智慧財產法院行政判決106年度行專訴字第39號原告美商奈平科技股份有限公司代表人愛瑞卡威爾森（首席智財長）訴訟代理人王仁君律師徐瑞毅律師被告經濟部智慧財產局代表人洪淑敏（局長）住同上訴訟代理人薛惠澤參加人羅門哈斯研磨材料控股公司代表人BlakeT.Biederman訴訟代理人馮達發律師（兼送達代收人）黃麗蓉律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國106年3月31日經訴字第10606302920號訴願決定，提起行政訴訟，經本院依職權命參加人獨立參加被告訴訟，本院判決如下：
1主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、程序事項：原告起訴時訴之聲明第1項、第2項為「原訴願決定撤銷」、「原處分主文第一項『103年2月14日之更正事項，准予更正』及主文第3項『請求項3至4舉發不成立』應撤銷，並命被告另為『103年2月14日之更正事項不准更正』及『請求項3至4舉發成立，應予撤銷』之處分」，嗣於民國106年10月30日準備程序期日，當庭更正訴之聲明第1項為「訴願決定及原處分關於『103年2月14日之更正事項，准予更正』及『請求項3至4舉發不成立』部分均撤銷」、更正第2項為「被告應作成『103年2月14日之更正事項，不准更正』及『請求項3至4舉發成立，應予撤銷』之處分」，核原告所為，僅屬訴之聲明用語明確化之更正，核與訴之聲明之變更或追加無涉，且經被告同意在卷（見本院卷1第204頁），尚無不合，應予准許。
二、事實概要：參加人（原名美商羅德爾控股公司）前於90年5月25日以「化學機械平面化之拋光襯墊」向被告申請發明專利，並以89年5月27日及89年7月28日向美國申請之第60/207,938及60/222,099號專利案主張優先權，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第176078號專利證書（下稱：系爭專利）。嗣原告以該專利請求項1至7違反核准時專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發。案經被告審查，以105年10月282日（105）智專三（三）05048字第10521337420號專利舉發審定書為「103年2月14日之更正事項，准予更正」、「請求項1至2、5至7舉發成立，應予撤銷」、「請求項3至4舉發不成立」之處分。原告不服前揭處分中關於「103年2月14日之更正事項，准予更正」及「請求項3至4舉發不成立」之部分，提起訴願，經經濟部以106年3月31日經訴字第10606302920號訴願決定書為「訴願駁回」之決定。原告不服訴願決定，遂向本院提起行政訴訟。惟本件判決結果，倘認定原處分及訴願決定應予撤銷，參加人之權利或法律上之利益將受損害，爰依職權命參加人獨立參加被告之訴訟。
三、原告主張：
（一）舉發證據3為適格之證據：
1.證據3（Rodel公司於1999年公開發行之型號「RodelIC1000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本）係參加人前身Rodel公司於1999年公開發行之型號「RodelRIC1000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本。由證據3第2頁右下角「cRodel1999AllRightsReserved」之註記，即可得知該產品型錄已在1999年公開，且早於系爭專利之優先權日，從而得作為認定系爭專利不具可專利性之適格證據。
2.參加人已於另案自認IC1000拋光墊自1994年起即已公開銷售，參加人亦於另案訴訟提出員工聲明書及IC1000拋光墊於1991年之型錄、證據10之先前技術及公開於1997年之美國第0000000號專利等資料。原告從另案訴訟提出之AraPhilipossian聲明書、KathleenA.Richardson聲明書、SudiptaSeal聲明書等諸多證據亦可證明。是以，IC1000拋光墊在系爭專利優先權日前確已公開販售外，亦足證證據3之型錄在系爭專利優先權日前已經公開。
3（二）系爭專利舉發案並無專利法第81條第1項之適用：
本件舉發之舉發理由及證據，與參加人所主張之本院98年度行專訴字第67號行政判決與最高行政法院100年度判字第2223號判決認定之理由與證據根本不同，該另案行政確定判決僅針對系爭專利申請專利範圍第1項是否具有「新穎性」予以判斷，並未針對該請求項之「進步性」予以審酌，而原處分係以該請求項欠缺進步性為由認定舉發成立，與該行政判決理由非屬同一事實與同一證據，自非專利法第81條所規範之情形，本不受該另案行政確定判決之拘束，亦無一事不再理原則之適用。
（三）系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
1.證據3及輔助之舉發證據5、6、7、12，可以證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
3為一適格之證據，且一般而言，無論產品何時製造，半導體廠商在採購設備、材料或產品時，對於採購之物品品質採取嚴格之認可程序（qualify），如產品內容有任何變動，必須另編新型號加以區別。是以，證據
5、6、7、12等輔助證據中「IC1000拋光墊」的試驗數據，無論作成日在系爭專利優先權日前或後，皆足以代表系爭專利優先權日前已經公開販售、使用之「IC1000拋光墊」之試驗數據。
5（IreneLi等人於西元2000年IreneLi發表在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本）圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為370MPa、在90℃時的E'約為130MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為2.84，顯然落於1到3.6之間；由證據6（IreneLi等人西4元2000年4月26-27日在MaterialResearchSociety於美國舊金山所舉辦之研討會簡報資料影本）第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為370MPa、在90℃時的E'約為130MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為2.84，顯然落於1到3.6之間。再由美國Exova-OCM試驗實驗室公司針對IC1000拋光墊進行試驗以了解其E'比，根據2012年1月10日所提出之試驗報告，其30℃到90℃時的E'比約為2.55，顯然落於1到3.6之間。是以，由證據5、6、7等輔助證據可知，「IC1000拋光墊」已經揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵。
5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在40℃的E'約為310MPa，顯然落於150到2,000MPa之間；由證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在40℃的E'約為310MPa，顯然落於150到2,000MPa之間。是以，證據5、6等輔助證據可知，「IC1000拋光墊」已經揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵「一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」。
提及使用「10弳度/秒之頻率」之動態機械分析法測量有任何實質之技術上意義。又無論測試頻率是「1Hz」或「1.6Hz」進行動態機械分析以判斷受測拋光墊之「彈性儲存模數E'在30℃和90℃時的比例」是否落於「1到3.6」，並無任何實質之技術上意義，且亦不會對測試E'比值之結果有重大影響。此外，由參加人於第165490號專利之另案訴訟所提呈之ASTM與ISO等國際量5測標準，亦可知「0.01至100Hz」之頻率本為動態機械分析法測量張力模數所得採用之測試條件，故系爭專利申請專利範圍第1項使用「10弳度/秒」（即1.6Hz)之頻率實為一般公知且習用之測試頻率，僅為通常試驗條件之記載。此皆足證測試頻率「1Hz」或「1.6Hz」僅為動態機械分析測試「彈性儲存模數E'比例」之試驗條件之簡單變換。
IC1000拋光墊已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，因此系爭專利請求項3不具新穎性，應予撤銷。
2.證據4及輔助證據5、6、8，可以證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
SUBAIV拋光墊已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，業如前述。
5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該SUBAIV拋光墊在30℃的E'約為170MPa、在90℃時的E'約為100MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為1.7，顯然落於1到3.6之間；證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在30℃的E'約為170MPa、在90℃時的E'約為100MPa，從而其30℃到90℃時的E'比約為1.7，顯然落於1到3.6之間；原告於2012年1月針對SUBAIV拋光墊進行之試驗（即證據8，西元2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本。其第2頁揭示E'30/E'90=1.65、第3頁揭示E'30/E'90=1.60），其30℃到90℃時的E'比約為1.65、1.60，顯6然落於1到3.6之間，是以由證據5、6、8等輔助證據可知，「SUBAIV拋光墊」已經揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵。
SUBAIV拋光墊已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，因此系爭專利請求項3不具新穎性，應予撤銷。
3.證據5，可以證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：由於先前技術舉發證據5已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，因此系爭專利請求項3不具新穎性，應予撤銷。
4.證據6，可以證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：由於先前技術舉發證據6已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，因此系爭專利請求項3不具新穎性。
（四）系爭專利更正後請求項3不具進步性：
1.證據10、證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
10（1995年刊載於ThinSolidFilms000(0000)WeidanLi.等人之論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-mechanicalpolishingofSiO2films」）係揭示ㄧ種用於製造積體電路之拋光襯墊，其使用美國RodelProductsIncorporated公司所生產之SUBAIV及IC1000二種拋光襯墊做為測試標的。根據第604頁圖4所示之剪力模數對溫度之曲線圖，SUBAIV拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數分別為43及28MPa，而IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數則分別為90及32MPa，且該證據亦明確揭露「當溫度由30℃提高到90℃時，然而IC1000拋光墊的G'會下降約3倍，SU7BAIV拋光墊則僅會下降約1.5倍（Whenthetemperatureincreasesfrom30℃to90℃,G'decreasesbyalmostafactorof3fortheIC1000pad,whiletheonlydecreasesbyafactorofabout1.5fortheSUBAIVpad.)」，此外第2.1節已揭露「蒲松氏比（Poisson'sratio）為0.5」之假設。
11（西元1983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymerViscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁第7-9頁影本）揭示ㄧ材料之拉伸模數E與剪力模數G間之關係式為「E=2(1+μ)G」，其中μ為蒲松氏比；易言之，倘一材料之拉伸模數、剪力模數及蒲松氏比三者已知其二，則剩餘之第三者可輕易藉由該關係式計算而得。
10及證據11，熟習該項技術之人士可輕易計算出IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊之E'(30℃)/E'(90℃)比值分別為2.2及1.65，已揭露系爭專利請求項1所請之E'(30℃)/E'(90℃)比值。由前述舉發證據10揭露之拋光墊G'由30℃提高到90℃時下降的倍數計算亦然。
證據11揭示之關係式「E=2(1+μ)G」以及證據10揭露之拋光墊蒲松氏比為0.5，熟習該項技術者可輕易計算得到IC1000拋光襯墊於40℃之張力模數為222MPa，顯然落於150到2,000MPa之間，故已揭露系爭專利請求項3「一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之附加技術特徵。是以，熟習拋光襯墊技術知識者基於舉發證據10及舉發證據11之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，能輕易完成系爭專利申請專利範圍第3項拋光襯墊之技術特徵。
10之學術論文係揭露以聚胺酯等聚合物為主8要材料之SUBAIV及IC1000二種拋光襯墊之性質，舉發證據11為關於聚合物黏彈性之書籍，二者俱揭露聚合物之張力模數及剪力模數之技術內容。是以熟習該項技術者只要使用一般技術性手段，即有完全之動機基於舉發證據10及舉發證據11之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，而輕易完成系爭專利之發明。是以，熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據10、11所揭露之技術內容。
10與證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
