智慧財產法院行政判決
106年度行專訴字第80號原 告 王國賢訴訟代理人 李國豪律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 洪淑敏（局長）訴訟代理人 林育弘
參 加 人 蔡馥嶸訴訟代理人 陳韻如律師複代理人 陳怡衡律師輔 佐 人 許月娥（兼送達代收人）上列當事人間因新型專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
6 年8 月25日經訴字第10606309120 號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要：原告前於民國98年6 月12日以「散熱片」向被告申請新型專利，請求項共7 項，經被告編為第00000000號進行形式審查，准予專利，發給新型第M366701 號專利證書（下稱：系爭專利）。嗣參加人以其違反核准時專利法第93條、第94條第
4 項、第97條第1 項第5 款之規定，對之提起舉發。案經被告審查，認系爭專利違反核准時專利法94條第4 項之規定，以106 年4 月12日（106 ）智專三（二）04227 字第10620384370 號專利舉發審定書為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部於106 年8月25日以經訴字第10606309120 號訴願決定駁回。原告不服訴願決定及原處分，遂向本院提起行政訴訟。惟本件判決結果，倘認訴願決定及原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上之利益將受有損害，爰依職權命參加人獨立參加被告之訴訟。
二、原告主張：
（一）證據2 、3 、4 之組合，無法證明系爭專利請求項1 或2不具進步性：
1.參加人之舉發理由並未主張證據2 及3 之組合，惟被告卻謂因證據2 及3 之組合，可以證明系爭專利請求項1至5 不具進步性，故證據2 、3 、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，實有訴外審查之情事。
2.證據2 、4 均未揭露系爭專利請求項1 （或請求項2 ）之散熱片係對應使用在35mm（或48mm）晶片上，該散熱片包括一中介層及一散熱層，該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體，該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接；且該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：1.875 （或1：2 ），而散熱層之長寬比例為1 ：2.16（或1 ：2.2），且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 。又證據3 雖揭露一種晶片之散熱裝置，包括一中介層及一散熱層，其中；該中介層為片體，且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接，但並未揭露系爭專利請求項1 （或2 ）記載「系爭專利之散熱片係對應使用在35mm（或48mm）晶片上，該散熱片所包括之中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體，且該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：1.875 （或1 ：2 ），而散熱層之長寬比例為1 ：2.16（或1 ：2.2 ），且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 」。故證據2 、3 、4 之組合，無法證明系爭專利請求項1 或2 不具進步性。
3.系爭專利請求項3 至7 為請求項1 或2 之附屬項，包括獨立項之所有技術特徵，因證據2 、3 、4 之組合，無法證明請求項1 或2 不具進步性，自亦無法證明請求項
3 至7 等附屬項不具進步性。
（二）被告在答辯狀僅認「半導體晶片（die ）尺寸可為mm等級」為系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準，訴願決定書卻認35mm（48mm）矩形晶片係晶片之通用標準規格之一，為該領域之通常知識云云，顯然互相矛盾。又被告在參加人未舉證證明系爭專利申請日之前，該新型專利之技術、知識已經公開或公告，或熟習該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，能輕易完成該發明之技術且未能增進功效之事實之情形下，即以「未有客觀實驗數據佐證該範圍內皆具有無法預期之功效」，逕認系爭專利為該領域之通常知識者依先前技術所能輕易完成，顯然與最高法院102 年度台上字第1800號判決意旨相違。
（三）聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
三、被告抗辯：
（一）證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 至7不具進步性：
1.舉發理由書第11頁第2 段記載：「系爭專利請求項1-7的技術特徵已被證據2 及4 之組合或者證據2 、3 及4之組合所揭露，違反專利法第94條第4 項規定，不具進步性」，又於舉發理由書第20-24 頁針對系爭專利請求項1 與證據2-4 進行比對，況原告於105 年11月9 日專利舉發答辯書第6 至9 頁稱：「系爭專利請求項1-7 相較於證據2-4 及先前技藝具有進步性，…」云云，亦已就上揭爭點答辯，故本件處分未有訴外審查之情事。
2.系爭專利新型之創作內容在於一般常見欲進行封裝之半導體晶片為矩形態樣，相較於先前技術散熱片為圓形，將具散熱功能之中介層及散熱層也做成矩形更能有較佳的散熱效果，惟此已揭露於證據2 圖1B-1C 之半導體元件1 本體及散熱板10之形狀皆為類似比例之矩形，又證據2 圖1B由半導體元件1 本體延伸出去的多條狀構造，僅為半導體元件1 之額外散熱構件，非屬具電晶體布局之半導體元件本體，習知半導體晶片隨電路布局不同可能為方形或長方形，或晶片之電路佈局較狹長半導體晶片為較狹長之長方形，基於證據2 半導體元件及散熱版為類似形狀及設置方向一致之教示，該領域具有通常知識者可輕易修飾使散熱板形狀相似半導體晶片形狀使其可能為方形、長方形或較狹長之長方形。
