智慧財產法院行政判決
106年度行專訴字第58號原 告 吳美嬅訴訟代理人 林哲誠律師
徐瑞毅律師輔 佐 人 林聖剛被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 洪淑敏（局長）訴訟代理人 陳聖
參 加 人 日商斯克林半導體科技有限公司代 表 人 後藤正人訴訟代理人 陳寧樺律師
陳軍宇律師鄭婷文專利師輔 佐 人 金山 幸司（Koji KANEYAMA）
廣瀨 睦（Makoto HIROSE）上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
6 年6 月23日經訴字第10606306100 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如下：
主 文訴願決定及原處分關於「請求項2 至11、13至14、16至20舉發不成立」部分均撤銷。
被告就發明第I394223 號「基板處理裝置」專利舉發事件（000000000N01），應作成「請求項2 至11、13至14、16至20舉發成立，撤銷專利權」之審定。
訴訟費用由被告負擔。
事實及理由
甲、程序方面：本件參加人斯克林半導體科技有限公司之代表人原為須原忠浩，嗣變更為後藤正人，經參加人於民國（下同）108 年3月14日具狀聲明承受訴訟（見本院卷四第80頁），經核並無不合，應予准許。
乙、實體方面：
壹、事實概要：緣參加人日商斯克林半導體科技有限公司（原名SOKUDO股份有限公司）前於民國（下同）97年12月26日以「基板處理裝置」向被告申請發明專利，同時主張優先權（受理國家：日本，申請日：西元2007年12月28日，申請案號：0000-00000
0 ），經被告編為第00000000號審查，准予專利（申請專利範圍共20項），發給發明第I394223 號專利證書。嗣原告於
102 年10月4 日以該專利有違核准時（即102 年1 月1 日施行）專利法第22條第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。參加人則多次提出系爭專利申請專利範圍更正本。
案經被告審查，核認系爭專利104 年10月8 日更正本符合規定，依該更正本審查，以105 年10月14日（105 ）智專三（二）04169 字第10521258020 號專利舉發審定書為「104 年10月8 日之更正事項，准予更正」、「請求項2 至11、13至
14、16至20舉發不成立」、「請求項1 、12、15舉發駁回」之處分。原告不服前揭處分中舉發不成立之部分，提起訴願，經濟部嗣以106 年06月23日經訴字第10606306100 號訴願決定書作成訴願駁回之決定，原告仍未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
貳、原告主張：
一、本院已將系爭專利的「試運轉」解釋為「以試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質或處理單元運作是否正常為目的之運轉」；「系爭專利之相同之各步驟，係因不同之試運轉或基板處理目的，而被分別認定為試運轉或通常運轉之步驟」。由前述本院對系爭專利請求項中「試運轉」之解釋可知，試運轉及通常運轉的步驟內容是相同的，僅有目的之不同。參加人於107 年9 月13日所提更正之申請專利範圍，僅是針對控制部所為之控制行為進一步作限定，對「試運轉」本身並未有任何實質改變。
二、被告將請求項2 分析為具有技術特徵1~6 ，並已自承原證4（即舉發證據2 ）已揭露該技術特徵1 、3 、4 、6 ，僅認為原證4 未能揭露該請求項之技術特徵2 及5 ，準此，先前技術原證4 已揭露該請求項之技術特徵1 、3 、4 、6 之事實，應為被告所不爭。
三、先前技術已揭露請求項2 之技術特徵2 ：㈠系爭專利請求項2 之技術特徵2 為「控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；」。
㈡原證4 之段落〔0134〕：「以其他處理列13對基板W 進行與
第1 處理不同之第2 處理」。原證4 既已明揭一含有進行不同處理的不同處理列之基板處理裝置，則該基板處理裝置當然會具有一「控制部」使得在同一基板處理裝置中的不同處理列能夠進行不同處理。故原證4 已實質揭露請求項2 之技術特徵2 。
㈢原證8 說明書第5 頁倒數第1 段：「迄今，由塗布顯像處理
裝置執行之基板處理流程的控制係例如由塗布顯像處理裝置內之控制部來執行」。原證8 說明書第9 頁倒數第1 段至第10頁第1 段：「本發明之基板處理裝置係包含：搬入搬出部，係用以將基板搬入搬出；處理部，係用以進行前述基板之處理；及檢查部，係用以進行前述基板之檢查，且，前述基板處理裝置可在前述各部之間搬送前述基板，又，前述基板處理裝置更具有在前述基板處理裝置中獨立地執行下列步驟之控制部，且該等步驟包括：基板處理流程，係將業已搬入前述搬入搬出部之前述基板搬送至前述處理部進行處理；及基板檢查流程，係將業已搬入前述搬入搬出部之前述基板搬送至前述檢查部進行檢查」。
㈣原證16之摘要：「一種半導體晶圓處理機器之分配控制系統
，含有主控制模組和複數應用控制模組。各應用控制模組和主控制模組可獨立自主操作。主控制模組調整應用控制模組的操作，而應用控制模組管制由晶圓處理機器進行的許多副程序。…」原證16第2 欄第30 -33行：「本發明另一優點在於提供一種控制系統，在單一連續運作中可以調整和控制不同處理方略的應用」。原證16第14欄第20-28 行：「例如，除了此處描述之處理系統外，本發明原理亦可應用於任何數量的工件處理系統。此外，分配控制系統可構成控制和調整任何數量的不同系統功能和程序，而任何指定的應用控制模組可構成控制任何數量和型式的特殊操作。…」由上可知，先前技術原證16所揭露之用於半導體晶圓處理之控制系統能夠針對個別基板處理進行調整和控制不同處理方略的應用，從而先前技術原證16已明確揭露及教示系爭專利請求項2 之技術特徵2 「控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」之技術內容。綜上，原證4 已揭示一含有進行不同處理的不同處理列之基板處理裝置，原證8 已揭示藉由「控制部」獨立進行「基板處理流程」及「基板檢查流程」之基板處理裝置，原證5 至7 亦揭露一般基板處理裝置皆具備「控制部」，原證16已揭示針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟之「控制部」，技藝人士自可輕易將原證5 至8 、16之控制部應用於原證4 之基板處理裝置，且無任何先天上不相容之處。
四、先前技術已揭露或教示請求項2之技術特徵5：㈠系爭專利請求項2 之技術特徵5 為「上述控制部在部分基板
處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質或者用來試運轉處理單元之試運轉時之步驟處理基板」。
㈡原證5 段落【0015】：「在將基板朝一邊處理室搬送處理期
間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更。」所謂「將基板朝一邊處理室搬送處理」當然可以是一般通常運轉的處理程序另「進行另邊處理室相關之維修或條件變更」則當然可以是系爭專利請求項2 技術特徵5 所謂「處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉」。原證7 段落【0002】：「在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉( 動作測試) 。例如下述專利文獻1 中，會以修正基板處理裝置所設定之基板處理條件為目的，實際對基板進行塗布形成光阻、曝光處理及顯影處理來作為動作測試。」在正常動作前，進行處理單元正常與否的動作測試乃屬習知技術，系爭專利所屬技術領域之通常知識者當然可輕易完成「在不同處理列分別進行通常運轉之處理與試運轉之處理」之技術特徵。
㈢原證8 說明書第6 頁第2 段：「在塗布顯像處理裝置之試運
轉時，必須進行用以調整處理部中之各處理單元的各種設定等之調整作業或用以評定檢查部之精度等之評定作業」原證
8 說明書第7 頁倒數第1 段：「…該基板處理裝置係構成為包含用以將基板搬入搬出之搬入搬出部、用以進行前述基板之處理之處理部及用以進行前述基板之檢查之檢查部，且可在前述各部之間搬送前述基板…前述基板處理裝置之控制方法係獨立地執行下列步驟；基板處理流程，係將業已搬入前述搬入搬出部之前述基板搬送至前述處理部進行處理；及基板檢查流程，係將業已搬入前述搬入搬出部之前述基板搬送至前述檢查部進行檢查」。原證8 上述內容與請求項2 技術特徵5 相對應：搬入搬出部：對應於系爭專利之主搬送機構處理之處理部：對應於系爭專利中通常運轉之處理列檢查之檢查部：對應於系爭專利中試運轉之處理列基板處理流程：
對應於系爭專利中，部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板檢查流程：對應於系爭專利中，在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板。原證8 說明書第8 頁第1 段：
「由於獨立地執行基板處理流程與檢查流程，因此，在基板處理裝置之試運轉時，可執行基板檢查流程，並可將搬入搬入搬出部之例如評定用基板直接搬送至檢查部進行檢查」、「由於可同時進行基板之檢查流程及處理流程…」。是以系爭專利技術特徵5 不僅已被原證8 所揭露，技藝人士更可基於原證8 之揭露輕易完成「在不同處理列分別進行通常運轉之處理與試運轉之處理」之技術特徵。
㈣原證16第1 欄第34-41 行：「…任何指定處理系統的效率和
可靠性，直接涉及控制系統的設計和結構。此外，處理系統的安裝、試驗、故障排除、維護等成本，亦直接關係到控制系統的複雜性，以及控制系統如何與處理系統的各種功能性組件和副系統作用。」原證16第2 欄第16-18 行：「因此，本發明之優點在於提供一種改進控制系統，用於多功能半導體處理系統」。原證16第2 欄第19-22 行：「本發明另一優點在於提供一種控制系統，可提高多功能半導體處理系統的效率、可靠性和堅固性。」原證16第2 欄第27-29 行：「分配控制系統另一優點是，各副系統可單獨測試和診斷，而不需整個處理系統進行動作。」原證16第2 欄第30-33 行：「本發明另一優點在於提供一種控制系統，在單一連續運作中可以調整和控制不同處理方略的應用。」原證16第2 欄第34-37 行：「控制系統的又一優點是，可以平行方式控制和調整各種副系統，因而減少停工時間，並增加晶圓產量」。原證16第14欄第20-28 行：「例如，除了此處描述之處理系統外，本發明原理亦可應用於任何數量的工件處理系統。此外，分配控制系統可構成控制和調整任何數量的不同系統功能和程序，而任何指定的應用控制模組可構成控制任何數量和型式的特殊操作…」。原證16所揭露之用於半導體晶圓處理之控制系統：針對個別基板處理進行調整和控制不同處理方略的應用以平行方式控制和調整各種副系統使各副系統可「同時進行」相同或不同之通常或特殊處理，其中各副系統同時更可單獨進行測試、診斷，以減少停工時間並增加晶圓產量。原證16所揭露對半導體處理系統之「單獨測試和診斷」、「處理系統的安裝、試驗、故障排除、維護」等，即相當於系爭專利請求項「用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉」之處理步驟。原證16第14欄第20-28 行明確指出：「例如，除了此處描述之處理系統外，本發明原理亦可應用於任何數量的工件處理系統。此外，分配控制系統可構成控制和調整任何數量的不同系統功能和程序，而任何指定的應用控制模組可構成控制任何數量和型式的特殊操作…」。換言之，原證16已明確揭露該發明之控制系統可應用於任何數量的工件處理系統。故原證16已經揭露「控制複數個晶圓處理系統之分配控制系統」之技術內容，不限於被告所宣稱之單一處理列。既然原證16已明確揭露複數個處理系統之技術內容，則原證16所揭露之不僅能夠針對個別基板處理進行調整和控制不同處理方略的應用，更可以平行方式控制和調整各種副系統使各副系統可「同時進行」相同或不同之通常或特殊處理，其中各副系統同時更可單獨進行測試、診斷，以減少停工時間並增加晶圓產量。此外，原證16所揭露對半導體處理系統之「單獨測試和診斷」、「處理系統的安裝、試驗、故障排除、維護」等，即完全相當於系爭專利請求項2 之技術特徵5 。因此，原證16已明確揭露及教示系爭專利請求項2 之技術特徵5 「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」之技術內容。
㈤關於系爭專利所欲解決之問題，系爭專利說明書指出：「…在習知裝置中，難以針對每個基板改變對基板處理之步驟。
換言之，在習知裝置中，難以同時進行複數個步驟。」( 參原證3 說明書第5 頁) 準此，系爭專利所欲解決之問題在於「難以同時進行複數個基板處理步驟」。原證4 所揭露之基板處理裝置已可達成「對某個基板處理列進行第1 處理，而其他基板處理列進行第2 處理」( 參原證4 段落【0134】)；原證8 之基板處理裝置亦可達成同時進行「基板之檢查流程及處理流程」( 參原證8 說明書第7 頁最末段、第9 頁最末段至第10頁第1 段等) ；原證16之「多功能」半導體處理系統可以「平行方式」控制和調整各種副系統使各副系統可「同時進行」相同或不同之通常或特殊處理( 參原證16說明書第2 欄第16-22 及34-37 行、第14欄第20-28 行) 。所屬技術領域中具有通常知識者有動機結合原證4 、8 或4 、16或4 、8 、16或4 至6 或4 至7 所揭示內容而輕易完成系爭專利請求項2 之技術特徵。
五、參加人在答辯（五）狀中，辯稱原告所提出之引證案並未揭露系爭專利請求項2 之技術特徵3 「複數基板處理列」之「上下方向排列設置」之技術特徵云云。惟系爭專利說明書第51頁倒數第2 段提及「…雖基板處理列L 在上下方向排列而設置，但不受限於此。例如，亦可變更為具備有在橫向或水平方向排列設置的複數個基板處理列L 」。可知系爭專利基板處理裝置之基板處理列，在排列上並非一定要是上下排列者。由此可知，將基板處理列排列於上下方向並非有特殊貢獻之特別技術特徵。且藉由將物體進行上下方向的排列可減少佔地面積，本係系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者在系爭專利申請時均可輕易思及，故複數基板處理列進行上下方向排列，並不具有不可預期之技術特徵。參加人另援引參證4 至7 來強調系爭專利申請當時塗佈顯影裝置所遇到的種種課題，如需降低成本等云云。然而，系爭專利請求項之文字根本未限定系爭專利須為塗布顯影裝置。至於系爭專利說明書中所記載之塗布顯影裝置，充其量不過是一實施例，根本不得用以限定系爭專利請求項之範圍。故參加人之辯詞不足採信。
六、系爭專利請求項2 至4 、6 至11相較於如下先前技術之組合不具進步性：原證4 、8 之組合；原證4 、5 、6 之組合；；原證4 、5 、6 、7 之組合；原證4 、16之組合；或原證
4 、8 、16之組合。系爭專利請求項5 、13至14、16至20相較於如下先前技術之組合不具進步性：原證4 、6 、8 之組合；原證4 、5 、6 之組合；原證4 、5 、6 、7 之組合；原證4 、6 、16之組合；或原證4 、6 、8 、16之組合。系爭專利以空洞而不具具體控制技術或控制程式的請求項便能主張其不當獲得之專利權，將使得相關業者無所適從，有違我國專利法之立法意旨，若讓系爭專利權得以維持，將有礙於我國半導體產業之發展，甚至阻礙半導體處理裝置的機台研究開發。
七、系爭專利韓國對應案（即韓國第0000000 號專利）已遭韓國專利審判院基於本案原告所提完全相同之先前技術組合認定為無效（原證11）：
以韓國對應案的請求項1 為例，該請求項除了完全對應系爭專利請求項2 之技術特徵1-5 外，尚額外限定了原處分及原訴願決定針對系爭專利的請求項5 所分析之技術特徵8 、9、10、11，亦即，韓國對應案之請求項1 之範圍小於系爭專利請求項2 ，惟韓國專利審判院仍依本案原證4 、原證5 及原證6 的組合，認定該韓國專利請求項1 不具進步性而無效，此益證系爭專利確有不具進步性之情事而應予撤銷。
八、並聲明：1.原訴願決定撤銷。2.原處分主文第二項「請求項
2 至11、13至14、16至20舉發不成立」應撤銷，並命被告另為「請求項2 至11、13至14、16至20舉發成立，應予撤銷」之處分。3.訴訟費用由被告負擔。
參、被告答辯：
一、原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項2 至4 、6 至11不具進步性：
㈠原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
⑴舉發審定書第7 頁的分析表格已敘明請求項2 先與原證4
比對，比對結果是原證4 並未明示有控制部的存在（技術特徵2 ），且未記載控制部及其限制的動作條件（技術特徵5 ）。原證4 未說明第1 處理或第2 處理之何者用於確認品質之處理，為何原證4 所揭示之第l 處理及第2 處理可輕易思及並完成第1 處理為通常處理，第2 處理為試運轉之指定，且僅以原證4 之記載，完全未提及任何試運轉技術的教導或暗示，難稱原證4 已隱含有控制部可進行試運轉的技術，原告所言原證4 已隱含控制部及其限制的動作（技術特徵5 ）應無可採。
⑵原證8 雖於第5 頁第19行記載有「控制部」一詞，但由原