2.證據10、證據11、證據3之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
IC1000拋光墊至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且舉發證據10與舉發證據11之組合足證系爭專利更正後請求項1不具進步性，故舉發證據10、舉發證據11與IC1000拋光墊之先前技術組合當然足證系爭專利更正後請求項3不具進步性，業如前述。
題時，有合理動機參考並組合舉發證據10、11所揭露之技術內容，已如前述。又舉發證據10既係關於IC100
0、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合舉發證據10、11與IC1000拋光墊所揭露之技術內容。
上，證據10、證據11、證據3之組合足證系爭專利9更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
3.證據10、證據11、證據4之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
SUBAIV拋光墊至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且舉發證據10與舉發證據11之組合足證系爭專利更正後請求項1不具進步性，故舉發證據10、舉發證據11與IC1000拋光墊之先前技術組合當然足證系爭專利更正後請求項3不具進步性，業如前述。
題時，有合理動機參考並組合舉發證據10、11所揭露之技術內容，已如前述。又舉發證據10既係關於IC100
0、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合舉發證據10、11與證據4所揭露之技術內容。
10、證據11與證據4之組合足證系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
4.證據10、證據11、證據5之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
前已公開之證據5至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且證據10與證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11與證據5之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，業如前述。
10題時，有合理動機參考並組合證據10、11所揭露之技術內容，已如前述。又證據5、證據10既係關於IC100
0、證據4性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據11、證據5所揭露之技術內容。
10、證據11、證據5之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
5.證據10、證據11、證據6之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
6至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且證據10與證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11與證據6之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，業如前述。
問題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容，已如前述。又證據6、證據10既係關於IC1000、證據4性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據11、證據6所揭露之技術內容。
10、證據11、證據6之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
6.證據10、證據11、證據2之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
10、證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請11求項3不具進步性，業如前述。
3「在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之附加技術特徵，先前技術證據2已揭露一拋光墊，其具有0.02至5GPa之張力模數（atensilemodulusof0.02to5GigaPascals）。由於1GPa等於1000MPa，故舉發證據2所揭露之「0.02至5GPa之張力模數」等於「20至5000MPa之張力模數」，換言之，舉發證據2已揭露系爭專利請求項3「約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容。證據2既係關於拋光墊性質之專利文獻，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據1
1、證據2所揭露之技術內容。
10、證據11、證據2之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
7.證據10、證據11、原證16之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
10、證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，業如前述。
3「在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵，先前技術美國第0000000號專利已揭露IC1000拋光墊之張力模數E為315MPa。
換言之，原證16已揭露系爭專利請求項3「約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理12動機參考並組合舉發證據10、證據11所揭露之技術內容。又原證16既係關於拋光墊特別同時包含IC1000拋光墊性質之專利文獻，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據11與原證16所揭露之技術內容。
10、證據11、原證16之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
8.證據2、證據9、證據3之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
IC1000拋光墊已經揭露系爭專利請求項3之全部技術特徵，至少亦已揭露請求項3之附加技術特徵，業如前述。
2揭露可用於製造半導體元件或類似物件之拋光襯墊具有「在30℃及60℃時的張力模數比(aratiooftensilemodulus)為1.0到2.5」之技術特徵；證據9揭露一特別適合應用在製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具之組成物，具有在30℃及90℃時之E'比為2.73、2.53、及2.87之特徵。證據2及證據9共同揭露了系爭專利申請專利範圍第1項之「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」、「該襯墊具有一用來平面化該表面之拋光層」、及「該拋光層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」等全部技術特徵。是以，熟習拋光襯墊技術知識者基於證據2及證據9之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，能輕易完成系爭專利申請專利範圍第1項拋光襯墊之技術特徵。
2、證據9、與系爭專利之國際專利分類號均屬「13B24」類，可見證據2、證據9、與系爭專利係屬一般認同之同一技術領域，而熟習該項技術者只要使用一般技術性手段及發揮一般創造能力，即有完全之動機結合屬於同一技術領域之證據2與證據9，而輕易完成系爭專利發明。證據2與證據9之美國專利分類號均包含「51/298」，而若以美國專利分類號「51/298」為條件搜尋美國專利商標局之資料庫，前50筆已獲准專利中即有超過三分之一之專利屬於「化學機械平面化之拋光襯墊」之技術領域，可證熟習該項技術者根據先前技術中所載之美國專利分類號「51/298」，即可輕易結合證據2與證據9之美國專利，發揮一般創造能力之判斷而將該結合之技術用於製造半導體之「化學機械平面化之拋光襯墊」。是以，熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9、證據3所揭露之技術內容。
IC1000拋光墊至少已揭露系爭專利更正後請求項3之附加技術特徵，且熟習拋光襯墊技術知識者基於舉發證據2及舉發證據9之教示，運用系爭專利申請前既有之技術或知識，能輕易完成系爭專利申請專利範圍第1項拋光襯墊之技術特徵，故證據2、證據9與證據3之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
9.證據2、證據9、證據4之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
SUBAIV拋光墊至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且證據2與證14據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9與證據4之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據2既係關於化學機械研磨拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與證據4（SUBAIV拋光墊）所揭露之技術內容。
2、證據9與證據4之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
10.證據2、證據9、證據5之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
5至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且證據2與證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9與證據5之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據5既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與證據5所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
11.證據2、證據9、證據6之組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
156至少已揭露系爭專利請求項3之附加技術特徵，且證據2、證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9、證據6之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據6既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與證據5所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項3應予撤銷。
（五）系爭專利更正後請求項4不具新穎性：
1.證據3及輔助之證據5、6、7、12，可以證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：
IC1000拋光墊」是一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，其具有一用來平面化該表面之拋光層，且舉發證據5、6、7、12等輔助證據中「IC1000拋光墊」的試驗數據，無論作成日在系爭專利優先權日前或後，皆足以代表系爭專利優先權日前已經公開販售、使用之「IC1000拋光墊」之試驗數據。
5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊在40℃的E'約為310MPa，tanδ約為0.11。依系爭專利及其國外對應案說明書對「KEL122」的定義(即KEL=tanδx10/[E'x(1+tanδ)])加以計算，該IC1000拋光墊在40℃的KEL約為350.6(1/Pa)，顯然落於100到1,000之間；證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該IC1000拋光墊16在40℃的E'約為310MPa，tanδ約為0.11。依系爭專利及其國外對應案說明書對「KEL」的定義(即KEL=tan122δx10/[E'x(1+tanδ)])加以計算，該IC1000拋光墊在40℃的KEL約為350.6(1/Pa)，顯然落於100到1,000之間。是以，系爭專利優先權日前已公開販售、使用之IC1000拋光墊已經揭露請求項4之附加技術特徵「一約為100到1,000(1/Pa在40℃時)之KEL」。
IC1000拋光墊已經揭露系爭專利請求項4之全部技術特徵，因此系爭專利請求項4不具新穎性，應予撤銷。
2.證據4及輔助之證據5、6、8，可以證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：
SUBAIV拋光墊」是一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，其具有一用來平面化該表面之拋光層，且無論於何年製造，具同一型號之拋光墊其物理、化學性質應無不同。是以，證據5、6、8等輔助證據中「SUBAIV拋光墊」的試驗數據，無論作成日在系爭專利優先權日前或後，皆足以代表系爭專利優先權日前已經公開販售、使用之「SUBAIV拋光墊」之試驗數據。
5圖1之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該SUBAIV拋光墊在40℃的E'約為160MPa，tanδ約為0.058。依系爭專利及其國外對應案說明書對「122KEL」的定義(即KEL=tanδx10/[E'x(1+tanδ)])加以計算，該IC1000拋光墊在40℃的KEL約為361.3(1/Pa)，顯然落於100到1,000之間；證據6第7頁之曲線圖所示之溫度對儲存模數之曲線圖可知，該SUBAIV拋17光墊在40℃的E'約為160MPa，tanδ約為0.058。依系爭專利及其國外對應案說明書對「KEL」的定義(即K122EL=tanδx10/[E'x(1+tanδ)])加以計算，該IC1000拋光墊在40℃的KEL約為361.3(1/Pa)，顯然落於100到1,000之間。系爭專利優先權日前已公開販售、使用之IC1000拋光墊已經揭露請求項4之附加技術特徵「一約為100到1,000(1/Pa在40℃時)之KEL」。
