文段記載：「在壓盤1 的具有槽2 的面上，貼附有…研磨布5 ，…商品名為suba-500的胺基甲酸酯含浸聚酯不織布，相當於槽2 的部分被挖成與槽2 相同的形狀，形成研磨布窗6 。透明窗材4 自壓盤的表面突出約0.5mm …」等語（參本院卷二第70頁背面），可知研磨布窗6 為在研磨布5 中挖成與壓盤中槽2 相同的形狀而成的，透明窗材4 自壓盤的表面突出，亦即透明窗材4 並不屬於研磨布5 的一部分。是以，證據4 亦未揭示由兩個部分所組成的研磨布。
ꆼ因此，證據2 與證據4 之組合並未揭示系爭專利申請專利
範圍第3 項所記由兩不相同的第一部分及第二部分所組成拋光墊的技術手段，且證據間未有教示或建議，將證據2與證據4 所揭示的個別內容加以組合，故證據2 與證據4之組合不足證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
４、證據2 與證據4 之組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第4項之內容業如前述，亦即拋光墊係由兩不相同的第一部分及第二部分所組成。又如前所述，證據2與證據4之組合並未揭示系爭專利申請專利範圍第4項所記由兩不相同的第一部分及第二部分所組成拋光墊的技術手段，且證據間未有教示或建議，將證據2與證據4所揭示的個別內容加以組合，故證據2與證據4之組合不足證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。
５、證據2與證據4之組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性：
系爭專利申請專利範圍第5項之內容業如前述，且兩造及參加人均同意本項所記第一部分並不包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣的技術特徵（參本院103 年3 月25日準備程序筆錄) 。因此，證據2 與證據4 之組合並未揭示系爭專利申請專利範圍第5 項所記由兩不相同的第一部分及第二部分所組成拋光墊的技術手段，且證據間未有教示或建議，將證據2 與證據4 所揭示的個別內容加以組合，故證據2 與證據4 之組合不足以證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
（七）證據2與證據5之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性：
１、系爭專利申請專利範圍第2項及依附之第1項暨證據2與證據5之內容，均如上述。
２、系爭專利申請專利範圍第2項與證據2、證據5組合之技術特徵比對如下：
如前所述，系爭專利申請專利範圍第1 項所記內容並不足以區隔整個拋光墊係由不具吸收或傳輸淤漿粒子的固有能力之固體均勻聚合體片材所組成的態樣，系爭專利申請專利範圍第2項係直接依附第1項之附屬項，進一步界定其中該固體均勻聚合體片材具有一表面係帶有一包含大及小型流體槽之表面紋理及圖樣，該等槽容許含有粒子之拋光淤漿能通過該表面，該表面紋理及圖樣係單由作用於該固體均勻聚合體片材之表面上的外部工件所製成。而其所進一步界定之技術特徵亦已揭示於證據2第7欄第64行至第8欄第4行實施例4中，且證據2足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性，故證據2亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性，從而證據2與證據5之組合亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。又證據2既單獨足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性，則其與證據5 是否有組合之動機，本院即不再審究，附此敘明。
六、綜上所述，經整體技術特徵比對，證據3足以證明系爭專利申請專利範圍第1、4項擬制喪失新穎性，惟無法證明系爭專利申請專利範圍第3項擬制喪失新穎性，而證據6則均不足以證明系爭專利申請專利範圍第1、3、4項擬制喪失新穎性；又證據2與證據4之組合足以證明系爭專利申請專利範圍第1、2項不具進步性，但不足以證明系爭專利申請專利範圍第3至5項不具進步性；另證據2與證據5之組合則足以證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。因此，系爭專利申請專利範圍第1、2、4項確有擬制喪失新穎性或不具進步性之得撤銷原因，而第3 、5 項則仍具備專利要件而不得撤銷。
惟按申請發明專利，其申請專利範圍固得包括一項以上之請求項，然各請求項與專利說明書及圖式仍屬一發明專利之整體，系爭專利經核准專利後遭參加人提起舉發，被告於審查本件舉發N02 案時，已給予原告更正機會，原告並於99年2月4 日提出系爭專利申請專利範圍更正本，故本件舉發案被告係依更正本審查，業如前述。是以，被告已於舉發階段將舉發書副本送達原告提出答辯，並由原告申請更正後逐項審查，方認全部請求項不具進步性，足見被告已踐行其職權通知程序，賦予原告更正系爭專利請求項之機會，依當時專利法下「專利整體性原則」及「全案准駁原則」，應認系爭專利違反83年專利法第20條第1 項第2 款及第2 項之規定，應就系爭專利舉發為全案舉發成立之審定，而無適用現行專利法分項各自作成舉發成立或不成立之處分之規定【最高行政法院102 年度判字第561 號判決，及最高行政法院102 年8月6 日102 年度8 月份第1 次庭長法官聯席會議（一）則決議參照】。從而，被告以系爭專利有違83年專利法第20條第
1 項第2 款及第2 項之規定，而為舉發成立應撤銷專利權之處分，理由固有不同，惟其結論並無二致。訴願決定予以維持，亦無違誤。原告訴請撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，兩造及參加人其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條 、行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中 華 民 國 103 年 9 月 24 日
智慧財產法院第一庭
審判長法 官 蔡如琪
法 官 林靜雯法 官 林秀圓以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 一者，得不委任律│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 師為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 情形之一，經最高│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ 者，亦得為上訴審│ 。 ││ 訴訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，││上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係││之釋明文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 103 年 9 月 24 日
書記官 張君豪