智慧財產法院行政判決
108年度行專訴字第68號原 告 謝敏惠訴訟代理人 賴安國律師複代理人 呂尚霖專利師訴訟代理人 楊啟元律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 洪淑敏（局長）訴訟代理人 葉獻全
參 加 人 美商杜邦電子股份有限公司（DUPONT Electronics
,Inc .）代 表 人 Jessica Sinnott（智財副法務長）訴訟代理人 呂紹凡律師
黃惠敏律師蔡孟真律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
8 年7 月26日經訴字第10806305520 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下︰
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
甲、程序事項原告原起訴聲明第1 項為：「原處分『請求項1 至7 舉發不成立』部分及訴願決定均撤銷」（見本案卷一第15頁），其後當庭更正為：「原處分及訴願決定均撤銷」，被告、參加人當庭表示沒有意見（見本案卷二第27頁），原告係使聲明更加明確，非屬訴之變更或追加，故無行政訴訟法第111 條第1 項規定之適用。
乙、事實概要
壹、訴外人美商杜邦股份有限公司於民國（下同）99年8 月3 日以「消光表面處理之聚醯亞胺膜與關於此膜之方法」向被告申請發明專利，同時聲明以98年8 月3 日申請之美國第61∕230,934 號專利案及99年7 月23日申請之美國第12∕842,17
4 號專利案主張優先權，經被告編為第00000000號審查。其後美商杜邦股份有限公司於102 年10月31日向被告申請就前述專利申請案分割出「消光表面處理之聚醯亞胺膜與關於此膜之方法」發明專利申請案（其申請專利範圍共7 項），經被告另編為第000000000 號審查，准予專利，並發給發明第I519576 號專利證書（下稱：「系爭專利」）。
貳、嗣原告以系爭專利違反核准時專利法第26條第1 項及第2 項、第22條第2 項規定，對之提起舉發。經被告審查，以107年10月24日（107 ）智專三（五）01021 字第10720993300號專利舉發審定書為「請求項1 至7 舉發不成立」之處分。
原告不服，提起訴願，經經濟部108 年7 月26日經訴字第10806305520 號訴願駁回，原告不服，向本院提起訴訟。
參、嗣美商杜邦股份有限公司於108 年11月18日，將系爭專利讓與參加人，參加人並向被告申請讓與登記，而於108 年12月11日讓與註記（見本案卷一第315 頁），並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
丙、當事人陳述及聲明要旨
壹、原告方面
一、系爭專利請求項1 欠缺「聚醯亞胺顆粒消光劑的量、粒徑、密度等」必要技術特徵，導致無法達成「60度光澤值小於35或45」之發明目的，因此，系爭專利請求項1 不明確，其附屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵。系爭專利請求項1 欠缺「無機消光劑之添加比例」之必要成分技術特徵，導致無法達成「介電強度大於1400v/mil 」之發明目的，因此系爭專利請求項1 不明確，其附屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵。系爭專利請求項1 中之「碳黑」及「消光劑」皆超出說明書所揭露之範圍，因此系爭專利請求項1 不受說明書支持，附屬項請求項2 至7 亦皆有相同瑕疵。系爭專利實施例1 、
3 、5 可再現說明書所載之結果；比較例4 、5 、8 、9 、
10、11皆符合請求項1 全部要件，卻無法再現說明書所載之結果。因此，系爭專利僅能隨機再現說明書所載之結果，無法據以實現。
二、舉發證據2 、4 、5 之組合足證請求項1 不具進步性。證據
5 揭露藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起，即具有系爭專利的消光作用（形成粗糙表面）；證據5 揭露的聚醯亞胺顆粒，具有在聚醯亞胺薄膜表面作為消光劑的固有特性。系爭專利權人自認聚醯亞胺顆粒作為消光劑係習知技術。參加人主張組合舉發證據5 可能添加過量消光劑（「過量添加會破壞薄膜原本的導電度、透明度等性質」）。但請求項1 並未限制聚醯亞胺顆粒消光劑之量，即使過量添加，仍符合請求項全部要件，故參加人之主張，足證請求項
1 僅能隨機達成發明目的（過量添加破壞薄膜性質，違反發明目的）。反之，若過量添加仍未違反發明目的，則參加人主張即無法成立。系爭專利請求項1 是開放式請求項，可包含其他成分，且未排除二氧化鈦顆粒的存在。系爭專利亦載明可包含無機消光劑。系爭專利請求項1 界定聚醯亞胺佔71至96重量％，舉發證據4 至少揭露其中71至88重量％的部分；請求項1 界定碳黑佔2 至9 重量％，舉發證據4 則揭露2至10重量％。二氧化鈦的存在並無任何影響。單純依舉發證據4 之教示，在證據2 的聚醯亞胺中同時添加二氧化鈦顆粒與碳黑，即可實現請求項1 之技術特徵A 及B 。不含碳黑的習知聚醯亞胺具有極高的介電強度，舉發證據4 教示加入碳黑而不大幅降低介電強度的技術手段。舉發證據4 搭配二氧化鈦而加入碳黑，仍符合系爭專利請求項所界定之全部要件。系爭專利所有實施例皆同時存在無機消光劑，故若認定因同時含有二氧化鈦而認舉發證據4 與請求項所界定發明不同，則同理，所有實施例皆與請求項所界定發明不同，故請求項不受說明書所支持。依舉發證據4 之教示，在舉發證據2的聚醯亞胺中同時添加二氧化鈦顆粒與碳黑，即可實現請求項1 之技術特徵A 及B ，且可推知介電強度大於1400V/mil。不含碳黑的習知聚醯亞胺具有極高的介電強度（2540～10922V/mil），舉發證據4 教示在聚醯亞胺中加入碳黑而不大幅降低介電強度的技術手段。因此可無歧義推知：在不大幅降低介電強度（衹要降幅小於1.81倍至7.8 倍，否則顯屬「大幅降低」）之下，添加碳黑後的介電強度即大於1400V/mi
l 。
三、舉發證據2 、4 、7 足證請求項1 不具進步性。舉發證據7揭露藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起，即具有系爭專利的消光作用（形成粗糙表面）；舉發證據7揭露的聚醯亞胺顆粒，具有在聚醯亞胺薄膜表面作為消光劑的固有特性。系爭專利權人亦自認聚醯亞胺顆粒作為消光劑係習知技術（甲證4 ）。其餘與前述舉發證據2 、4 、5 之組合同。
四、舉發證據2 、4 及甲證3 足證請求項1 不具進步性。甲證3揭露以聚醯亞胺顆粒作為聚醯亞胺薄膜的消光劑，與系爭專利同，亦與系爭專利權人自認習知技術同（甲證4 ）。甲證
3 並未限定聚醯亞胺薄膜必須使用熱轉化或化學轉化；反而，甲證7 足證化學轉化法製得之聚醯亞胺薄膜可作為顯示裝置的對準層使用。參加人所稱對準層必須是熱轉化聚醯亞胺云云，顯與事實不符。其餘與前開舉發證據2 、4 、5 之組合及舉發證據2 、4 、7 之組合同。
五、舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之組合、舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項2 至4 所依附的請求項1 不具進步性，各證據能輕易組合之理由，同請求項1 。故應認請求項2 、3 、4 相對於各證據組合，不具進步性。舉發證據2 揭露請求項2 至4 所增加之技術特徵；因此，舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之組合、舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項2 至
4 不具進步性。
六、舉發證據2 、4 、5 之組合、舉發證據2 、4 、7 之組合、舉發證據2 、4 、甲證3 之組合分別足證請求項5 至7 所依附的請求項1 不具進步性；請求項5 、6 、7 所增加之技術特徵，皆屬所屬技術領域中之技術常識，且無不可預期之技術功效。將舉發證據6 與舉發證據2 、4 、5 或舉發證據2、4 、7 或舉發證據2 、4 、甲證3 項組合，並未產生不可預期之技術功效，故應認請求項5 、6 、7 相對於各證據組合，不具進步性。因此，舉發證據2 、4 、5 、6 之組合、舉發證據2 、4 、6 、7 之組合、舉發證據2 、4 、6 、甲證3 之組合，分別足證請求項5 至7 不具進步性。
七、被告109 年2 月15日答辯書，亦指出系爭專利係分割自第000000000 號專利申請案（原案）。系爭專利說明書僅能支持原案（界定的無機消光劑及其粒徑、含量及其他要件），但系爭專利說明書並未揭露「藉由聚醯亞胺顆粒消光劑」達成消光效果之技術，符合請求項全部技術特徵仍無法達成發明目的，故不明確；請求項範圍大於說明書，故不受說明書所支持；說明書實施例及比較例證明：完全符合請求項全部要件，卻僅能隨機再現說明書記載之結果，故無法據以實現。前述各證據組合足證請求項1 至7 不具進步性。
八、聲明：
（一）原處分及訴願決定均撤銷。
（二）被告就系爭專利應為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分。
貳、被告方面
一、系爭專利說明書及請求項1 至7 未違反專利法第26條第1 及
2 項規定之理由，已詳述於原處分。
二、甲證3 說明書第64頁倒數第3 至4 行所揭露之內容為「作為光學薄膜層壓至透明基底上的功能層分別優選包含摻入其中的消光劑，從而改善其粘著性或其在高濕度時的耐粘著性」。說明其中摻入的消光劑，係為改善其粘著性或其在高濕度時的耐粘著性與系爭專利請求項1 之聚醯亞胺顆粒消光劑用途尚有差異。
三、甲證3 說明書第65頁所揭露之內容為「作為消光劑的無機材料的例子包括：顆粒無機材料如顆粒硫酸鋇、…。作為消光劑的有機材料的進一步的例子包括：二氧化矽，如通過濕法或矽酸的凝膠化而獲得的合成二氧化矽，和通過鈦渣與硫酸的反應而生產的二氧化鈦（金紅石型或銳鈦礦型）。…消光劑的其它例子包括：通過對有幾聚合物進行研磨和分級所獲得的產物；所述聚合物如聚四氟乙烯、乙烯纖維素、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丙酯、聚丙烯酸甲酯、聚碳酸亞乙基酯、丙烯醯基苯乙烯基樹脂、矽酮基樹脂、聚碳酸酯樹酯苯並胍胺基樹脂、三聚氰胺基樹酯、聚烯烴基樹脂、聚酯基樹脂、聚醯胺基樹脂、聚醯亞胺基樹酯、聚氟乙烯基樹脂和澱粉。做為選擇，可以使用：通過懸浮聚合法合成的聚合物，或通過噴霧幹法或分散法等等已使之成為球形的聚合物或無機化合物。可以添加由上述相同材料製成但具有較大粒徑0.1-10微米的顆粒材料，以便形成防眩光層。
…」。甲證3 僅單純說明可作為消光劑的無機材料及有機材料，而所揭露的聚醯亞胺基樹脂，亦僅係該數十種消光劑中的一種而已，發明所屬技術領域中具有通常知識者依甲證3所揭露之內容，實無理由特定選擇聚醯亞胺基樹脂作為聚醯亞胺薄膜之消光劑，甲證3 頂多僅廣泛地揭露在數十種消光劑中的聚醯亞胺基樹脂（或聚醯亞胺基樹脂顆粒材料）可以添加在聚醯亞胺薄膜中。然，舉發證據2 、4 及其他舉發證據之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，已為舉發審查確定，縱使甲證3 揭露在聚醯亞胺薄膜中可添加聚醯亞胺樹脂顆粒作為消光劑，且舉發證據2 、4 及甲證3 能夠勉強拼湊結合，惟舉發證據2 、4 及甲證3 均未揭示與製備聚醯亞胺膜之成分、比例及添加物等條件息息相關之系爭專利請求項1 「基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」之技術特徵，是所屬技術領域中具有通常知識者依舉發證據2 、
4 及甲證3 之技術之內容並無法輕易思及並完成系爭專利請求項1 之發明，故舉發證據2 、4 及甲證3 之組合無法證明系爭專利請項1 不具進步性。
四、原告其餘所主張之舉發證據2 、4 、5 及新爭點所主張之證據組合，均不足以證明系爭專利請求項1 至7 不具進步性，其理由詳述於原處分。
五、聲明：原告之訴駁回。
參、參加人方面
一、系爭專利說明書係記載：「在某些實施例中，該基膜之60度光澤值係介於且選擇性地包括…」，上述內容僅為舉例，並非如原告所述為必要技術特徵。系爭專利請求項1 至7 皆無「消光效果（60度光澤值）」特徵，原告誤解系爭專利說明書所載之內容為其必要技術特徵。