SUBAIV拋光墊已經揭露系爭專利請求項4之全部技術特徵，因此系爭專利請求項4不具新穎性，應予撤銷。
3.證據5，可以證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：由先前技術證據5已經揭露系爭專利請求項4之全部技術特徵，因此系爭專利請求項4不具新穎性，應予撤銷。
4.證據6，可以證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：由於先前技術舉發證據6已經揭露系爭專利請求項4之全部技術特徵，因此系爭專利請求項4不具新穎性，應予撤銷
（六）系爭專利更正後請求項4不具進步性：
1.證據10、證據11、證據3(IC1000拋光墊)之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
IC1000拋光墊至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據10與舉發證據11之組合足證系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11與IC1000拋光墊之先前技術組合當然足證系爭專利更正後請求項4不具進步性。
18題時，有合理動機參考並組合舉發證據10、11所揭露之技術內容。又證據10既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據11與IC1000拋光墊所揭露之技術內容。
10、證據11與證據3之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
2.證據10、證據11、證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
SUBAIV拋光墊至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據10與證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11與SUBAIV拋光墊之先前技術組合，亦可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容。又證據10既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、證據11與SUBAIV拋光墊所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
3.證據10、證據11、證據5之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
5至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據10、證據11之組19合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11、證據5之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容。又證據5、證據10既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據10、11與證據5所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
4.證據10、證據11、證據6之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
6至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據10與證據11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，故證據10、證據11、證據6之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據10、證據11所揭露之技術內容。又證據6、證據10既係關於IC1000、SUBAIV拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合舉發證據10、11與證據6所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
5.證據2、證據9、證據3之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
IC1000拋光20墊至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據2、證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9與證據3之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據2既係關於化學機械研磨拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與IC1000拋光墊所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
6.證據2、證據9、證據4之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
已公開販售、使用之SUBAIV拋光墊至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據2、證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9與證據4之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合舉發證據2、9所揭露之技術內容，已如前述。又舉發證據2既係關於化學機械研磨拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合舉發證據2、9與SUBAIV拋光墊所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
7.證據2、證據9、證據5之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
5至少已揭露系爭專21利請求項4之附加技術特徵，且證據2、證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9、證據5之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據2、證據5既係關於化學機械研磨拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與證據5所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
8.證據2、證據9與證據6之組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
5至少已揭露系爭專利請求項4之附加技術特徵，且證據2與證據9之組合，可以證明系爭專利請求項1不具進步性，故證據2、證據9與證據6之先前技術組合，可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合證據2、證據9所揭露之技術內容。又證據2、證據6既係關於化學機械研磨拋光墊性質之研究，則熟習化學機械研磨拋光墊技術者當然有充分動機參考並組合證據2、證據9與證據6所揭露之技術內容，故系爭專利更正後請求項4應予撤銷。
（七）聲明：「按：原告起訴雖爭執被告所為『103年2月14日之更正事項，准予更正』部分處分之適法性，而為前揭一、所示之訴之聲明，嗣參加人於本院107年3月1日言詞辯論程序，當庭陳明不爭執被告所為前揭系爭專利更正處22分部分之合法性（見本院卷2第306頁），是原告已撤回部分訴之聲明，爰臚列聲明如下，先予敘明」。
1.訴願決定及原處分關於「請求項3至4舉發不成立」部分均撤銷。
2.被告應作成「請求項3至4舉發成立，應予撤銷」之處分。
四、被告抗辯：
（一）系爭專利更正後請求項3、4具進步性：
1.系爭專利更正後請求項3係系爭專利更正後請求項1進一步界定「該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。
2.證據5、證據6業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘補強證據相互勾稽，無從證明證據5、證據6之公開日早於系爭專利之優先權日（2000年5月27日）。
又證據27係2012年7月5日YawSamuelObeng聲明書及中譯文，證據28係同年月10日IreneLiBarnett聲明書及中譯文。上開二人為證據5、6之作者，然渠等之聲明係依憑個人記憶及經驗，就個人感官知覺作用直接體驗之客觀事實而為書面陳述，未免有流於個人主觀偏見與錯誤臆測之虞，仍須有客觀具體之證據予以佐證，否則僅憑書面陳述不足以證明是否確為IC1000拋光墊、以及是否於系爭專利之優先權日（2000年5月27日）前即已公開使用，此部分起訴理由自屬無據。
（二）聲明：原告之訴駁回。
五、參加人答辯：
（一）證據3為非適格證據：舉發證據3清楚註明「RodelIC1000V4.18/02」，此即代表23係西元2002年8月公開之RodelIC1000之第4.1版型錄。
換言之，舉發證據3公開日實為西元2002年8月，晚於系爭專利優先權日，並非適格證據甚明。
（二）本案應有專利法第81條之適用：
1.參加人於103年2月14日申請更正系爭專利請求項1，被告認定「系爭專利103年2月14日更正本係將請求項1進一步限定『在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之』…屬於對『該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比』之進一步限縮，並未擴大申請專利範圍，更正後未超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，且未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，符合現行專利法第67條第1、2、4項之規定，應准予更正」。是以，系爭專利更正後請求項1之專利權範圍，實僅為原請求項1之專利權範圍之一部分。
2.是以，系爭專利請求項1雖經更正，但其更正後之專利權範圍既是原請求項1之專利權範圍之一部分，屬於原專利權範圍內，自仍屬於專利法第81條之「同一專利權」而應有專利法第81條之適用。
（三）系爭專利更正後之請求項3具新穎性：
1.系爭專利更正後請求項1具新穎性：IC1000拋光墊是在系爭專利優先權日之後製造，且為原告在系爭專利優先權日之後所購得，則原告本應負有舉證責任，須證明該等拋光墊與在系爭專利優先權日之前之IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊具有相同性質。
詎料，原告迄今從未提出任何事證以證之，則該等拋光墊既是在系爭專利優先權日後所製造、販賣，原告所提出之分析報告亦係在系爭專利優先權日所製作，故此等24證據不適格，不具有證據能力。
5與證據6業經本院98年度行專訴字第67號行政判決認定不足以否定系爭專利更正前請求項1新穎性。
27、證據28亦均僅是個人記憶及經驗，且所述情事距今已達15年，顯流於個人主觀偏見與錯誤臆測，遑論並無客觀證據證明所附附件為真正。故而，最高行政法院100年度判字第2223號判決已認定，徒有IreneLi個人記憶及經驗不足以證明2000年4月26日至27日之學術研討會所揭露之內容，舉發證據27與證據28自不足採信。再者，證據27與證據28之聲明人倘係各自為之，為何文件上特有的不明註記均相同？顯不符常情。
14係列印於2017年9月13日，已是證據不適格，況且，原證14所列IreneLi相關論文標題不僅與舉發證據6不同，更完全未揭示證據5或6之內容。是以，原證14不僅非適格證據，且不足以證明證據5與6為適格證據。
7、輔助證據12，均未揭示其所測試之樣品為何，係原告臨訟委請Exova公司測試，並由Exova公司分別於101年1月10日及101年2月16日出具之測試報告，遠遠晚於系爭專利優先權日。故此兩份證據不適格，不具證據能力30顯示該拋光墊有效期間為91年（西元2002年）3月15日，距今已達10年之久。原告如何取得在十年前即已逾有效期間之該拋光墊？何以係在逾有效期間10年之後，方進行測試？顯有違常理，該拋光墊真實性顯有疑義。
25證據7測試樣品中，僅樣品C與D是IC1000拋光墊，其餘均非IC1000拋光墊。樣品C之E'(30℃)為290.5，E'(90℃)為76.6，故E'(30℃)/E'(90℃)為3.79，未落入系爭專利更正後請求項1所界定之1至3.6之間；樣品D之E'(30℃)為282.1，E'(90℃)為73.4，故E'(30℃)/E'(90℃)為3.84，未落入系爭專利更正後請求項1所界定之1至3.6之間，是以，IC1000拋光墊不足以否定系爭專利更正後請求項1不具新穎性。
系爭專利更正後請求項1之該拋光墊含有一拋光層，用以平面化半導體元件或其先質表面，而Suba拋光墊須與其他拋光墊併用，且是作為內墊之用，而無用以平面化半導體元件或其先質表面之拋光層。是以，SUBAIV拋光墊不足以否定系爭專利更正後請求項1之新穎性。
2.證據3及輔助證據5、6、7、12，無法證明更正後請求項3不具新穎性：
證據3與輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，又輔助證據5、6證據不適格，且證據3與輔助證據5、6等，業經本院98年度行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決認定「引證21（即證據3）僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露其E'(30℃)/E'(90℃)之比值，無從認定引證21已公開使用致系爭專利申請專利範圍第1項之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以引證21與引證1（即輔助證據5）、引證1-5（即輔助證據6）、引證19相互勾稽，而認系爭專利申請專利範圍第1至4、7項之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性」。
26是以，系爭專利更正後請求項3為請求項1之附屬項，證據3與輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性。