告所列舉原證8 的出處（第5 、7 、9 、10頁）記載之處理部與檢查部可發現，原證8 檢查部無法比對為系爭專利之「通常運轉之處理列」與「試運轉之處理列」，原因在於系爭案的「通常運轉之處理列」與「試運轉之處理列」皆為基板處理列，皆可對基板執行複數種類之處理；反觀，原證8 之檢查部僅能對基板執行檢查，並未記載檢查部可對基板執行複數種類之處理，顯然不能將檢查部比對為系爭專利請求項1 之技術特徵1 之基板處理列，故原證8第8 頁雖記載「由於獨立地執行基板處理流程與檢查流程，因此，在基板處理裝置之試運轉時，可執行基板檢查流程，並可將搬入搬入搬出部之例如評定用基板直接搬送至檢查部進行檢查」，此記載不相當於系爭專利請求項1 技術特徵5 記載「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」。
⑶綜上，由於系爭專利請求項2 之技術特徵5 並未被原證8
所揭露，且原證8 僅具有單一的基板處理列，即便原證8有揭露控制部，仍無法證明原證4 、8 結合後控制部可執行系爭專利請求項2 技術特徵5 ，故原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項2 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈡原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
⑴原證4 並未明示有控制部的存在（技術特徵2 ），且未記載控制部及其限制的動作條件（技術特徵5 ）。
⑵原證5 第〔0019〕段的節譯文內容記載複數個處理室12a
、12b 僅利用蒸發源作蒸鍍處理（單一種製程步驟），將其複數個處理室比對為系爭專利的可執行複數種類製程處理之複數個基板處理列並不恰當，故原證5 圖2 與原證4的裝置應並不相容；其次，原證5 進行處理室相關之維修或條件的變更，如第〔0029〕段記載是為了設備維護或蒸發源材料補充、清掃等做的處理，第〔0046〕段記載是為了在不同基板需要不同的成膜條件的測試，原證5 維修或條件的變更難謂是為了試驗、驗證、確認該處理單元對基板所進行的處理品質。因此，原證5 未揭露技術特徵5 中的試運轉。
⑶另有關原證5 的控制裝置，請求項2 記載的控制部可針對
每個基板處理列改變處理基板的步驟，參照系爭專利說明書第5 頁末段內容，…可根據所搬送的基板處理列，而針對每個基板較佳地改變對基板進行的處理步驟，系爭專利應解讀為具有對每個基板處理列（上的每個基板）改變對基板進行的處理步驟，亦可參照系爭專利第18頁及圖2 的
Lu、Ld二者步驟相異，及Lu/Ld 步驟相異的情況。然而，參照原告提供之原證5 第〔0022〕段的節譯文內容，原證
5 第〔0022〕段所記載的「基於控制裝置的指示」是要選擇將基板分送至12a 、12b 任一目的地做指示，非對改變處理基板的步驟做指示，故原證5 的控制裝置所執行的動作與系爭專利不同，所以原證5 所記載的控制裝置難以與原證4 所揭露的基板處理列動作組合。
⑷原證6 的半導體基板處理系統10僅包含單一產線，非如同
系爭專利的複數條處理列，雖說原證6 可以在該單一產線執行試運轉，但是無法說明原證6 的控制部可在複數條處理列的情況下，會將部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板的動作，原證6 仍未揭示技術特徵5 。
⑸由於原證5 所記載的控制裝置與原證4 並不相容，且原證
4 至6 皆未揭示技術特徵5 的情況下，原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項2 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈢原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
⑴原證7 並未揭露如何達成技術特徵2 的控制部，可針對每
個基板處理列而改變處理基板的步驟，也未揭露如何達成技術特徵5 的「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板。」，故原證7 並未揭示原證4 所欠缺技術特徵
2 、5 的內容。⑵由於原證5 記載的內容與原證4 並不相容，且原證6 與原
證7 皆未揭示技術特徵5 的情況下，原證4 至7 不足以證明系爭專利請求項2 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈣原證4 、16或原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
⑴原證4 、8 、16都未揭露請求項2 之「上述控制部在部分
基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。
⑵系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者於參酌原證4 、
8 、16所揭露之技術內容，應無法經由簡單組合上述原證，而輕易完成系爭專利請求項2 之發明，故原證4 、16或原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項第2 項違反專利法第22條第2 項之規定。
㈤原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
⑴請求項3 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，原證
4 亦未揭示請求項2 之技術特徵2 、5 ，故原證4 亦未揭示請求項3 技術特徵2 、5 ，請求項3 更附加技術特徵7，原證4 並未明示有控制部的存在，也無法完成技術特徵
7 的動作。⑵由於系爭專利請求項3 之技術特徵5 並未被原證8 所揭露
，且原證8 僅具有單一的基板處理列，即便原證8 有揭露控制部，仍無法證明原證4 、8 結合後控制部可執行系爭專利請求項3 技術特徵5 、7 ，故原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項3 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈥原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項3 不具進步性：
請求項3 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至6 之組合並未揭示請求項3 技術特徵2 、5 ，請求項3更附加技術特徵7 ，原證4 並未揭示技術特徵7 的動作，故原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項3 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈦原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項3 不具進步性
；請求項3 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至7 之組合並未揭示請求項3 技術特徵2 、5 ，請求項3更包括技術特徵7 ，原證4 並未揭示技術特徵7 的動作，故原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項3 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈧原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7 等組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性：
請求項4 係請求項3 之附屬項，包括請求項3 相同的技術特徵1 至5 ，原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7 等組合不足以證明系爭專利請求項3 不具進步性，故上開組合亦不足以證明系爭專利請求項4 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈨原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
⑴請求項6 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，原證4
並未揭示請求項2 之技術特徵2 、5 ，故亦未揭示請求項
6 技術特徵2 、5 ，請求項6 更包括技術特徵12，原證4並未明示有控制部的存在，也無法完成技術特徵12的動作。
⑵由於系爭專利請求項6 之技術特徵5 並未被原證8 所揭露
，且原證8 僅具有單一的基板處理列，即便原證8 有揭露控制部，仍無法證明原證4 、8 結合後控制部可執行系爭專利請求項6 技術特徵5 、12，故原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項6 違反專利法第22條第2 項之規定。
㈩原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項6 而不具進步性：
請求項6 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，原證4 至
6 之組合並未揭示請求項2 技術特徵2 、5 ，故亦未揭示請求項2 技術特徵2 、5 ，請求項6 更附加技術特徵12，原證
4 並未揭示技術特徵12的動作，故原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項6 違反專利法第22條第2 項之規定。原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性：
請求項6 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，原證4 至
7 之組合並未揭示請求項2 技術特徵2 、5 ，故亦未揭示請求項6 技術特徵2 、5 ，請求項6 更包括技術特徵12，原證
4 並未揭示技術特徵12的動作，故原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項6 違反專利法第22條第2 項之規定。原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7 等組合不足以證明系爭專利請求項7 不具進步性：
請求項7 係請求項6 之附屬項，包括請求項6 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7等組合皆不足以證明系爭專利請求項7 違反專利法第22條第
2 項之規定。原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項8 不具進步性：
⑴請求項8 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原
證4 並未揭示請求項8 技術特徵2 、5 ，原證4 並未揭示請求項2 技術特徵2 、5 ，故亦未揭示請求項8 技術特徵
2 、5 ，請求項6 更包括技術特徵13，原證4 並未明示有控制部的存在，也無法完成技術特徵13的動作。
⑵由於系爭專利請求項8 之技術特徵5 並未被原證8 所揭露
，且原證8 僅具有單一的基板處理列，即便原證8 有揭露控制部，仍無法證明原證4 、8 結合後控制部可執行系爭專利請求項8 技術特徵5 、13，故原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項8 違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項8 不具進步性：
請求項8 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至6 之組合並未揭示請求項8 技術特徵2 、5 ，請求項8更包含技術特徵13，原證4 並未揭示技術特徵13的動作，故原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項8 違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項8 不具進步性：
請求項8 具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至7 之組合並未揭示請求項8 技術特徵2 、5 ，請求項8更包括技術特徵13，原證4 並未揭示技術特徵13的動作，故原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項8 違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7 等組合不足以證明系爭專利請求項9 不具進步性：
請求項9 係請求項8 之附屬項，包括請求項8 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7等組合皆不足以證明系爭專利請求項9 違反專利法第22條第
2 項之規定。原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性：
⑴請求項10具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原
證4 並未揭示請求項10技術特徵2 、5 ，請求項10更包括技術特徵14，原證4 並未明示有控制部的存在，也無法完成技術特徵14的動作。
⑵由於系爭專利請求項10之技術特徵5 並未被原證8 所揭露
，且原證8 僅具有單一的基板處理列，即便原證8 有揭露控制部，仍無法證明原證4 、8 結合後控制部可執行系爭專利請求項8 技術特徵10、14，故原證4 、8 之組合不足以證明系爭專利請求項10違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 至6 之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性：
請求項10具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至6 之組合並未揭示請求項10技術特徵2 、5 ，請求項10更包含技術特徵14，原證4 並未揭示技術特徵14的動作，故原證4 至原證6 之組合不足以證明系爭專利請求項10違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性：
請求項10具有與請求項2 相同的技術特徵1 至5 ，因此原證
4 至7 之組合並未揭示請求項10技術特徵2 、5 ，請求項10更包括技術特徵14，原證4 並未揭示技術特徵14的動作，故原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項10違反專利法第22條第2 項之規定。
原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7 等組合不足以證明系爭專利請求項11不具進步性：
請求項11係請求項10之附屬項，包括請求項10相同的技術特徵1 至5 ，因此原證4 與原證8 、原證4 至6 、原證4 至7等組合皆不足以證明系爭專利請求項11違反專利法第22條第
2 項之規定。
二、原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、
6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合不足以證明系爭專利請求項5 、13至14、16至20不具進步性之理由，詳如答辯書所載。
三、原處分未違反專利法第73條第4 項之規定：㈠試運轉一詞為舉發階段兩造所爭執，原處分已對試運轉一詞做界定，參考的內容以申請專利範圍及說明書的記載為主。
㈡兩造對試運轉之爭執內容及後續衍生內容，包括原告103 年
12月5 日舉發補充理由爭執試運轉之處理單元是否是一種實施形態，及參加人104 年10月8 日被舉發補充答辯理由書第
4 頁（2 ）的內容，如「維修時要先把電源關掉」、「操作者不得以手動方式搬送基板」、「系爭案可把基板自動地搬送」等，經審酌皆非系爭案申請專利範圍之記載，且後續原告於104 年10月20日對此提出補充證據，亦與試運轉的意義不同，故原處分未違反專利法第73條第4 項之規定。
四、並聲明：1.駁回原告之訴。2.訴訟費用由原告負擔。
肆、參加人之陳述：
一、原告提出之證據，並未揭露系爭專利之主要技術特徵：㈠系爭專利之主要技術特徵2 ：「控制部，針對每個基板處理
列而改變處理基板的步驟」；技術特徵3 ：「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」；技術特徵5 ：「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」，均未為引證案所揭露。
㈡原證4 〔0134〕段僅提及「以其他處理列13對基板W 進行與