3.系爭專利說明書雖記載請求項1 界定「該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：1.875 ，而散熱層之長寬比例為1：2.16，且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 」之設定比例特徵，能賦予半導體具有最佳化之散熱效益云云。惟散熱層比例經依誤差容許值±0.5 正規化後計算出範圍介於1 ：1.1及1 ：5.32之間，矩形比例範圍過於廣泛，又未有客觀實驗數據佐證該範圍內皆具有顯著之散熱功效，在證據
2 已揭示散熱板可為矩形之態樣下，系爭專利應仍為該領域具有通常知識者可輕易完成。故證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 、2 不具進步性。又證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 、
2 不具進步性，而舉發審定書理由九（五）4 之⑸- ⑺亦敘明系爭專利請求項3-7 不具進步性之理由，原告之主張無理由。
（二）半導體晶片尺寸多屬mm等級，其尺寸大小則與電路的複雜度（如CPU 晶片電路較兒童玩具控制晶片電路複雜得多，故CPU 晶片尺寸通常較大）及使用何種等級製程有關，故若電路的複雜度較高，或晶片之電路佈局較狹長，該晶片大小容易達到35mm或48mm等級，故應為該領域具有通常知識者可輕易完成。
（三）聲明：原告之訴駁回。
四、參加人陳述：
（一）證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 至7不具進步性：
1.系爭專利請求項1、2：⑴證據2 說明書第13頁第2 段揭露：「如圖1A所示，該
半導體裝置具有：半導體元件1 、絕緣膜3 、佈線4、防焊層5 、封裝樹脂6 、及作為散熱構件之一例的金屬製之散熱板10。」，證據2 說明書第13頁第4 段揭露：「上述防焊層5 如圖1B所示，為了成為對在將半導體元件1 焊接於佈線4 時之焊錫的隔壁，配置在絕緣膜3 中之半導體元件1 之週邊部。此外，封裝樹脂6 如圖1A所示，為了連接於半導體元件1 之側面整面，配置於半導體元件1 之週邊部。上述封裝樹脂6將半導體元件1 確實地固定在絕緣膜3 上。」，證據
2 說明書第13頁第5 段第1 -2行揭露：「上述散熱板10配置於絕緣膜3 之半導體元件側之相反側之表面上。」在圖1A及1B係已說明其配置之相對應的位置；其中，絕緣膜相對應系爭專利的中介層，封裝樹脂相對應系爭專利的導熱膠，而散熱板則相對應系爭專利的散熱層。此外，在說明書第13頁第5 段第2-5 行揭露：「詳細而言，上述散熱板10係如圖1C所示，上述散熱板10之表面積比絕緣膜3 之表面積小。此外，上述散熱板10配置於上述相反側之表面上與半導體元件1對應之位置。」，因此，系爭專利中的散熱板之中介層及散熱層的長寬比例，對於熟悉此技術領域具有通常知識者，可以根據證據2 的描述，而可以簡易地完成系爭專利的技術特徵。
⑵證據2 的申請專利範圍第1 項揭露：「一種半導體裝
置，其特徵為包含：絕緣膜；佈線，其係配置於該絕緣膜之一面上；一個或複數個半導體元件，其係配置成與上述絕緣膜之上述一面相向；及散熱構件，其係配置於上述絕緣膜之另一面上。」，可得知該絕緣膜一面配置有散熱構件，參酌證據2 之圖1A，其中該絕緣膜3 係設置於該散熱構件上方；或該絕緣膜3 還可設置於該散熱構件下方；故絕緣膜3 與散熱構件10兩者間應屬簡單之置換，即可令熟悉此技藝具有通常知識者可以無歧異地易於思及，不具進步性。
⑶證據2 圖1A-1C 揭露用於矩形晶片1 散熱之散熱裝置
10可為矩形態樣之片體；又35mm或45mm矩形晶片為該領域之通常知識；該領域具有通常知識者可輕易將證據3 之散熱器（heat-radiating member ）簡單修飾與證據2 元件10一致，並可簡單設計將該散熱器之矩形長寬比訂為1 ：2 ；再者，證據3 之中介層尺寸通常與散熱器一致，上述設計上之簡單變更已落入系爭專利請求項1 及2 界定之數值範圍中。從而，系爭專利請求項1 、2 為該所屬技術領域具有通常知識者，依證據2 矩形散熱片之教示，簡單修飾證據3 、4 之散熱結構所能輕易完成，故證據2 、4 之組合或證據
2 、3 、4 之組合，可證明系爭專利請求項1 、2 不具進步性。
2.系爭專利請求項3-7 ：⑴系爭專利請求項3 、4 係分別依附請求項1 、2 ，且
其技術特徵限定為「該中介層係為一聚醯亞胺（Polyimide ）材質之片體，該散熱層係為一鋁箔材質之片體。」，系爭專利請求項3 、4 ，額外記載之材質限定特徵屬非結構特徵，因該非結構特徵不會改變或影響結構特徵，為該所屬技術領域具有通常知識者依證據2 矩形散熱片之教示，簡單修飾證據3 之散熱結構所能輕易完成。
⑵系爭專利請求項5 係依附請求項1-4 其中之一，且其
技術特徵限定為「該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體。」，為該所屬技術領域具有通常知識者依證據2 、4 矩形散熱片之教示，簡單修飾證據3 之散熱結構所能輕易完成。
⑶系爭專利請求項6 係依附請求項5 ，且其技術特徵限
定為「中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一弧角。」，由證據4 圖5 以及說明書第10頁第3 段第1-2 行記載：「在如圖5 所說明之另一實施例中，加熱墊20 B之拐角可為楔形的，但並非為斜切面，拐角可為磨圓的。」，已揭露「為一弧角」之附屬技術特徵。
⑷系爭專利請求項7 依附請求項5 ，且其技術特徵限定
為「中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一斜邊。」，由證據4 圖4 以及說明書第10頁第2 段第1-3 行記載：「在如圖4 所說明之實施例中，加熱墊20A 之拐角可為楔形的或斜面的。舉例而言，拐角可為斜切面（chamfer cut ）狀。」，則證據4 所述的「斜切面」已揭露「斜邊」之附屬技術特徵。