3.舉發證據12為輔助證據，可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性，違反智慧財產案件審理法（下稱：審理法）第33條第1項規定：
原告於舉發證據階段並未以舉發證據12作為系爭專利有效性之主張，卻於本案行政訴訟階段以之與其它證據組合以挑戰系爭專利有效性。故舉發證據12在本案行政訴訟階段即應屬於審理法第33條第1項之「新證據」。
4.證據4及輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
證據4及輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，則系爭專利更正後請求項4既為更正後請求項1之附屬項，舉發證據4與輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性。
5.證據5，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：依本院98年行專訴字第67號行政判決可知證據5不適格，則其自無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，自亦無法證明屬於附屬項之更正後請求項3不具新穎性。
6.證據6，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：依本院98年行專訴字第67號行政判決可知證據6不適格，則其自無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，自亦無法證明屬於附屬項之更正後請求項3不具新穎性。
（四）系爭專利更正後請求項4具新穎性：
1.系爭專利更正後請求項1欠缺新穎性之主張及以證據3與輔助證據5、6、7、12，證明系爭專利更正後請求項127不具新穎性已無足可採信。則，系爭專利更正後請求項4既為更正後請求項1之附屬項，證據3與輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性。
2.證據12在本案行政訴訟階段即應屬於審理法第33條第1項之「新證據」。又，原告雖以輔助證據為由，實則係以舉發證據用之。故，證據12與其他證據之組合以挑戰系爭專利更正後請求項4之新穎性，既未見於舉發階段，參酌最高行政法院107年度判字第36號判決意旨，自非屬於審理法第33條第1項所稱之「同一撤銷或廢止理由」，本案不應審酌原告相關主張。證據12為輔助證據，可證明更正後請求項4不具新穎性，違反審理法第33條第1項。
3.證據4與輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，則，系爭專利更正後請求項4既為更正後請求項1之附屬項，舉發證據4與輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性。
4.證據5、證據6既然證據不適格，則其自無法證明系爭專利更正前、後請求項1不具新穎性，從而，其自亦無法證明屬於附屬項之更正後請求項4不具新穎性。
（五）系爭專利更正後請求項3具進步性：
1.證據2、證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性：
2、證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。證據2揭示一種應用於半導體之拋光墊，於實施例揭示將polyether-basedurethaneprepolymer與4,4-methylene-bis-chloroaniline（用28以修飾前開高分子材料）混合後進行反應所產生之單一高分子材料，再經烘烤等數步驟加工，以製備成該拋光墊；證據9所揭示者，是一種材料，並非一種拋光墊，其須進一步加工，方得成為拋光墊。
2實施例所載用之基本材料是由polyether-basedurethaneprepolymer與4,4-methylene-bis-chloroaniline混合後進行反應所產生之單一高分子材料；惟舉發證據9第1圖至第4圖之實施例，則採用兩種高分子材料即VCARVROH（即：Poly(vinylchloride-vinylacetate-hydroxyethylacrylate）玻璃樹酯（glassyresin）與Estane5706橡膠高分子混合製成該材料；證據9之第1圖至第4圖所揭示之材料，進一步以舉發證據2所揭示之加工步驟即「在200℉下進行五個小時烘烤，再於70℉下進行射出以形成拋光墊」後，此等拋光墊之「在30℃到90℃時之E'比」，是否仍在1至3.6之範圍內？實屬未知，熟習系爭專利所屬技術領域者亦無從推論該所形成之拋光墊E'(30℃)/E'(90℃)比在1至3.6之範圍內。是以，熟習系爭專利所屬技術領域者無法結合證據2、證據9而能輕易完成系爭專利更正後請求項1之發明，故無從否定該項之進步性。
2.證據10、證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性：
103年度台上字第2409號民事判決意旨，證據11僅適用於等向性材料，證據10並未揭示IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊為等向性材料，無從適用舉發證據11之公式。
11第9頁第2段明載：「Fromthetheoryofelastici29tyofisotropicsolids,onehastherelationshipbetweenEandGandDandJthatE=2(1+μ)G…」。申言之，證據11之E=2(1+μ)G公式限用於「isotropicsolid」（即：等向性固體），倘非等向性固體即無適用此公式之餘地。系爭決定因而自認：證據11所涉公式限應用於等向性材料；證據10未揭示其所測試之IC1000與SUBAIV拋光墊為等向性材料。以證據10所測IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊均屬於複合材料，為被告與原告所不否認。依系爭專利優先權日前之科學文獻清楚記載：對於複合材料，其蒲松比值計算將更為複雜，而須使用到含有K（容積彈性模數）與G（剪力模數）等參數之一系列微分方程式，且該蒲松比值可能隨著該複合材料成分比例而變化。是以，系爭專利所屬技術領域具有通常知識者必有此等知識，則依其致能要件，即「執行例行工作、實驗之普通能力」，並不會將證據10之數據，應用證據11之公式，而會改適用複合材料之複雜公式，況證據10根本未揭示容積彈性模數等數據，故系爭專利所屬技術領域者根本無從將證據10之G'(30℃)/G'(90℃)之比值，轉成E'(30℃)/E'(90℃)之比值。依前所述，證據10、證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3.證據2、證據9，分別與證據3、4、5、6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
2、證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，縱認證據3、證據4、證據5、證據6已揭示系爭專利更正後請求項3之附屬技術特徵，證據2、證據9分別與證據3、證據4、證據5、證據630之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
3之證據不適格、證據5、證據6業經本院98年度行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決認定證據不適格。證據4僅是一拋光墊型錄，惟未揭示「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之附屬技術特徵。舉發證據2與9亦未揭示此附屬技術特徵。職是，縱將之組合，雖證據2揭示其拋光墊之製作方法，惟亦無從使僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，可「輕易完成」系爭專利更正後請求項3之發明，故，系爭專利更正後請求項3具有進步性。
4.證據10、證據11，分別與證據2、證據3、證據4、證據5、證據6與原證16之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
10與證據11，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，縱認證據2、證據3、證據4、證據5、證據6與原證16已揭示系爭專利更正後請求項3之附屬技術特徵，證據10、證據11分別與證據2、證據3、證據4、證據5、證據6與原證16之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
2揭示一種特殊拋光墊；舉發證據3證據不適格；證據4僅是一拋光墊型錄，惟未揭示「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之附屬技術特徵；31證據5、6證據不適格；證據10、11未揭示系爭專利更正後請求項3之附屬技術特徵。是以，將之組合，雖證據2揭示其拋光墊之製作方法，惟亦無從使僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，可「輕易完成」系爭專利更正後請求項3之發明。故，系爭專利更正後請求項3具有進步性。
16第11欄表1，雖揭示有IC1000拋光墊之E'數值，惟依該表1所示，係進行原證16第10欄第25行以下之TestA，而其並非在40℃下所進行。職是，原證16仍未揭示系爭專利更正後請求項3之「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」附屬技術特徵。從而，縱將之與證據10、證據11組合，雖證據2揭示其拋光墊之製作方法，惟亦無從使僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，可「輕易完成」系爭專利更正前、後請求項3之發明。故，系爭專利更正後請求項3具有進步性。
（六）系爭專利更正後請求項4具進步性：
1.證據2、證據9之組合，或證據10、證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
2.證據2、證據9，分別與證據3、證據4、證據5、證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。是以，縱認證據3、證據4、證據5、證據6已揭示系爭專利更正後請求項4之附屬技術特徵，證據2、證據9分別與證據3、證據4、證據5、證據6之組合，亦無法32證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
3.證據3證據不適格，證據5、6業經本院98年度行專訴字第67號行政判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決認定證據不適格；證據4僅是一拋光墊型錄，惟未揭示「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一約為100至1,000(1/Pa在40℃時)之KEL」之附屬技術特徵。證據2與9亦未揭示此附屬技術特徵。是以，證據3、5、6證據不適格，證據2、9、4未揭示系爭專利更正後請求項4之附屬技術特徵。職是，縱將之組合，雖證據2揭示其拋光墊之製作方法，惟亦無從使僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，可「輕易完成」系爭專利更正後請求項4之發明。故，系爭專利更正後請求項4具有進步性。
4.證據10、證據11無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。是以，縱認證據3、證據4、證據5、證據6已揭示系爭專利更正後請求項4之附屬技術特徵，證據10、證據11分別與證據3、證據4、證據5、證據6之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。又證據3、證據5、證據6不具證據適格，證據4僅是一拋光墊型錄，惟未揭示「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一約為100至1,000(1/Pa在40℃時)之KEL」之附屬技術特徵。證據10、證據11亦未揭示此附屬技術特徵。是以，證據10、證據11，分別與證據
3、證據4、證據5、證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
5.依前述，證據3、證據5、證據6證據不適格，證據10、33證據11、證據4未揭示系爭專利更正後請求項4之附屬技術特徵。職是，縱將之組合，惟所有證據均未揭示拋光墊之製作方法，則僅具有「執行例行工作、實驗之普通能力」而無創作能力之所屬技術領域具有通常知識者，實無從「輕易完成」系爭專利更正後請求項4之發明。故，系爭專利更正後請求項4具有進步性。
（七）聲明：原告之訴駁回。
六、法律適用：按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。
」為專利法第71條第3項本文所明定，其立法理由載稱：「核准發明專利權之要件係依核准審定時之規定辦理，其有無得提起舉發之情事，自應依審定時之規定辦理，始為一致，爰予明定。」查系爭專利申請日為90年5月25日（優先權日為2000年5月27日），經被告審查後於92年3月5日准予專利，並於同年4月21日公告，是系爭專利有無應不准專利之事由，應以核准審定時所適用之90年10月24日修正公布，90年10月26日施行之專利法為斷（下稱：90年專利法）。
七、本件審理之爭點：原告前以系爭專利有違核准時專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發，案經被告審查結果，參加人於103年2月14日提出更正本，此與原公告本比對，係將請求項1進一步限定「在10在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之」，屬於對「該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」，案經被告審查，認為更正符合90年專利法第67條之規定，准予更正，並依更正本予以審查。準此，本件參加人於103年2月14日提出系爭專利請求項更正本，既經被告機關審查核准更正並公告，是其更34正即自申請日生效，且原告已當庭陳明不爭執系爭專利更正的合法性（見本院卷2第306頁），業如前述，是以，本件應以系爭專利核准審定時即90年專利法，據為系爭專利更正後請求項3至4有無撤銷原因之判斷。又本件經當事人同意整理並協議簡化爭點如下：
（一）103年2月14日之更正事項（請求項1），是否合法？
（二）證據3是否為適格之證據？
（三）系爭專利舉發案是否有專利法第81條第1款規定之適用?