第1 處理不同之第2 處理」。惟並未揭露「第1 處理」、「第2 處理」係進行何種處理，亦未揭露如何「針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」，更未揭露「如何」同時控制複數個基板處理列，以進行通常運轉及試運轉。故原證4並未揭露技術特徵2 可以「改變處理基板的步驟」的「控制部」及技術特徵5 「在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟」，在複數個基板處理列同時進行不同程序之「通常運轉」與「試運轉」。原證5 僅為具有2 個分別僅進行相同種類的單一成膜處理的處理室的「真空成膜裝置」，並未揭露「改變處理基板的步驟」。原證6 僅為單一產線的基板處理裝置，並未揭露「改變處理基板的步驟」。原證7 僅為單一產線的基板處理裝置，並未揭露「改變處理基板的步驟」。
原證8 僅為單一產線的基板處理裝置，並未揭露「改變處理基板的步驟」。原證16僅為CMP （化學機械研磨）的單一產線，並未揭露「改變處理基板的步驟」。且原告提出之引證多為「單一產線」，並非如同系爭專利的複數條處理列，組合原證4 與「單一產線」引證，並未揭露技術特徵2 可以「改變處理基板的步驟」的「控制部」，亦未揭露技術特徵5「在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟」，在複數個基板處理列同時進行不同程序之「通常運轉」與「試運轉」。
㈢系爭專利「上下方向排列設置」的「複數個基板處理列」之
架構，必須克服下列技術問題：防止「增大佔地面積」、抑制「基板處理裝置的高度」、解決搬送裝置在空間中移動時，產生的「顆粒（particle，灰塵）污染基板」問題。
二、關於請求項2的主張：㈠原證4 〔0134〕段，僅僅提及兩條處理列可以進行不同處理
；原證4 對於「針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」沒有具體的記載，因此，原證4 並未揭示可以改變處理基板的步驟的「控制部」。原證4 〔0134〕段沒有記載或教示「在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟」，在複數個基板處理列同時進行不同程序之「通常運轉」與「試運轉」，亦未揭露「技術特徵3 」：於上下方向排列設置上述複數個基板處理列，故原證4 並未揭露技術特徵2 、3 、5 。
㈡原證5 〔0015〕段，僅揭露2 個分別進行相同種類的單一成
膜處理的處理室12a 、12b 的真空成膜裝置分別在處理室12a 、12b 僅進行「單一成膜處理」，根本不存在「改變處理基板步驟」的概念。原證5 〔0046〕段所謂的「條件引出」，是為了決定「單一成膜處理」中，壓力等參數的新製程的生產條件，其與系爭專利「藉由改變處理基板的步驟」的「試運轉」並不相同。
㈢原證6 是「單一產線」，根本就沒有揭露「複數個基板處理
列」，因此，未揭露「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以試運轉時之步驟處理基板」。
㈣原證7 是「單一產線」，原證7 〔0002〕段沒有記載或教示
「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟」「以試運轉時之步驟處理基板」，因此，原證7 未揭露技術特徵5 。
㈤原證8 是「單一產線」，原證8 圖4 的檢查站3 具備檢查單
元20-22 及晶圓搬送裝置12，該檢查單元20-22 是檢查基板，並不「處理基板」，只是進行檢查，不是複數種處理；是以，原證8 的檢查單元20-22 不相當於系爭專利的「處理單元」，原證8 的檢查站3 不能相當於系爭專利的「基板處理列」，原證8 第7 頁至第9 頁的內容並未揭露改變處理站4處理晶圓W 的步驟，原證8 的控制部120 並不改變處理站4處理基板的步驟，因此，原證8 並未揭露技術特徵2 、技術特徵5 ，原證8 第11頁第2 段的檢查流程，僅作「檢查」工作而不「處理基板」，亦不進行「複數種類處理」，並未揭露「改變處理基板的步驟」。
㈥原證16是CMP 的「單一產線」，原證16僅揭露一邊從載台
102 至載台112 搬送各基板，一邊在載台102 至載台112 全體對基板進行一連串的處理，即使載台102 -112全體類似於「技術特徵1 」的「基板處理列」的1 個，原證16亦未揭露系爭專利的「複數個基板處理列」。原證16並未揭露系爭專利的「改變處理基板的步驟」，原證16所揭露者為在單一種類的CMP 加工中調整如下壓力的參數，即在一個載台處理單元內調整參數等，例如，僅揭露以CMP 加工、洗淨、沖洗、乾燥的順序進行，並未揭露「改變CMP 加工、洗淨、沖洗、乾燥的順序」。
三、關於請求項5的主張：㈠系爭專利請求項5 進一步附加技術特徵8 至技術特徵11，關於「輸入部」、「輸入部」與「控制部」之間的互動關係。
原證4 、原證5 、原證6 、原證7 、原證8 、原證16並未揭露「輸入部」，即未揭露技術特徵8 至技術特徵11。
㈡原證6 具有一操作部20，惟原證6 並未揭露系爭專利的「複
數基板處理列」，因此，該操作部20無法「輸入用以『對每個基板處理列』設定之資訊，原證6 未揭露「技術特徵8 」。原證6 未揭露系爭專利的「複數個基板處理列」，因此未揭露技術特徵9 「上述控制部係根據輸入至『上述輸入部』之資訊，改變『各基板處理列』的搬送路徑」。原證6 並未揭露輸入操作部20的資訊，是特定進行試運轉之處理單元的資訊，因此，原證6 全然未揭露關於技術特徵10。技術特徵11「上述控制部係根據特定進行試運轉之處理單元的資訊，決定將基板僅搬送至所特定之處理單元的搬送路徑」，是用於更詳細地具體化「技術特徵5 」之「控制內容」的特徵；由於原證6 未揭露系爭專利的技術特徵5 ，故原證6 亦未揭露或教示技術特徵11。
四、原告提出之引證之組合，均不足以否定系爭專利請求項2 至
11、13至14、16至20之進步性。系爭專利「複數個基板處理列」的基板處理裝置，為半導體重要製程裝置，是為了因應「曝光裝置」性能大幅提升、價格飛漲，半導體廠商需要半導體元件源源不絕地被製造，需要提高機台稼動率而生。「曝光裝置」攸關半導體元件功能中決定各層導線寬度的設備，2010年間之價格，乾式曝光機價值3 億歐元左右，浸潤式曝光機價值65億歐元左右（參證5 ）系爭專利為物理、化學、光學、流體力學等高科技技術的集合體，考量系爭專利技術內容應「整體」觀之，確實考量技術實質內涵及難度，不可用零碎的解讀方式，將「控制部」、「基板處理列」等元件片面比對。
五、並聲明：1.駁回原告之訴。2.訴訟費用由原告負擔。
伍、本件之爭點（見本院卷三第18頁）：
一、原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合是否足以證明系爭專利請求項2 至4 、6 至11不具進步性？
二、原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、
6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合是否足以證明系爭專利請求項5 、13至14、16至20不具進步性？
三、原處分及訴願決定是否違反核准審定時專利法第73條第4 項規定？
陸、得心證之理由：
一、本件應適用之專利法：系爭專利申請日為97年12月26日，核准審定日為102 年2 月21日，其是否有應撤銷專利權之情事，應以核准審定時所適用之100 年12月21日修正公布、102 年1 月1 日施行之專利法（下稱100 年專利法）為斷。按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，固為系爭專利核准時專利法第21條及第22條第1 項前段所規定。惟發明如為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，復為同法第22條第2 項所明定。
二、本院得審酌原告提出之原證8 、原證16：按關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之，智慧財產案件審理法第33條第1 項定有明文。原告於原處分階段，僅提出原證4 至7 （即舉發證據2 至5 ），主張上開證據之組合，足以證明系爭專利請求項第2 至11、12，13至14、16至20不具進步性，嗣於本件行政訴訟階段，始提出原證8 、原證16，主張原證8、原證16分別與原證4 至7 之組合，足以證明系爭專利請求項請求項第2 至11、12，13至14、16至20不具進步性，乃就同一撤銷理由所提之新證據，並經被告就該新證據提出答辯，依智慧財產案件審理法第33條第1 項規定，本院就上開新證據，得併予審究。至於原告提出之原證23、24（系爭專利優先權日前之通常知識），係兩造於108 年1 月23日準備程序，已就系爭專利之有效性進行技術簡報並互為攻防完畢之後，遲至108 年5 月16日始提出，並經參加人以原告逾時提出攻擊防禦方法之情事，提出異議，按行政訴訟法第132 條準用民事訴訟法第276 條第1 項規定：「未於準備程序主張之事項，除符合該條項第1 至4 款規定外，於準備程序後行言詞辯論時，不得主張之」，本院認為原告提出原證23、24，確已違反行政訴訟法第132 條準用民事訴訟法第276 條第
1 項之規定，依上開規定，應不予審酌。
三、系爭專利技術分析：㈠系爭專利之先前技術：
習知基板處理裝置，具有以下問題，例如，有時會想在一部分處理單元進行試運轉，同時在其他處理單元對基板進行一連串處理。或者，有時會想對一部分基板進行形成阻劑膜用及將基板顯像用之步驟，同時對其他基板進行形成阻劑膜用之步驟。此處所謂「步驟」，可由種類不同之複數個處理所構成，亦可由單一處理所構成。然而，若步驟在基板間具有不同步驟，則基板相對於各種處理單元的搬送路徑會改變。
因此，主搬送機構無法有效率地搬送基板。因此，在習知裝置中，難以針對每個基板改變對基板處理之步驟。換言之，在習知裝置中，難以同時進行複數個步驟。
㈡系爭專利發明內容：
⑴本發明有鑑於此而完成，其目的在於提供一種可針對每個
基板改變對基板處理之步驟而可同時進行2 個以上不同步驟之處理的基板處理裝置。上述控制部最好可使部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板步驟，同時可使其他基板處理列以試運轉時之步驟處理基板。藉此，即使在試運轉時，亦可抑制本裝置之稼動率降低。在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部最好使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元。藉由使基板僅搬送至進行該試運轉的處理單元，而可較佳地試驗、驗證、確認該處理單元對基板所進行的處理品質。
⑵本發明為一種處理基板的基板處理裝置，其包含以下元件
：複數基板處理列，可將基板以大致水平方向搬送，同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列改變處理基板的步驟，可針對每個基板處理列而改變對基板進行的處理步驟，上述複數基板處理列最好排列設置於上下方向，上述控制部最好可使各基板處理列中之步驟在各基板處理列間不同，亦可使各基板處理列中之步驟在全部基板處理列相同。
㈢系爭專利主要圖式如附圖一所示。
㈣系爭專利申請專利範圍分析：
系爭專利之專利權人於本院審理中，於107 年9 月13日提出申請專利範圍更正本（更正請求項2 、3 、5 、6 、8 、10、13、14、16、17、18，經被告審查核准，並於107 年11月
1 日公告（見本院卷三第459-465 頁）。本件原告提出舉發之請求項2 至11、13至14、16至20，更正後之內容如下：
2.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述複數個處理單元的種類，在基板處理列之間為相同。
3.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述控制部可使各基板處理列中之步驟在各基板處理列間不同，且可使各基板處理列中之步驟在全部基板處理列間相同。
4.如申請專利範圍第3 項之基板處理裝置，其中，上述控制部可使全部基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟。
5.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述基板處理裝置進一步具備有輸入部，其輸入用以對每個基板處理列設定基板搬送路徑之資訊；上述控制部係根據輸入至上述輸入部之資訊，改變各基板處理列的搬送路徑；輸入至上述輸入部之資訊係特定進行試運轉之處理單元的資訊；上述控制部係根據特定進行試運轉之處理單元的資訊，決定將基板僅搬送至所特定之處理單元的搬送路徑。
6.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述控制部可使部分基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之全部，並同時使其他基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之一部分。
7.如申請專利範圍第6 項之基板處理裝置，其中，上述其他基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜的步驟、或用以對基板實施顯像的步驟之任一者。
8.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述控制部可使部分基板處理列進行由種類不同之複數處理所構成的步驟，並同時使其他基板處理列進行由單一處理所構成的步驟。
9.如申請專利範圍第8 項之基板處理裝置，其中，上述由單一處理構成的步驟為由對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜材料塗佈處理、對基板供給顯像液的顯像處理、及對基板進行加熱或冷卻的熱處理中任一處理所構成的步驟。
10.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：複數個基板處理列，可以大致水平方向搬送基板並同時對基板進行複數種類之處理；及控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟；於上下方向排列設置上述複數個基板處理列；上述基板處理列分別具備有複數個處理單元、及將基板搬送至此等處理單元的主搬送機構；上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板，其中，上述控制部可使部分基板處理列進行由種類不同之複數處理構成的第1 步驟，並同時使其他基板處理列進行由種類不同之複數處理構成且與第
1 步驟不同的第2 步驟。
11.如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述第1步驟及上述第2 步驟之至少一者，包含有對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜材料塗佈處理、對基板供給顯像液的顯像處理、及對基板進行加熱或冷卻的熱處理中之至少一者。
13.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，其中，上述控制部可在各階層中分別對基板進行一連串處理之全部，或一連串處理之一部分。
14.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，其中，試運轉時之步驟係為了使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質而進行。
16.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，具備有輸入用以針對每個階層設定基板搬送路徑之資訊的輸入部，上述控制部根據輸入至上述輸入部的資訊而改變各階層之搬送路徑，其中，輸入至上述輸入部的資訊，為在各階層中對基板所進行的處理之種類與其次序的相關資訊。
17.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，具備有輸入用以針對每個階層設定基板搬送路徑之資訊的輸入部，上述控制部根據輸入至上述輸入部的資訊而改變各階層之搬送路徑，其中，輸入至上述輸入部的資訊，為用以特定進行試運轉之處理單元的資訊；上述控制部係根據特定進行試運轉之處理單元的資訊，決定將基板僅搬送至所特定之處理單元的搬送路徑，其中，試運轉時之步驟係為了使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質而進行。
18.一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，其中，上述處理區包含有塗佈處理區與顯像處理區，上述塗佈處理區具備有對基板塗佈處理液的塗佈處理單元作為上述處理單元，上述顯像處理區具備有對基板供給顯像液的顯像處理單元作為上述處理單元。
