智慧財產及商業法院行政判決110年度行專訴字第44號
民國111年3月2日辯論終結原 告 美商麥提利恩公司代 表 人 傑森‧斯特羅貝爾訴訟代理人 莊振農律師複 代理 人 蔡郁箴律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 洪淑敏訴訟代理人 譚漢民
參 加 人 鍾秀美訴訟代理人 賴蘇民律師
孫德沛律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國110年7月9日經訴字第11006305230號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：原告起訴時於起訴狀記載訴之聲明第2項為：原處分關於請求項1至11舉發成立應予撤銷之部分撤銷，另為請求項1至11舉發駁回之處分（本院卷第13頁），嗣於民國111年3月2日本院言詞辯論時當庭更正為：「訴願決定及原處分關於請求項1至11舉發成立，應予撤銷」部分應予撤銷（本院卷第427頁），原告上開更正係本於同一請求基礎而為請求，使聲明更加明確，非屬行政訴訟法第111 條第1 項前段訴之變更或追加，且被告及參加人亦無意見（本院卷第428頁），應予准許。
貳、實體事項：
一、事實概要：原告前於105年1月25日以具有傳輸改良之近紅外線光學干涉濾波器（原發明名稱為「經改良傳輸之近紅外線光學干涉濾波器」）向被告申請發明專利，並聲明以西元2015年1月23日申請之美國第62/107,112號專利案主張優先權，經被告編為第000000000號審查，於107年9月5日准予專利，並發給發明第I647490號專利證書（下稱系爭專利）。108年7月26日參加人以系爭專利有違核准時專利法第22條第1項及第2項（舉發理由書誤載為第4項）之規定，對之提起舉發。原告多次提出系爭專利申請專利範圍更正本（最後一次為109年8月17日），案經被告審查，認系爭專利109年8月17日之更正符合規定，依該更正本審查，並認系爭專利請求項1至11違反核准時專利法第22條第2項之規定，以110年2月20日（110）智專三（一）01128字第11020159810號專利舉發審定書為「109年8月17日之更正事項，准予更正」、「請求項1至11舉發成立，應予撤銷」、「請求項12至13舉發駁回」之處分。
原告就前揭「請求項1至11舉發成立，應予撤銷」部分之處分不服，向經濟部提起訴願，嗣經濟部110年7月9日以經訴字第11006305230號為駁回訴願之決定。原告仍不甘服，提起本件行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，如撤銷訴願決定及原處分，參加人之權利或法律上利益將受損害，爰依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告起訴主張略以：參加人於108年7月26日以西元2014年1月16日美國第US 2014/0000000 A1號「OPTICAL FILTER AND SENSOR SYSTEM」專利案公開本（下稱證據2）及西元2004年1月公開之學術論文「Tunable and Switchable Multiple-Cavity Thin Film Filters」（下稱證據3）為引證，舉發系爭專利有違核准時專利法第22條第1項及第2項之規定，而請求撤銷系爭專利請求項1至11，惟查，系爭專利請求項1之發明係用以改善濾波器朝透明基板之一側彎曲，致影響濾波效率及使用年限之問題，證據2並未揭示此問題，亦未建議該發明領域內通常知識者改進此問題，因此，系爭專利請求項1之發明並非該發明所屬技術領域中通常知識者得以輕易完成者。系爭專利請求項1既解決先前技術未曾建議解決方式之問題，顯見系爭專利請求項1之發明具有進步性。又系爭專利請求項1為獨立項，請求項2至7為請求項1之附屬項，請求項8至9為請求項1之特定物製法，故系爭專利請求項2至9亦具有進步性。再者，系爭專利請求項10於申請時，並無結合技術B與技術A之明顯動機，自難謂系爭專利請求項10之發明，為該發明所屬技術領域中具有通常知識者得以輕易完成。系爭專利請求項10為獨立項，請求項11為附屬項，請求項10既有進步性，請求項11亦具有進步性。故參加人於舉發時所提之證據2不足以證明系爭專利請求項1至7不具進步性，亦不足以證明系爭專利請求項8、9不具進步性，更不足以證明系爭專利請求項10、11不具進步性；而證據2、3之組合不足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性。是以被告原處分並非適法，爰聲明請求判決：訴願決定撤銷。訴願決定及原處分關於「請求項1至11舉發成立，應予撤銷」部分應予撤銷。