（四）系爭專利更正後之請求項3是否具新穎性？
1.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，是否可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性？
2.原告主張證據12為輔助證據，可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性，是否違反審理法第33條第1項之規定？
3.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，是否可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性？
4.證據5是否可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性？
5.證據6是否可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性？
（五）系爭專利更正後請求項4是否具新穎性?
1.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，是否可證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性？
2.原告主張證據12為輔助證據，可證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性，是否違反審理法第33條第1項之規定？
3.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，是否可證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性？
4.證據5是否可證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性？
355.證據6是否可證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性？
（六）系爭專利更正後請求項3是否具進步性？
1.證據2、證據9與證據3（IC1000拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性?
2.證據2、證據9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
3.證據2、證據9與證據5之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
4.證據2、證據9與證據6之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
5.證據10與證據11之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
6.證據10、證據11與證據3（IC1000拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
7.證據10、證據11與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
8.證據10、證據11與證據5之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
9.證據10、證據11與證據6之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
10.證據10、證據11與證據2之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
11.證據10、證據11與原證16之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項3不具進步性？
（七）系爭專利更正後請求項4是否具進步性？
1.證據2、證據9與證據3（IC1000拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
362.證據2、證據9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
3.證據2、證據9與證據5之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
4.證據2、證據9與證據6之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
5.證據10、證據11與證據3（IC1000拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
6.證據10、證據11與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
7.證據10、證據11與證據5之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
8.證據10、證據11與證據6之組合，是否可以證明系爭專利更正後請求項4不具進步性？
八、得心證理由：
（一）按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用，且無申請前已見於刊物或已公開使用等情形者，得依法申請取得發明專利。但發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，仍不得依法申請取得發明專利，系爭專利核准時即90年專利法第19條、第20條第1項、第2項定有明文。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者，得檢附證據，向專利專責機關提起舉發。從而，系爭專利更正後請求項3至4有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人即本件原告附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專利更正後請求項3至4有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。
37（二）次按關於申請專利之發明是否具有進步性，實務上係依下列步驟進行判斷：1.確定申請專利之發明的範圍；2.確定相關先前技術所揭露之內容；3.確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4.確認該發明與相關先前技術所揭露之內容間的差異；5.該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明。一般而言，與發明相關之先前技術內容，包括：發明所記載之先前技術或舉發證據資料等，均得作為確定上開技術水準之客觀證據。至於如何在個案中客觀確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準，必須依據個案之具體證據作為基礎進行論證。此外，由於判斷專利有無進步性之相關事實，往往涉及專門知識，而專利權人、舉發人或其等訴訟代理人、專利專責機關之代理人等，多係具有發明所屬技術領域之相關知識或技能者，是以當事人就「具有通常知識者」及其於申請日之技術水準之認定加以爭執時，自應提出證據加以證明，並具體指明該事實涵攝於個案之先前技術組合後，對於進步性之決定究有何影響。如當事人已於事實審就系爭專利與舉發證據所揭露之內容間有何差異，參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明加以辯論，應認當事人已就該發明所屬技術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論（最高行政法院106年度判字第651號判決意旨參照）。
（三）系爭專利技術內容：
1.系爭專利申請日為2001年5月25日，最早優先權日為2000年5月27日。
382.系爭專利揭露一種用來拋光半導體元件或其先質之表面，以及平面化半導體晶圓上之金屬波紋結構的襯墊和方法，該襯墊之拋光層具有一在30℃到90℃為約1到3.6的E'比。（參中文發明摘要，見本院卷1第30頁）
3.系爭專利所欲解決的技術問題為：行波紋式拋光時在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面）以一較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能。（參系爭專利說明書第5、6頁，見本院卷1第41-42頁）
4.系爭專利所欲達成的目的為：在一示範性具體實施例中，本發明之襯墊具有一種或一種以上之下列特質：1.諸如導線和插頭之類之導電性表面物件的碟化作用為最小；2.達成橫跨整個晶圓表面的晶粒水平平坦度；和／或3.諸如抓痕和光點瑕疵之類的瑕疵度為最小，且不會對半導體元件之電氣功能產生負面影響。（參系爭專利說明書第8頁，見本院卷1第35頁）
5.系爭專利的參數範圍（參系爭專利說明書第14頁，見本院卷1第41頁）：
39
6.系爭專利申請專利範圍：系爭專利2016年11月21日公告更正後申請專利範圍共計10個請求項，其中請求項1、8為獨立項，其餘為附屬項。本件系爭專利請求項3、4之內容如下：
請求項3：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數。
請求項4：根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該拋光層具有一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL。
（四）原告（即舉發人）主張系爭專利更正後請求項3、4不具新穎性及進步性，其引用之舉發證據組合為前述七、（四）至（七）之證據組合。又原告提出證據1至12及原證16中文節譯本各1份（見另案本院卷3第791-818頁），兩造並未爭執真正，本院自予援用。茲就上開證據之技術內容，分析如下：
1.證據2（即原證4）：2為2000年2月8日公告之美國第0000000號「POLISHINGPADSANDMETHODSRELATINGTHERETO」專利案，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為40系爭專利之先前技術。
2揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之研磨墊(摘要第1~2行Thisinventiondescribesimprovedpolishingpadsusefulinthemanufactureofsemiconductordevicesorthelike.)、具一親水性拋光層(說明書第11欄第17行ahydrophilicpolishinglayer)、30℃張力模數對60℃張力模數之比值為1.0至2.5(說明書第11欄第25~26行aratiooftensilemodulusat30℃totensilemodulusat60℃of1.0to2.5)。
2.證據3（即原證8，相關圖示：附圖1）：證據3為Rodel公司於1999年公開發行之型號「RodelICl000CMPPad」拋光墊之產品型錄影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。
3.證據4（即原證9，相關圖示：附圖2）：原證9為Rodel公司於西元1992年公開發行型號「SubaIV」拋光墊之產品型錄影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。
4.證據5（即原證10，相關圖示：附圖3）：證據5為IreneLi等人於西元2000年IreneLi發表在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本，其第E7.