19.如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，上述控制部可對在上述塗佈處理區之全部階層，將所搬入的基板於在上述塗佈處理單元進行處理後送出至該塗佈處理區之外部，且可對在上述塗佈處理區之部分階層，將所搬入的基板於在上述塗佈處理單元進行處理後送出至該塗佈處理區之外部，並同時對在上述塗佈處理區之其他階層，將所搬入的基板在未搬送至上述塗佈處理單元之情況下送出至該塗佈處理區之外部。
20.如申請專利範圍第18項之基板處理裝置，其中，上述控制部可對在上述顯像處理區之全部階層，將所搬入的基板於在上述顯像處理單元進行處理後送出至該顯像處理區之外部，並且可對在上述顯像處理區之部分階層，將所搬入的基板於在上述顯像處理單元進行處理後送出至該顯像處理區之外部，並同時對在上述顯像處理區之其他階層，將所搬入的基板在未搬送至上述顯像處理單元之情況下送出至該顯像處理區之外部。
三、證據技術分析：㈠原證4 至8 之公開日、原證16之公告日係早於系爭專利之優
先權日（2007年12月28日），均可為系爭專利相關之先前技術。
㈡原證4 （即舉發證據2 ）為2004年3 月18日公開之日本第
0000 -00000 號「基板處理裝置」專利案（專利說明書及中文節譯，見本院卷一第185-213 頁）：
⑴原證4 為一基板處理裝置之發明，如圖1 、圖3 所示，上
述第1 、第3 、第4 處理單元9 、11、12係例如主要由1階部分與2 階部分所構成之2 階段結構。如圖3 所示，第
1 處理單元9 之1 階部分係配設有將用以防止來自基板W上所形成之光阻膜的光線反射之下底用反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Coating ）塗布形成於基板W 之BARC單元14、用以將基板W 邊旋轉邊將光阻膜塗布形成於基板W 之旋轉塗布機（Spin Coater ）（下稱「SC」）的SC單元15。第1 處理單元9 之2 階部分亦構成為與前述1階相同。第1 處理單元9 之2 階部分的上方位置係配設有用以將基板W 熱處理之熱處理部（下稱「HP-CP 」）24、用以將基板W 冷卻處理之冷卻處理部（下稱「CP」、用以不進行熱處理而將基板W 載置來收授基板之基板收授部（下稱「Passl 」）。另外，此第1 處理單元9 係配設有用以在各階之BARC單元14或SC單元15等與第2 處理單元10之間收授基板，而可自由地存取於各階之SC用搬送機構17。
處理列13之內係從分配器2 側依序並列而配設有該等第1處理單元9 、第2 處理單元10、第3 處理單元11、第4 處理單元12。各處理列13係相互獨立，可分別獨自地作動，亦可個別地給予電源。上述各實施例中，雖係以2 系統之處理列13將相同基板處理並聯來加以進行，但亦可是以一邊的處理列13對基板W 進行第1 處理，以其他處理列13對基板W 進行與第1 處理不同之第2 處理。
⑵原證4主要圖式如附圖二所示。
㈢原證5 （即舉發證據3 ）為2004年8 月26日公開之日本第00
00-000000 號「成膜裝置」專利案（專利說明書及中文節譯，見本院卷一第214-224 頁、卷二第902頁）：
⑴原證5 揭露一種成膜裝置，係從基板搬送路徑分歧而設有
複數處理室，故在將基板朝一邊處理室搬送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更，縱使係複數連續地配置處理工序間之搬送路徑及處理室之大型系統，仍可不停止整體之處理來實施維護等。又，藉由從搬送路徑分歧而設置複數處理室，可不設置複數大型系統，縱使一個系統仍能藉由併行處理來達到生產性的擴大。成膜裝置10係從搬送路徑11將玻璃基板1 之搬送方向分為朝任一處理室12a ,12b，故係於搬送路徑11內設有分配裝置13。分配裝置13係由可旋轉之臂型機器人R 所構成，會從前方之處理室或搬送路徑接收所送來之玻璃基板1 ，基於控制裝置（未圖示）之指示進行將其玻璃基板1 之搬送方向分開而送出至處理室12a ,12b之任一者的處理。
⑵原證5主要圖式如附圖三所示。
㈣原證6 （即舉發證據4）為1994年1 月14日公開之日本第6
-5689 號「半導體基板處理系統」專利案（專利說明書及中文節譯，見本院卷一第225-231 頁）：
⑴原證6 揭露一種半導體基板處理系統，圖1 係概略顯示本
實施例相關之半導體基板處理系統10構成之俯視圖。本實施例之阻劑處理系統10係具備有晶圓收納容器11,17 、洗淨處理裝置12、阻劑塗布裝置13、烘烤處理裝置14,16 、顯像處理裝置15、搬送裝置18、控制裝置19及操作部20。
如圖4 所示，關於複數處理工序（同圖中A 至C ）係藉由操作部20輸入進行處理之半導體晶圓的片數、所使用處理裝置之種類及其順序，再者，藉由輸入關於各處理裝置之各處理的處理條件，便可以一次的輸入作業來進行關於複數次處理工序之設定輸入，再者，可連續地進行該等處理工序。
⑵原證6主要圖式如附圖四所示。
㈤原證7 （即舉發證據5 ）為2005年4 月14日公開之日本第
0000 -000000號「基板處理裝置」專利案（專利說明書及中文節譯，見本院卷一第32-245頁）：原證7 揭露一種基板處理裝置，在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉（動作測試）。
其專利文獻1 中，會以修正基板處理裝置所設定之基板處理條件為目的，實際對基板進行塗布形成光阻、曝光處理及顯影處理來作為動作測試。然後，測定作為結果所得之阻劑圖案的形狀，並基於該測定結果來修正對剩下之基板的處理條件。
㈥原證8 為2005年8 月16日公開之我國第000000000 號「基板
處理裝置之控制方法及基板處理裝置」專利案（專利說明書見本院卷一第281-316 頁）：
⑴原證8 之發明目的在於在具有檢查部之塗布顯像處理裝置
中可縮短試運轉時所需的時間並降低成本且提高檢查部之運轉率。本發明中，在塗布顯像處理裝置之控制程式中，係設定成可獨立地執行處理流程與檢查流程，該處理流程係將基板從匣盒站搬送至處理站，且在處理站及曝光裝置中進行處理，然後使基板返回匣盒站，而前述檢查流程係將基板從匣盒站搬送至檢查站，然後使基板返回匣盒站。
在塗布顯像處理裝置之試運轉時，可執行檢查流程與處理流程，並可同時進行檢查站之檢查單元的評定作業與處理站之處理單元的調整作業。當檢查站空著時，可從外部將基板搬入匣盒站並進行檢查。
⑵原證8主要圖式如附圖五所示。
㈦原證16為2005年8 月16日公開之我國第000000000 號「基板
處理裝置之控制方法及基板處理裝置」專利案（專利說明書及中文節譯，見本院卷二第918-934 頁）：
⑴原證16揭露一種半導體晶圓處理機器之分配控制系統，含
有主控制模組和複數應用控制模組。各應用控制模組和主控制模組可獨立自主操作。主控制模組調整應用控制模組的操作，而應用控制模組管制由晶圓處理機器進行的許多子程序。
⑵原證16主要圖式如附圖六所示。
四、技術爭點分析：㈠系爭專利之「試運轉」用語的解釋：
⑴系爭專利之「試運轉」用語應解釋為「以試驗、檢查、驗
證或確認處理單元對基板處理的品質或處理單元運作是否正常為目的之運轉」。
⒈按發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請
專利範圍時，並得審酌說明書及圖式，專利法第58條第
4 項定有明文。關於申請專利權範圍之解釋，原則上應以系爭專利申請專利範圍中所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常總括的範圍，予以認定，蓋因申請專利範圍一經公告，即具有對外公示之功能及效果，為使公眾有一致之信賴，因此解釋申請專利範圍應以「客觀合理方式」解釋其文字的客觀意義，非探求申請人之主觀意思。解釋申請專利範圍既在探知申請人於申請當時記載於申請專利範圍之客觀意義，應以該發明所屬技術領域中具有通常知識者，就該文字於系爭專利申請時於相關技術領域中所被認知或瞭解之範圍予以解釋，除非申請人於說明書中賦予該文字特定之定義，否則應以該發明領域中之通常知識者通常習慣之意義作為申請專利範圍中之文字意義，並應以內部證據為優先適用，當內部證據無法清楚顯示其意義時，始參酌外部證據解釋之。
⒉系爭專利之「試運轉」用語的解釋，由系爭專利說明書
第17頁最末行至第18頁第3 行記載：「基板處理列Lu、Ld中之步驟，在以基板處理為目的之下，分別為通常運轉時之步驟。又，基板處理列Lu、Ld中之步驟，在以處理品質之確認和試驗、或處理單元之試運轉等為目的之下，則為試運轉時之步驟」，系爭專利說明書第18頁12至14行記載「在圖2 所示之情況下，基板處理列Lu、Ld中各步驟在以試運轉為目的之下，亦為試運轉時之步驟，在以基板處理為目的之下，亦為通常時之步驟」，系爭專利請求項2 記載「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」，可知系爭專利之相同之各步驟，係因不同之試運轉或基板處理目的，而被分別認定為試運轉或通常運轉之步驟，簡言之，系爭專利之「使處理單元試驗、驗證、確認對基板所進行處理的品質」並非「試運轉」之步驟，而係為「試運轉」之目的；系爭專利之「試運轉」係以試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質為目的之運轉，其中試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質，即相當於試驗、檢查、驗證或確認處理單元運作是否正常。因此，系爭專利之「試運轉」用語之文字意義，依其說明書及申請專利範圍之內部證據即能清楚顯示其意義，自然無須參酌外部證據。系爭專利之「試運轉」用語應解釋為「以試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質或處理單元運作是否正常為目的之運轉」。
⒊參加人訴訟代理人於107 年6 月13日準備程序所提「系
爭專利—試運轉」簡報第16頁主張系爭專利之試運轉定義為「以『通常運轉』以外的『其他基板處理列』，『改變處理基板的步驟』，處理單元以用來試驗、檢查或驗證對該基板所進行的處理的品質為目的地處理基板，藉此抑制裝置之稼動率降低』」云云。惟查前述參加人主張之內容，係為系爭專利說明書及申請專利範圍用以說明系爭專利之「基板處理裝置」之整體技術內容、發明目的及界定其專利權範圍，而非用以解釋系爭專利之「試運轉」用語之文字意義，參加人之主張尚不可採。⒋參加人107 年12月27日行政訴訟參加人答辯（七）狀雖
主張，參加人於107 年9 月13日向被告申請更正系爭專利請求項2 、3 、5 、6 、8 、10、13、14、16至18，經被告核准並於107 年11月1 日公告，故請求本院依「更正」公告內容，重新解釋「試運轉」云云。
①按「請求項及說明書中之相同用語，應為一致或相同
含意之解釋」、「同一專利案之不同請求項中之相同用語，應為相同含意之解釋」（參專利侵權判斷要點第一編第二章第2.6.1.1 ⑴、⑶點），換言之，系爭專利之「試運轉」一詞，於系爭專利說明書及各請求項中，應為一致之解釋，並不會因為各請求項所界定之技術特徵不同，而有不同之解釋。
②本院就系爭專利之「試運轉」用語，經審酌系爭專利
申請專利範圍及說明書所載內容，認為應解釋為「以試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質或處理單元運作是否正常為目的之運轉」。
③查，系爭專利107 年9 月13日之更正內容（參證12專
利更正申請書之附件）係將原公告系爭專利請求項2、3 、5 、6 、8 、10之「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」更正為「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列『藉由改變處理基板的步驟』以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」。並將系爭專利請求項13、14、16至18之附屬項記載形式更正為獨立項記載形式，並將其原公告系爭專利請求項13、14、16至18實質記載之「上述控制部使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」更正為「上述控制部『藉由改變基板的搬送路徑』使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」。簡言之，系爭專利
107 年9 月13日之更正內容，係就系爭專利請求項2、3 、5 、6 、8 、10、13、14、16至18分別進一步界定「控制部……藉由改變處理基板的步驟」、「控制部藉由改變基板的搬送路徑」之技術特徵，該更正內容僅係就「控制部」為進一步之界定，而不會影響或改變前述系爭專利「試運轉」於系爭專利說明書及各該請求項中，所為之一致解釋，是以本院認為並無重新解釋系爭專利之「試運轉」用語之必要。
㈡原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之
組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合是否足以證明系爭專利請求項2 至4 、6 至11不具進步性？⑴原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16
之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，原證4至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項
2 不具進步性：⒈原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
①系爭專利請求項2 之內容，已如前述。
②系爭專利請求項2 與原證4 比較，原證4 圖1 至3 揭
露一基板處理裝置，具有2 個處理列13，可大致呈水平XY方向搬送基板並同時對基板進行BARC、SC、SD、
HP、CP等處理及搬送機構17、20及22，且2 個處理列13具有相同之複數個處理單元，該複數個處理單元的種類（如BARC、SC、SD、HP、CP等處理單元種類），在2 個處理列13間為相同，原證4 圖1 至3 已揭露系爭專利之「基板處理裝置」、「複數個基板處理列」、「複數個處理單元」、「主搬送機構」、「複數個處理單元的種類，在基板處理列之間為相同」等技術特徵。又原證4 第〔0134〕段揭露「一邊之處理列13對基板W 進行第1 處理，以其他處理列13對基板W 進行與第1 處理不同之第2 處理」。原證4 第〔0134〕段實質揭露一「控制部」以控制複數個處理列13以同時進行第1 處理及第2 處理。原證4 圖1 至3 、第〔0040〕段揭露2 個處理列13係併設於y 方向，各個處理列13係將其「處理單元以上、下不同階層方式設置」，簡單修飾原證4 之處理單元排列方式為不同處理列之處理單元，分別設置於上、下不同階層（如一處理列之處理單元設置在上階層、另一處理列之處理單元設置在下階層），即能輕易完成系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」技術特徵。
惟查，原證4 第〔0134〕段僅有揭露對基板W 進行第
1 處理、第2 處理，原證4 並未揭露進行該第1 處理、第2 處理之目的，更遑論揭露進行該第1 處理、第
2 處理係為以試驗、檢查、驗證或確認處理單元對基板處理的品質或處理單元運作是否正常為目的之運轉，是以原證4 並未提及任何「試運轉」之技術內容，故未揭露系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。
③系爭專利請求項2 與原證8 比較，原證8 揭露一基板
處理裝置及其控制方法，原證8 摘要揭露一具有檢查部之塗布顯像處理裝置於試運轉時，可執行檢查流程與處理流程，並可同時進行檢查站之檢查單元的評定作業與處理站之處理單元的調整作業，原證8 第8 頁第1 至8 行揭露「由於獨立地執行基板處理流程與檢查流程，因此，在基板處理裝置之試運轉時，可執行基板檢查流程，並可將搬入「搬入搬出部」之例如評定用基板直接搬送至檢查部進行檢查」、「可同時進行基板之檢查流程及處理流程」，惟原證8 並未揭露複數個基板處理列，故未揭露系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」及「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。
④原告106 年9 月25日行政訴訟準備（一）狀第5 至6
、8 至9 頁主張：原證8 已揭露系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵云云。惟查，由前述原證8 揭露之內容可知，原證8 係揭露一具有檢查部之塗布顯像處理裝置於試運轉時，可執行檢查流程與處理流程，故可同時進行檢查站之檢查單元的評定作業與處理站之處理單元的調整作業，換言之，原證8 揭露在進行試運轉時，同時進行之基板處理流程與檢查流程均屬「試運轉時之步驟」，原證8 未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，故原證8 未揭露系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，原告之主張，尚不可採。
⑤系爭專利請求項2 與原證16比較，原證16摘要揭露一