二、比較例6 與系爭專利發明內容不同。系爭專利說明書比較例
6 所使用的消光劑為30%BaS04。系爭專利請求項1 所載之消光劑為聚醯亞胺顆粒消光劑。比較例6 不具有聚醯亞胺顆粒消光劑，不符合系爭專利請求項1 之發明的化學成分特徵，原告比對錯誤。不同成分之基膜具有不同介電強度係屬正常。「介電強度大於1400V/mil 」為系爭專利之「特徵」。系爭專利請求項係以「成分比例」以及「介電強度」共同定義基膜。惟有同時符合此兩條件的基膜。方為系爭專利所保護之發明，不應拆解為「成分比例」及「介電強度」兩部分比較。
三、系爭專利說明書第12至14頁已敘述用「碳黑」作為基膜之染料，且限定基膜之介電強度需大於1400V/mil ，此對系爭專利所屬技術領域具有通常知識者而言，自可根據說明書中的敘述及各項實施例/ 比較例，而輕易選擇低傳導度的碳黑，以獲得較高的介電強度。系爭專利說明書第15頁第3 至8 行中已明確揭露系爭專利之消光劑可包含聚醯亞胺顆粒。可證「消光劑」之特徵乃受說明書所支持，並未超出說明書揭露範圍。系爭專利請求項1 至7 的全部技術特徵，包括但不限於原告所述的「消光劑」及「碳黑」皆已於系爭專利說明書有對應記載，受到說明書所支持，符合專利法第26條第2 項規定。
四、系爭專利說明書已提供足夠的實例/ 比較例（34個），其包含消光劑之「含量」、「密度範圍」、「中值粒徑」及「介電強度」等數值。本領域通常知識者在參酌說明書中的各項具體實例內容後，不需要進行過度實驗即可據以實施系爭專利之發明，包括但不限於達成「> 1400V/mil 介電強度」。
系爭專利請求項1 至7 已清楚界定本發明之技術特徵，並無限定聚醯亞胺顆粒消光劑之「含量」、「密度範圍」、「中值粒徑」之必要。
五、原告提出的證據組合，皆未揭露系爭專利請求項「基膜具有大於1400 V/mil之介電強度」之特徵，而此特徵並非本領域通常知識者可輕易得知。原告另舉出甲證5 、甲證6 ，認為聚醯亞胺之介電強度為習知技術常識。然而甲證5 所舉的聚醯亞胺膜與系爭專利成分完全不同，甲證6 則未提供聚醯亞胺膜的組成，根本不具可比性。舉發證據5 、7 雖存在聚醯亞胺顆粒，但並未揭露其在聚醯亞胺膜中作為消光劑之用途。
六、原告之舉發證據2 、4 、5 及2 、4 、7 無結合理由。通常知識者並無動機將舉發證據4 中「具相反特性且缺一不可」的碳黑及二氧化鈦顆粒加入舉發證據2 的聚醯亞胺膜中（不論單獨或一起加入，蓋如只加碳黑，將違反舉發證據4 之教示；如同時加入碳黑及二氧化鈦顆粒，則違反本領域之通常知識），因此舉發證據2 及4 二者無從結合。縱認舉發證據
2 及4 可結合，通常知識者也沒有理由再用舉發證據5 或7之聚醯亞胺顆粒來替換舉發證據4 的二氧化鈦顆粒（違背舉發證據4 ），或者額外加入第三種顆粒（過量添加會破壞薄膜原本的導電度、透明度等性質）。
七、原告之舉發證據2 、4 、甲證3 無結合理由。甲證3 與舉發證據2 、4 之技術內容皆有衝突：「透明」與「不透明」；熱轉化」與「化學轉化」聚醯亞胺，故並無結合理由。
八、原告之新提出之甲證7 未能證明甲證3 與舉發證據2 、4 具結合理由。甲證3 說明書清楚載明其使用熱轉化聚醯亞胺膜，與舉發證據2 、4 之技術內容不同。甲證3 聚醯亞胺膜之製作方法係將聚醯胺酸溶液在100 至300 °C 的環境下鍛燒
0.5 至1 小時（說明書第79/121頁8 至12行）。即便甲證7揭露一種可用於「對準層」之化學轉化聚醯亞胺膜，仍不影響甲證3 揭露內容為熱轉化聚醯亞胺膜。此外，通常知識者仍不具有將「透明」的甲證3 與「不透明」的舉發證據4 結合的教示、建議、或動機。
九、聲明：原告之訴駁回。
丁、得心證之理由
壹、按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定」，現行專利法第71條第3 項本文定有規定。查本件系爭專利係於99年8 月3 日提出申請，嗣經被告於105 年2 月1日核准審定（見乙證2 卷第70頁）。準此，本件系爭專利是否具有舉發之情事，應依103 年1 月22日修正公布、同年3 月24日施行之專利法（下稱：「核准時專利法」）為斷。
貳、爭點（見本案卷二第29、37頁）
一、系爭專利請求項1 至7 是否違反核准時專利法第26條第2 項規定？
二、系爭專利請求項1 至7 是否違反核准時專利法第26條第1 項規定？
三、舉發證據2 、4 、5 之組合是否足證系爭專利請求項1 至4違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
四、舉發證據2 、4 、7 之組合是否足證系爭專利請求項1 至4違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
五、舉發證據2 、4 及甲證3 之組合是否足證系爭專利請求項1至4 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
六、舉發證據2 、4 、5 、6 之組合是否足證系爭專利請求項5至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
七、舉發證據2 、4 、6 、7 之組合是否足證系爭專利請求項5至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
八、舉發證據2 、4 、6 及甲證3 之組合是否足證系爭專利請求項5至7 違反核准時專利法第22條第2 項不具進步性規定？
參、核准時專利法第26條第1 項規定：「說明書應明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現」。同法第26條第2 項規定：「申請專利範圍應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明書所支持」。又發明為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利（同法第22條第2 項規定參照）。依同法第71條第1 項第1 款、第73條第1 項規定，發明有違反前述同法第26條、第22條第2 項之情事，任何人得向專利專責機關提起舉發，並應備具申請書，載明舉發聲明、理由，並檢附證據。「倘舉發人所附之證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分」（最高行政法院108 年度判字第30號判決意旨參照）。末按：「主張優先權者，其專利要件之審查，以優先權日為準」，核准時專利法第28條第4 項定有明文。
肆、系爭專利技術分析：
一、技術內容：
（一）系爭專利說明書第1 頁【發明所屬之技術領域】欄：系爭專利係揭露一般涉及消光表面處理之基膜（matte finishbase films），其可用於覆蓋（coverlay）之應用並且具有優異之介電與光學性質。更特定的是，本揭露之該消光表面處理基膜包含一相對低濃度的顏料與消光劑於一聚醯亞胺膜中，該聚醯亞胺膜係藉由化學（相對於熱程序）轉化程序而經醯亞胺化（見乙證2 卷第91頁反面）。
（二）系爭專利說明書第1 頁【先前技術】欄：目前在電子材料元件上覆蓋層（coverlays ）已知用於作為保護電子材料之阻隔膜，例如用於保護撓性印刷電路板、電子組件、積體電路封裝的導線架及類似者。然而，人們對於更加薄化且成本更低之覆蓋仍有需求，而且不但需要具有可接受之電性質（例如介電強度），亦需具有可接受的結構與光學性質，以對於受該覆蓋所保護的電子組件提供安全防護，避免不必要的目視檢查與破壞（見乙證2 卷第91頁反面）。
（三）系爭專利說明書第1 、2 頁【發明內容】欄：系爭專利之發明係針對習知覆蓋層之缺點進行改良，並揭露一可應用於覆蓋層之基膜。該基膜係包含一經化學轉化之聚醯亞胺，其量為該基膜之71至96重量百分比。該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自：i . 至少50莫耳百分比之芳族二酐，此係基於該聚醯亞胺之總二酐含量，以及ii .至少50莫耳百分比之芳族二胺，此係基於該聚醯亞胺之總二胺含量。該基膜進一步包含：一低傳導度碳黑，其存在量為該基膜之
2 至9 重量百分比；以及一消光劑，其：a . 存在量為該基膜之1.6 至10重量百分比、b . 具有中值粒徑為1.3 至10微米，以及c . 具有密度為2 至4.5g/cc （見乙證2 卷第90頁正面、第91頁反面）。
（四）系爭專利說明書第4 、5 頁【實施方式】欄：系爭專利之基膜包含經填充之聚醯亞胺基質，其中該聚醯亞胺係由化學轉化程序所創造。化學轉化程序之一個優點（相較於單獨的熱轉化程序而言）為達到足夠低光澤之必要的消光劑量，相較於若使用熱轉化程序者，係至少低於其之10、20、30、40或50百分比。普遍接受之60度光澤值為：< 10平光（flat）10-70 消光（matte ）、絲光（satin ）、半光（semi-gloss）（使用各種術語）> 70光澤（glossy）。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為介於且選擇性地包括任何下列兩者：2 、3 、4 、5 、10、15、20、
25、30與35。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為
2 至35。在某些實施例中，該基膜具有60度光澤值為10至35。該60度光澤值係使用Micro-TRI-Gloss 光澤計測得。
使用較少量的消光劑（藉助於該化學轉化而能製成）有其優點，因為此：i . 降低整體成本；ii .簡化消光劑分散至該聚醯胺酸（或其他聚醯亞胺前驅物材料）的程序；以及iii . 使所生成之基膜具有較佳機械性質（例如較低之脆度）。化學轉化程序之另一個優點（相較於單獨的熱轉化程序而言）為該經化學轉化之基膜的介電強度較高。在某些實施例中，該基膜之介電強度係大於1400 V/mil（55V/micron）（見乙證2 卷第89頁正面、反面）。
（五）系爭專利說明書第21至29頁【實施方式】欄：系爭專利發明目的是提供可應用於覆蓋層之基膜，其可以在消光劑低量下，在基膜兩側皆達到低的60度光澤值（消光外觀）以及高介電強度（見乙證2 卷第77頁反面至第81頁反面）。
（六）系爭專利說明書【摘要】欄：概括而言，系爭專利之基膜，其具有厚度為8 至152 微米、60度光澤值為2 至35、光學密度為大於或等於2 以及介電強度為大於1400V/mil 。
該基膜係包含經化學轉化之（部分或全部為芳族）聚醯亞胺，其量為該基膜之71至96重量百分比。該基膜進一步包含顏料與消光劑。該消光劑之存在量為該基膜之1.6 至10重量百分比、具有中值粒徑為1.3 至10微米並且具有密度為2 至4.5g/cc 。該顏料之存在量為該基膜之2 至9 重量百分比。系爭專利之揭露亦關於覆蓋膜，其包含該基膜並結合黏著層（見乙證2 卷第92頁）。
二、申請專利範圍分析：本案系爭專利請求項共計7 項，其中請求項1 與5 為獨立項，其餘為附屬項。系爭專利權人為參加人，且未曾針對系爭專利提起任何更正申請。另原告主張訴願決定及原處分關於「請求項1 至7 舉發不成立」之部分均應撤銷且應為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分。本案有關請求項1至7 之申請專利範圍內容如下（見乙證2 卷第71頁正面、反面）：
（一）請求項1：一種基膜，其包含：
A. 一經化學轉化之聚醯亞胺，其量為該基膜之71 至96重量百分比，該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自：
a. 至少50莫耳百分比之一芳族二酐，此係基於該聚醯
亞胺之一總二酐含量，以及
b. 至少50莫耳百分比之一芳族二胺，此係基於該聚醯
亞胺之一總二胺含量；
B. 一碳黑，其存在量為該基膜之2 至9重量百分比；以及
C. 一聚醯亞胺顆粒消光劑；其中，該基膜具有大於1400V/mil之一介電強度。
（二）請求項2：如申請專利範圍第1項所述之基膜，其中：
a.該芳族二酐係選自由下列所組成之群組：焦蜜石酸二酐、3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐（tetracarboxylic dianhydride ）、3,3 ' ,4,4 '- 二苯基酮四羧酸二酐；4,4 '-氧基二酞酸酐（oxydiphthalicanhydride ）、3,3 ' ,4,4 '- 二苯基四羧酸二酐、2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷（2,2-bis （3,4-dicarboxyphenyl）hexafluoropropane ）、雙酚A 二酐，以及上述物質之混合物；以及