3.2頁揭示其測試件為:tensionat1Hz，第7.3.3頁揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數與溫度關係圖。
5.證據6（即原證11，相關圖示：附圖4）：證據6為IreneLi等人西元2000年4月26~27日在MaterialResearchSociety於美國舊金山所舉辦之研討會簡報資料影本，包括ICl000及SUBAIV之動態機械特性的研究，其第6頁揭示其測試件為:Tension:1Hz(張力測試，頻率141Hz)，第7頁揭示有上述兩研磨墊的能量儲存模數(Storagemodulus)與溫度關係圖。
6.證據7：證據7為西元2012年1月10日美國Exova-OCM試驗實驗室公司(Exova-OCMTestLaboratory，Inc.)針對NexPlanarCorporation所送拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，包括各溫度之能量儲存模數數值。
7.證據8：證據8為西元2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本。其第2頁揭示E'30/E'90=1.65、第3頁揭示E'30/E'90=1.60。
8.證據9（即原證5，相關圖示：附圖5）：9為西元1997年4月22日公告之美國第0000000號「ABRASIVEARTICLECOMPRISINGPOLYMERICCOMPOSITIONSANDABRASIVEGRAIN」專利案，其公告日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。
9揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上(摘要…Thecompositionsareespeciallyusefulinthefabricationofflexiblemagneticrecordingmediaandabrasivearticles.)；第1圖顯示實施例2(玻璃狀樹脂GLASSYRESIN)之E'(30℃)約為2500MPa，E'(90℃)約為925MPa，E'(30℃)/E'(90℃)之比值為2.70。
9.證據10（即原證6，相關圖示：附圖6）：證據10為1995年刊載於ThinSolidFilms000(0000)Weida
nLi.等人之論文「Theeffectofthepolishingpadtreatmentsonthechemical-mechanicalpolishingofSiO2films」，其42公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第604頁第4圖揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖。
10.證據11（即原證7，相關圖示：附圖7）：證據11為西元1983年出版之JohnAklonis.et.al,「IntroductiontoPolymerViscoelasticity」,SecondEdition,封面、版權頁及內頁第7-9頁影本，其公開日早於系爭專利案優先權日，可為系爭專利之先前技術。其第9頁記載張力模數E(tensilemodulus)、剪力模數G(shearmodulus)及蒲松比μ(Poisson'sratio)之關係為E=2(1+μ)G(式子(2-7))。
11.證據12：證據12為西元2012年2月16日加拿大Exova試驗實驗室公司(ExovaTestLaboratory，Inc.)針對拋光墊IC1000進行聚胺酯材料之動態機械試驗之試驗報告影本，包括三種半硬質之聚胺酯材料樣本供測試其於張力模式下之動態機械性質。
（五）證據3應為適格之證據：
1.證據3產品型錄第二頁右下角揭示「Rodel1999AllRightsReserved.」，該產品型錄內容最早於1999年即有發行之版權及公開記錄。另查該產品型錄第二頁右下角又揭示「RodelIC1000V4.18/02」，可進一步得知該IC1000型錄於2002年8月有進行印刷改版，其版次內容為4.1版，依據一般型錄印刷品之後續改版規則，僅微幅修正部份文字或標示內容，並未對原始內容作大幅度之更動；惟證據3印刷版改版時是否修正所揭示之實質內容，而進一步認定印刷改版日期為最早公開日，尚須由原告提具更多輔助證據進行認定。
432.由發行版權公開內容進一步推定，應可認定「RodelICl000CMPPadBENEFITS」拋光墊產品型錄之最早公開日應早於系爭專利之優先權日，為適格之證據，可為系爭專利之先前技術。
（六）系爭專利舉發案並未違反專利法第81條第1款之規定：
1.本案件原告主張舉發證據10與證據11之組合，可證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，關於N01案之引用證據及舉發事由部分，係以證據20(本案證據10)為主要證據來主張系爭專利更正後請求項1不具新穎性，關於補強證據20-1(本案證據11)部分，僅證明證據20該發明所屬技術領域之技術水準，作為佐證證據20之新穎性主張，非屬相異之證據組合；準此，N01案與系爭專利相較應屬不同證據或其組合，且關於兩者所主張之舉發事實，亦有新穎性及進步性之明顯差異。
2.系爭專利請求項1業經被告於2016年11月21日公告更正，應符合專利法第67條第4項所規定：「更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍」，主要係使原本專利權範圍之限縮並更為明確，並未實質改變原本請求項1之發明目的，系爭專利更正後與更正前請求項1仍應屬同一專利權。
3.參加人主張：被告以相同證據組合，重新審究系爭專利更正後請求項1之進步性，違反專利法第81條第1款之規定云云（見另案本院卷3第741-742頁）。查系爭專利舉發N01案係主張以證據20(本案證據10)，加上補強證據20-1(本案證據11)來主張更正前請求項1不具「新穎性」。可知，系爭專利與N01案於請求項1應非屬同一證據或其證據組合，以及相同事實理由再為舉發，系爭專利44之本件舉發案N02並未違反專利法第81條第1款之規定，參加人此部分主張，尚無可採。
（七）系爭專利更正後請求項3是否具新穎性？
1.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
3係請求項1之附屬項，其權利範圍包括請求項1之「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」特徵，以及請求項3附加技術特徵「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」。
3（IC1000拋光墊）僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據3已公開使用致系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態；準此，證據3實無法證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。
2017年版7月）第2-3-7頁所示：『審查新穎性時，應就申請專利之發明與單一先前技術單獨比對，不得就該發明與多份引證文件中之全部或部分技術內容的結合，或一份引證文件中之部分技術內容的結合，或引證文件中之技術內容與其他公開形式（已公開實施或已為公眾所知悉）之先前技術的結合進行比對。』。系爭專利以證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12之組合45是否可證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性為爭點，明顯不符新穎性以單一先前技術單獨比對之審查基準，本院自無從判斷不同證據間之技術關連性及其組合效果。
6係西元2000年IreneLi等人在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本，輔助證據5係IreneLi等人之簡報資料影本，而證據6與證據5業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘證據相互勾稽，無從證明證據6或證據5之公開日早於系爭專利之優先權日，自不得作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術（本院98年度行專訴字第67號判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決），自亦無從以證據3與證據5、證據6相互勾稽成關聯證據或為輔助證據，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
7為2012年1月10日美國Exova-OCM試驗實驗室公司（Exova-OCMTestLaboratory，Inc.）針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，而輔助證據12為2012年2月16日Exova加拿大公司針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，兩者公開日皆晚於系爭專利之優先權日，且證據7或證據12僅有樣本編號，無從認定是否確為IC1000拋光墊，無法認定輔助證據7或證據12是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。
3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12並未揭示系爭專利更正後請求項1之全部技術特徵，是以46證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。系爭專利更正後請求項3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具新穎性。
2.證據12為輔助證據，證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性，並未違反審理法第33條第1項之規定：
33條第1項之規定：「關於撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之」。最高行政法院106年度判字第5號及本院105年度行專訴字第97號判決略以：「依審理法第33條第1項所明定所指同一撤銷或廢止理由，就專利而言乃指專利不具新穎性、進步性、未為說明書及圖式所支持，或不明確且未充分揭露等情形，就其中任一理由，當事人於言詞辯論終結前就同一撤銷或廢止理由所提出之新證據，即構成一新爭點，法院仍應審酌之」。因此，被告於審定書就舉發人所提全部舉發事由認為部分有理由時，應認舉發人在專利權人所提之行政訴訟中就審定書中對其不利之舉發事由得再為爭執，始為公允且符合訴訟經濟原則，況且，原告於行政訴訟程序中補充證據並非獨立證據，而係予以佐證獨立證據之內容，既未補充或變更原處分之理由，亦未使原處分喪失其同一性，即非法所不許。
471至4不具新穎性等爭點，而本案原告係對系爭專利請求項3、4舉發不成立部分所提之課予義務訴訟；準此，原告以輔助證據12與新證據之組合，主張系爭專利請求項3不具新穎性之新爭點，作為此行政訴訟中對其新穎性舉發不成立之舉發事由再為爭執，仍屬於原告所提課予義務訴訟之聲明請求項3、4範圍中，為符合公允且訴訟經濟原則，本院依該規定仍須審酌此爭點，仍屬於審理法第33條第1項之規定範疇，並無任何不法之處。
3.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：
3之技術內容，業如前述。又證據4並未具體揭露SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據4已公開使用致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以證據4與輔助證據
5、6相互勾稽成關聯證據，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容均因SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
8為2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析之簡報資料影本，其公開日晚於系爭專利之優先權日，無法認定證據8是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。
4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8並未揭示系爭專利請求項1之全部技術特徵，是以證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8亦不足以證明48系爭專利更正後請求項1不具新穎性。系爭專利更正後請求項3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具新穎性。
4.證據5，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：3之界定內容，業如前述。又證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據5ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據5既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具新穎性。
5圖1之曲線可知IC1000拋光墊在40℃的E'約為310MPa顯然落於150至2000MPa之間云云（見本院卷2第336頁背面）。經查證據5認定不具證據能力已如前所述，證據5係IreneLi等人於西元2000年在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文資料影本，而證據5業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘證據相互勾稽，無從證明證據495之公開日早於系爭專利之優先權日，自不得作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。再者，證據5圖式第1圖雖揭示測試件為:tensionat1Hz，揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數（StorageModulus）與溫度關係圖，可知ICl000研磨墊於部分溫度條件下，其儲存模數E'數值比SUBAIV研磨墊略高，惟證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值之實際實驗參數條件，無法進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）於相同參數條件下之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，原告前開主張，尚無可取。
5.證據6，無法證明系爭專利更正後請求項3不具新穎性：6所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據6ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據6既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具新穎性。
（八）系爭專利更正後請求項4是否具新穎性？
1.證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：
503（IC1000拋光墊）僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據3已公開使用致系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態。證據6係西元2000年IreneLi等人在MaterialResearchSocietySymp.Vol.613之論文影本，證據5係IreneLi等人之簡報資料影本，而證據6與證據5業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘證據相互勾稽，無從證明證據6或證據5之公開日早於系爭專利之優先權日，自不得作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術（本院98年度行專訴字第67號判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決），自亦無從以證據3與證據5、證據6相互勾稽成關聯證據，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
7為2012年1月10日美國Exova-OCM試驗實驗室公司（Exova-OCMTestLaboratory，Inc.）針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，證據12為2012年2月16日Exova加拿大公司針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本，兩者公開日皆晚於系爭專利之優先權日，且證據7或證據12僅有樣本編號，無從認定是否確為IC1000拋光墊，無法認定證據7或證據12是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。