種半導體晶圓處理機器之分配控制系統、原證16說明書第1 欄第34至41行揭露處理系統的安裝、測試、故障排除、維護等成本，亦直接關係到控制系統的複雜性，原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統另一優點是，各子系統可單獨測試和診斷，而不需整個處理系統進行動作，惟原證16並未揭露複數個基板處理列，故未揭露系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」及「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證16係揭露分配控制系統之各子系統可單獨測試和診斷，而不需整個處理系統進行動作，惟未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議。
⑥原告107 年4 月27日行政訴訟準備（三）狀第6 至7
頁主張：原證16所揭露之用於半導體晶圓處理之控制系統，不僅能夠針對個別基板處理進行調整和控制不同處理方略的應用，更可以平行方式控制和調整各種副系統使各子系統可「同時進行」相同或不同之通常或特殊處理，其中各子系統同時更可單獨進行測試、診斷，以減少停工時間並增加晶圓產量。此外，原證16所揭露對半導體處理系統之「單獨測試和診斷」、「處理系統的安裝、試驗、故障排除、維護」等，即相當於系爭專利請求項「用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉」之處理步驟。因此，原證16已明確揭露及教示系爭專利請求項
2 之技術特徵5 「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」之技術內容云云。惟查，原證16說明書第1 欄第34至41行揭露處理系統的安裝、測試（testing ）、故障排除、維護等成本，亦直接關係到控制系統的複雜性，原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統另一優點是，各子系統可單獨測試（tested）和診斷，原證16之測試和診斷雖相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，惟原證16係揭露各子系統可單獨測試（tested）和診斷，而不需整個處理系統進行動作，原證16未揭露或教示系爭專利請求項2 之技術特徵5 「上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」之技術內容，原告之主張尚不可採。
⑦綜上，原證4 第〔0134〕段及圖1 至3 已揭露系爭專
利之「基板處理裝置」、「複數個基板處理列」、「複數個處理單元」、「主搬送機構」、「複數個處理單元的種類，在基板處理列之間為相同」、「控制部」等技術特徵。可簡單修飾原證4 圖1 至3 、第〔0040〕段揭露之處理列13之設置方向，而輕易完成系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」技術特徵。惟原證4 、8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證4 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項2 不具進步性。
⑵原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
⒈系爭專利請求項2 與原證5 比較，原證5 第〔0046〕揭
露可在一邊的處理室與另邊的處理室以不同的條件來併行實施成膜，能不停止生產而機動性且效率良好地進行新製程的條件試出（条件出し），原證5 第〔0015〕段揭露「在基板朝一邊處理室搬送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更」，是以原證5 揭露在進行新製程的條件試出時，一邊處理室進行通常的成膜工序以進行生產，另一邊處理室則會進行新製程的「條件試出」；簡言之，原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序及條件試出，原證5 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理室對基板處理品質為目的之處理程序，原證5 之「條件試出」即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒉被告107 年1 月4 日行政訴訟答辯書第4 頁第17至26行
主張：原證5 第〔0019〕、〔0029〕、〔0046〕段揭露一單一製程之成膜裝置，比對為系爭專利之可執行複數種類製程處理之複數個基板處理列並不恰當，原證5 未揭露系爭專利之「試運轉」云云。惟查原證5 第〔0015〕段揭露在基板朝一邊處理室搬送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更，原證5 第〔0046〕段在不同處理室併行進行的通常的成膜工序及條件試出；原證5 之條件試出即係對未達通常運轉之生產條件之處理室，進行基板之試驗性處理。雖原證5 之單一製程之成膜裝置在硬體結構上有別於系爭專利係為可執行複數種類製程處理之複數個基板處理列，然就通常運轉前所為之試驗性處理觀之，二者技術思想實質上並無差異，原證5 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理室對基板處理品質為目的之處理程序，是以原證
5 之「條件試出」即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，被告之主張，尚不可採。
⒊系爭專利請求項2 與原證6 比較，原證6 第〔0013〕段
揭露的「條件試出」為處理裝置對半導體晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，是以原證6 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理裝置對半導體晶圓處理品質為目的之試驗性處理，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，原證6 第〔0024〕段及圖1 揭露半導體基板處理系統10，其操作部20連接控制裝置19，具有晶圓收納容器11、17、洗淨處理裝置12、阻劑塗布裝置13，烘烤處理裝置14、16、顯像處理裝置
15、搬送裝置18，原證6 第〔0034〕段及圖4 揭露「操作部20輸入進行處理之導體晶圓之片數、所使用處理裝置之種類及順序，再者藉由輸入關於各處理裝置之各處理條件，便可以一次的輸入作業來進行關於複數次處理工序的設定輸入，再者，可連續地進行該等處理工序」，由前述原證6 之內容可知，操作部20可輸入設定所使用處理裝置之種類及順序，使控制裝置19可改變基板處理列之處理基板的步驟，即相當於系爭專利之「控制部，針對基板處理列而改變處理基板的步驟」技術特徵。⒋系爭專利請求項2 與原證7 比較，原證7 第〔0002〕段
揭露「在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉（動作測試），例如下述專利文獻1 中，會以修正基板處理裝置所設定之基板處理條件為目的，實際對基板進行塗布形成光阻，曝光處理及顯影處理來作為動作測試」，原證
7 之「試驗性運轉」具有以試驗、檢查、驗證或確認基板處理裝置對基板處理的品質為目的之運轉，因此原證
7 第〔0002〕段揭露之「試驗性運轉」，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒌綜上，原證4 第〔0134〕段及圖1 至3 已揭露系爭專利
之「基板處理裝置」、「複數個基板處理列」、「複數個處理單元」、「主搬送機構」、「複數個處理單元的種類，在基板處理列之間為相同」、「控制部」等技術特徵。系爭專利請求項2 與原證4 之差異為，原證4 揭露之基板處理裝置中係具有2 個水平方式併列設置之處理列13，原證4 的2 個處理列13並非以一處理列13在上，另一處理列13在下之上下方向排列設置，原證4 未揭露系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」，原證4 雖實質揭露「控制部」，然原證4 並未揭露該控制部可以針對2 個處理列13改變處理基板的步驟，原證4 未揭露系爭專利之「控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」、「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。惟系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者由原證4 圖1 、3 （a ）揭露之基板處理裝置中具有2 個處理列13，各個處理列13之「處理單元以上、下不同階層方式設置」，簡單修飾原證4 之處理單元排列方式為不同處理列之處理單元，分別設置於上、下不同階層（如一處理列之處理單元設置在上階層、另一處理列之處理單元設置在下階層），並無困難，即能輕易完成系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」技術特徵，並依據前述原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段揭露相當於系爭專利之「試運轉」、「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」之內容，原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」），簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理，使原證4 之第
1 處理及第2 處理，其中之一者進行「通常運轉」而另一者可改變處理步驟以進行「試運轉」，即能輕易完成系爭專利之「控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」、「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。
⒍原證4 至7 與系爭專利均為基板處理裝置之相同技術領
域；原證4 摘要揭露以2 個併列處理列以解決一處理列故障之問題，原證5 第〔0015〕段揭露在基板朝一邊處理室般送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更，原證6 第〔0013〕段揭露的條件試出為將半導晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，原證
7 第〔0002〕段揭露在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉（動作測試），原證4 至7 與系爭專利均為解決基板處理裝置維修或條件變更、試運轉時之問題，具有所欲解決問題之共通性；原證4 至7 與系爭專利均係基板處理裝置對基板進行成膜、曝光、顯像之步驟，具有功能或作用上的共通性；原證4 至7 具有明顯之結合動機。系爭專利請求項2 為所屬技術領域中具有通常知識者依原證4 至6 之內容所能輕易完成，是以原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性。
⒎參加人於108 年1 月23日準備程序主張：如何將原證5
原證6 控制器、原證16控制器，結合到原證4 控制器，這些原告都未說明。系爭專利的發明相對先前技術，至少包含上下排列的基板處理列，以及同時在不同基板處理列分別進行通常運轉及試運轉，藉由這些技術特徵可以解決技術問題、效果都是從這些引證無法預期，系爭專利應具備進步性云云。惟查，由前述系爭專利請求項
2 與原證4 比較之理由可知，原證4 已揭露系爭專利請求項2 所界定之大部分技術特徵，至於系爭專利請求項
2 與原證4 之差異，關於原證4 之「複數個基板處理列」係以水平方式併列設置，而系爭專利請求項2 則界定，「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」部分，由原證4 圖1 、3 （a ）揭露之基板處理裝置中具有
2 個處理列13，各個處理列13之「處理單元以上、下不同階層方式設置」，簡單修飾原證4 之處理單元排列方式為不同處理列之處理單元，分別設置於上、下不同階層（如一處理列之處理單元設置在上階層、另一處理列之處理單元設置在下階層），並無困難，即能輕易完成系爭專利請求項2 之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」技術特徵。關於系爭專利請求項2 之控制部以「通常運轉」、「試運轉」之步驟處理基板部分，查系爭專利請求項2 與原證4 之控制部，不論其處理單元之運轉目的為何，就「將基板依序搬送到各該處理單元進行處理」之控制功能而言，並無不同。原證5 為具有2 個進行單一成膜處理的處理室的「真空成膜裝置」，原證6 至8 僅為單一產線的基板處理裝置，原證16僅為CMP （化學機械研磨）的單一產線，換言之，原證5、原證6 至8 、原證16之控制部與原證4 之可以控制二個處理列之控制部在功能上，自然有所差異，但就「將基板依序搬送到各該處理單元進行處理」之控制功能而言，其本質上並無不同。如由原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」）可知，原證5 已揭露控制部可控制搬送機構（原證5 圖5 之旋臂型機器人R ），將不同基板分別搬送到不同處理室以併行通常運轉目的之運轉及試運轉目的之運轉的技術內容。由原證6 第〔0013〕段揭露的「條件試出」即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，原證6 第〔0034〕段及圖4 揭露「操作部20輸入進行處理之導體晶圓之片數、所使用處理裝置之種類及順序，再者藉由輸入關於各處理裝置之各處理條件，便可以一次的輸入作業來進行關於複數次處理工序的設定輸入，再者，可連續地進行該等處理工序」可知，原證6 已揭露控制部可控制搬送機（原證6 圖1 之搬送裝置18），經由設定而改變搬送基板到各處理裝置的種類及搬送順序以進行試運轉目的之運轉的技術內容。原證16摘要揭露一種半導體晶圓處理機器之分配控制系統，原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統各子系統可單獨測試（tested）和診斷（即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵）可知，原證16已揭露控制部可控制子系統進行試運轉目的之運轉的技術內容。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，依據前述原證5 、6 、16揭露之控制部技術內容，簡單修飾原證4 之控制部控制搬送機構17、20及22搬送基板W 到各處理單元進行之第
1 、2 處理，使得該各處理單元的種類及搬送基板W 到該各處理單元的搬送順序係可經由設定而改變（即相當於控制部可改變處理基板之步驟），簡單修飾原證4 之控制部控制搬送機構17、20及22搬送基板W 所進行之第
1 、2 處理之「處理目的」，使得其中一處理係為通常運轉目的之運轉，而另一處理則為試運轉目的之運轉，其本質上並無不相容之情事，且其技術上亦無困難，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述，參加人之主張尚不可採。
⒏參加人107 年7 月31日行政訴訟參加人答辯（五）狀9
頁第7 至12行及第15頁第4 至8 行、第22頁第3 至9 頁主張：從「單一處理列」要實現具備「複數處理列」基板處理裝置的同時，還必須防止「佔地面積」增大的問題、抑制基板處理裝置的高度，以及搬送裝置在空間中移動時所產生「顆粒（particle，灰塵）污染基板」的問題，具有相當的「技術障礙」，系爭專利「複數個基板處理列」的基板處理裝置，是通過「在上部搬送空間和下部搬送空間之間藉由氣流吹出與排出單元的特定結構，控制上下基板處理列搬送空間的氣流，以使各搬送空間維持在清淨狀態」的方式加以實現，原告援引原證
5 至原證8 及原證16該「單一流程」或「單一產線」的技術內容，考量到系爭專利提出當時的時空背景及技術難度，究竟如何克服前述從「單一處理列」實現具備「複數處理列」基板處理裝置的「技術障礙」？就此，原告必須承擔「舉證責任」，提供證據充分支持其主張云云。惟查，原證4 至8 、16係為系爭專利之相關先前技術，雖原證5 至8 、16並未揭露「複數處理列」之技術內容，然原證4 圖1 、3 （a ）已揭露「基板處理裝置中具有2 個處理列13，各個處理列13係將其處理單元以上下方向階層設置」等內容。因此，由「單一處理列」實現「複數處理列」，已為系爭專利所屬技術領域之先前技術，參加人無視於系爭專利之「複數處理列」已為原證4 所明確揭露之事實，而主張「單一處理列」要實現具備「複數處理列」，具有相當的「技術障礙」云云，尚非可採。且參加人主張之「在上部搬送空間和下部搬送空間之間藉由氣流吹出與排出單元的特定結構，控制上下基板處理列搬送空間的氣流，以使各搬送空間維持在清淨狀態」之技術內容，並未界定於系爭專利請求項中，自非據以判斷系爭專利是否具有進步性之基礎，參加人主張，不足採信。
⒐被告107 年1 月4 日行政訴訟答辯書第5 頁第7 至16行