b.該芳族二胺係選自由下列所組成之群組：3,4 '-氧基二苯胺、1,3-雙- （4-胺基苯氧基）苯、4,
4 '-氧基二苯胺、1,4-二胺基苯、1,3-二胺基苯、2,2'-雙（三氟甲基）聯苯胺（2,2 '-bis （trifluoromet
hyl ）benzidene ）、4,4 '-二胺基聯苯、4,4 '-二胺基二苯基硫醚、9,9 '-雙（4-胺基）氟，以及上述物質之混合物。
（三）請求項3：如申請專利範圍第1 項所述之基膜，其中該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自焦蜜石酸二酐與4,4 '-氧基二苯胺。
（四）請求項4：如申請專利範圍第1 項所述之基膜，其中該基膜具有一厚度為8 至152 微米。
（五）請求項5：一種多層膜，其包含如申請專利範圍第1 項所述之該基膜與一黏著層。
（六）請求項6：如申請專利範圍第5 項所述之多層膜，其中該黏著層為一環氧樹脂，其係選自由下列所組成之群組：雙酚A 型環氧樹脂、甲酚酚醛（novolac ）型環氧樹脂、含磷環氧樹脂與上述物質之混合物。
（七）請求項7：如申請專利範圍第5 項所述之多層膜，其中該多層膜為一覆蓋膜。
伍、原告所提引證之技術分析：
一、舉發證據2 （見乙證1 卷第58至60頁）為88年8 月17日公告之US5 ,939,498「高模數聚醯亞胺摻合物（High modulus polyimide blend）」專利案，其公告日早於系爭專利之最早優先權日，故舉發證據2 可為系爭專利之先前技術。舉發證據2 提供一種通過化學轉化製備的聚醯亞胺摻合物，其包含25至50重量% 的第一聚醯亞胺以及50至75重量% 的第二聚醯亞胺。第一聚醯亞胺是由90至100 莫耳% 的芳族二酐（例如33,3 ' ,4,4 '-聯苯四羧酸二酐（3,3 ' ,4,4 '-bipheny ltetracarboxylic dianhydride ））與芳族二胺（例如對苯二胺（p-phenylenediamine））衍生而成；第二聚醯亞胺是由芳族二酐（例如均苯四酸二（pyromellitic dianhydride））與50至80莫耳% 的芳族二胺（例如二氨基二苯醚（diaminodiphenylether））所衍生而成，該摻合物中並可進一步包含碳黑等填料以調整其性質。該聚醯亞胺摻合物可應用於製作具有高模數和低熱膨脹係數之覆膜，該覆膜可用於電子元件（見舉發證據2 摘要、說明書第4 欄、請求項1 參照）。
二、舉發證據4 （見乙證1 卷第51至55頁）為80年7 月9 日公告之US5 ,031,017「複合光學遮蔽覆層（Composite opticalshielding ）」專利案，其公告日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證據4 可為系爭專利之先前技術。舉發證據4 揭示一種用於積體電路的不透明光學遮蔽覆層，其包括懸浮在聚醯亞胺中的二氧化鈦的反射顆粒和炭黑的吸光顆粒。反射粒子增加了穿過載體的光的有效路徑長度，因此僅需要低濃度量之碳黑即能使光學遮蔽覆層呈不透明狀態，且低碳黑濃度可以使其導電性不會損害積體電路等電子元件之運作。此外，該遮蔽覆層還可保護積體電路免受污染。該遮蔽覆層可為聚醯亞胺，並可藉由將特定比例之二氧化鈦和碳黑顆粒混合到聚醯胺酸溶液中形成前驅溶液後，再以常規半導體加工技術而形成圖案化薄膜（見舉發證據4 摘要、說明書第5 欄、請求項1 至15參照）。
三、舉發證據5 （見乙證1 卷第48至50頁）為83年7 月12日公開之日本特開平0-000000「潤滑性之聚醯亞胺膜的製造方法（易滑性ポリイミドフィルムの製造方法）」專利案，其公開日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證據5 可為系爭專利之先前技術。舉發證據5 揭示了一種易滑性聚醯亞胺薄膜之製造方法，其步驟包含：將芳族四羧酸二酐與脂肪族二胺在有機極性溶劑中反應，製得聚醯胺溶液，再將其加熱沉澱出聚醯亞胺微粒；在聚醯亞胺微粒存在之情況下，使芳族四羧酸二酐與脂肪族二胺在有機極性溶劑中反應，以製備包含聚醯亞胺微粒的聚醯胺酸溶液；將該溶液成膜並醯亞胺化，從而得到分散有聚醯亞胺微粒的聚醯亞胺膜。該方法可採適於工業生產之方式製作聚醯亞胺薄膜，該聚醯亞胺薄膜仍保留聚醯亞胺薄膜固有的性能和外觀，不含雜質並且表面滑動性和表面粘附性極佳，可理想地應用於撓性印刷電路板等之電子元件（見舉發證據5 摘要、說明書段落第[ 0008] 至[ 0024] 參照）。
四、舉發證據6 （見乙證1 卷第43至47頁）為93年9 月21日公告之US6 ,794,031B2「覆蓋膜及使用其之印刷電路板（Cover-
lay film and printed circuit board having the same）」專利案，其公告日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證據6 可為系爭專利之先前技術。舉發證據6 揭示一種包括耐熱膜和黏著層之覆蓋膜，該耐熱膜主要由聚醯亞胺形成；該黏著層由環氧樹脂組合物形成，該組合物之成分包含（a ）環氧樹脂、（b ）固化劑、（c ）含酚羥基之聚醯胺- 聚（丁二烯- 丙烯腈）共聚物和（d ）離子捕捉劑等，且固化後的玻璃化轉變溫度為80℃以上。其中，該耐熱膜之聚醯亞胺可為由3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐和對苯二胺等組分反應而成；該黏著層之環氧樹脂可包含雙酚A 等成分（見舉發證據6摘要、說明書第2 欄參照）。
五、舉發證據7 （見乙證1 卷第39至42頁）為85年1 月23日公開之日本特開平8-20721 「聚醯亞胺薄膜及其製造方法（ポリイミドフィルム及びその製造方法）」專利案，其公開日早於系爭專利最早優先權日，故舉發證據7 可為系爭專利之先前技術。舉發證據7 揭示一種聚醯亞胺薄膜及其製造方法，該方法藉由混合特定結構的聚醯亞胺微粒，以製得表面具有微細凸起、表面潤滑性、耐熱性極佳之聚醯亞胺膜，並適用於撓性印刷電路板等元件。其中，該聚醯亞胺膜之組成可包含5 至20wt% 的聚醯亞胺微粒；該聚醯亞胺可由芳族二酐、芳族二胺等成分於催化劑與脫水劑存在之情況下反應製成（見舉發證據7 摘要、說明書段落第[ 0011 ]至[ 0028] 參照）。
六、甲證3 （見本案卷一第89至216 頁）為96年8 月1 日公開之CZ000000000A「光學薄膜和抗反射薄膜的生產方法，光學薄膜、抗反射薄膜、偏振片以及包含它們的圖像顯示裝置」專利案，其公開日早於系爭專利最早優先權日，故甲證3 可為系爭專利之先前技術。甲證3 揭示一種在透明基板上製造包括至少兩個電離輻射固化層光學薄膜之方法，該方法之步驟包括：以特定波長之電離輻射對層A 進行照射之步驟1 ，該層A 包括於較長波長處具有不同吸收峰的兩種或更多種聚合引發劑；在步驟1 之後，將含層B 成分之塗料溶液塗佈在層
A 後再以特定波長之電離輻射對層B 進行照射之步驟2 。該光學薄膜可應用於光電領域電子元件之防眩光層、對準層等功能層，該功能層可包含摻入其中之消光劑，該消光劑可為聚醯亞胺樹脂顆粒；該功能層優選地可為用做LCD 對準層之聚醯亞胺薄膜（見甲證3 摘要、說明書第6 頁第10至14行、第64頁第22行至第65頁第22行、第79頁第10至14行參照）。
七、甲證4 （見本案卷一第217 至222 頁）為系爭專利之大陸對應案的行政起訴狀，該起訴狀之原告為本案參加人，其係針對專利複審委員會因該對應案不符合據以實現（專利法第26條第3 款）要件所作之無效決定進行訴訟，原告認為使用聚醯亞胺微粒作為消光劑係所屬技術領域公知的，且需區分「使用聚醯亞胺微粒作為消光劑的技術效果」與「包含用作消光劑的聚醯亞胺微粒的基膜的技術效果」之不同，故該公司主張該對應案應符合據以實現要件之相關規定（見甲證4 第
1 頁第1 至19行、第2 頁第1 行至第6 頁第6 行參照）。
八、甲證5 （見本案卷一第223 至227 頁）為94年6 月塑料科技期刊發表「聚醯亞胺的性能及應用」論文，其發行日早於系爭專利最早優先權日，故甲證5 可為系爭專利之先前技術。
甲證5 揭示習知聚醯亞胺的介電強度為100 至300kV/mm（即2540至7620V/mil ），並載明市面上主要的聚醯亞胺薄膜產品包括杜邦公司50年推出Kapton、Amoco 公司開發之AI等產品（見甲證5 之1 聚醯亞胺發展過程、2 聚醯亞胺的分類與性能等章節參照）。
九、甲證6 （見本案卷一第229 至254 頁）為98年4 月1 日公開之TZ000000000A「由聚合物與陶瓷之混合物製成之靜電夾頭」專利案，其公開日早於系爭專利最早優先權日，故甲證6可為系爭專利之先前技術。甲證6 揭示揭示一種用於夾持工作基底之靜電夾頭，該夾頭包含三層，其中選擇所包括之非導電層的介電常數以提供整體較低之電容予夾頭。在該發明之夾頭組合中，與基底（例如晶圓）接觸之介電頂層具有較佳大於約5 之介電常數，且電阻率較佳大於約1E6 ohm .m，然而，介電底層具有較佳少於約5 之介電常數及較佳大於約1E10 ohm .m 之電阻率。中間層較佳具有電阻率少於約1 oh
m . m 之導電層。靜電夾頭可以結合至塗覆有抗電弧介電材料之熱槽（sink）。熱槽也可作為RF電極。熱槽可以提供冷卻劑及氣體通道以饋送冷卻用氣體至晶圓背面。熱槽可以具有送料直通以將動力供給靜電夾頭中之分段的電極。用於送料直通之通道、氣體送料孔及舉針（lift pins ）可用陶瓷或聚合物作襯裡以防止任何放電至熱槽。靜電夾頭是用以夾持工作基底，例如半導體工具中所用之Si、GaAs、SiO2等。
其中，甲證6說明書第14頁載明「300KV/mm之崩潰電壓的聚醯亞胺」，該「崩潰電壓」即系爭專利所稱之「介電強度（diel ectric breakdown strength）」（見甲證6 摘要與說明書第14頁參照）。
陸、系爭專利請求項1 至7 所對應之說明書內容未違反核准時專利法第26條第1 項規定：
一、核准時專利法第26條第1 項規定：「發明說明應明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現」，「關於系爭專利說明書是否符合明確且充分揭露而可據以實現要件之審查，係指說明書應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之發明，解決問題，並且產生預期的功效」（最高行政法院108年度判字第161 號判決意旨參照），「所謂發明說明應『明確揭露』，是指申請專利之發明應記載所欲解決之問題、解決問題之技術手段及以該技術手段解決問題而產生之功效，且問題、技術手段及功效之間應有相對應的關係，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解申請專利之發明，另外記載之用語亦應明確，以界定其真正涵義，不得模糊不清或模稜兩可。所謂發明說明應『充分揭露』，是指發明說明應記載如『發明所屬之技術領域及先前技術、圖式簡單說明、發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效、一個以上實施發明之方式，必要時得以實施例說明』等形式要件外，且若有該發明所屬技術領域中具有通常知識者從先前技術無法直接且無歧異得知有關申請專利之發明內容者，亦均應於發明說明中記載」（最高行政法院107年度判字第441 號判決意旨參照）。
二、查系爭專利請求項1 之發明係「一種基膜，其包含：A . 一經化學轉化之聚醯亞胺，其量為該基膜之71至96重量百分比，該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自：a . 至少50莫耳百分比之一芳族二酐，此係基於該聚醯亞胺之一總二酐含量，以及b . 至少50莫耳百分比之一芳族二胺，此係基於該聚醯亞胺之一總二胺含量；B . 一碳黑，其存在量為該基膜之2 至
9 重量百分比；以及C . 一聚醯亞胺顆粒消光劑；其中，該基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度。」。