3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12並未揭示系爭專利更正後請求項1之全部技術特51徵，是以證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、
7、12不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。系爭專利更正後請求項4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據3（IC1000拋光墊）及輔助證據5、6、7、12既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具新穎性。
2.證據12為輔助證據，證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性之爭點，並未違反審理法第33條第1項之規定：
33條第1項規定：「關於撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之」。依最高行政法院106年度判字第5號及本院105年度行專訴字第97號判決，被告若於審定書就舉發人所提全部舉發事由認為部分有理由時，應認舉發人在專利權人所提之行政訴訟中就審定書中對其不利之舉發事由得再為爭執，始為公允且符合訴訟經濟原則。
12與新證據之組合，主張系爭專利請求項4不具新穎性之新爭點，作為此行政訴訟中對其新穎性舉發不成立之舉發事由再為爭執，仍屬於原告所提課予義務訴訟之聲明請求項3、4範圍中，為符合公允且訴訟經濟原則，本院依該規定仍須審酌此爭點，仍屬審理法第33條第1項之規定範疇，並無任何不法之處。況且，原告於行政訴訟程序中補充證據並非獨立證據，且係予以佐證獨立證據之內容，既未補充或變更原處分之理由，亦未使原處分喪失其同一性，即非法所不許52。
3.證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：
4之技術內容，業如前述。又證據4並未具體揭露SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據4已公開使用致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以證據4與證據5、6相互勾稽成關聯證據，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容均因SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
8為2012年2月17日SUBAIV拋光墊進行動態機械分析之簡報資料影本，其公開日晚於系爭專利之優先權日，無法認定證據8是否於系爭專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得以後見之明作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。
4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8並未揭示系爭專利更正後請求項1之全部技術特徵，是以，證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據5、6、8不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性。又系爭專利更正後請求項4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據4（SUBAIV拋光墊）及輔助證據
5、6、8既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具新穎性。
4.證據5，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：535，所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據5ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據5既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具新穎性。
5圖1之曲線可知IC1000拋光墊在40℃的E'約為310MPa、tanδ約為0.11，其IC1000及SUBAIV之KEL約為351及362(1/Pa)，顯然落於100至1000MPa之間云云（見本院卷2第38頁）。查證據5認定不具證據能力，已如前述，又證據5係IreneLi等人於西元2000年在MaterialResearchSocietySym
p.Vol.613之論文資料影本，而證據5業經系爭專利舉發N01案確定判決認定無法與其餘證據相互勾稽，無從證明證據5之公開日早於系爭專利之優先權日，自不得作為判斷系爭專利是否具新穎性之先前技術。再者，證據5圖式第1圖雖揭示測試件為:tensionat1Hz，揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的能量儲存模數(StorageModulus)與溫度關係圖，可知ICl000研磨墊於部分溫度條件下，其儲存模數E'數值比SUBAIV研磨墊略高，惟證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度、TanDelta數值54之實際實驗參數條件，無法進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊於40℃之E'（30℃）/E'（90℃）及KEL於相同參數條件下之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項4之技術內容成為公知狀態，是原告此部分主張，尚無可採。
5.證據6，無法證明系爭專利更正後請求項4不具新穎性：6，所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，而認系爭專利更正後請求項1之技術內容因證據6ICl000及SUBAIV拋光墊之公開使用而喪失新穎性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據6既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具新穎性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具新穎性。
（九）系爭專利更正後請求項3是否具進步性：
1.證據2、9與證據3(IC1000拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
2之請求項1固揭露拋光襯墊其中一特徵「iv.在30℃及60℃時的拉伸模數比（aratiooftensilemodulus）為1.0到2.5」，惟證據2並未記載該拋光層之E'在30℃與90℃時之比例數值，未進一步揭示系爭專利更正後請求項1「該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.655的E'比」之技術特徵；又證據9揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上，其第1圖顯示實施例2（玻璃狀樹脂GLASSYRESIN）之E'（30℃）約為2500Mpa，E'（90℃）約為925Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值為2.70；其第3圖中顯示使用甲苯（TOL）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為3100Mpa，E'（90℃）約為1225Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.53；另第3圖中使用甲基異丁基酮（MIBK）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為2800Mpa，E'（90℃）約為975Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.87。惟證據9是一種「特別適合應用於製造彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」之材料，此種適用於「彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」，與系爭專利、證據2等適用「平面化半導體元件及其先質表面」而須具備一定剛性之研磨墊，兩者技術領域之需求及物理參數特性顯然迥異，則熟悉該技術者當無法由證據2及證據9之教示而進一步結合。因此，證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3(IC1000拋光墊)並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，已如前述，無從進一步認定證據3已公開使用致使系爭專利請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據3(IC1000拋光墊)之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據3（IC1000拋56光墊）之組合，既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具進步性。
2.證據2、9與證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，而證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，已如前述。又證據4並未具體揭露SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據4已公開使用致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態；準此，證據2、9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具進步性。
3.證據2、9與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，而證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，已如前述。又證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭57專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態。準此，證據2、證據9與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、證據9與證據5之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具進步性。
4.證據2、9與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，而證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，已如前述。又證據6所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、證據9與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、證據9與證據6之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項3不具進步性。
5.證據10與證據11之組合，無法證明系爭專利更正後請求58項3不具進步性：
10圖4揭露IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之G'，並可得IC1000與SUBAIV拋光墊，無論是於0.5Hz或1Hz下進行量測，其G'在30℃和90℃時的比例分別約為3及約為1.5。此外，證據10揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質可藉由動態及複合剪切模數G'及G''來描述，在此G'及G"為頻率之函數，模數係藉由TA儀器公司之DMA983動態機械分析儀（DMA）所測得，該DMA983決定G'及G"，其係藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出之參數；在此研究中，拋光墊之蒲松氏比假設為0.5，其適用於大部分之聚合物。
11係一聚合物黏彈性導論之教科書，其第9頁揭露根據一等向性固體（isotropicsolids）之彈性理論，張力模數E、剪力模數G及蒲松氏比μ之關係式為：E＝2（1+μ）G。又證據11揭露在特殊情況下之不可壓縮材料，（dV/dε）＝0，而μ＝0.5，可得以下結果：E＝3G。又證據11揭露實驗上對於橡膠，μ是相當接近0.5，但對某些塑膠是較低，為0.2至0.3，而對某些非均質（heterogeneous）材料則更低。
10及11可以理解，由於證據10明確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為0.5，而證據11明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G，故IC1000或SUBAIV拋光墊於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3及約1.5，即無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例必然落於591至3.6間，再者，由證據10圖4可以看出，於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測，對於SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000拋光墊僅有些微影響，但經換算為G'在30℃和90℃時的比例後皆無實質影響，且由於頻率1.6Hz與1Hz之差異極小，可以當然推測當於頻率1.6Hz下進行量測，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，在30℃和90℃時的E'比例亦必然落於1至3.6間。
10、證據11之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1.6Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至3.6間。又經參酌證據1
0、證據11後，可以得知IC1000或SUBAIV拋光墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據10所揭露之內容，均屬於研磨墊相關之研究文獻，故證據10及11之組合，對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處，而具有組合動機。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，依據證據10及證據11所揭示之技術內容，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。綜上，證據10、11之組合，可以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。爭專利請求項3之技術內容，已如前述，又證據10、11均未揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」等技術特徵，因此，證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵而不具進步性。10圖4之剪力模數G'對溫度之60曲線可換算IC1000拋光墊在40℃的E'約為222MPa，顯然落於150至2000MPa之間云云（見本院卷2第336頁背面）。查證據10圖4揭示於0.5Hz及1Hz頻率條件下，在30℃至90℃時溫度區間IC1000或SUBAIV拋光墊之剪力模數G'之變化曲線，惟證據10圖4所量測IC1000或SUBAIV研磨墊之剪力模數值，主要係根據研磨墊表面機械特性與產生溫度參數值R而進行量測其曲線分佈值，其與系爭專利於1.6Hz頻率及其它不同參數條件下，於相同40℃下所獲得IC1000或SUBAIV研磨墊在40℃的E'或剪力模數G'數值，兩者之主要參數條件明顯不同，無法由證據10圖4之剪力模數曲線所獲得之G'數值，逕自推衍而獲得對應張力模數E'數值，是原告此部分主張，即不可採。
6.證據10、11與證據3（IC1000拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據3(IC1000拋光墊)亦未揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」等技術特徵。
10、11與證據3（IC1000拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵而不具進步性。
7.證據10、11與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前61述，又證據4(SUBAIV拋光墊)亦未揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。