主張：原證5 所記載之控制裝置與原證4 不相容，原證
6 的半導體基板處理系統10僅包含單一產線，非如系爭專利之複數條處理列，原證4 至6 皆未揭露系爭專利之「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」云云。惟查，原證4 至6 雖未單獨揭露系爭專利之「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」，然原證4 至6 均為基板處理裝置之發明，雖原證5 之單一製程之成膜裝置在硬體結構上有別於原證4 、6 之可執行複數種類製程處理之基板處理列，然就通常運轉前所為之試驗處理、改變調整處理條件觀之，原證5 第〔0046〕段所揭露之條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」）與原證4 、6 進行基板處理並無不相容之情形，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證5 第〔0046〕段揭露不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」）併同前述原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段揭露相當於系爭專利之「試運轉」、「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」之內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段揭露處理列之第1 處理及第2 處理，使原證4 之第1 處理及第2 處理，其中之一者進行「通常運轉」而另一者可改變處理步驟以進行「試運轉」，即可輕易完成系爭專利之「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，被告之主張尚不可採。
⒑參加人107 年4 月30日行政訴訟參加人答辯（二）狀第
2 至5 頁主張：「原證5 」屬於「半導體三段製程」中的「薄膜成膜製程」，而「原證4 」屬於「半導體三段製程」中的「微影製程」，二者分屬不同的「半導體製程」，「原證5 」的處理室12a 、12b 的處理乃為規定真空度下才能進行成膜的蒸鍍處理，「原證4 」的塗佈顯影裝置的塗佈與顯影處理均涉及處理液的處理，對基板的處理環境全然不同，二者根本無法結合云云。惟查，原證4 與原證5 均屬半導體製程，具有技術領域之關連性，原證4 之利用塗佈顯影裝置搭配曝光機進行光阻圖案化製程與原證5 之利用真空腔室進行沈積或蒸鍍薄膜雖有不同，但其同屬半導體三段製程，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」），簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第
2 處理，使原證4 之第1 處理及第2 處理，其中之一者進行「通常運轉」而另一者進行「試運轉」，並無困難，是以原證4 與原證5 當然可以結合，參加人之主張，尚不可採。
⒒參加人107 年4 月30日行政訴訟答辯（二）狀第3 至4頁、107 年7 月4 日行政訴訟陳報狀第1 至2 頁主張：
「原證5 」關於「条件出し」一詞，實應譯為「條件引出」為宜，系爭專利的「試運轉」與「原證5 」的「條件引出」（条件出し），二者在技術含義上全然不同云云。惟經審酌原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序及新製程「条件出し」，原證
6 第〔0013〕段揭露將1 片片或各2 至3 片之半導體晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理（以下將此處理稱作「条件出し」），由前述原證5 、6 揭露之內容可知，「条件出し」係可用於半導體晶圓欲進新製程時，對半導體晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，以找出適當的處理條件，以達到新製程要求之品質之處理步驟，故為忠實表現「条件出し」在原證
5 、6 中之真實意義，原證5 第〔0046〕段及原證6 第〔0013〕段記載之「條件出し」應譯為「條件試出」，始可真實表達其意義，方屬合理妥適。雖原證5 之單一製程之成膜裝置在硬體結構上有別於系爭專利係為可執行複數種類製程處理之複數個基板處理列，然就通常運轉前所為之試驗性處理而言，原證5 之「條件試出」與系爭專利之「試運轉」並無實質差異，亦即，原證5 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理品質為目的之新製程試驗處理程序，原證5 之「條件試出」即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，參加人之主張，尚不可採。
⒓參加人107 年4 月30日行政訴訟參加人答辯（二）狀第
5 至6 頁主張：「原證4 」處理列13是包含「複數種類的處理單元」，而「原證5 」的處理室12a 、12b 則為「單一的處理單元」，二者在處理單元的核心構成上是不同的，並以「假想例」說明系爭專利所屬技術領域的通常知識者難以組合「原證4 」與「原證5 」云云。惟查，原證4 與原證5 均屬半導體製程，具有技術領域之關連性，原證4 處理列13是包含「複數種類的處理單元」，而原證5 的處理室12a 、12b 則為「單一的處理單元」，二者雖有不同，然系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」）之技術思想，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理，使原證4 之第1 處理及第2 處理，其中之一者進行「通常運轉」而另一者進行「試運轉」，即能輕易完成系爭專利之「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」之技術特徵，是以原證4 與原證5 當然可以結合而能完成前述系爭專利之技術特徵，且參加人所舉原證4 與原證5 結合之「假想例」之內容與前述系爭專利之技術特徵不同，參加人以其所舉之「假想例」，據以主張原證4 與原證5 難以結合，尚不可採。⒔參加人107 年4 月30日行政訴訟參加人答辯（二）狀第
11至12頁主張：「原證4 」與「原證5 」，即使再結合「原證6 」或「原證7 」，均無法輕易得到系爭專利請求項2 包含「技術特徵2 」（控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟）、「技術特徵3 」（於上下方向排列設置上述複數個基板處理列）、「技術特徵
5 」（上述控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板）作為一整體的技術手段云云。惟查原證4 圖1 至3 已揭露系爭專利之「基板處理裝置」、「複數個基板處理列」、「複數個處理單元」、「主搬送機構」、「複數個處理單元的種類，在基板處理列之間為相同」等技術特徵。簡單修飾原證4 之處理單元排列方式為不同處理列之處理單元，分別設置於上、下不同階層（如一處理列之處理單元設置在上階層、另一處理列之處理單元設置在下階層），即輕易完成系爭專利之「於上下方向排列設置上述複數個基板處理列」（技術特徵3 ）。原證7 第〔0002〕段揭露系爭專利之「試運轉」技術特徵，而系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據前述原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段揭露相當於系爭專利之「試運轉」、「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」之內容及原證5 第〔0046〕段揭露在不同處理室併行進行的通常的成膜工序（相當於系爭專利之「通常運轉」）及條件試出（相當於系爭專利之「試運轉」），簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理，使原證4 之第1 處理及第2 處理，其中之一者進行「通常運轉」而另一者進行「試運轉」，即能輕易完成系爭專利之「控制部，針對每個基板處理列而改變處理基板的步驟」（技術特徵2 ）、「在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」（技術特徵5 ）技術特徵。是以參加人前述主張之系爭專利請求項2 所包含之「技術特徵2 」、「技術特徵3 」、「技術特徵5 」為所屬技術領域中具有通常知識者依原證4 至6 之內容所能輕易完成，參加人之主張尚不可採。
⒕參加人輔佐人於107 年6 月13日準備程序庭呈開庭簡報
第7 至10頁，及參加人訴訟代理人主張：「專利權人是用其自己的機台、自身的瞭解簡易說明Dual Track Sys
tem 到底會達到什麼技術功效特徵，有效減少佔地面積，此部分如系爭專利說明書第6 頁第2 至4 行提到的複數基板處理列重疊的配置於上下方向，可以防止增大佔地」，系爭專利應具有進步性云云。惟查原證4 圖1 至
3 揭露一基板處理裝置，具有2 個處理列13，即相當前述參加人主張之「Dual Track System 」，原證4 第〔0040〕段揭露2 個處理列13係併設於y 方向，原證4 圖
3 （a ）揭露具有設置在上下（Z 軸）方向之2 個階層（原證4 第〔0041〕段揭露圖1 、3 之處理單元9 至12係由1 階部分與2 階部分所構成之2 階段結構）而用以處理基板的處理單元BARC、SC、SD等，是以原證4 揭露之設置在上下（Z 軸）方向之2 個階層，即具有相當於系爭專利之「處理列重疊的配置於上下方向，可以防止增大佔地」之功效，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述，前述參加人輔佐人、訴訟代理人之主張，尚不可採。⑶原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16
之組合不足以證明系爭專利請求項3 至4 不具進步性，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項3 至4 不具進步性：
⒈系爭專利請求項3 與請求項2 之相較，系爭專利請求項
3 係就請求項2 所界定之「一種基板處理裝置……試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，更進一步界定「其中，上述控制部可使各基板處理列中之步驟在各基板處理列間不同，且可使各基板處理列中之步驟在全部基板處理列間相同」技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至
7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證4 第〔0134〕段揭露之「一邊之處理列13對基板W進行與第1 處理，以其他處理列13對基板W 進行與第1處理不同之第2 處理」，簡單修飾原證4 之第1 處理與第2 處理可為不同或相同，即能輕易完成前述系爭專利請求項3 更進一步界定之技術特徵。是以原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。
⒉系爭專利請求項4 依附請求項3 ，並進一步界定「上述
控制部可使全部基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟」附屬技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項3 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域具有通常知識者依原證4 第〔0014〕段揭露「…對基板進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理的複數處理列」，即相當於前述系爭專利請求項4 之附屬技術特徵。故原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
⒊系爭專利請求項3 與原證4 、8 、16比較，同前述系爭
專利請求項2 與原證4 、8 、16之比較說明，原證4 、
8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證
4 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4 、8 之組合、原證
4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項3 不具進步性。系爭專利請求項4 依附請求項3 ，包含請求項3 之所有技術特徵，故原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項4 不具進步性。
⑷原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16
之組合不足以證明系爭專利請求項6 至7 不具進步性，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項6 至7 不具進步性：
⒈系爭專利請求項6 與請求項2 之相較，系爭專利請求項
6 係就請求項2 所界定之「一種基板處理裝置……試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，更進一步界定「其中，上述控制部可使部分基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之全部，並同時使其他基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之一部分」技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證6 第〔0034〕段揭露系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」及原證6 第〔0034〕段、圖4 揭露可進行全部處理步驟（A ）或部分處理步驟（B 、C ）技術內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理（參酌原證4 第〔0014〕段揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理）為第1 處理為阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之全部，第2 處理為形成阻劑膜、及用以對基板實施顯像的步驟之一部分，即能輕易完成前述系爭專利請求項6 更進一步界定之技術特徵。是以原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。
⒉系爭專利請求項7 依附請求項6 ，並進一步界定「其中
，上述其他基板處理列中之步驟為用以在基板形成阻劑膜的步驟、或用以對基板實施顯像的步驟之任一者」附屬技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項6 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證6 第〔0034〕段、圖4 揭露可對基板進行部分處理步驟（B 、
C ）技術內容，簡單修飾原證4 第〔0014〕段揭露「…對基板進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理」為對基板進行塗佈處理與熱處理（形成阻劑膜）及顯像處理之任一者，即能輕易完成前述系爭專利請求項7之附屬技術特徵。故原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。
⒊系爭專利請求項6 與原證4 、8 、16比較，同前述系爭
專利請求項2 與原證4 、8 、16之比較說明，原證4 、
8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證
4 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4 、8 之組合、原證
4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項6 不具進步性。系爭專利請求項7 依附請求項6 ，包含請求項6 之所有技術特徵，故原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項7 不具進步性。
⑸原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16
之組合不足以證明系爭專利請求項8 至9 不具進步性，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項8 至9 不具進步性；⒈系爭專利請求項8 與請求項2 之相較，系爭專利請求項