三、系爭專利說明書第1 頁第9 至24行揭露「本揭露一般涉及消光表面處理之基膜（matte finish base films ），其可用於覆蓋（coverlay）之應用…，該聚醯亞胺膜係藉由化學（相對於熱程序）轉化程序而經醯亞胺化。概括而言，覆蓋（coverlays ）已知用於作為保護電子材料之阻隔膜，例如用於保護撓性印刷電路板、電子組件、積體電路封裝的導線架及類似者。然而，人們對於更加薄化且成本更低之覆蓋仍有需求，而且不但需要具有可接受之電性質（例如介電強度），亦需具有可接受的結構與光學性質，以對於受該覆蓋所保護的電子組件提供安全防護，避免不必要的目視檢查與破壞」（見乙證2 卷第91頁反面）。
四、系爭專利說明書第4 頁第14行至第12頁第9 行揭露「本揭露之基膜包含經填充之聚醯亞胺基質，其中該聚醯亞胺係由化學轉化程序所創造。化學轉化程序之一個優點（相較於單獨的熱轉化程序而言）為達到足夠低光澤之必要的消光劑量，相較於若使用熱轉化程序者，係至少低於其之10、20、30、40或50百分比。普遍接受之60度光澤值為：（光澤值）< 10平光（flat）；（光澤值）10-70 消光（matte ）、絲光（satin ）、半光（semi-gloss）（使用各種術語）；（光澤值）> 70光澤（glossy）。…該聚醯胺酸係由下列程序而製成，藉由溶解約略同莫耳數量之二酐與二胺於溶劑中，並且在經調控之溫度條件攪拌所生成之溶液，直到該二酐與該二胺之聚合完成。典型地使單體之一者（通常為二胺）稍微過量用以初始控制分子量與黏度，而後可經由不足單體之額外少量使分子量與黏度增加。適用於本揭露之聚醯亞胺的二酐實例包括芳族二酐、脂族二酐與上述物質之混合物。在一實施例中，該芳族二酐係選自由下列所組成之群組：焦蜜石酸二酐；3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐（tetracarboxylicdianhydride ）；3,3 ' ,4,4 '- 二苯基酮四羧酸二酐；4,
4 '-氧基二酞酸酐（oxydiphthalic anhydride ）；3,3 ',4,4 '- 二苯基四羧酸二酐；2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷（2,2-bis （3,4-dicarboxyphenyl ）hexafluoropropane ）；雙酚A 二酐；以及上述物質之混合物與衍生物。…適用於本揭露之聚醯亞胺的二胺實例包括芳族二胺、脂族二胺與上述物質之混合物。在一實施例中，該芳族二胺係選自由下列所組成之群組：3,4 '-氧基二苯胺；1,3-雙- （4-胺基苯氧基）苯；4,4 '-氧基二苯胺；1,4-二胺基苯；1,3-二胺基苯；2,2 '-雙（三氟甲基）聯苯胺（2,2 '-bis （trifluoromethyl ）benzidene ）；4,4 '-二胺基聯苯；4,
4 '-二胺基二苯基硫醚；9,9 '-雙（4-胺基）氟；上述物質之混合物與衍生物。…在一實施例中，該聚醯亞胺二酐組分為焦蜜石酸二酐（「PMDA」）並且該聚醯亞胺二胺組分為4,
4 '-氧基二苯胺（「4,4 ODA 」）與對伸苯二胺（「PPD 」）之組合。在一實施例中，該聚醯亞胺二酐組分為焦蜜石酸二酐（「PMDA」）並且該聚醯亞胺二胺組分為4,4 '-氧基二苯胺（「4,4 ODA 」）與對伸苯二胺（「PPD 」）之組合，其中ODA 與PPD （ODA ：PPD ）之比例係為任何下列莫耳比例：i . 20至80：80至20；ii .50至70：50至30；或iii .5
5 至65：45至35。在一實施例中，該聚醯亞胺二酐組分為PMDA，並且該二胺組分係ODA 比PPD （ODA ：PPD ）之莫耳比例為約60：40。」（見乙證2 卷第86頁反面至89頁正面）。
五、系爭專利說明書第12頁第11行至第14頁第10行揭露「實際上在實施本發明時，可以使用任何顏料（或顏料之組合）。在某些實施例中，可用之顏料包括但不限於下列：…在某些實施例中，可用之黑色顏料包括：…在某些實施例中，係使用低傳導度碳黑。…使用該低傳導度碳黑於本揭露中之目的，係賦予該基膜黑色並且達到所欲之光學密度，該基膜具有厚度介於且選擇性地包括下列任兩者：8 、10、15、20、25、
30、35、40、45、50、60、70、80、90、100 、110 、120、130 、140 與152 微米。在某些實施例中，該基膜厚度為由8 至152 微米。…在某些實施例中，骨黑可用以賦予黑色。在一實施例中，該低傳導度碳黑之存在量係介於且選擇性地包括下列任兩者：該基膜之2 、3 、4 、5 、6 、7 、8與9 重量百分比。…在某些實施例中，可使用染料。可用之染料實例為但不限於苯胺黑（nigrosin black）、單偶氮鉻錯合黑（monoazo chromium complex black）或上述物質之混合物。在某些實施例中，可使用染料與顏料之混合物」（見乙證2 卷第84至85頁）。
六、系爭專利說明書第14頁第12行至第15頁第8 行揭露「聚合物材料通常本身即具有表面光澤。要控制光澤（以及因而產生消光表面特徵），有各式可能之添加方法以達到無光澤與低光澤表面特徵。概括而言，該些添加方法皆基於相同之基礎物理- 創造經改質之表面，其（在微觀上）為粗糙與不規則形狀，因而使較少的光能被反射回遠處（例如大於50公分）的觀察者。當多道光線擊中光澤之表面時，大多數的光以相同角度反射，因而可觀察到相對較高程度之光反射率。當相同之光源擊中消光（即不規則）表面時，該光係被散射至許多不同方向並且亦有較高比例被吸收。因此在粗糙表面，光傾向於擴散地散射至所有方向，並且其影像形成品質大幅下降（反射出來的物體不再呈現清晰而是模糊）。…二氧化矽之非常不規則形狀或孔隙度與低成本使其成為普遍的消光劑。其他可能的消光劑可包括：i . 其他陶瓷，例如硼化物、氮化物、碳化物與其他氧化物（例如氧化鋁、氧化鈦等）；以及ii .有機顆粒，前提是該有機顆粒能夠承受處理經化學轉化聚醯亞胺時的溫度（處理溫度為由約250 ℃至約550 ℃，取決於所選擇的特定聚醯亞胺程序）。可用於聚醯亞胺應用之消光劑（可承受聚醯亞胺合成之熱條件）為聚醯亞胺顆粒」（見乙證2 卷第84頁正面、反面）。
七、系爭專利說明書第16頁第14行至第18頁第27行揭露「本揭露之基膜可包含黏著層，以在施用該基膜時維持該基膜於定位。在一實施例中，該黏著劑係由環氧樹脂與硬化劑所組成，並且選擇性地進一步含有額外組分，例如彈性物、硬化加速劑（催化劑）、硬化劑、填充劑與阻燃劑。在某些實施例中，該黏著劑為環氧樹脂。在某些實施例中，…，該黏著劑為環氧樹脂，且係選自由雙酚A 型環氧樹脂、甲酚酚醛（novo
lac ）型環氧樹脂、含磷環氧樹脂與上述物質之混合物。在某些實施例中，該黏著劑為兩種或以上之環氧樹脂的混合物。在某些實施例中，該黏著劑為具有不同分子量之相同環氧樹脂的混合物。…該環氧黏著劑含有硬化劑。在一實施例中，該硬化劑為酚系化合物。在某些實施例中，該酚系化合物係選自下列所組成之群組：酚醛型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂、聯苯基芳烷基型酚樹脂、多官能型酚樹脂、含氮酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、含磷酚樹脂以及含三（三）（Triazine）酚酚醛樹脂。…在某些實施例中，該環氧黏著劑含有彈性物韌化劑。在某些實施例中，該彈性韌化劑係選自由乙烯- 丙烯系橡膠、丙烯腈- 丁二烯橡膠、末端羧基（carboxyterminated）之丙烯腈- 丁二烯橡膠與上述物質之混合物所組成之群組。在某些實施例中，該環氧黏著劑含有阻燃劑」（見乙證2 卷第82至83頁）。
八、系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行（見乙證2 卷第72頁反面至81頁反面）並以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，其中，符合實例1 至18之條件者，基膜介電強度均高於1400V/mil ，且整體而言呈現不高於70之光澤值。
九、就前述系爭專利說明書所揭示之內容，所屬技術領域中具有通常知識者當可得知系爭專利之發明所欲解決之問題係「提供符合電子元件覆蓋（coverlays ）需求之基膜」，解決問題之技術手段係「如系爭專利請求項所界定之具有特定成分、組成、介電強度大於1400V/mil 的化學轉化聚醯亞胺膜」，並預期可達成「提供具有可接受性質之基膜（例如介電強度、表面消光程度之光澤值）」之功效；且如前述系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行並以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，其中，符合實例1 至18之條件者，基膜介電強度均高於1400V/mil ，且整體而言呈現不高於70之光澤度（即至少達成上述消光處理（光澤值10至70）的程度），所屬技術領域中具有通常知識者自得在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利請求項之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
十、再查就系爭專利之發明所使用芳族二胺、芳族二酐、碳黑、聚醯亞胺顆粒消光劑等之成分而言，如前所述，系爭專利說明書已具體揭示該芳族二酐係選自由下列所組成之群組：焦蜜石酸二酐；3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐（tetracarboxylic dianhydride ）；3,3 ' ,4,4 '- 二苯基酮四羧酸二酐；4,4 '-氧基二酞酸酐（oxydiphthalic anhydride ）；3,3 ' ,4,4 '- 二苯基四羧酸二酐；2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷（2,2-bis （3,4-dicarboxyphenyl ）hexafluoropropane ）；雙酚A 二酐；以及上述物質之混合物與衍生物。該芳族二胺係選自由下列所組成之群組：3,4 '-氧基二苯胺；1,3-雙- （4-胺基苯氧基）苯；4,4 '-氧基二苯胺；1,4-二胺基苯；1,3-二胺基苯；2,2 '-雙（三氟甲基）聯苯胺（2,2 '-bis （trifluoromethyl ）benzidene ）；4,4 '-二胺基聯苯；4,4 '-二胺基二苯基硫醚；9,9 '-雙（4-胺基）氟；上述物質之混合物與衍生物。可用之顏料包括但不限於黑色顏料，其可為低傳導度碳黑，使用該低傳導度碳黑於本揭露中之目的，係賦予該基膜黑色並且達到所欲之光學密度。用於控制光澤消光劑可包括：i . 其他陶瓷，例如硼化物、氮化物、碳化物與其他氧化物（例如氧化鋁、氧化鈦等）；以及ii .有機顆粒；該等消光劑係因在微觀上為粗糙與不規則形狀，可使較少的光能被反射回遠處（例如大於50公分）的觀察者（因而產生消光表面特徵）；用於聚醯亞胺應用之有機顆粒消光劑可為聚醯亞胺顆粒。就系爭專利之發明所使用芳族二胺、芳族二酐、碳黑、聚醯亞胺顆粒消光劑等成分之組成比例而言，系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行亦以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，證明落入系爭專利請求項1 所界定範圍之基膜能夠達成前述具有可接受之介電強度、光澤度的功效，所屬技術領域中具有通常知識者基於前述技術內容，參酌申請時之通常知識，當可藉由簡單試驗（如成分組成之最佳化試驗等）而據以製造及使用申請專利請求項之發明。是以，難認所屬技術領域中具有通常知識者，在發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時的通常知識，無法瞭解如何執行系爭專利請求項1 所請發明，亦難認系爭專利請求項1 所請發明有超過該發明所屬技術領域中具有通常知識者合理預期之範圍以至須過度實驗方可據以實現等情事，故足認系爭專利請求項1 所對應之系爭專利說明書已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現。
十一、原告主張：系爭專利所欲達成之（表面消光處理）發明目的，應為光澤值在10至35之間，且系爭專利說明書指明在某些實施例中當消光劑之量低於1.6 重量% 或中值粒徑低於1.3 微米時，仍無法達成所欲之光澤（度）值，而系爭專利請求項1 並未包含對消光劑之粒徑、含量等範圍進行限定之記載，故可得知系爭專利請求項1 未界定實現系爭專利之發明的必要技術特徵，且僅能隨機再現所欲達成之功效（僅實施例1 、3 、5 能再現前述效果，比較例4 至