綜上，證據10、11與證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性。
8.證據10、11與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，以及在40℃時的張力模數對應數值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請請求項3之技術內容成為公知狀態，因此，證據5無法揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。
又證據5業經系爭專利舉發案N01認定無法與其餘證據相互勾稽，因此，證據10、11與證據5並沒有明顯之組合動機。準此，證據10、11與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
9.證據10、11與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
62證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據6揭示之儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，以及在40℃時的張力模數對應數值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項3之技術內容成為公知狀態，因此，證據6無法對應揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。
又證據6業經系爭專利舉發案N01認定無法與其餘證據相互勾稽，因此，證據10、11與證據6並沒有明顯之組合動機。準此，證據10、11與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性
10.證據10、11與證據2之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據2之請求項1揭露拋光襯墊其中一特徵「iv.在30℃及60℃時的拉伸模數比（aratiooftensilemodulus）為1.0到'
2.5」，惟證據2未記載該拋光層之E在30℃與90℃時之比例數值，未進一步揭示系爭專利63更正後請求項1之「該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃'到90℃時約為1到3.6的E比」，及請求項3「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」等技術特徵。
證據10、11與證據2並無揭示更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」特徵，已如前述，又證據10、11與證據2間欠缺明顯之組合動機。準此，證據10、11與證據2之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
11.證據10、11與原證16之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項3之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又原證16供半導體晶圓修飾研磨構件之實施例表1雖揭示材料IC1000於受測樣品厚度1.26(mm)對應儲存模數E為315(MPa)等數值，惟無法了解其餘實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步讀出ICl000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，以及在40℃時的張力模數對應數值，自無從認定原證16之公開致系爭專利更正後請求項3之技術內容成為公知狀態，因此，原證16無法揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」之技術特徵。
64依上，證據10、11與原證16並無揭示系爭專利更正後請求項3之「其中該拋光層具有一在40℃時約為150到2,000MPa的張力模數」特徵，且證據10、11與原證16間並沒有明顯之組合動機。準此，證據10、11與原證16之組合，無法證明系爭專利更正後請求項3不具進步性。
（十）系爭專利更正後請求項4是否具進步性？
1.證據2、9與證據3(IC1000拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
系爭專利更正後請求項4之技術內容，已如前述。又證據2之請求項1揭露拋光襯墊其中一特徵「iv.在30℃及60℃時的拉伸模數比（aratiooftensilemodulus）為
1.0到2.5」，惟證據2未記載該拋光層之E'在30℃與90℃時之比例數值，未進一步揭示系爭專利更正後請求項1之「該層具有一在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分析法所測量之在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」；證據9揭示特別適合應用在製造彈性磁性紀錄媒材與研磨工具上，其第1圖顯示實施例2（玻璃狀樹脂GLASSYRESIN）之E'（30℃）約為2500Mpa，E'（90℃）約為925Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值為2.70；其第3圖中顯示使用甲苯（TOL）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為3100Mpa，E'（90℃）約為1225Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.53；另第3圖中使用甲基異丁基酮（MIBK）為溶劑所製造之實施例3，E'（30℃）約為2800Mpa，E'（90℃）約為975Mpa，E'（30℃）/E'（90℃）之比值約為2.87。惟證據9是一種「特別適合應用於製造彈65性磁性記錄媒材與研磨工具上」之材料，此種適用於「彈性磁性記錄媒材與研磨工具上」，與系爭專利、證據2等適用「平面化半導體元件及其先質表面」而須具備一定剛性之研磨墊，兩者技術領域之需求及特性顯然不同，則熟悉該技術者無法由證據2及證據9之教示而進一步結合。因此，證據2及證據9之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
3（IC1000拋光墊）並未具體揭露該IC1000拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值已如前所述，無從進一步認定證據3已公開使用致使系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態；準此，證據2、9與證據3（IC1000拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據3（IC1000拋光墊）之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具進步性。
2.證據2、9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
2、9與系爭專利更正後請求項4之比對，已如前所述，由證據2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，而證明系爭專利更正後請求項1不具進步性；又證據4並未具體揭露SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之比值，無從認定證據4已公開使用致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態，或處於不特66定人得以使用該發明之狀態；準此，證據2、9與證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、9與證據4（SUBAIV拋光墊）之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具進步性。
3.證據2、9與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
2、證據9與系爭專利更正後請求項4之比對，及證據2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，已如前述。又證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態。準此，證據
2、證據9與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、證據9與證據5之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，當然亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具進步性。
674.證據2、9與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
2、證據9與系爭專利更正後請求項4之比對，及證據2及證據9之揭示內容結合無法進一步得到教示，以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，已如前述。又證據6所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項1之技術內容成為公知狀態。準此，證據2、證據9與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項1不具進步性。
4為直接依附於請求項1之附屬項，於解釋請求項範圍時應包含被依附之請求項1的所有技術特徵，而證據2、證據9與證據6之組合既不足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性，自亦不足以證明依附於請求項1之請求項4不具進步性。
5.證據10、11與證據3(IC1000拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
10、11均未揭示系爭專利更正後請求項4「該拋光層具有一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」之技術內容，因此，證據10、11之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵而不具進步性。
證據3(IC1000拋光墊)亦未揭示系爭專利更正後請求項4之「該拋光層具有一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」等技術特68徵。因此，證據10、11與證據3（IC1000拋光墊）之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵而不具進步性。
6.證據10、11與證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵，已如前述。又證據4(SUBAIV拋光墊)亦未揭示系爭專利更正後請求項4之「其中該拋光層具有一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」之技術特徵。
10、11與證據4(SUBAIV拋光墊)之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵，而不具進步性。
7.證據10、11與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據5所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，以及該拋光層在40℃（1/Pa）時的KEL對應數值，自無從認定證據5之公開致系爭專利更正後請求項4之技術內容成為公知狀態，因此，證據5無法揭示系爭專利更正後請求項4之「該拋光層具有一約為100到1,000（691/Pa在40℃時）之KEL」之技術特徵。
5業經系爭專利舉發案N01認定無法與其餘證據相互勾稽，因此，證據10、11與證據5並沒有明顯之組合動機。準此，證據10、11與證據5之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
8.證據10、11與證據6之組合，無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性：
證據10、11之組合無法證明系爭專利更正後請求項4之整體技術特徵不具進步性，已如前述。又證據6所揭示儲存模數對應橫軸溫度數值，並無法了解其實際實驗參數條件與系爭專利是否相同，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，而進一步具體讀出ICl000及SUBAⅣ拋光墊E'（30℃）/E'（90℃）之實際比值，以及該拋光層在40℃（1/Pa）時的KEL對應數值，自無從認定證據6之公開致系爭專利更正後請求項4之技術內容成為公知狀態，因此，證據6無法揭示系爭專利更正後請求項4之「該拋光層具有一約為100到1,000（1/Pa在40℃時）之KEL」之技術特徵。
6業經系爭專利舉發案N01認定無法與其餘證據相互勾稽，因此，證據10、11與證據6並沒有明顯之組合動機。準此，證據10、11與證據6之組合，亦無法證明系爭專利更正後請求項4不具進步性。
九、綜上所述，證據3為適格之證據，且系爭專利之本件舉發案N02並無違反專利法第81條第1項規定。另系爭專利更正後70請求項3至4未違反核准時90年專利法第20條第1項第1款、第2項等規定，則被告所為「請求項3至4舉發不成立」之處分，參諸首揭法條規定及說明，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。從而，本件原告主張前詞，請求撤銷訴願決定及原處分「請求項3至4舉發不成立」部分及請求被告應作成「請求項3至4舉發成立，應予撤銷」之處分，為無理由，應予駁回。至於系爭專利其餘舉發請求項即請求項1至2、5至7之爭訟部分，由本院106年度行專訴字第34號發明專利舉發事件另行審結，附此敘明。
十、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中華民國107年4月12日智慧財產法院第三庭審判長法官汪漢卿法官魏玉英法官張銘晃以上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第241條之1第1項前段），但符合下列情形71者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。
得不委任律師為訴訟代所需要件理人之情形
（一）符合右列情形之1.上訴人或其法定代理人具一者，得不委任備律師資格或為教育部審律師為訴訟代理定合格之大學或獨立學院人公法學教授、副教授者。
2.稅務行政事件，上訴人或其法定代理人具備會計師資格者。
3.專利行政事件，上訴人或其法定代理人具備專利師資格或依法得為專利代理人者。
（二）非律師具有右列1.上訴人之配偶、三親等內情形之一，經最之血親、二親等內之姻親高行政法院認為具備律師資格者。
適當者，亦得為2.稅務行政事件，具備會計上訴審訴訟代理師資格者。
人3.專利行政事件，具備專利師資格或依法得為專利代理人者。
4.上訴人為公法人、中央或地方機關、公法上之非法人團體時，其所屬專任人員辦理法制、法務、訴願業務或與訴訟事件相關業務者。
是否符合（一）、（二）之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出（二）所示關係之釋明文書影本及委任書。
72中華民國107年4月13日書記官葉倩如73附表更正類舉發審定訴願決定智慧財產法/別院行政判決明確105年10月28日106年3月31日106年4月6日經106106性
（105）智專三經訴字第訴字第年度年度/請
（三）05048字0000000000000000000000行專行專求項第號（103年2月號（請求項1至2訴字訴字0000000000000日之更正事項、5至7）第39第34號、請求項3至4號（號（）請求請求項3項1至4至2）、5至7）103更准予更正准予更正未訴願未起未起年2正訴訴月14日之更正事項請求明有效未訴願未訴願有效有效項確（具明確性）（具（具1-7性明確明確性）性）請求獨無效未訴願無效未起無效項1立（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項2屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附有效有效未訴願有效未起項3屬（具進步性）（具進步性）（具訴項進步性）74請求附有效有效未訴願有效未起項4屬（具進步性）（具進步性）（具訴項進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項5屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項6屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）請求附無效未訴願無效未起無效項7屬（不具進步性）（不具進步性）訴（不項具進步性）75圖式：
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