8 係就請求項2 所界定之「一種基板處理裝置……試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，更進一步界定「其中，上述控制部可使部分基板處理列進行由種類不同之複數處理所構成的步驟，並同時使其他基板處理列進行由單一處理所構成的步驟」技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證6 第〔0034〕段揭露系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」技術特徵及原證6 第〔0034〕段、圖4 揭露可進行全部處理步驟（
A ）或部分處理步驟（B 、C ）技術內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理（參酌原證4 第〔0014〕揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），使第1 （2 ）處理為複數處理，第2 （1 ）處理為單一處理，即能輕易完成前述系爭專利請求項8 更進一步界定之技術特徵。是以原證4 至6 之組合、原證4至7 之組合足以證明系爭專利請求項8 不具進步性。
⒉系爭專利請求項9 依附請求項8 ，並進一步界定「上述
由單一處理構成的步驟為由對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜材料塗佈處理、對基板供給顯像液的顯像處理、及對基板進行加熱或冷卻的熱處理中任一處理所構成的步驟」附屬技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項8 不具進步性，已如前述。查系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證
6 第〔0034〕段、圖4 揭露可進行部分處理步驟（B 、
C ）技術內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2處理（參酌原證4 第〔0014〕揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），使第1 、2 處理其中之一為塗佈處理、熱處理及顯像處理之一任一處理，即能輕易完成前述系爭專利請求項9 之附屬技術特徵。故原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項9 不具進步性。
⒊系爭專利請求項8 與原證4 、8 、16比較，同前述系爭
專利請求項2 與原證4 、8 、16之比較說明，原證4 、
8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證
4 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4 、8 之組合、原證
4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項8 不具進步性。系爭專利請求項9 依附請求項8 ，系包含請求項8 之所有技術特徵，故原證4 、8之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項9 不具進步性。
⑹原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16
之組合不足以證明系爭專利請求項10至11不具進步性，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項10至11不具進步性；⒈系爭專利請求項10與請求項2 之相較，系爭專利請求項
10係就請求項2 所界定之「一種基板處理裝置……試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，更進一步界定「其中，上述控制部可使部分基板處理列進行由種類不同之複數處理構成的第1 步驟，並同時使其他基板處理列進行由種類不同之複數處理構成且與第1 步驟不同的第2 步驟」技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述。查原證4 第〔0134〕段揭露之「一邊之處理列13對基板W進行與第1 處理，以其他處理列13對基板W 進行與第1處理不同之第2 處理」（參酌原證4 第〔0014〕段揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），即相當於前述系爭專利請求項10更進一步界定之技術特徵。是以原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項10不具進步性。
⒉系爭專利請求項11依附請求項10，並進一步界定「上述
第1 步驟及上述第2 步驟之至少一者，包含有對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜材料塗佈處理、對基板供給顯像液的顯像處理、及對基板進行加熱或冷卻的熱處理中之至少一者」附屬技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4至7 之組合足以證明系爭專利請求項10不具進步性，已如前述。查原證4 第〔0014〕段揭露「…對基板進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理的複數處理列」，即相當於前述系爭專利請求項11之附屬技術特徵。
故原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項11不具進步性。
⒊系爭專利請求項10與原證4 、8 、16比較，同前述系爭
專利請求項2 與原證4 、8 、16之比較說明，原證4 、
8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證
4 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4 、8 之組合、原證
4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項10不具進步性。系爭專利請求項11依附請求項10，包含請求項10之所有技術特徵，故原證4 、8 之組合、原證4 、16之組合、原證4 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項11不具進步性。
㈢原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、
6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合是否足以證明系爭專利請求項5 、13至14、16至20不具進步性？⑴原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4
、6 、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
⒈系爭專利請求項5 與請求項2 之相較，系爭專利請求項
5 係就請求項2 所界定之「一種基板處理裝置……試運轉時之步驟處理基板」技術特徵，更進一步界定「其中，上述基板處理裝置進一步具備有輸入部，其輸入用以對每個基板處理列設定基板搬送路徑之資訊；上述控制部係根據輸入至上述輸入部之資訊，改變各基板處理列的搬送路徑；輸入至上述輸入部之資訊係特定進行試運轉之處理單元的資訊；上述控制部係根據特定進行試運轉之處理單元的資訊，決定將基板僅搬送至所特定之處理單元的搬送路徑」技術特徵。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 不具進步性，已如前述。查原證6 第〔0024〕段及圖1 揭露半導體基板處理系統10，其操作部20連接控制裝置19，原證6第〔0034〕段揭露操作部20輸入的資訊包含「所使用處理裝置之種類及順序」，是以操作部20可輸入特定進行試運轉之處理單元之資訊，使控制裝置19據以改變基板處理列之處理基板的步驟及搬運路線，將基板僅搬送至特定之處理單元，原證6 之操作部20即相當於系爭專利之「輸入部」技術特徵，原證6 已揭露前述系爭專利請求項5 更進一步界定之技術特徵。是以原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
⒉系爭專利請求項5 與原證4 、6 、8 、16比較，同前述
系爭專利請求項2 與原證4 、6 、8 、16之比較說明，原證4 、6 、8 、16未揭露對不同基板分別以「通常運轉時之步驟」及「試運轉時之步驟」同時進行處理之相關技術內容或教示、建議，所屬技術領域中具有通常知識者依據原證4 、6 、8 、16等先前技術，無法藉由簡單的轉用、置換、修飾等手段而能輕易完成系爭專利之「控制部在部分基板處理列以通常運轉時之步驟處理基板，並同時在其他基板處理列藉由改變處理基板的步驟以用來使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質之試運轉時之步驟處理基板」技術特徵。原證4、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6、8 、16之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
⑵原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4
、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項13至14、16至20不具進步性。
⒈系爭專利請求項13為一種基板處理裝置，用以處理基板
，其包含以下元件：橫向排列的複數個處理區，具有設置在上下方向之每個階層而用以處理基板的處理單元、和設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構；可在該處理區之相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板，而在各階層中對基板進行一連串處理；及控制部，控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑；在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，其中，上述控制部可在各階層中分別對基板進行一連串處理之全部，或一連串處理之一部分。
⒉系爭專利請求項13與原證4 比較，原證4 圖1 至3 揭露
一基板處理裝置，具有橫向排列的複數個處理區9 至12，原證4 圖3 （a ）揭露具有設置在上下（Z 軸）方向之2 個階層（原證4 第〔0041〕段揭露圖1 、3 之處理單元9 至12係由1 階部分與2 階部分所構成之2 階段結構）而用以處理基板的處理單元BARC、SC、SD等，故原證4 圖1 至3 揭露系爭專利之「複數個處理區」、「上下方向之階層」、「處理單元」技術特徵，原證4 圖2至3 揭露有各階層共用之搬送機構17、20、22，其當然可用於對各階層處理單元搬送基板，即相當於系爭專利之「設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構」、「相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板」技術特徵。原證4 第〔0134〕段揭露「一邊之處理列13對基板W 進行與第1 處理，以其他處理列13對基板W 進行與第1 處理不同之第2 處理」即可推知原證4 第〔0134〕段實質揭露一「控制部」以控制複數個處理列13以同時進行第1 處理及第2 處理。⒊系爭專利請求項13與原證5 比較，原證5 第〔0046〕段
揭露可在一邊的處理室與另邊的處理室以不同的條件來併行實施成膜，能不停止生產而機動性且效率良好地進行新製程的條件試出，原證5 第〔0015〕段揭露「在基板朝一邊處理室搬送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更」，原證5 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理室對基板處理品質為目的之處理程序，原證5 之「條件試出」即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒋系爭專利請求項13與原證6 比較，原證6 第〔0013〕段
揭露的「條件試出」為處理裝置對半導體晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，是以原證6 之「條件試出」係具有以試驗、檢查、驗證或確認處理裝置對半導體晶圓處理品質為目的之試驗性處理，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，原證6 第〔0024〕段及圖1 揭露半導體基板處理系統10，其操作部20連接控制裝置19，原證6 第〔0034〕段揭露操作部20輸入的資訊包含「所使用處理裝置之種類及順序」，是以操作部20可輸入特定進行試運轉之處理單元之資訊，使控制裝置19據以改變基板處理列之處理基板的步驟及搬運路線，將基板僅搬送至特定之處理單元，是以原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段已揭露系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變基板搬送路徑」、「上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」技術特徵。
⒌系爭專利請求項13與原證7 比較，原證7 第〔0002〕段
揭露「在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉（動作測試），例如下述專利文獻1 中，會以修正基板處理裝置所設定之基板處理條件為目的，實際對基板進行塗布形成光阻，曝光處理及顯影處理來作為動作測試」，原證
7 之「試驗性運轉」具有以試驗、檢查、驗證或確認基板處理裝置對基板處理的品質為目的之運轉，因此原證
7 第〔0002〕段揭露之「試驗性運轉」，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒍系爭專利請求項13與原證8 比較，原證8 第8 頁第1 至
8 行揭露「由於獨立地執行基板處理流程與檢查流程，因此，在基板處理裝置之試運轉時，可執行基板檢查流程，並可將搬入搬入搬出部之例如評定用基板直接搬送至檢查部進行檢查」、「可同時進行基板之檢查流程及處理流程」，原證8 第8 頁第1 至8 行已揭露系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒎系爭專利請求項13與原證16比較，原證16摘要揭露一種
半導體晶圓處理機器之分配控制系統、原證16說明書第
1 欄第34至41行揭露處理系統的安裝、測試、故障排除、維護等成本，亦直接關係到控制系統的複雜性，原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統另一優點是，各子系統可單獨測試和診斷，而不需整個處理系統進行動作，原證16揭露之測試和診斷之運作，係具有試驗、檢查、驗證或確認子系統運作是否正常為目的，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵。
⒏綜上，原證4 第〔0134〕段及圖1 至3 揭露系爭專利之
「複數個處理區」、「上下方向之階層」、「處理單元」、「控制部」等技術特徵，原證4 圖2 至3 揭露有各階層共用之搬送機構17、20、22，即相當於系爭專利之「設置在各階層而用以對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構」、「相同階層中相鄰接的主搬送機構彼此間交接基板」技術特徵。系爭專利請求項13與原證4 之差異為，原證4 未揭露系爭專利之「控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑」、「在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元，其中，上述控制部可在各階層中分別對基板進行一連串處理之全部，或一連串處理之一部分」技術特徵。惟系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者，可依前述原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段所揭露相當於系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變基板搬送路徑」、「上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」等內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」以控制各處理列，即能輕易完成系爭專利之「控制各主搬送機構，針對每個階層而改變基板相對於各階層處理單元的搬送路徑」、「在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部藉由改變基板的搬送路徑使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」技術特徵。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證6 第〔0034〕段揭露系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變處理基板的步驟」技術特徵及原證6 第〔0034〕段、圖4揭露可進行全部處理步驟（A ）或部分處理步驟（B 、