三、被告答辯略以：不同材料會有不同的熱膨脹係數，其在同樣溫度下的膨脹程度將會不同。若兩個不同熱膨脹係數的金屬所組成的雙金屬條帶，會向膨脹程度較小之一側彎曲。而證據2在透明基板一側為濾波堆疊層，另一側為抗反射層，兩者組成之材料、結構、功能皆不相同，其因應溫度所產生之熱脹冷縮膨脹程度亦有所不同。因此，證據2所揭示的濾波器有層堆疊及抗反射層，因有不同的熱膨脹係數而向某一側彎曲，無法正常發揮預期的濾波功能，並使濾波器快速折舊，導致使用年限減縮之問題。而系爭專利請求項1是包含複數層層堆疊之干擾濾波器，原告已自認證據2之抗反射層「antireflective
（AR）coating 630」和系爭專利請求項1之「層堆疊」、「第一層堆疊」、「第二層堆疊」（即具有濾波功能之鍍膜）屬相同或相近之鍍膜。系爭專利請求項1「第二層堆疊」係將該發明所屬技術領域中，利用申請時之通常知識，置換證據2之「抗反射層」，故系爭專利請求項1之第一層堆疊、第二層堆疊，皆為系爭專利請求項1所述之「一包含複數層之層堆疊」，而不具進步性。系爭專利請求項10與證據2之差異為系爭專利請求項10將證據2之抗反射的鍍膜方式轉用於系爭專利請求項10之「層堆疊」中，整體觀之，系爭專利與證據2同屬於濾波器之技術領域，皆於基板上沉積薄膜，故系爭專利請求項10將證據2之抗反射層的鍍膜方式轉用於系爭專利請求項10之「層堆疊」中，屬於相近或相關的技術領域之轉用，且系爭專利請求項10之干擾濾波器相較於證據2，並未產生無法預期之功效。是系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，自可依證據2所揭示技術內容簡單變更而輕易完成系爭專利請求項10之發明。是證據2已足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性；證據2、3之組合亦足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性，故系爭專利請求項1至11違反核准時之專利法第22條第2項不具進步性之規定，原告之主張為無理由，爰答辯聲明：原告之訴駁回。
四、參加人陳述意見：原告與證據3之作者威廉‧索斯韋爾（下稱索斯韋爾）具有商業利害關係，該證據係原告自行委託索斯韋爾以電腦軟體模擬方式對證據2 所提出之意見報告，其作成日期遠晚於系爭專利之申請日或優先權日，故證據3 顯然缺乏證據能力及證明力。又系爭專利請求項1 並未進一步界定第一層堆疊及第二層堆疊為低通濾波器或高通濾波器，然證據3 設定低通濾波器及高通濾波器模擬系爭專利請求項1 之干擾濾波器，已係錯誤之前提，故該報告結論自非正確。又證據3在討論證據2之濾波器時，特別強調要考量基材及其厚度所生之Etalon效應，然系爭專利請求項1 同樣界定於基材之相對兩側分別設置第一層堆疊及第二層堆疊，但證據3刻意忽視該基材及其厚度，顯然證據3內容前後不一致且矛盾。系爭專利說明書及所有請求項從未揭示參數，證據3 亦未說明其模擬系爭專利請求項1及證據2之模型參數係採用何種參數來模擬，因此，證據2之堆疊層（610）已揭示系爭專利請求項1 之第一層堆疊或第二層堆疊，若於證據2之基材（620）的相反兩側設置該層堆疊（610），則該修改證據2後之濾波器即等同於系爭專利請求項1 之濾波器。關於系爭專利之進步性部分，舉發程序之證據8（US 5,398,133），非作為引證，證據8可作為技藝人士通常知識之佐證。證據8之圖10、圖12，以及第5及6欄，揭示在基板兩側設置複數層堆疊，而編號28之層堆疊為低通濾波器，搭配作為高通濾波器之編號26之層堆疊，可形成帶通濾波器。因此，技藝人士基於證據8之內容，本就具備在基板兩側設置層堆疊為濾波器之能力，此亦呼應被告提到的在基板兩側用層堆疊作為濾波器是輕易完成的事。另參酌參加人於舉發程序所提其他引證案，技藝人士亦有能力選擇不同材質而設計各種層堆疊作為濾波器。因此，技藝人士參照證據2當有能力調配基板兩側之層堆疊為證據2之層堆疊（610），從而輕易完成系爭專利請求項1之技術內容。又證據2說明書【0005】揭示習知技術就是在基板兩側分別設置高折射率層及低折射率層，故要於基板兩側設置可供光線穿透且濾波特性不同之層堆疊，證據2就有揭示。因此，技藝人士至少參考證據2即知悉可於基板兩側設置層堆疊作為濾波器，並有能力選定層堆疊（610）來設置於基板兩側，從而完成系爭專利請求項1之技術內容。此外，如前述證據2及證據8所揭示內容，技藝人士甚至還有於基板兩側設置不同折射率之層堆疊為濾波器，從而形成帶通濾波器之通常知識，故技藝人士參照證據2之技術教示即可輕易完成系爭專利請求項7之技術內容。則證據2及證據3之組合，亦可證明系爭專利請求項7不具進步性。綜上，原處分及訴願決定均無不合，爰聲明請求如被告答辯聲明。
五、本件爭點（本院卷第298頁）：
㈠、證據2是否足以證明系爭專利請求項1至7不具進步性？
㈡、證據2是否足以證明系爭專利請求項8至9不具進步性？