⑸綜上，系爭專利請求項3-7 之技術特徵，已被證據2
、4 之組合或是證據2 、3 、4 之組合所揭露，違反核准時專利法第94條第4 項之規定，不具進步性。
（三）聲明：原告之訴駁回。
五、法律適用：按「新型專利權得提起舉發之情事，依其核准處分時之規定。」為現行專利法第119 條第3 項本文所明定，其立法理由如同該法第71條發明專利權提起舉發規定相同，係以：「核准發明（新型）專利權之要件係依核准審定時之規定辦理，其有無得提起舉發之情事，自應依審定時之規定辦理，始為一致，爰予明定。」。查系爭專利申請日為98年6 月12日，被告於同年9 月2 日審定核予專利，嗣參加人於105 年8 月
4 日對之提出舉發案，被告於106 年4 月12日作成：「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷。」之處分，故系爭專利請求項1-7有無撤銷之原因，應以核准審定時所適用之92年2 月6日修正公布、93年7 月1 日施行之專利法（下稱：核准時專利法）規定為斷。
六、本件審理之爭點：參加人以系爭專利請求項1-7 有違核准時專利法第93條、第94條第4 項、第97條第1 項第5 款之規定，對之提起舉發，依舉發理由書所載，參加人提出之舉發事由為證據2 、4 之組合或證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1-7不具進步性（參專利舉發理由書，見舉發卷第71-87 頁）。嗣經被告審查後，僅認證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1-7 違反核准時專利法第94條第4 項之規定不具進步性，其餘舉發事由均無理由，而為前揭「請求項1至7 舉發成立，應予撤銷」之處分，已如前述，茲當事人於本院訴訟程序同意僅就被告以證據2 、3 、4 之組合所為舉發成立處分之適法性為判斷等語在卷（見本院卷第184 頁）。是以，本件爭點如下（見本院卷第184-185 頁）：
（一）原處分理由之「因證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，故證據2 、3 及4 之組合亦足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」，是否有訴外審查情事？
（二）證據2 、3 、4 之組合，是否可以證明系爭專利請求項
1 至7 不具進步性？
七、程序爭點判斷：原處分理由之「因證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，故證據2 、3 及4 之組合亦足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」，是否有訴外審查情事？
（一）原告主張：參加人之舉發理由係主張：證據2 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 、2 不具進步性；證據
2 、4 之組合或證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項3 至7 不具進步性，並未主張證據2 、3 之組合，惟被告卻謂因證據2 及3 之組合，足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，故證據2 、3 及4 之組合，亦足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，實有訴外審查之情事云云（見本院卷第7 頁背面）。
（二）經查，參加人之舉發理由書第11頁第2 段記載：「系爭專利請求項1-7 的技術特徵已被證據2 與證據4 之組合或者證據2 、證據3 、以及證據4 之組合所揭露，違反專利法第94條第4 項規定，不具進步性」等語（見舉發卷第82頁），並於舉發理由書中針對系爭專利請求項1與證據2 至4 之技術特徵進行比對（見舉發卷第76頁背面- 第78頁背面），且原告前於舉發答辯書第6-9 頁稱：「系爭專利請求項1-7 相較於證據2-4 及先前技藝具有進步性，…」云云（見舉發卷第111-114 頁），可知，原告前於舉發審查程序即已就系爭專利請求項1-7 相較於證據2 、3 、4 之技術特徵進行答辯；又原處分理由（五）爭點之判斷之第4 點已明確記載「證據2 、3及4 之組合足以證明系爭專利請求項1-7 不具進步性」等語（見專利舉發審定書第5 頁），且被告係認證據2、3 之組合，可以證明系爭專利請求項1-5 不具進步性，故證據2 、3 、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項1-5 不具進步性（參原處分理由（五）4.⑴- ⑹，見專利舉發審定書第5-9 頁），則被告於判斷舉發爭點即證據2 、3 、4 之組合，是否可以證明系爭專利請求項1-5 不具進步性之論述過程時，先就證據2 、3 之組合與系爭專利請求項1-5 之技術特徵進行判斷，並無不合，況被告之審定結論，係認定證據2 、3 、4 之組合，亦足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性，易言之，原處分之「證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」之論述，乃為「證據2 、3 及4之組合足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」之爭點判斷過程之理由論述，而非原處分所為判斷舉發爭點之結論，顯見被告此部分所為「證據2 及3 之組合足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」之理由說明，仍係本於參加人所提證據2 、3 、4 組合之舉發事由而為判斷，因而作成「證據2 、3 及4 之組合亦足以證明系爭專利請求項1 至5 不具進步性」之審定結論，並無訴外審查之情事，是原告上開主張，尚有誤會。