6 、8 至11卻無法再現該效果），所屬技術領域中具有通常知識者無法依據說明書之內容實現該請求項所界定之全部發明；參加人曾主張且經被告機關於舉發審定書中認定系爭專利實施例1 、3 、5 中因其預聚合溶液之製程可用於製作聚醯亞胺顆粒，故該等實施粒含有「聚醯亞胺顆粒消光劑」。則依該審定書之理，系爭專利比較例4 至6 、
8 至11等亦會因包含與該等實施例相同的預聚合溶液之製程而具有聚醯亞胺顆粒，但由該等比較例之結果可知含有聚醯亞胺顆粒並不能達成低光澤度或高介電強度之功效，例如比較例6 完全符合請求項1 ，但無法達成系爭專利「介電強度大於1400V/mil 」之目的，顯見系爭專利請求項
1 所界定「聚醯亞胺顆粒消光劑」不能達成所欲功效，遑論所屬領域中具有通常知識者能由系爭專利說明書之記載，據以實現系爭專利之發明等云云（見原告行政起訴狀第貳點、109 年2 月18日準備程序筆錄）。惟查原告前述主張並無理由，說明如次：
（一）就前述系爭專利說明書所揭示之內容，所屬技術領域中具有通常知識者當可得知系爭專利之發明所欲解決之問題係「提供符合電子元件覆蓋（coverlays ）需求之基膜」，解決問題之技術手段係「如系爭專利請求項所界定之具有特定成分、組成、介電強度大於1400V/mil 的化學轉化聚醯亞胺膜」，並預期可達成「提供具有可接受性質之基膜（ 例如介電強度、表面消光程度之光澤值）」之功效；且
如前述系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行並以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，其中，符合實例1 至18之條件者，基膜介電強度均高於1400V/mi
l ，且整體而言呈現不高於70之光澤度（即至少達成上述消光處理（光澤值10至70）的程度），所屬技術領域中具有通常知識者自得在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利請求項之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
（二）再查就系爭專利之發明所使用芳族二胺、芳族二酐、碳黑、聚醯亞胺顆粒消光劑等之成分而言，如前所述，系爭專利說明書已具體揭示該芳族二酐係選自由下列所組成之群組：焦蜜石酸二酐；3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐（tetracarboxylic dianhydride ）；3,3 ' ,4,4 '- 二苯基酮四羧酸二酐；4,4 '-氧基二酞酸酐（oxydiphthalic anhydride ）；3,3 ' ,4,4 '- 二苯基四羧酸二酐；2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷（2,2-bis （3,4-dicarboxyphenyl ）hexafluoropropane ）；雙酚A 二酐；以及上述物質之混合物與衍生物。該芳族二胺係選自由下列所組成之群組：3,4 '-氧基二苯胺；1,3-雙- （4-胺基苯氧基）苯；4,4 '-氧基二苯胺；1,4-二胺基苯；1,3-二胺基苯；2,2 '-雙（三氟甲基）聯苯胺（2,2 '-bis （trifluoromethyl ）benzidene ）；4,4 '-二胺基聯苯；4,4 '-二胺基二苯基硫醚；9,9 '-雙（4-胺基）氟；上述物質之混合物與衍生物。可用之顏料包括但不限於黑色顏料，其可為低傳導度碳黑，使用該低傳導度碳黑於本揭露中之目的，係賦予該基膜黑色並且達到所欲之光學密度。用於控制光澤消光劑可包括：i . 其他陶瓷，例如硼化物、氮化物、碳化物與其他氧化物（例如氧化鋁、氧化鈦等）；以及ii .有機顆粒；該等消光劑係因在微觀上為粗糙與不規則形狀，可使較少的光能被反射回遠處（例如大於50公分）的觀察者（因而產生消光表面特徵）；用於聚醯亞胺應用之有機顆粒消光劑可為聚醯亞胺顆粒。就系爭專利之發明所使用芳族二胺、芳族二酐、碳黑、聚醯亞胺顆粒消光劑等成分之組成比例而言，系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行亦以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，證明落入系爭專利請求項1 所界定範圍之基膜能夠達成前述具有可接受之介電強度、光澤度的功效，所屬技術領域中具有通常知識者基於前述技術內容，參酌申請時之通常知識，當可藉由簡單試驗（如成分組成之最佳化試驗等）而據以製造及使用申請專利請求項之發明。
是以，難認所屬技術領域中具有通常知識者，在發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時的通常知識，無法瞭解如何執行系爭專利請求項1 所請發明，亦難認系爭專利請求項1 所請發明有超過該發明所屬技術領域中具有通常知識者合理預期之範圍以至須過度實驗方可據以實現等情事，故足認系爭專利請求項1 所對應之系爭專利說明書已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現。
十二、原告主張：系爭專利所欲達成之（表面消光處理）發明目的，應為光澤值在10至35之間，且系爭專利說明書指明在某些實施例中當消光劑之量低於1.6 重量% 或中值粒徑低於1.3 微米時，仍無法達成所欲之光澤（度）值，而系爭專利請求項1 並未包含對消光劑之粒徑、含量等範圍進行限定之記載，故可得知系爭專利請求項1 未界定實現系爭專利之發明的必要技術特徵，且僅能隨機再現所欲達成之功效（僅實施例1 、3 、5 能再現前述效果，比較例4 至
6 、8 至11卻無法再現該效果），所屬技術領域中具有通常知識者無法依據說明書之內容實現該請求項所界定之全部發明；參加人曾主張且經被告機關於舉發審定書中認定系爭專利實施例1 、3 、5 中因其預聚合溶液之製程可用於製作聚醯亞胺顆粒，故該等實施粒含有「聚醯亞胺顆粒消光劑」。則依該審定書之理，系爭專利比較例4 至6 、
8 至11等亦會因包含與該等實施例相同的預聚合溶液之製程而具有聚醯亞胺顆粒，但由該等比較例之結果可知含有聚醯亞胺顆粒並不能達成低光澤度或高介電強度之功效，例如比較例6 完全符合請求項1 ，但無法達成系爭專利「介電強度大於1400V/mil 」之目的，顯見系爭專利請求項
1 所界定「聚醯亞胺顆粒消光劑」不能達成所欲功效，遑論所屬領域中具有通常知識者能由系爭專利說明書之記載，據以實現系爭專利之發明等云云（見原告行政起訴狀第貳點、109 年2 月18日準備程序筆錄），惟查原告此部分主張並無理由，說明如次：
（一）系爭專利說明書並未限定其發明目的為提供光澤值為10至35之基膜，且所屬領域中具有通常知識者依系爭專利說明書所記載之技術內容（如消光劑之含量、密度、中值粒徑等範圍）應能理解系爭專利請求項1 所界定「聚醯亞胺顆粒消光劑」等技術特徵，並無須經過度試驗而能實現系爭專利請求項1 之發明。
（二）原告所稱系爭專利說明書中光澤度值10至35之敘述，係該說明書第15頁（見乙證2 卷第84頁反面）關於「消光劑的量、中值粒徑及密度須足以產生所欲之60度光澤值。在某些實施例中，該基膜之60度光澤值係介於且選擇性地包括下列任兩者：2 、5 、10、15、20、25、30與35。在某些實施例中，該基膜之60度光澤值為10至35。在某些實施例中，該消光劑之存在量係介於且選擇性地包括下列任兩者：該基膜之1.6 、2 、3 、4 、5 、6 、7 、8 、9 與10重量百分比。在某些實施例中，該消光劑具有中值粒徑介於且選擇性地包括下列任兩者：1.3 、2 、3 、4 、5 、
6 、7 、8 、9 與10微米。該消光劑顆粒應具有平均粒徑為小於（或等於）約10微米且大於（或等於）約1.3 微米。較大之消光劑顆粒可對最終基膜之機械性質造成負面影響。在某些實施例中，該消光劑具有密度介於且選擇性地包括下列任兩者：2 、3 、4 與4.5g/cc 。在某些實施例中，當該消光劑之量為低於該基膜之1.6 重量百分比時，即使該消光劑中值粒徑與密度在理想範圍中，仍無法達到所欲之60度光澤值。在某些實施例中，當該中值粒徑為低於1.3 微米，即使該消光劑的量與密度在理想範圍，仍無法達到所欲之60度光澤值」之記載。就該記載本身而言，其僅說明在某些實施例中可以達成10至35之光澤值，某些實施例甚至可達成2 至35之光澤值，某些實施例可能達不到前述低於35之光澤值，尚難據以論斷系爭專利之發明以達成10至35光澤值為達成目的之必要功效；且如前述系爭專利說明書已敘明其主要係提供可接收性質之表面消光（光澤值10～70間）處理基膜，亦難以僅就部分實施例未達成35以下之光澤值而逕予斷定系爭專利請求項1 所界定之發明無法達成可接受的光澤值，或其僅能隨機再現消光處理效果之光澤值。
（三）另查系爭專利說明書第21頁第24行至第39頁第4 行並以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、消光劑密度、消光劑中值粒徑等之基膜的光澤度、介電強度等性質，其中，該等比較例因不具有系爭專利請求項
1 之全部技術特徵（以比較例6 為例，其未具備系爭專利請求項1 之「該基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」技術特徵），故無法達成所欲功效，而符合系爭專利請求項1 所界定之條件者（實例1 至18），其基膜均呈現不高於70之光澤值（即至少達成上述消光處理（光澤值10至70）的程度），故所屬技術領域中具有通常知識者自得在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利請求項之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
（四）據此，在原告未能提出進一步舉證之情況下，其主張不足以證明所屬領域中具有通常知識者無法達成「提供具有可接受性質之基膜（例如介電強度、表面消光程度之光澤值）」之功效，遑論逕予斷定其無法據以實現系爭專利之發明。
（五）被告109 年2 月18日準備程序陳稱：比較例6 為展示在使用30wt％的BaSO4 來進行化學轉化時，係相較於使用10wt％BaSO4 來進行化學轉換之實例5 做比較。實例5 製備如系爭專利說明書第24頁所示，實例5 製備碳黑漿體如實例
1 。實例1 如系爭專利說明書第22頁所示，包含：「一、製備碳黑漿體；二、製備二氧化矽漿體；三、將碳黑漿體與PMDA/4，4 'ODA預聚合物溶液（20.6wt％的聚醯胺酸固體，約50泊之黏度）混合於50加侖槽中…」。實例1 有聚醯亞胺顆粒，實例5 之製備中並無「（20.6wt％之聚醯胺酸固體，約50泊之黏度）」，故無聚醯亞胺顆粒。因此，比較例6 亦無聚醯亞胺顆粒等語（見本案卷一第481 頁準備程序筆錄）。經查：被告機關係依據系爭專利說明書整體記載之內容而判斷所屬技術領域中具有通常知識者能據以實現系爭專利之發明，應未有原告所主張之具體認定系爭專利實施例1 、3 、5 確實含有聚醯亞胺顆粒消光劑之情事，故尚難因被告之審查理由或參加人之主張，而逕以認定比較例中亦應含有聚醯亞胺顆粒之消光劑，遑論應據以斷定系爭專利說明書所揭露之技術內容無法據以實現系爭專利之發明。
（六）被告之舉發審定書中並未包含具體認定系爭專利實施例中確實含有聚醯亞胺顆粒消光劑之情事（見本案卷一第43至46頁原處分書第九（五）點之爭點判斷第1 至2 點），原處分書中關於實施例、比較例等聚醯亞胺顆粒消光劑之記載主要為「舉發人雖主張目前的製備技術尚無法在同一個環化反應（熱環化或是化學環化）的過程中，同時生成聚醯亞胺薄膜以及聚醯亞胺顆粒，然並無任何證據佐證如前述系爭專利之實例1 所生成之聚醯亞胺薄膜未含聚醯亞胺顆粒消光劑，故其舉發理由尚非有據，應不足採。系爭專利說明書之揭露並未違反專利法第26條第1 項之規定」（見本案卷第45頁第5 至10行），就該記載本身而言，其僅敘明舉發人即原告並無任何證據證明如前述系爭專利之實例1 未含聚醯亞胺顆粒消光劑，故舉發人即原告之舉發理由尚非有據。因此，當然不能僅依據原處分書中前述記載而斷定系爭專利實施例或比較例中必然含有聚醯亞胺顆粒消光劑，遑論據以認定系爭專利比較例4 至6 、8 至11等亦會因包含與該等實施例相同的預聚合溶液之製程而具有聚醯亞胺顆粒；另查，被告於原處分書中已具體敘明「系爭專利之實例/ 比較例共使用了多種不同的碳黑以及不同的消光劑，…本領域中具有通常知識者在參酌系爭專利的上述內容後，能夠瞭解多種不同碳黑/ 消光劑皆能應用在系爭專利之發明，並不需要進行過度實驗」（見本案卷一第44頁第2 行至第7 行），顯見被告係基於系爭專利說明書所揭示技術內容之整體，而判斷所屬技術領域中具有通常知識者能據以實現系爭專利之發明，並非僅依據聚醯亞胺顆粒消光劑之存否而驟下結論，故在原告未能提出進一步舉證之情況下，尚難僅因該等比較例不能達成低光澤度或高介電強度之功效，而逕予斷定無法據系爭專利說明書之記載而實現系爭專利之發明。