㈢、證據2是否足以證明系爭專利請求項10至11不具進步性？
㈣、證據2、3之組合是否足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性？
六、本院之判斷：
㈠、應適用之法律：按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定」，專利法第71條第3 項本文定有明文。查系爭專利於105年1 月25日申請，經被告於107 年9 月5日審定准予專利，故系爭專利是否不具進步性，應以核准審定時專利法即106年1月18日修正公布、同年5月1日施行之專利法第22條第2項為斷（下稱核准時專利法）。次按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為核准時專利法第21條及第22條第1 項前段所明定。又發明如「為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時」，不得取得專利，復為同法第22條第2 項所明定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法規定者，依法得附具證據，向專利專責機關提起舉發。從而，系爭專利有無違反核准時專利法第22條第2項之規定而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。
㈡、系爭專利技術分析：
１、系爭專利所欲解決的問題：已知的傳輸干擾濾波器採用交替之矽與二氧化矽(SiO2)層堆疊。此裝置用於短波或中波、低到約1100nm之紅外線，因矽和二氧化矽在此波長範圍為透明狀態。下波長門限(與上光子能量門限對應)受矽之吸收作用控制，矽在結晶形態的帶間隙(bandap)約1.12eV。矽在此裝置的主要優點是其高折射率。光干擾濾波器的頻譜圖，取決於入射角。當入射角增加時，濾波器移到較短波長。此角偏移取決於使用之材料和材料之分佈。較高折射率造成較少角偏移。對窄頻率濾波器而言，角偏移量限制濾波器使用於光系統時的可用頻寬。在接收大角度之系統內，建構低角度偏移之濾波器可得到比用低折射率材料建構者較窄頻寬而有較大之雜訊抑制（系爭專利說明書【0002】，乙證4卷第135頁）。
２、系爭專利技術內容：一個包含層堆疊之干擾濾波器，該數層至少包含添加氮之非晶氫化矽層(a-Si：H,N)及一或複數個介質材料層，如SiO
2、SiOx、SiOxNy，介質材料具有較高之折射率，在1.9到
2.7(含)範圍，或之類。干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm(含)範圍。在a-Si：H,N層添加氮提供通過頻帶之改良傳輸而不會太減少在相同傳輸之a-Si：
H 觀察到的折射率。介質材料層之厚度具有較高之折射率，在1.9到2.7(含)範圍，提供比使用SiO2作為低折射率層之類似干擾濾波器更小的角偏移(系爭專利申請書發明摘要，乙證4卷第126頁)。要將裝置工作波長延伸到近紅外線，更要知道將矽氫化，以便採用交替的氫化非晶矽(a-Si：H)和SiO層。將矽氫化可以減少材料損失和折射率。透過此方法可以得到充作在000-0000nm範圍之高性能干擾濾波器（系爭專利說明書【0003】，乙證4卷第123至124頁）。又該發明之改良是關於在用於近紅外線(000-0000nm)之Si基礎干擾濾波器的a-Si：H層添加可控制量之氮。換言之，此改良意味著用a-Si：H,N取代a-Si：H。如圖3之示意圖所示，對紅外線(如000-0000nm範圍)內之固定波長，及對指定之氫化水準添加氮以增加傳輸及減少伴隨之折射率降低。添加氮對折射率之影響遠小於氫化的影響，特別是低於10%氮的成分。因此，此修改促成製造工作於000-0000nm範圍之近紅外線干擾濾波器，可有改良之角偏移控制、尖峰值傳輸、及濾波器頻寬。另一方面，對指定通過頻帶寬度而言，以a-Si：H,N取代a-Si：H可以改良通過頻帶之傳輸。此種方法，以a-Si：H,N取代a-Si：H，可以製造比具有相同折射率階梯（及因此有相同通過頻寬）而改良之通過頻帶傳輸的近紅外線干擾濾波器。的確，本發明人發現此設計模式可將此濾波器之實際工作範圍向下延展到750nm（系爭專利說明書【0026】，乙證4卷第120頁）。
３、系爭專利申請專利範圍：原告於109年8月17日申請更正系爭專利申請專利範圍，經被告審查核准並於110年2月20日公告，系爭專利公告本所載請求項共13項，其中第1、8、10項為獨立項，其餘為附屬項，更正本刪除請求項12至13，原告所爭執之請求項內容為更正後請求項1至11，茲分述如下：
⑴、請求項1：一種干擾濾波器，其包含：一包含複數層之層堆