八、實體爭點判斷：證據2 、3 、4 之組合，是否可以證明系爭專利請求項1-7不具進步性？
（一）按利用自然法則之技術思想，對物品之形狀、構造或裝置之創作，且可供產業上利用者，得依核准時專利法第93條、第94條第1 項規定，申請取得新型專利。又新型為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術顯能輕易完成時，不得申請取得新型專利，同法第94條第4 項定有明文。而新型有違反同法第94條第4 項規定者，任何人得附具證據，向專利專責機關舉發之（同法第107 條第2 項規定參照）。準此，系爭專利請求項1-7 有無違反同法第94條第4 項所定情事而應予撤銷，依法應由舉發人（即參加人）附具證據證明之，倘其證據得以證明系爭專利請求項1 至7 有違上開專利法之規定，自應為舉發成立之處分。
（二）次按判斷申請新型專利是否為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術顯能輕易完成時，應以申請新型專利之新型的整體，亦即以每一請求項中新型的整體為對象，而非以請求項之各元件之技術特徵為個別比對，但因新型專利係由各別構件組合而成，各部分構件亦有其技術內容，所以在判斷新型專利是否具進步性時，不得不依下列步驟判斷之：1 、確定被比對新型專利之新型專利範圍；2 、確定相關先前技術所揭露的內容；3 、確定被比對新型專利所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4 、確認被比對新型專利與相關先前技術之間的差異；5 、該被比對新型專利所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，判斷是否能輕易完成被比對新型專利的整體。所以只要按此步驟所為之新型專利進步性判斷，以每一請求項所載之發明的整體為對象，依據上開進步性之判斷步驟，將該發明所欲解決之問題、技術手段及對照先前技術之功效，予以綜合考量者，自合於新型專利進步性整體判斷之基準。此為我國現行進步性審查實務之慣行，與美國、日本新型專利審查步驟亦同，殊無法想像如何跳過上開1 至4 步驟，未確認被比對新型專利與相關先前技術之間的差異，逕就第5 步驟就被比對新型專利與相關先前技術直接擇其相異之構件作進步性判斷。是以只要依據上開進步性之判斷步驟，將該發明所欲解決之問題、技術手段及對照先前技術之功效，予以綜合考量者，自合於新型專利進步性整體判斷之基準（最高行政法院106 年度判字第747 號判決意旨參照）。
（三）再按關於申請專利之發明是否具有進步性，實務上係依下列步驟進行判斷：1.確定申請專利之發明的範圍；2.確定相關先前技術所揭露之內容；3.確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準；4.確認該發明與相關先前技術所揭露之內容間的差異；5.該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明。一般而言，與發明相關之先前技術內容，包括：發明所記載之先前技術或舉發證據資料等，均得作為確定上開技術水準之客觀證據。至於如何在個案中客觀確定該發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準，必須依據個案之具體證據作為基礎進行論證。此外，由於判斷專利有無進步性之相關事實，往往涉及專門知識，而專利權人、舉發人或其等訴訟代理人、專利專責機關之代理人等，多係具有發明所屬技術領域之相關知識或技能者，是以當事人就「具有通常知識者」及其於申請日之技術水準之認定加以爭執時，自應提出證據加以證明，並具體指明該事實涵攝於個案之先前技術組合後，對於進步性之決定究有何影響。如當事人已於事實審就系爭專利與舉發證據所揭露之內容間有何差異，參酌相關先前技術所揭露之內容及申請時之通常知識，是否能輕易完成申請專利之發明加以辯論，應認當事人已就該發明所屬技術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論（最高行政法院106 年度判字第651 號判決意旨參照）。查本件當事人已於本院就系爭專利請求項1 至7 與證據2 、3 、4 所揭露之技術內容間有何差異，以及參酌上開技術內容，是否能輕易完成系爭專利請求項1 至7 之創作進行辯論，本判決並據以說明系爭專利請求項1 至7 不具進步性決定之理由（詳如後述），揆諸前揭判決意旨，應認當事人已就系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者及其於申請日之技術水準進行辯論，先予敘明。
（四）系爭專利技術內容（相關圖式：附圖1）：
1.系爭專利「散熱片」係包括一中介層及一散熱層，該中介層係為一聚醯亞胺（Polyimide ）之片體，該散熱層係為一鋁箔材質之片體，該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體，且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接；本創作之散熱片具有35mm及48mm兩種規格，其中35mm散熱片其中介層之長寬比例為1 ±0.5 ：
1.875 ±0.5 ，而散熱層之長寬比例為1 ±0.5 ：2.16±0.5 ，另48mm之散熱片其中介層其長寬比例為1±0.5 ：2 ±0.5 ，而散熱層之長寬比例為1 ±0.5：2.2 ±0.5 ，透過前述所設定之比例，能賦予半導體去有最佳之散熱效益（參系爭專利新型摘要，見申請卷第10頁）。
2.系爭專利申請專利範圍：系爭專利申請專利範圍共計7 項，其中請求項1 、2為獨立項，其餘均為附屬項：
請求項1 ：一種對應35mm晶片之散熱片，其係包括一
中介層及一散熱層，其中；該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體，且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接；該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：1.