（七）另查系爭專利說明書第22至24頁之記載，前述比較例均採類似之聚醯亞胺薄膜製程，以比較例6 為例，其係採用如系爭專利說明書第22至24頁所載之（環化）反應程序，而依前述舉發原處分書所載內容可知，原告於舉發階段主張在同一個環化反應中無法同時生成聚醯亞胺薄膜以及聚醯亞胺顆粒，亦可作證原告認為前述比較例應也未含有聚醯亞胺顆粒，故尚難逕認該比較例已具備系爭專利請求項1所界定之「聚醯亞胺顆粒消光劑」技術特徵，且將該比較例與系爭專利請求項1 之進行比對可知，該比較例亦未具有系爭專利請求項1 所界定「該基膜具有大於1400V/mil之一介電強度」的技術特徵，因此，該比較例應未完全符合系爭專利請求項1 所界定全部技術特徵，尚無法用以證明系爭專利請求項1 之發明無法實現；再查，被告於109年2 月18日準備程序筆錄中，具體陳稱：比較例6 應未含有「聚醯亞胺顆粒消光劑」等語（見本案卷一第481 頁），參加人於109 年3 月3 日行政訴訟言詞辯論意旨狀，亦陳稱：原告顯然誤解系爭專利所保護之範圍，亦未將系爭專利請求項1 視為一整體，將其拆解為特徵A 、B 、C 之「成分比例」及特徵D 之「介電強度大於1400V/mil 」兩部分，並擅自認定符合特徵A 、B 、C 「成分比例」者，即必然具備特徵D 之「介電強度大於1400V/mil 」；系爭專利說明書之比較例6 所使用的消光劑（30% BaSQ4 ），與請求項1 所載之聚醯亞胺顆粒消光劑並不相同。既然兩者之化學成分特徵不同，則介電強度自然可能不同，並無原告所聲稱僅能隨機再現介電強度大於1400V/mil 之情形等語（見本案卷二第10頁第3 點、第12頁第貳點），其等前揭之論述與前述系爭專利說明書整體技術內容並無不符，故尚難僅因原告於行政訴訟階段之主張而認定「前述比較例應含有聚醯亞胺顆粒消光劑，且不能達成所欲功效，故系爭專利請求項之發明僅能隨機再現所欲功效」，遑論據以判斷所屬技術領用中具有通常知識者能否實現系爭專利之發明。
（八）據此，原告無法舉證證明所屬領域中具有通常知識者需過度實驗方可完成系爭專利請求項1 所界定關於「聚醯亞胺顆粒消光劑」等技術特徵，以實其說，遑論逕予斷定其無法實現系爭專利之發明。
（九）綜上所述，原告上述之主張不足以證明所屬領域中具有通常知識者在發明說明、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無法據以實現系爭專利請求項1 之發明。是以，原告上述主張無理由，應不足採。
十三、系爭專利請求項2 至4 為請求項1 之附屬項，其包含請求項1 之所有技術內容，並進一步界定該基膜之組成該芳族二酐、芳族二胺等之化合物類別、基膜厚度範圍等技術特徵，而如前述，請求項1 所請系爭專利發明之相對應說明書已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現，且該等請求項進一步界定之技術特徵亦記載於前述系爭專利說明書之相關段落中，是以系爭專利說明書已明確且充分揭露與系爭專利請求項2 至4 所對應之技術內容，而可使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並據以實現。
十四、系爭專利請求項5 為引用請求項1 之獨立項，其主要之技術特徵為「其包含如申請專利範圍第1 項所述之該基膜與一黏著層」，而如前述，請求項1 所請系爭專利發明之相對應說明書已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現，且請求項5 進一步界定之「黏著層」技術特徵亦記載於前述系爭專利說明書之相關段落中，是以系爭專利說明書已明確且充分揭露與系爭專利請求項5 所對應之技術內容，而可使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並據以實現。
十五、系爭專利請求項6 、7 為請求項5 之附屬項，其包含請求項5 之所有技術內容，並進一步界定該多層膜之黏著層成分、用途等技術特徵，而如前述，請求項5 所請系爭專利發明之相對應說明書已明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現，且該等請求項進一步界定之技術特徵亦記載於前述系爭專利說明書之相關段落中，是以系爭專利說明書已明確且充分揭露與系爭專利請求項6 、7 所對應之技術內容，而可使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並據以實現。
十六、綜上，系爭專利說明書已明確且充分揭露與系爭專利請求項1 至7 所對應之技術內容，且使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用系爭專利請求項1 至7 之發明，解決問題，並且產生預期的功效。是以，系爭專利請求項1 至7 所對應之說明書內容未違反核准時專利法第26條第1 項之規定。
柒、系爭專利請求項1 至7 未違反核准時專利法第26條第2 項規定：
一、核准時專利法第26條第2 項規定：「申請專利範圍應界定申請專利之發明；其得包括一項以上之請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明書所支持」，就該法條之內容而言主要係規定請求項之記載須符合明確、簡潔與（為說明書所）支持等要件之規定。究其立法目的，主要在於發明專利權範圍，以申請專利範圍為準；申請專利範圍中之記載是否適切，對於專利權人權利之保護及相對於公眾利用上之限制，均具有重大意義。因此，申請人具體請求保護的發明必須記載於申請專利範圍，即申請專利範圍應界定申請專利之發明；而申請專利範圍得包括一項以上之請求項，各請求項應以明確、簡潔之方式記載，且必須為說明書所支持。其中，關於請求項之記載須明確的部分主要係指每一請求項之記載應明確，且所有請求項整體之記載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，單獨由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而對其範圍不會產生疑義。具體而言，即每一請求項中記載之範疇及必要技術特徵應明確，且每一請求項之間的依附關係亦應明確。解釋請求項時得參酌說明書、圖式及申請時之通常知識。關於請求項之記載須簡潔的部分主要係指請求項應簡潔，係指每一請求項之記載應簡潔，且所有請求項整體之記載亦應簡潔。請求項之記載應簡潔，除記載必要技術特徵外，不得作不必要之記載，亦不得記載商業性宣傳用語。單一請求項不簡潔的情形，例如請求項中重複記載相同文字內容，導致請求項過度冗長；或請求項以擇一形式界定發明，但記載之選項不合理過多。而請求項須為說明書所支持主要係指申請專利範圍中申請專利之發明的認定，必須是申請人在申請時已認知並記載於說明書中之發明，由於請求項為主張發明專利權範圍的基本單元，若請求項之範圍超出說明書揭露之內容，將使得超出部分之未公開發明具有排他性的權利，剝奪公眾自由使用的利益，進而阻礙產業發展。因此，請求項必須為說明書所支持，係要求每一請求項記載之申請標的必須根據說明書揭露之內容為基礎，若該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範圍時，應認定請求項為說明書所支持；若說明書無法支持請求項，而說明書及圖式整體可以支持時，應依核准時專利法第26條第
2 項之規定，通知申請人申復或修正，將圖式揭露之內容載入於說明書中。
二、關於明確與簡潔要件的部分，經查系爭專利請求項1 至7 已具體界定其基膜或多層膜之成分組成、介電強度、厚度等技術特徵，且如前述，系爭專利說明書中亦包含相對應技術內容之記載，所屬技術領域中具有通常知識者當由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而對其範圍不會產生疑義，且可由系爭專利說明書中相對應之記載（如實施例等）確認系爭專利請求項之記載未包含必要特徵以外之不必要記載，是以，系爭專利請求項1 至7 應符合明確與簡潔要件之相關規定。
三、關於可為說明書所支持的部分，如前所述，系爭專利說明書已具體揭示系爭專利之發明的成分組成、性質、製作方式等技術內容，且以多個實例（1 至18）與比較例（C1至16）例示不同成分組成、製作方式之基膜的光澤度、介電強度等性質，證明落入系爭專利請求項所界定範圍之基膜能夠達成前述具有可接受之介電強度、光澤度的功效，故所屬技術領域中具有通常知識者當能理解並據以實現系爭專利各請求項之發明；同理，所屬技術領域中具有通常知識者亦當然能參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項1 至7 之範圍，是以，系爭專利請求項1至7 應可為系爭專利說明書所支持。
四、原告關於系爭專利請求項1 至7 違反核准時專利法第26條第
2 項規定之主張包含違反明確要件與違反支持要件兩部分，其中，關於違反明確要件之主張主要為「系爭專利請求項1至7 因欠缺聚醯亞胺顆粒消光劑的量、粒徑、密度等必要技術特徵而無法達成『表面消光處理』之目的，且即使完全符合請求項1 所界定全部化學成分特徵（例如比較例6 ），亦無法達成『介電強度大於1400V/mil 』之目的，因此不符合請求項之記載應明確之規定」；而關於違反支持要件之主張則為「系爭專利請求項1 至7 所界定『碳黑』與『消光劑』超出說明書所揭露，因此不受說明書及圖式所支持」等云云，惟查原告此部分主張並無理由，說明如次：
（一）關於系爭專利請求項是否須界定「聚醯亞胺顆粒消光劑的量、粒徑、密度」之技術特徵一節，查系爭專利請求項1已具體界定其基膜中除了聚醯亞胺顆粒消光劑外其他成分之重量百分比範圍，依所有成分之總和應達百分百之原則，所屬技術領域中具有通常知識者當能換算聚醯亞胺顆粒消光劑之含量範圍，尚無額外界定之必要；且如前述，系爭專利請求項1 除「成分比例」特徵外，還具體界定「介電強度大於1400V/mil 」之性質特徵，就該特徵對系爭專利之發明所產生限定條件而言，可由系爭專利說明書之施實例/ 比較例等得知，須具有特定成分組成與聚醯亞胺顆粒消光劑的含量、粒徑、密度等範圍條件之基膜方可具備該性質特徵，亦即該技術特徵實質上即對應於前述範圍條件的界定，而所屬技術領域中具有通常知識者亦基於前述系爭專利說明書所記載，而明確理解該性質特徵之技術內容並獲致對應的含量、粒徑等數值範圍，故應亦無過度強求須於系爭專利請求項中再額外界定前述範圍條件之必要。是以，原告之主張無理由，應不足採。
（二）關於「碳黑與消光劑超出說明書所揭露，因此不受說明書及圖式所支持」一節，原告認為系爭專利請求項界定其顏料為碳黑，然僅以低導電度碳黑實施例，且系爭專利請求項亦未具體界定聚醯亞胺顆粒消光劑的量、粒徑、密度，故系爭專利請求項中之「碳黑」與「消光劑」超出說明書所揭露之範圍。有關「消光劑」的部分，如前所述，系爭專利請求項1 已具體界定「介電強度大於1400V/mil 」之性質特徵，該技術特徵實質上即對應於前述範圍條件的界定，而所屬技術領域中具有通常知識者亦基於前述系爭專利說明書所記載，而明確理解該性質特徵之技術內容並獲致對應的含量、粒徑等數值範圍，故應無過度強求須於系爭專利請求項中再額外界定前述範圍條件之必要；有關「碳黑」的部分，查系爭專利說明書第12頁第11行至第14頁第10行揭露「實際上在實施本發明時，可以使用任何顏料（或顏料之組合）。在某些實施例中，可用之顏料包括但不限於下列：…在某些實施例中，可用之黑色顏料包括：
…在某些實施例中，係使用低傳導度碳黑。…賦予該基膜黑色並且達到所欲之光學密度，…在某些實施例中，骨黑可用以賦予黑色。在一實施例中，該低傳導度碳黑之存在量係介於且選擇性地包括下列任兩者：該基膜之2 、3 、
4 、5 、6 、7 、8 與9 重量百分比。…在某些實施例中，可使用染料。可用之染料實例為但不限於苯胺黑（nigrosin black）、單偶氮鉻錯合黑（monoazo chromium complex black）或上述物質之混合物。在某些實施例中，可使用染料與顏料之混合物」，所屬技術領域具有通常知識者當可明確理解低導電碳黑係碳黑之較佳實施例，並非用以限定其發明僅能使用低導電度碳黑，系爭專利說明書亦具體揭示其他習知之碳黑產品類別如骨黑等可用於發揮該成分於系爭專利之發明的目的，故應亦無過度強求須於系爭專利請求項中之碳黑為低導電度碳黑的必要，綜上所述，於所屬技術領域中具有通常知識者當能明確得知系爭專利請求項之範圍，尚無需進一步界定請求項中關於「碳黑」與「消光劑」等技術特徵之必要。是以，原告之主張無理由，應不足採。