疊，其層堆疊至少包含：非晶氫化矽層，以及一或多個介質材料，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包括一介質材料層，該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍；以及一透明基板，支撐該層堆疊，其中該層堆疊包括在該透明基板之一側之第一層堆疊以及在該透明基板另一側之第二層堆疊。
⑵、請求項2：如申請專利範圍第1項所述之干擾濾波器，其中該
折射率在1.9到2.7範圍之介質材料層包括一或多層，該層包含Si3N4、SiOxNy，其y足夠大以提供1.9或更高之一折射率，Ta2O5、Nb2O5、或TiO2。
⑶、請求項3：如申請專利範圍第2項所述之干擾濾波器，其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層。
⑷、請求項4：如申請專利範圍第1-3項中任一項所述之干擾濾波
器，其中該層堆疊之經組配以使其擁有一通過頻帶中心波長在000-0000nm範圍。
⑸、請求項5：如申請專利範圍第1-3項中任一項所述之干擾濾波
器，其中該層堆疊之經組配使其擁有一通過頻帶中心波長在000-0000nm範圍。
⑹、請求項6：如申請專利範圍第1項所述之干擾濾波器，其中該透明基板包含一玻璃基板。
⑺、請求項7：如申請專利範圍第1項所述之干擾濾波器，其中該
第一層堆疊定義具有低通截止波長之一低通濾波器，該第二層堆疊定義具有高通截止波長的一高通濾波器，並且該干擾濾波器有一通過頻帶，該通過頻帶被定義在該高通截止波長與該低通截止波長之間。
⑻、請求項8：一種製造干擾濾波器的方法，包含以下步驟：藉
作業以製造在如申請專利範圍第1-7項中之任一項所述之干擾濾波器，該作業包括在基板上沉積該層堆疊。
⑼、請求項9：如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該沉積包含使用至少一矽基礎濺射靶材的濺射處理。
⑽、請求項10：一種干擾濾波器，其包含：一個層堆疊，該層堆
疊包含複數個至少如下之層：非晶氫化矽層，以及一或多個介質材料，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包含一介質材料層，該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍；其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層；以及其中該層堆疊包括至少一SiO2層緊鄰折射率在1.9到2.7範圍之一介質材料之一層，其間沒有非晶氫化矽之介入層。
⑾、請求項11：如申請專利範圍第10項所述之干擾濾波器，其中
該折射率在1.9到2.7範圍之介質材料層包括一或多層，該層包含Si3N4、SiOxNy，其y足夠大以提供1.9或更高之折射率，Ta2O5、Nb2O5、或TiO2。
４、系爭專利主要圖式：如本判決附件圖一。
㈢、舉發證據技術分析：
１、證據2：證據2公開日為西元2014年1月16日，早於系爭專利優先權日(即西元2015年1月23日)，可為系爭專利之相關先前技術。
⑴、證據2技術內容：
提供了具有至少部分地與800nm至1100nm的波長範圍重疊的通帶的濾波器。濾波器包括由交替堆疊的氫化矽層和低折射率層形成的濾波器堆疊。每個氫化矽層在800nm到1100nm的波長範圍內具有大於3的折射率和在800nm到1100nm的波長範圍內的消光係數小於0.0005（證據2摘要，原文見乙證1卷第45頁）。濾波器層堆疊610包括多個氫化矽層611，用作較高折射率層，以及多個交替堆疊的較低折射率層612。通常，濾波器層堆疊610由多個氫化矽層611和多個低折射率層612以(H/L)n、(H/L)nH或L(H/L)n的順序堆疊而成。通常，濾波器層堆疊610包括總共10至100層，即5≤n≤50。同樣典型地，氫化矽層611和低折射率層612均具有3nm至300nm的厚度，並且濾波器層堆疊610具有1μm至10μm的厚度。通常，層數和厚度是根據特定的光學設計來選擇的。較佳地，濾波器600具有小於10μm的總塗層厚度，即濾波器層堆疊610和AR塗層630的厚度（證據2說明書【0046】，原文見乙證1卷第37頁背面）。
⑵、證據2主要圖式：如本判決附件圖二。
２、證據3：證據3公開日為西元2004年1月，早於系爭專利優先權日(即西元2015年1月23日)，可為系爭專利之相關先前技術。其技術內容係描述一系列薄膜干涉濾波器，結合非晶矽層，以實現寬熱光可調性和多腔設計的潛力。等離子增強化學氣相沉積 (PECVD) 氫化非晶矽 (a-Si:H) 在熔融石英或晶體矽晶片基板上產生的薄膜具有高指數 (n=3.71)、1500nm低損耗和熱光指數係數大約是波分複用(wavelength division multiplexing，WDM) 濾波器中通常使用的介電材料的係數的十倍。將非晶矽與低指數 (n=1.77, k=1/spl times/10/sup -6/) 氮化矽伴隨層配對，然後進行後處理退火導致多層膜堆疊，其可以循環至 400°C 而不會分層或失敗，導致熱指數調製高達4%，並支持各種動態薄膜器件設計（證據3摘要，原文見乙證1卷第34頁）。