875 ，而散熱層之長寬比例為1 ：2.16，且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 。
請求項2 ：一種對應48mm晶片之散熱片，其係包括一
中介層及一散熱層，其中；該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體，且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接；該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：2，而散熱層之長寬比例為1 ：2.2 ，且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 。
請求項3 ：根據申請專利範圍第1 項所述之散熱片，
該中介層係為一聚醯亞胺（Polyimide ）材質之片體，該散熱層係為一鋁箔材質之片體。
請求項4 ：根據申請專利範圍第2 項所述之散熱片，
該中介層係為一聚醯亞胺（Polyimide ）材質之片體，該散熱層係為一鋁箔材質之片體。
請求項5 ：根據申請專利範圍第1 項至第4 項中任一
項所述之散熱片，該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體。
請求項6 ：根據申請專利範圍第5 項所述之散熱片，
中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一弧角。
請求項7 ：根據申請專利範圍第5 項所述之散熱片，
中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一斜邊。
（五）參加人主張系爭專利請求項1-7 不具進步性，其引用之舉發證據為證據2 、3 、4 之組合，茲就舉發證據之技術內容，分析如下：
1.證據2（相關圖式：附圖2）：⑴證據2 為97年11月1 日公告之我國第I302736 號「
半導體裝置及電子機器」專利案，其公告日早於系爭專利之申請日（98年6 月12日），可為系爭專利相關之先前技術。
⑵證據2 為一種半導體裝置上配置金屬製之散熱板，
且該板可提升半導體元件等之發熱構件所散發之熱之散熱性。詳細而言，將散熱板配置於與絕緣膜之半導體元件側相反側之表面上對應於半導體元件之位置。藉此，提供半導體元件所散發之熱之散熱性佳的半導體裝置及具該半導體裝置之電子機器（參證據2 之摘要，見舉發卷第62頁）。
2.證據3：⑴證據3 為西元2001年2 月27日公告之美國第000000
0 號「HEAT-CONDUCTIVE AND PRESSURE-SENSITIVEADHESIVE SHEETS AND METHOD FOR FIXING ELECTRONIC PARTS TO HEAT-RADIATING MEMBERS WITH TH
E USE OF THE SAME 」專利案，其公告日早於系爭專利之申請日（98年6 月12日），可為系爭專利相關之先前技術。
⑵本發明提供一個具有導熱性的感壓膠片體與一層抗
靜電塑料膜所構成。其可貼附在下述材料的一面或兩面上：（1 ）至少為一層無機材料的薄層，可選用陶瓷、金屬及金屬氧化物，陶瓷除外，以及（2）具有一層感壓膠層在其上的薄層。此具有導熱性的感壓膠片體有優越的熱傳導性及壓敏性，因此在生產上，不會產生複雜的加工程序或惡劣的生產環境問題；在基材和感壓膠層間表現出良好的黏著力；即使在高溫下長時間放置後，也幾乎不會在基材之間發生膠合斷裂，而且具有良好的耐熱性。（參證據3 之摘要，見舉發卷第43頁；中文譯文，見本院卷第216 頁）。
3.證據4（相關圖式：附圖3）：⑴證據4 為97年4 月1 日公開之我國第000000000 號
「可撓印刷電路板上晶片式半導體封裝」專利案，其公告日早於系爭專利之申請日（98年6 月12日），可為系爭專利相關之先前技術。
⑵證據4 為一種具有加熱墊20之可撓印刷電路板上晶
片（COF ）式半導體封裝1 ，包括安置於可撓薄膜11上之半導體IC晶片18。可撓薄膜11可包括下部絕緣層10、引線層（lead layer）12及/ 或表面絕緣層14。加熱墊20可藉由包括導電材料之黏結層21（例如，基於丙烯酸之黏結層）附著至可撓薄膜11之下部絕緣層10。自半導體IC晶片18產生之熱在穿過底部填料16、引線層12及/ 或下部絕緣層10之後，可由加熱墊20發散。（參證據4 摘要及說明書第8頁第16至20行、第9 頁第4 至7 行，見舉發卷第36頁、第37頁背面、第39頁）。
（六）證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
1.系爭專利請求項1 為獨立項，關於系爭專利請求項1與證據2 、3 、4 之技術內容，均如前述。
2.系爭專利請求項1 與證據2 、3 、4 之技術特徵比對：
⑴系爭專利請求項1 與證據3 相較，證據3 揭露系爭專利之一種對應晶片（說明書第1 欄第10至11行：
fixing an electronic part to a heat-radiati