C ）技術內容，簡單修飾原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2處理（參酌原證4 第〔0014〕段揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），使第1 （2 ）處理為一連串處理之全部，第2 （1 ）處理為一連串處理之一部分，即能輕易完成系爭專利之「控制部可在各階層中分別對基板進行一連串處理之全部，或一連串處理之一部分」技術特徵。是以系爭專利請求項13為所屬技術領域中具有通常知識者依原證4 、6 之先前技術所能輕易完成。
⒐原證4 至8 、16與系爭專利均為基板處理裝置之相同技
術領域；原證4 摘要揭露以2 個併列處理列以解決一處理列故障之問題，原證5 第〔0015〕段揭露在基板朝一邊處理室搬送處理期間，可進行另邊處理室相關之維修或條件變更，原證6 第〔0013〕段揭露的條件試出為將半導晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，原證7 第〔0002〕段揭露在對基板進行既定處理之基板處理裝置中，會在實際運作前進行用以確認其動作之試驗性運轉（動作測試），原證8 第8 頁第1 至8 行揭露基板處理裝置之試運轉時，可執行基板檢查流程，原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統之各子系統可單獨測試和診斷，而不需整個處理系統進行動作，原證4 至8 、16與系爭專利均為解決基板處理裝置維修或條件變更、試運轉時之問題，具有所欲解決問題之共通性；原證4 至8 、16與系爭專利均係基板處理裝置對基板進行成膜、曝光、顯像、研磨之步驟，具有功能或作用上的共通性；原證4 至8 、16具有明顯之結合動機。系爭專利請求項13為所屬技術領域中具有通常知識者依原證4 、6 之先前技術所能輕易完成，已如前述。是以原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4至7 之組合足以證明系爭專利請求項13不具進步性。
⒑被告107 年1 月4 日行政訴訟答辯書第15頁理由（4 ）
主張：原證6 的半導體基板處理系統10僅包含單一產線，非如系爭專利的複數處理列，雖原證6 可在單一產線（單一階層）執行試運轉，但是無法說明原證6 的控制部可在複數階層的情況下，完成系爭專利之「在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」（技術特徵18）云云。惟查原證6 的半導體基板處理系統在單一產線執行試運轉，原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段揭露系爭專利之「控制部，對基板處理列而改變基板搬送路徑」、「在進行試運轉之處理單元，上述控制部使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」已如前述。原證4 第〔0134〕段實質揭露「控制部」控制各處理列以進行之第
1 處理及第2 處理（二個獨立的產線），原證4 實質揭露「控制部」可控制二個獨立的產線。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據前述原證6 第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段揭露的單一產線執行試運轉技術，簡單修飾前述原證4 第〔0134〕段揭露之二個獨立產線之任一產線以進行試運轉技術，並無困難，即可輕易完成系爭專利之「在進行試運轉之處理單元的階層中，上述控制部使基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」（技術特徵18），被告之主張尚不可採。
⒒系爭專利請求項14與請求項13之相較，系爭專利請求項
14係就請求項13所界定之「一種基板處理裝置……基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」技術特徵，更進一步界定「其中，試運轉時之步驟係為了使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質而進行」技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證
4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如前述。查原證5 第〔0046〕揭露之「條件試出」、原證6 第〔0013〕揭露之「條件試出」、原證7 第〔0002〕段揭露之「試驗性運轉」、原證8 第8 頁第1 至
8 行之「試運轉」及原證16說明書第2 欄第27至29行揭露分配控制系統之各子系統可單獨測試和診斷，均相當於前述系爭專利請求項14更進一步界定之技術特徵。是以原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4至7 之組合足以證明系爭專利請求項14不具進步性。
⒓系爭專利請求項16與請求項13之相較，系爭專利請求項
16係就請求項13所界定之「一種基板處理裝置……基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」技術特徵，更進一步界定「具備有輸入用以針對每個階層設定基板搬送路徑之資訊的輸入部，上述控制部根據輸入至上述輸入部的資訊而改變各階層之搬送路徑，其中，輸入至上述輸入部的資訊，為在各階層中對基板所進行的處理之種類與其次序的相關資訊」技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如前述。查原證6 第〔0024〕段及圖1 揭露半導體基板處理系統10，其操作部20連接控制裝置19，原證6 第〔0034〕段揭露操作部20輸入的資訊包含「所使用處理裝置之種類及順序」，是以操作部20可輸入特定進行試運轉之處理單元之資訊，使控制裝置19據以改變基板處理列之處理基板的步驟及搬運路線，將基板僅搬送至特定之處理單元，原證6 之操作部20即相當於系爭專利之「輸入部」技術特徵，原證6 已揭露前述系爭專利請求項16更進一步界定之技術特徵。是以原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項16不具進步性。
⒔系爭專利請求項17與請求項16之相較，系爭專利請求項
17係就請求項16所界定之「一種基板處理裝置……改變各階層之搬送路徑」技術特徵，更進一步界定「其中，輸入至上述輸入部的資訊，為用以特定進行試運轉之處理單元的資訊；上述控制部係根據特定進行試運轉之處理單元的資訊，決定將基板僅搬送至所特定之處理單元的搬送路徑，其中，試運轉時之步驟係為了使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質而進行」技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項16不具進步性，已如前述。查原證6 第〔0013〕段揭露的條件試出為將半導晶圓一邊改變處理條件，一邊試驗性的加以處理，即相當於系爭專利之「試運轉」技術特徵，原證6第〔0024〕段及圖1 揭露半導體基板處理系統10，其操作部20連接控制裝置19，原證6 第〔0034〕段揭露操作部20輸入的資訊包含「所使用處理裝置之種類及順序」，是以操作部20可輸入特定進行試運轉之處理單元之資訊，使控制裝置19據以改變基板處理列之處理基板的步驟及搬運路線，將基板僅搬送至特定之處理單元，原證6第〔0013〕、〔0024〕、〔0034〕段已揭露前述系爭專利請求項17更進一步界定之技術特徵。是以原證4 、6、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⒕系爭專利請求項18與請求項13之相較，系爭專利請求項
18係就請求項13所界定之「一種基板處理裝置……基板僅搬送至進行該試運轉之處理單元」技術特徵，更進一步界定「其中，上述處理區包含有塗佈處理區與顯像處理區，上述塗佈處理區具備有對基板塗佈處理液的塗佈處理單元作為上述處理單元，上述顯像處理區具備有對基板供給顯像液的顯像處理單元作為上述處理單元」技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項13不具進步性，已如前述。查原證4 第〔0041〕、〔0044〕段揭露防止反射膜塗佈BARC單元14、旋轉塗佈SC單元15、旋轉顯像SD單元16即相當於前述系爭專利請求項18更進一步界定之技術特徵。是以原證4 、6 、8 之組合、原證4、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項18不具進步性。
⒖系爭專利請求項19依附請求項18，並進一步界定「其中
，上述控制部可對在上述塗佈處理區之全部階層，將所搬入的基板於在上述塗佈處理單元進行處理後送出至該塗佈處理區之外部，且可對在上述塗佈處理區之部分階層，將所搬入的基板於在上述塗佈處理單元進行處理後送出至該塗佈處理區之外部，並同時對在上述塗佈處理區之其他階層，將所搬入的基板在未搬送至上述塗佈處理單元之情況下送出至該塗佈處理區之外部」附屬技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項18不具進步性，已如前述。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理（參酌原證4 第〔0014〕揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），依其製程或其他目的之需要而簡單修飾第
1 處理及第2 處理均包含塗佈處理，或僅其中之一包含塗佈處理並控制搬送機構將需進行塗佈處理之基板搬送至塗佈處理單元（無需進行塗佈處理之基板，當然無須搬送至塗佈處理單元），即能輕易完成前述系爭專利請求項19之附屬技術特徵。故原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項19不具進步性。
⒗系爭專利請求項20依附請求項18，並進一步界定「其中
，上述控制部可對在上述顯像處理區之全部階層，將所搬入的基板於在上述顯像處理單元進行處理後送出至該顯像處理區之外部，並且可對在上述顯像處理區之部分階層，將所搬入的基板於在上述顯像處理單元進行處理後送出至該顯像處理區之外部，並同時對在上述顯像處理區之其他階層，將所搬入的基板在未搬送至上述顯像處理單元之情況下送出至該顯像處理區之外部」附屬技術特徵。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項18不具進步性，已如前述。系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據原證4 第〔0134〕段所實質揭露之「控制部」控制各處理列以進行之第1 處理及第2 處理（參酌原證4第〔0014〕段揭露之進行塗佈處理、熱處理及顯像處理之一連串處理），依其製程或其他目的之需要而簡單修飾第1 處理及第2 處理均包含顯像處理，或僅其中之一包含顯像處理並控制搬送機構將需進行顯像處理之基板搬送至顯像處理單元（無需進行顯像處理之基板，當然無須搬送至顯像處理單元），即能輕易完成前述系爭專利請求項20之附屬技術特徵。故原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項20不具進步性。
㈣原處分及訴願決定是否違反專利法第73條第4 項之規定？
⑴原告106 年9 月25日行政訴訟準備（一）狀第30至31頁雖
主張：系爭專利有效性攻防手段中所爭執之裝置「異常」、「故障」、「修復後」、「故障排除」等與系爭專利申請專利範圍所記載之「試運轉」的關係甚為緊密，此關係到熟習系爭專利技藝人士是否能思及「試運轉」的運作及內容，原處分及訴願決定直接以舉發理由與答辯理由中多次爭執之裝置「異常」、「故障」、「修復後」、「故障排除」與「試運轉」的關係均非本舉發案所應審究者，以及試運轉之處理單元是否是一種實施形態等，皆非系爭專利申請專利範圍之記載，及後續原告於104 年10月20日對此提出補充證據（原證12），亦非本舉發案應審究者，而未對此相關之證據加以審酌，違反專利法第73條第4 項規定云云。
⑵按系爭專利核准時之專利法第73條第4 項規定：舉發人補
提理由或證據，應於舉發後一個月內為之。但在舉發審定前提出者，仍應審酌之。經查，原處分係以系爭專利說明書及申請專利範圍之記載為主，並參酌外部證據（舉發附件1 、2 ），解釋系爭專利之「試運轉」之意涵，並據以做為舉發證據是否揭示系爭專利之「試運轉」之基礎（見原處分書第8 頁㈥1 ⑵）。並審認兩造爭執之裝置「異常」、「故障」、「修復後」、「故障排除」與試運轉的關係及後續衍生內容皆非系爭專利申請專利範圍之記載及後續原告104 年10月20日提出補充證據（原證12），亦非本舉發案應審究者（見原處分書第30頁28⑴、⑵）。原處分已就原告爭執裝置之「異常」等4 名詞與試運轉之關係及所提補充證據（原證12）等予以審酌後，認定其皆非系爭專利申請專利範圍之記載，非為原處分所應審究者，故原處分並無漏未審酌之情形，原告主張尚不可採。
⑶再查，原告主張之裝置「異常」、「故障」、「修復後」
、「故障排除」與系爭專利說明書第18頁之「在以處理品質之確認和試驗、或處理單元之試運轉等為目的之下，則為試運轉時之步驟」記載及系爭專利請求項2 對「試運轉」之限定為「使處理單元試驗、檢查或驗證對基板所進行處理的品質」比較，前者係為設備功能不正常狀態及其處理，後者係與確認處理品質相關，前後二者明顯不同。是以裝置「異常」、「故障」、「修復後」、「故障排除」與系爭專利之「試運轉」並無直接關聯性，自難謂其關係甚為緊密，原告主張尚不可採。
五、綜上所述，原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項2 至4 、6 至11不具進步性。原證4 至6 之組合、原證4 至7 之組合足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。原證4 、6 、8 之組合、原證4 、6 、16之組合、原證4 、6 、8 、16之組合、原證4 至6 之組合、原證4 至7之組合足以證明系爭專利請求項13至14、16至20不具進步性。系爭專利請求項2 至11、13至14、16至20違反100 年專利法第22條第2 項規定，具有應撤銷之事由，原處分關於「請求項2 至11、13至14、16至20舉發不成立」部分之處分，有所違誤，訴願決定予以維持，亦有未洽，本件原告已於本院審理程序中向被告申請更正請求項2 、3 、5 、6 、8 、10、13、14、16至18，並經被告准予更正，惟本件經兩造充分攻防後，本院仍認為更正後之請求項不具進步性，且案件事證已臻明確，原告訴請撤銷訴願決定及原處分關於上開請求項舉發不成立部分，並命被告應作成「請求項2 至11、13至
14、16至20舉發成立，應予撤銷」之處分，為有理由，應予准許，爰撤銷改判如主文第一、二項所示。
六、本件事證已明，兩造其餘攻擊及防禦方法，均與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為有理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第200 條第3 款、第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 108 年 6 月 27 日
智慧財產法院第二庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 曾啟謀法 官 彭洪英以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 一者，得不委任律│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 師為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 情形之一，經最高│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ 者，亦得為上訴審│ 。 ││ 訴訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，││上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係││之釋明文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 108 年 6 月 27 日
書記官 郭宇修