㈣、證據2足以證明系爭專利請求項1至7不具進步性：
１、關於系爭專利請求項1：
⑴、查證據2之本判決附件圖二及其說明書揭示「The improved h
ydrogenated silicon material, tuned to have suitable
optical properties, is used in the optical filter o
f the present invention. With reference to FIG. 6 ,
the optical filter 600 includes a filter stack 610 ,which is disposed on a first surface of a substrate
620 . In most instances,the substrate 620 is a free-standing substrate, typically, a glass substrate」等內容（證據2說明書【0045】，乙證1卷第37頁背面），亦即「在本發明的濾波器中使用改進的氫化矽材料，調整為具有合適的光學特性。參照圖6，濾波器600包括濾波器層堆疊610，其設置在基板620的第一表面上。在大多數情況下，基板620是自立式基板，通常為玻璃基板」之意；又揭示「The filter stack 610 includes a plurality of hydrogenated
silicon layers 611 ,which serve as higher-refractive-index layers, and a plurality of lower-refractive-index layers 612 stacked in alternation. Usually, th
e filter stack 610 consists of a plurality of hydrogenated silicon layers 611 and a plurality of lower-refractive-index layers 612 stacked in a sequence of(H/L) n, (H/L) n H, or L(H/L) n . Typically, the fil
ter stack 610 includes a total of 10 to 100 layers,
i.e., 5≦n≦50.」等內容（證據2說明書【0046】，乙證1卷第37頁背面），即「濾波器層堆疊610包括多個氫化矽層611，用作較高折射率層，以及多個交替堆疊的較低折射率層612。通常，濾波器層堆疊610由多個氫化矽層611和多個低折射率層612......的順序堆疊而成。通常，濾波器層堆疊610包括總共10至100層，即5≤n≤50」之意。該說明書亦記載「T
he optical filter of the present invention uses an improved hydrogenated silicon material, which has bot
h a high refractive index and a low absorption coefficient over a wavelength range of 800 nm to 1100 nm,
i.e.,in the near-infrared wavelength range. Typically,the hydrogenated silicon material is amorphous.」（證據2說明書【0035】，乙證1卷第37頁），即為「本發明的濾波器使用改進的氫化矽材料，其在800nm至1100nm的波長範圍內，即在近紅外波長範圍內具有高折射率和低吸收係數，通常係非晶氫化矽材料」之意。綜合前開說明，證據2已揭露系爭專利請求項1「一種干擾濾波器，其包含：一包含複數層之層堆疊，其層堆疊至少包含：非晶氫化矽層，以及一或多個介質材料，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包括一介質材料層......；以及一透明基板，支撐該層堆疊，其中該層堆疊包括在該透明基板之一側之第一層堆疊」之技術特徵，應可認定。
⑵、次查，證據2說明書記載「In most instances,the lower-re