ng member 中的electronic part ）之散熱裝置，其係包括一中介層（說明書第3 欄第15至16行：anelectrical insulating plastic films made ofpolyimides）及一散熱層（說明書第1 欄第10至11行：fixing an electronic part to a heat-radiating member中的heat-radiating member ），其中；該中介層為片體（說明書第3 欄第15至16行：
an electrical insulating plastic films），且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接（請求項
1 ：an electrical insulating plastic film having formed on one or both of the surfaces……a pressure-sensitive adhesive compositi
on layer）。是以，證據3 已揭露系爭專利請求項
1 「一種對應晶片之散熱片，其係包括一中介層及一散熱層」、「該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接」、「該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結」等技術特徵，惟系爭專利請求項1 與證據3之差異在於：證據3 未揭露系爭專利之「35mm晶片；中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體；該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：1.875 ，而散熱層之長寬比例為1 ：2.16，且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 」等技術特徵。
⑵證據2 圖1A至1C揭露用於矩形半導體元件1 散熱之
散熱板10可為矩形態樣之片體之技術特徵，證據4圖1 、3 揭露用於半導體IC晶片18散熱之加熱墊20可為矩形態樣之片體之技術特徵，又證據2 圖1B由半導體元件1 本體延伸出去的多條狀構造僅為半導體元件1 之額外散熱構件，非屬具電晶體布局之半導體元件本體（證據2 說明書第18頁第1~3 段參照），而系爭專利先前技術第4 頁第1 段記載一般常見欲進行封裝之半導體係為矩形態樣（見申請卷第
9 頁背面），則習知半導體晶片隨電路布局不同可能為方形或長方形，或晶片之電路佈局較狹長半導體晶片為較狹長之長方形（如證據2 圖1B元件1 ），基於證據2 半導體元件及散熱板為類似形狀及設置方向一致之教示，該領域具有通常知識者可輕易使散熱板形狀相似半導體晶片形狀，改變為方形、長方形或較狹長之長方形。
⑶證據2、3、4具有組合動機：
證據2 、3 、4 之技術內容均為與半導體晶片散熱相關之技術領域，具有技術領域之關連性，又證據
2 、3 、4 均具有以散熱裝置（證據2 之散熱板、證據3 之散熱器（heat-radiating member ）、證據4 之加熱墊20）之散熱功能或作用以解決半導體晶片散熱問題之技術內容，具有所欲解決問題及功能或作用之共通性，是證據2 、3 、4 彼此所欲解決之問題相近，具有共同之技術特徵，且於功能或作用上亦具有共通性，應屬相關之技術領域。因此，為能達到提供半導體具有較佳之散熱效益，對於熟習半導體晶片散熱片之技術者而言，自會參酌證據2 、3 、4 之散熱裝置技術，且在證據2 、3 、
4 具有與系爭專利解決問題之技術手段相關連下，證據2 、3 、4 明顯具有合理之組合動機。⑷綜上，證據2 、3 分別揭露系爭專利請求項1 之前
開技術特徵，且系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依其具有之「半導體晶片（die ）尺寸可為mm等級」一般知識，為解決半導體晶片散熱之問題，可參酌證據2 之散熱板10之矩形片體形狀而能輕易將證據3 之散熱器（heat-radiating member ）簡單改變為矩形片體且應用於35mm晶片，並可簡單設計將該散熱器之矩形長寬比訂為1 ：2 ，又證據
3 之中介層尺寸及長寬比例通常與散熱器一致，此即落入系爭專利請求項1 所界定之中介層及散熱層之長寬比例數值範圍中。是以，系爭專利請求項1整體技術特徵，僅為證據2 、3 結構裝置的簡單改變，並不具有無法預期的功效，故所屬熟習半導體晶片散熱片技術領域中具有通常知識者，依證據2、3 所揭示之技術內容及通常知識，並經簡單改變即能輕易完成，並未有無法預期之功效增進，故證據2 、3 之組合，可以證明系爭專利請求項1 不具進步性，則證據2 、3 、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
3.原告主張：關於系爭專利請求項1 （或請求項2 ），原處分稱：「以散熱層為例，該比例經正規化後範圍介於1 ：1.1 及1 ：5.32（或1 ：1.13及1:5.4 ）之間，矩形比例範圍過於廣泛，…」，其所稱「該比例經正規化」意指為何？被告未指明其認定依據云云（見本院卷第7 頁）。惟查，以發明人定義散熱層及中介層矩形比例範圍為例（參系爭專利說明書第4 頁最後1 段，見申請卷第9 頁背面），正規化係指為了讓人更輕易理解發明人界定矩形之比例範圍，同比例調整左邊及右邊數值，使左邊之數值簡化為1 之過程，如說明書第4 頁最後1 段定義中介層比例可為（1-0.