五、綜上，系爭專利說明書請求項1 至7 已明確、簡潔界定其發明，且發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範圍。是以，系爭專利請求項1至7 未違反核准時專利法第26條第2 項規定。
捌、舉發證據2 、4 、5 之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
一、依系爭專利請求項1 之記載，其基膜包括以下技術特徵：「A . 一經化學轉化之聚醯亞胺，其量為該基膜之71至96重量百分比，該經化學轉化之聚醯亞胺係衍生自：a . 至少50莫耳百分比之一芳族二酐，此係基於該聚醯亞胺之一總二酐含量，以及b . 至少50莫耳百分比之一芳族二胺，此係基於該聚醯亞胺之一總二胺含量；B . 一碳黑，其存在量為該基膜之2 至9 重量百分比；以及C . 一聚醯亞胺顆粒消光劑；其中，該基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」。其中就「基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」技術特徵之記載雖未以編號標示，惟如前述，該技術特徵實質上對應於該基膜之成分組成須為特定數值範圍，故以下將該技術特徵以D技術特徵簡稱。
二、舉發證據2 請求項1 揭露由化學轉化法合成的聚醯亞胺摻合物，該摻合物包含25至50重量％的第一聚醯亞胺以及50至75重量％的第二聚醯亞胺。第一聚醯亞胺是由90至100 莫耳％的芳族二酐（舉發證據2 列舉為3,3 ' ,4,4 '- 聯苯四羧酸二酐）與芳族二胺（舉發證據2 列舉為對苯二胺（p-phenyl
enediamine ））衍生而成；第二聚醯亞胺是由芳族二酐（舉發證據2 列舉為均苯四酸二酐（pyromellitic dianhydride））與50至80莫耳％的芳族二胺（舉發證據2 列舉為二氨基二苯醚（diaminodiphenylether））所衍生而成（見乙證
1 卷第58頁正面）。綜上所述，舉發證據2 與系爭專利請求項1 之差異主要在於，舉發證據2 未揭示如請求項1 所界定之「B . 一碳黑，其存在量為該基膜之2 至9 重量百分比」、「C . 一聚醯亞胺顆粒消光劑」、「D . 該基膜具有大於1400V/mil之一介電強度」等技術特徵。
三、另舉發證據4 摘要揭露一種用於覆蓋積體電路的不透明遮蔽薄膜（見乙證1 卷第55 頁正面），其說明書第5 欄第3 至5行揭露遮蔽薄膜之相對組成為聚醯亞胺（見乙證1 卷第52頁反面）；因此，舉發證據4 已揭露一種基膜，其以聚醯亞胺為其主要成分。舉發證據4 說明書第5 欄第9 至11行、20至23行並揭露在遮蔽薄膜中碳黑的含量為2 至10重量％，且二氧化鈦的含量為10至80重量％（較佳為20至60重量％）（見乙證1 卷第55頁正面）。根據上述內容經計算可知，舉發證據4 揭露一種用於覆蓋積體電路的遮蔽薄膜（相當於系爭專利請求項1 的基膜），其包含10至88重量％（較佳為30至78重量％）的聚醯亞胺、2 至10重量％的碳黑及10至80重量％（較佳為20至60重量% ）的二氧化鈦。綜上所述，舉發證據
4 應已揭露系爭專利請求項1 之技術特徵B 。
四、再查舉發證據5 說明書段落[ 0008] 至[ 0009] 揭露一種聚醯亞胺薄膜，其包括聚醯亞胺顆粒，該聚醯亞胺顆粒可使薄膜表面產生細微突起（見乙證1 卷第50頁反面）。而由於系爭專利說明書中具體敘明：消光劑的原理即利用不規則的表面，使光源擊中消光（即不規則）表面時，該光係被散射至許多不同方向並且亦有較高比例被吸收；易言之，舉發證據
5 所揭示藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起，即具有習知的消光作用。綜上所述，所屬技術領域中具有通常知識者可知，舉發證據5 已實質揭露系爭專利請求項
1 之技術特徵C 。
五、原告主張：前述舉發證據2 、4 、5 應屬聚醯亞胺薄膜薄膜製作之相關技術領域、涉及提升該薄膜之不透明度、滑動性等性質的共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者當能組合舉發證據2 、4 、5 之技術內容云云（見本案卷一第31頁、乙證1 卷第90頁正面）。惟查：
（一）按「關於舉發案件進步性之判斷，應先確定先前技術（即舉發證據）之範圍及內容，繼之確定系爭發明與舉發證據間之差異，最後以該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌舉發證據所揭露之內容及申請時的通常知識，判斷是否能輕易完成系爭發明。如系爭發明與舉發證據間所存在之差異，為系爭發明之重要技術特徵者，審查時應就該技術特徵是否為舉發證據所揭露，或該技術特徵是否為該發明所屬技術領域中具通常知識者，以轉用、置換、改變或組合舉發證據等方式所能輕易完成等情，詳加審酌。進步性之審查不得以發明說明中循序漸進、由淺入深的內容所產生的『後見之明』作成能輕易完成的判斷，逕予認定發明不具進步性；而應將系爭發明的整體與舉發證據進行比對，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時的通常知識之觀點，作成客觀的判斷」（最高行政法院
109 年度判字第29號判決意旨參照）。而「進步性要件中所謂『所屬技術領域』者，係指具有通常知識者在研發過程欲解決該發明技術問題時，客觀上有合理期待會嘗試組合動機之技術而言」（最高行政法院106 年度判字第313號、107 年度判字第707 號判決意旨參照）。又「審查進步性時，如涉及複數引證（即先前技術）之技術內容的結合，應考量該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容，而完成申請專利之發明，尚不得以複數引證之技術內容恣意加以拼湊，即謂該發明為所屬技術領域中具有通常知識者依先前技術所能輕易完成，以免後見之明。…如複數引證間之技術內容的技術領域雖具有關連性，仍須進一步判斷所欲解決問題或所產生功能或作用之共通性，或有無教示及建議等事項，始得認定該發明所屬技術領域中具有通常知識者有無動機能結合複數引證之技術內容」（最高行政法院106 年度判字第
651 號判決意旨參照），「於專利舉發程序中，專利有無欠缺進步性之情事，依法既應由舉發人附具證據證明之，則就『所屬技術領域中具有通常知識者』於申請日或優先權日之技術水準，即應由主張專利不具進步性者負客觀舉證責任」（最高行政法院107 年度判字第589 號判決意旨參照）。
（二）參加人陳稱：原告提出的證據組合，皆未揭露系爭專利請求項「基膜具有大於1400 V/mil之介電強度」之特徵，而此特徵並非本領域通常知識者可輕易得知。原告另舉出甲證5 、甲證6 ，認為聚醯亞胺之介電強度為習知技術常識。然而甲證5 所舉的聚醯亞胺膜與系爭專利成分完全不同，甲證6 則未提供聚醯亞胺膜的組成，根本不具可比性。
舉發證據5 、7 雖存在聚醯亞胺顆粒，但並未揭露其在聚醯亞胺膜中作為消光劑之用途等語（見本案卷二第75頁）。經查：舉發證據2 、4 、5 之組合後仍未揭示具有前述成分組成（如含有80重量％之二氧化鈦）之聚醯亞胺薄膜仍可具有如系爭專利請求項1 之基膜所界定（與成分組成、含量、添加物等實質對應）的技術特徵D （「基膜具有大於1400 V/mil之一介電強度」），且由於前述舉發證據所著重之性質主要在於提升聚醯亞胺膜基膜之不透明度與光滑度之特性，難謂舉發證據2 、4 、5 存在同時調整聚醯亞胺膜之成分組成以使其具有高於1400V/ mil介電強度的教示或建議，而原告亦未提出證據證明「基於技術特徵
A 至C 之組合者亦具有技術特徵D 之性質」為相關技術領域中之通常知識，故亦難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、5 之組合能完成系爭專利請求項
1 之發明；再者，由系爭專利實施例/ 比較例之內容可知，與先前技術相較，系爭專利之發明整體可達成該薄膜向空氣側與非向空氣側兩側皆具有所欲光澤度等前述舉發證據未揭示之功效（見乙證2 卷第72至79頁系爭專利說明書第24至38頁、本案卷一第464 頁被告109 年2 月15日行政訴訟答辯狀第2 頁第20至23行），故更難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、5 之組合能預期該等功效並輕易完成系爭專利請求項1 之發明。是以，前述舉發證據之組合尚不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
玖、舉發證據2 、4 、7 之組合不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性：
一、舉發證據7 說明書段落[ 0018] 至[ 0019] 揭露使用芳族二胺與芳族二酐於有機極性溶劑內，在脫水劑及催化劑的存在下，於常溫下進行反應製備聚醯亞胺（見乙證1 卷第41頁正面）；舉發證據7 說明書段落[ 0027] 至[ 0028] 揭露聚醯亞胺薄膜可以在使用聚醯胺酸進形成膜（film-forming）的時點下在脫水劑以及催化劑的存在下進行閉環反應（見乙證
1 卷第41頁反面），故舉發證據7 已揭露化學轉化之聚醯亞胺，且聚醯亞胺是由100 mol%芳族二胺與100 mol%芳族二酐所衍生而成；舉發證據7 說明書段落[ 0007] 並揭露一種聚醯亞胺薄膜，其包括聚醯亞胺顆粒，且該聚醯亞胺顆粒可使聚醯亞胺薄膜的表面產生突起（見乙證1 卷第42頁反面）。
而由於系爭專利說明書中具體敘明：消光劑的原理即利用不規則的表面，使光源擊中消光（即不規則）表面時，該光係被散射至許多不同方向並且亦有較高比例被吸收；易言之，舉發證據7 所揭示藉由聚醯亞胺顆粒使聚醯亞胺薄膜表面產生細微突起，即具有習知的消光作用。綜上所述，所屬技術領域中具有通常知識者可知，舉發證據7 已實質揭露系爭專利請求項1 之技術特徵A 與C 。
二、原告主張：前述舉發證據2 、4 、7 應屬聚醯亞胺薄膜薄膜製作之相關技術領域、涉及提升該薄膜之不透明度、滑動性等性質的共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者當能組合舉發證據2 、4 、7 之技術內容云云（見本案卷一第32頁）。惟查：舉發證據2 、4 、7 之組合後仍未揭示具有前述成分組成（如含有80重量％之二氧化鈦）之聚醯亞胺薄膜仍可具有如系爭專利請求項1 之基膜所界定（與成分組成、含量、添加物等實質對應）的技術特徵D （「基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」），且由於前述證據所著重之性質主要在於提升聚醯亞胺膜基膜之不透明度與光滑度之特性，難謂舉發證據2 、4 、7 存在同時調整聚醯亞胺膜之成分組成以使其具有高於1400V/mil 介電強度的教示或建議，而原告亦未提出證據證明「基於技術特徵A 至C 之組合者亦具有技術特徵D 之性質」為相關技術領域中之通常知識，故亦難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、7之組合能完成系爭專利請求項1 之發明；再者，由系爭專利實施例/ 比較例之內容可知，與先前技術相較，系爭專利之發明整體可達成該薄膜向空氣側與非向空氣側兩側皆具有所欲光澤度等前述證據未揭示之功效（見系爭專利說明書第24至38頁、被告109 年2 月15日行政訴訟答辯狀第2 頁第20至23行），故更難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、7 之組合能預期該等功效並輕易完成系爭專利請求項1 之發明。是以，前述證據之組合尚不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
拾、舉發證據2 、4 、甲證3 之組合不足以證明系爭專利請求項
1 不具進步性：