5 ）：（1.875-0.5 ）=0.5：1.37 5=1：2.75，此屬數值分析領域之通常知識，原告主張尚不可採。
4.原告主張：被告在未經參加人舉證證明該新型專利申請日之前，該新型專利之技術、知識已經公開或公告，或熟習該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，能輕易完成該發明之技術且未能增進功效之事實之情形下，反而認為因「未有客觀實驗數據佐證該範圍內皆具有無法預期之功效」，故認系爭專利為該領域之通常知識者依先前技術所能輕易完成，顯然與最高法院102 年度台上字第1800號判決意旨相違云云（見本院卷第187 頁、第187 頁背面）。惟查，系爭專利舉發案所適用之核准時專利法第94條第4 項規定：新型專利雖無同條第1 項所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術顯能輕易完成時，仍不得依本法申請取得新型專利。此與前述最高法院102 年度台上字第1800號判決之個案事實，係適用90年10月24日修正公布之專利法第98條第2 項規定，並不相同，簡言之，本件舉發案所適用之專利法規定，就新型專利進步性判斷並無「是否能增進功效」之規定，已無從比附援引。又證據3 已揭露系爭專利之散熱裝置之中介層、散熱層、導熱膠等結構，證據2 揭露系爭專利之散熱層之結構及形狀，已如前述；且證據3 第3 欄第15至16行揭露中介層係為一聚醯亞胺（Polyimide ）材質，證據4 第9 頁第9 至10行揭露散熱層（加熱墊20）可為一鋁材質，是以，系爭專利之形狀、結構、材質，均已揭露於證據2 、3 、
4 等先前技術，且系爭專利說明書亦未載明其與證據
2 、3 、4 等先前技術間，存在那些形狀、結構、材質差異，且據此差異能在效果上克服先前技術中存在的問題點，而具有增進散熱之功效，則系爭專利請求項1 中既無相關功效之界定，則原告前開主張並非以系爭專利請求項1 界定之整體技術內容為論述基礎，自無可採。
5.原告主張：訴願決定書又認「35mm（或48mm）矩形晶片係晶片之通用標準規格之一，為該領域之通常知識」，被告卻又在行政訴訟補充答辯狀表示系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者之技術水準應至少包含「半導體晶片（die ）尺寸可為mm等級、半導體晶片（die ）可為矩形，半導體晶片（die ）可為正方形」之半導體領域一般知識云云，顯然互相矛盾云云（見本院卷第236 頁）。惟查，訴願決定與被告均認定半導體晶片（die ）尺寸為mm等級為半導體領域一般知識，訴願決定係就被告之認定，再一進步明確指出35mm（或48mm）矩形晶片係晶片之通用標準規格之一，屬於該半導體晶片散熱片領域之通常知識，訴願決定與被告之認定並無矛盾之處，原告前開指摘，尚無可取。
（七）證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項2 不具進步性：
1.系爭專利請求項2 為獨立項，關於系爭專利請求項2之技術內容，已如前述。
2.系爭專利請求項2 與證據2、3、4 之技術特徵比對：⑴系爭專利請求項2 與證據3 相較，證據3 揭露系爭專利之一種對應晶片（說明書第1 欄第10至11行：
fixing an electronic part to a heat-radiatin
g member中的electronic part ）之散熱裝置，其係包括一中介層（說明書第3 欄第15至16行：an electrical insulating plastic films made of polyimides ）及一散熱層（說明書第1 欄第10至11行：fixing an electronic part to a heat-radiating member中的heat-radiating member ），其中；該中介層為片體（說明書第3 欄第15至16行：
an electrical insulating plastic films），且該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接（請求項
1 ：an electrical insulati ng plastic filmhaving formed on one or both of the surfaces. . . a pressure-sensitive adhe sive composition layer）。是以，證據3 已揭露系爭專利請求項2 之「一種對應晶片之散熱片，其係包括一中介層及一散熱層」、「該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結，該中介層另一面係供半導體透過導熱膠與之連接」、「該中介層及散熱層係透過導熱膠做為連結」等技術特徵，惟系爭專利請求項2 與證據3 之差異在於：證據3 未揭露系爭專利請求項2之「48mm晶片；中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體；該散熱片之中介層之長寬比例為1 ：2 ，而散熱層之長寬比例為1 ：2.2 ，且該中介層之長寬比例及散熱層之長寬比例，其誤差容許值係各得為±0.5 」等技術特徵。
⑵證據2 圖1A至1C揭露用於矩形半導體元件1 散熱之
散熱板10可為矩形態樣之片體之技術特徵，證據4圖1 、3 揭露用於半導體IC晶片18散熱之加熱墊20可為矩形態樣之片體之技術特徵，而「半導體晶片（die ）尺寸可為mm等級、半導體晶片（die ）可為矩形，半導體晶片（die ）可為正方形」則為半導體晶片形狀領域之一般知識，且證據2 、3 、4具有組合動機，已如前述。
⑶綜上，證據2 、3 分別揭露系爭專利請求項2 之前
開技術特徵，且系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依其具有之「半導體晶片（die ）尺寸可為mm等級」一般知識，為解決半導體晶片散熱之問題，可參酌證據2 之散熱板10之矩形片體形狀而能輕易將證據3 之散熱器（heat-radiating member ）簡單改變為矩形片體且應用於48mm晶片，並可簡單設計將該散熱器之矩形長寬比訂為1 ：2 ，又證據
3 之中介層尺寸及長寬比例通常與散熱器一致，此即落入系爭專利請求項2 所界定之中介層及散熱層之長寬比例數值範圍中。是以，系爭專利請求項2整體技術特徵，僅為證據2 、3 結構裝置的簡單改變，並不具有無法預期的功效，故所屬熟習半導體晶片散熱片技術領域中具有通常知識者，依證據2、3 所揭示之技術內容及通常知識，並經簡單改變即能輕易完成，並未有無法預期之功效增進，故證據2 、3 之組合，可以證明系爭專利請求項2 不具進步性，則證據2 、3 、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項2不具進步性。
（八）證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項3-7不具進步性：
1.系爭專利請求項3 、4 與證據2 、3 、4 之技術特徵比對：
⑴系爭專利請求項3 、4 分別依附請求項1 、2 之附
屬項，並進一步界定「該中介層係為一聚醯亞胺（
Polyimide）材質之片體，該散熱層係為一鋁箔材質之片體」之附屬技術特徵。又證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 、2 不具進步性，已如前述。
⑵證據3 說明書第3 欄第15至16行揭露「an electri
cal insulating plastic films made of Polyimides（一中介層係由聚醯亞胺（Polyimide ）製成的電絕緣塑料膜）」之技術特徵（見本院卷第216頁背面），證據4 第9 頁第9 至10行揭露「加熱墊20可能由金屬材料例如是鋁等製成」之技術特徵，故證據3 、4 已揭露前述系爭專利請求項3 、4 界定之附屬技術特徵，且系爭專利請求項3 、4 界定之材質特徵屬非結構特徵，因該非結構特徵不會改變或影響結構特徵，視為習知技術之運用，故系爭專利請求項3 、4 為所屬技術領域中具有通常知識者，依證據3 、4 所揭示之技術內容及通常知識，並經簡單改變即能輕易完成，並未有無法預期之功效增進，故證據3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項3 、4 不具進步性，則證據2 、3 、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項3 、4 不具進步性。
2.系爭專利請求項5 與證據2 、3 、4 之技術特徵比對：
⑴系爭專利請求項5 係依附請求項1-4 之附屬項，並
進一步界定「該中介層及散熱層均係為矩形態樣之片體」之附屬技術特徵。又證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1 至4 不具進步性，已如前述。
⑵證據2 圖1A至1C揭露用於矩形半導體元件1 散熱之
散熱板10可為矩形態樣之片體，證據3 說明書第3欄第15至16行揭露「an electrical insulating plastic films made of Polyimides （一中介層係由聚醯亞胺（Polyimide ）製成的電絕緣塑料膜）」之技術特徵（見本院卷第216 頁背面），則證據
3 已揭露中介層亦為片體結構，且尺寸通常與散熱器一致，即相當於前述系爭專利請求項5 界定之附屬技術特徵。故系爭專利請求項5 為所屬技術領域中具有通常知識者，依證據2 、3 所揭示之技術內容及通常知識，並經簡單改變即能輕易完成，並未有無法預期之功效增進，故證據2 、3 之組合，可以證明系爭專利請求項5不具進步性，則證據2 、3、4 之組合，亦可以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
3.系爭專利請求項6 、7 與證據2 、3 、4 之技術特徵比對：
⑴系爭專利請求項6 、7 均係依附請求項5 之附屬項
，並分別界定「中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一弧角」、「中介層及散熱層於長邊與短邊之轉角處係各為一斜邊」之附屬技術特徵。又證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項
5 不具進步性，已如前述。⑵證據4 圖4 及圖5 揭露加熱墊20可為矩形弧角或斜
邊，證據3 說明書第3 欄第15至16行揭露「an electrical insulating plastic films made of Polyimides（一中介層係由聚醯亞胺（Polyimide ）製成的電絕緣塑料膜）」之技術特徵（見本院卷第
216 頁背面），則證據3 已揭露中介層亦為片體結構，且尺寸通常與散熱器一致，是以，證據3 、4已揭露系爭專利請求項6 、7 界定之上開附屬技術特徵。故系爭專利請求項6 、7 為所屬技術領域中具有通常知識者，依證據2 、3 、4 所揭示之技術內容及通常知識，並經簡單改變即能輕易完成，並未有無法預期之功效增進，故證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項6 、7 不具進步性。
九、綜上所述，證據2 、3 、4 之組合，可以證明系爭專利請求項1-7 不具進步性。從而，被告以系爭專利請求項1-7 違反核准時專利法第94條第4 項之規定，而為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分，參照首揭法條規定及說明，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告主張前詞，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。
十、本件事證已臻明確，兩造及參加人其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 107 年 7 月 18 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 魏玉英法 官 張銘晃以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審訴│ 。 ││ 訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 107 年 7 月 19 日
書記官 葉倩如