一、查甲證3 說明書第64頁倒數第3 至4 行（見本案卷一第152頁）、第65頁第14至19行（見本案卷一第153 頁）揭露「功能層優選包含摻入其中的消光劑，消光劑可為聚醯亞胺樹脂顆粒」，甲證3 說明書第6 頁第13至15行（見本案卷一第94頁）揭露功能層可例如為對準層，甲證3 說明書第79頁第8至9 行（見本案卷一第167 頁揭露對準層優選為聚醯亞胺薄膜）；據此，甲證3 已揭露在聚醯亞胺薄膜中添加聚醯亞胺樹脂顆粒作為消光劑。綜上所述，所屬技術領域中具有通常知識者可知，甲證3 已實質揭露系爭專利請求項1 之技術特徵C 。
二、原告陳稱：前述舉發證據2 、4 、甲證3 應屬聚醯亞胺薄膜薄膜製作之相關技術領域、涉及提升該薄膜之不透明度、黏卓性等性質的共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者當能組合舉發證據2 、4 、甲證3 之技術內容云云（見本案卷一第33頁）。惟查：舉發證據2 、4 、甲證3 之組合後仍未揭示具有前述成分組成（如含有80重量％之二氧化鈦）之聚醯亞胺薄膜仍可具有如系爭專利請求項1 之基膜所界定（與成分組成、含量、添加物等實質對應）的技術特徵D （「基膜具有大於1400V/ mil之一介電強度」），且由於前述證據所著重之性質，主要在於提升聚醯亞胺膜基膜之不透明度與黏著性之特性，難謂舉發證據2 、4 、甲證3 存在同時調整聚醯亞胺膜之成分組成以使其具有高於1400V/mil 介電強度的教示或建議，而原告亦未提出證據證明「基於技術特徵A至C 之組合者亦具有技術特徵D 之性質」為相關技術領域中之通常知識，故亦難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、甲證3 之組合能完成系爭專利請求項1 之發明；再者，由系爭專利實施例/ 比較例之內容可知，與先前技術相較，系爭專利之發明整體可達成該薄膜向空氣側與非向空氣側兩側皆具有所欲光澤度等前述證據未揭示之功效（見系爭專利說明書第24至38頁、被告109 年2 月15日行政訴訟答辯狀第2 頁第20至23行），故更難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據2 、4 、甲證3 之組合能預期該等功效並輕易完成系爭專利請求項1 之發明。是以，前述證據之組合尚不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性。
三、原告關於前述證據組合後足以證明系爭專利請求項1 違反核准時專利法第22條第2 項規定之主張主要為：基膜具有高於1400V/ mil之介電強度為技術特徵A 、B 、C 之必然結果；由甲證5 與甲證6 之內容可知聚醯亞胺具有高介電強度為習知技術，而舉發證據4 亦揭露應以減少碳黑添加量並同時增加二氧化鈦（消光劑）含量的方式，以維持聚醯亞胺薄膜之介電強度，組合前述證據後所完成之聚醯亞胺薄膜亦應具有高於1400V/mil 之介電強度，因此系爭專利請求項1 應不具進步性等云云（見本案卷一第29、30頁）。惟查，原告前述主張於理無據，均不足採：
（一）如前面各爭點之論理所述，「基膜具有高於1400V/mil 之介電強度（即前述技術特徵D ）」係可實質對應於該基膜具有特定成分組成（如消光劑含量）等之限制條件，且由系爭專利說明書實施例/ 比較例之內容可知，具有高量（如高於30重量% ）消光劑之聚醯亞胺基膜並不會具有如技術特徵D 所界定高於1400V/mil 之介電強度，例如比較例
6 其符合（或可對應於）A 至C 技術特徵，但因其消光劑含量過高（30重量% ）所以介電強度值僅為813V/mil（亦即並未具備技術特徵D ），是以，技術特徵D 並非符合（或對應於）技術特徵A 至C 之聚醯亞胺基膜必然具備的性質，原告之主張顯無理由，並不足採。
（二）另查甲證5 與甲證6 並未具體揭示其聚醯亞胺膜之成分組成，尚難據以與系爭專利請求項1 之基膜進行技術特徵比對，遑論據以判斷具有如系爭專利請求項1 所界定技術特徵A 至C 之基膜是否亦應必然具有相同的性質技術特徵D；再查舉發證據4 揭露應以減少碳黑添加量並同時增加二氧化鈦（消光劑）含量的方式，以維持聚醯亞胺薄膜之介電強度，舉發證據4並具體建議二氧化鈦之含量可高達80%，而如前述系爭專利請求項1 之發明實質上包含低消光劑含量（不高於30% ）的限制，亦難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於舉發證據4 之教示會採取限制消光劑含量（即低消光劑含量）之方式以同時達成具低光澤值（即高消光程度）且有高介電強度之聚醯亞胺薄膜。是以，原告之主張亦無理由，應不足採。
四、參加人陳稱：舉發證據2 、4 、5 、7 、甲證3 間缺乏組合動機云云（見本案卷一第391 至397 頁），惟如前述，該等證據所揭示之技術內容均屬聚醯亞胺薄膜製作相關技術領域、涉及提升該薄膜之如不透明度、滑動性、黏著性等共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者於嘗試提升該薄膜之前述性質時，當會有動機參酌該等證據之技術內容並進行組合。是以，參加人之主張應無理由，並予敘明。
拾壹、舉發證據2 、4 、5 之組合；舉發證據2 、4 、7 之組合；舉發證據2 、4 、甲證3 之組合亦不足以證明系爭專利請求項2 至4 不具進步性：
一、系爭專利請求項2 至4 係為直接依附於請求項1 的附屬項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1 之所有技術特徵。據此，如前所述，舉發證據2 、4 、5 之組合已不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，而系爭專利請求項
2 至4 既依附於請求項1 ，則該等證據之組合亦不足以證明系爭專利請求項2 至4 不具進步性。
二、同理，由於系爭專利請求項2 至4 係為直接依附於請求項1的附屬項，且如前所述，舉發證據2 、4 、7 之組合，或舉發證據2 、4 、甲證3 之組合已不足以證明系爭專利請求項
1 不具進步性，而系爭專利請求項2 至4 既依附於請求項1，則該等證據之前述組合亦不足以證明系爭專利請求項2 至
4 不具進步性。
拾貳、舉發證據2 、4 、5 、6 之組合不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性：
一、依系爭專利請求項5 之記載，其包括以下技術特徵：一種多層膜（下稱：「技術特徵E 」），其包含如申請專利範圍第
1 項所述之該基膜與一黏著層（下稱：「技術特徵F 」）應特別注意者為請求項5 為引用記載請求項1 的獨立項，於解釋該請求項之專利權範圍時應包含請求項1 之所有技術特徵，故請求項5 之多層膜亦包含請求項1 所界定「基膜具有大於1400V/mil 之一介電強度」的技術特徵（技術特徵D ）。
二、舉發證據6 說明書第2 欄第11至30行（見乙證1 卷第47頁反面）揭露合併使用黏著層以及包括聚醯亞胺的抗熱層（可知前述覆層可形成多層膜）；舉發證據6 說明書第2 欄第11至30行揭露其提供一種覆蓋膜（cover-lay film），可知該覆蓋膜之功能與舉發證據5 的遮蔽薄膜相同；舉發證據6 說明書第2 欄第59至61行並揭露用於發揮黏著功能之環氧樹脂可包含雙酚A 等；綜上所述，舉發證據6 應已揭露系爭專利請求項5 之技術特徵E 與F 。
三、原告陳稱：前述舉發證據2 、4 、5 、6 應屬聚醯亞胺薄膜薄膜製作之相關技術領域、涉及提升該薄膜之不透明度、滑動性、黏著性、應用性等性質的共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者當能組合舉發證據2 、4 、5 、6 之技術內容云云（見本案卷一第36頁），惟如前所述，請求項5 之專利權範圍時應包含請求項1 之技術特徵D ，舉發證據2 、4、5 之組合已因未揭示技術特徵D 、無法預期功效等因素不足以證明系爭專利請求項1 不具進步性，而舉發證據6 亦未揭露前述技術特徵D ，則該舉發證據2 、4 、5 、6 之組合亦不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
四、如前所述，舉發證據2 、4 、6 、7 之組合亦因相同理由而不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性，而舉發證據2 、
4 、6 、甲證3 之組合，亦因相同理由而不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性。
五、參加人陳稱：舉發證據2 、4 、5 、6 、7 、甲證3 間缺乏組合動機等云云，惟如前述該等證據所揭示之技術內容均屬聚醯亞胺薄膜製作相關技術領域、涉及提升該薄膜之如不透明度、滑動性、黏著性、應用性等共通問題，所屬技術領域中具有通常知識者於嘗試提升該薄膜之前述性質時，當會有動機參酌該等證據之技術內容並進行組合。是以，參加人之主張應無理由，並予敘明。
拾參、舉發證據2 、4 、5 、6 之組合；舉發證據2 、4 、6 、
7 之組合；舉發證據2 、4 、6 、甲證3 之組合亦不足以證明系爭專利請求項6、7 不具進步性：
一、系爭專利請求項6 、7 係為直接依附於請求項5 的附屬項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項5 之所有技術特徵。據此，如前所述，舉發證據2 、4 、5 、6 之組合已不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性，而系爭專利請求項6 、7 既依附於請求項5 ，則該等證據之組合亦不足以證明系爭專利請求項6 、7 不具進步性。
二、同理，由於系爭專利請求項6 、7 係為直接依附於請求項5的附屬項，且如前所述，舉發證據2 、4 、6 、7 之組合，或舉發證據2 、4 、6 、甲證3 之組合已不足以證明系爭專利請求項5 不具進步性，而系爭專利請求項6 、7 既依附於請求項5 ，則該等證據之前述組合亦不足以證明系爭專利請求項6 、7 不具進步性。
三、原告關於系爭專利請求項5 至7 應不具進步性之主張，與請求項1 至4 之主張相同，故該等主張應不足採之理由亦如前所述，不再贅敘。
戊、綜上所述，系爭專利請求項1 至7 所對應之說明書內容未違反核准時專利法第26條第1 項規定；系爭專利請求項1 至7未違反同法第26條第2 項規定；舉發證據2 、4 、5 之組合；舉發證據2 、4 、7 之組合；舉發證據2 、4 、甲證3 之組合均不足以證明系爭專利請求項1 至4 違反同法第22條第
2 項不具進步性規定；舉發證據2 、4 、5 、6 之組合；舉發證據2 、4 、6、7 之組合；舉發證據2 、4 、6 、甲證
3 之組合均不足以證明系爭專利請求項5 至7 違反同法第22條第2 項不具進步性規定。從而被告所為系爭專利「請求項
1 至7 舉發不成立」之處分，於法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞，訴請撤銷訴願決定、原處分，以及被告就系爭專利應為「請求項1 至7 舉發成立，應予撤銷」之處分，核無理由，應予駁回。
己、本件事證已臻明確，當事人其餘主張或答辯，經審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
庚、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1 條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 109 年 3 月 31 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 蔡惠如
法 官 吳俊龍法 官 伍偉華以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│㈠符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│㈡非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審訴│ 。 ││ 訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合㈠、㈡之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出㈡所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 109 年 3 月 31 日
書記官 吳祉瑩