fractive-index material is a dielectric material,typically,an oxide.Suitable lower-refractive-index materials include silicon dioxide (SiO2), aluminum oxide
(Al2O3),titanium dioxide (TiO2), niobium pentoxide(Nb2O5),tantalum pentoxide (Ta2O5), and mixtures thereof, i.e.,mixed oxides.」（證據2說明書【0051】，乙證1卷第36頁），即揭示「在大多數情況下，低折射率材料是介電材料，通常是氧化物。合適的低折射率材料包括二氧化矽（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、二氧化鈦（TiO2）、五氧化二鈮（Nb2O5）、五氧化二鉭（Ta2O5）和它們的混合物，即混合氧化物」之意。又Ta2O5、Nb2O5或TiO2為折射率在
1.9到2.7範圍屬於薄膜製程材料技術領域之習知技術(即如系爭專利請求項2所進一步界定之「折射率在 1.9到2.7範圍之介質材料層包括一或多層，該層包含......以提供1.9或更高之一折射率，Ta2O5、Nb2O5、或TiO2」)，故證據2已揭露系爭專利請求項1「該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍」之技術特徵。
⑶、再者，就證據2與系爭專利請求項1相較，差異在於證據2未明
確揭露「在該透明基板另一側之第二層堆疊」之技術特徵，然關於前述差異特徵，由證據2之本判決附件圖二及說明書記載「When the substrate 620 is a free-standing substrate, an antireflective (AR) coating 630 is often disposed on a second surface of the substrate 620 opposite the first surface. Typically, the AR coating 6
30 is a multilayer interference coating, e.g., a Ta2O5/SiO2 coating.」之內容（證據2說明書【0045】，乙證1卷第37頁背面），可知「當基板620是自立式基板時，抗反射(AR)塗層630通常設置在基板620的與第一表面相對的第二表面上。通常，AR塗層630是『多層干涉塗層』，例如Ta2O5/SiO2塗層」，另證據2之本判決附件圖二已清楚揭示『多層』之濾波器層堆疊610（包括多個氫化矽層611，用作較高折射率層，以及多個交替堆疊的較低折射率層612）。
⑷、又系爭專利主要為利用非晶氫化矽層及一或複數個介質材料
層，設計干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm（含）或000-0000nm（含）之範圍(系爭專利說明書【0008】、【0009】，乙證4卷第123頁)，此與證據2同屬相同技術領域利用相同技術手段之非晶氫化矽層及複數個介質材料層，設計近紅外線光學干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm之範圍，其功能作用完全相同(證據2摘要、說明書【0010】、【0053】，原文見乙證1卷第45頁、第38頁背面、第36頁)。故將證據2基板另一側之多層干涉塗層之抗反射(AR)塗層置換為發明目的相同之層堆疊(即證據2之本判決附件圖二之611、612)，應為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易改變而完成，是以系爭專利請求項1為證據2之簡單變更，且未產生無法預期功效，亦即皆為具有傳輸改良之頻帶中心波長相同範圍之近紅外線光學干涉濾波器，從而，證據2足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑸、原告雖主張不同材料會有不同的熱膨脹係數，其在同樣溫度
下的膨脹程度將會不同。若透明基板兩側所配置之塗層材料，一側膨脹程度較大，另一側膨脹程度較小，將導致透明基板因熱脹冷縮因素向膨脹程度較小之一側彎曲，類似例子如兩個不同熱膨脹係數的金屬所組成的雙金屬條帶，會向膨脹程度較小之一側彎曲，而證據2在透明基板一側為濾波堆疊層，另一側則為抗反射層，兩者組成之材料、結構、功能皆不相同，其因應溫度所產生之熱脹冷縮膨脹程度亦有所不同，故證據2所揭示的濾波器有層堆疊及抗反射層，因為有不同的熱膨脹係數而向某一側彎曲，而無法正常發揮預期的濾波功能，並使濾波器快速折舊導致使用年限縮減之問題等云云，並提出附件1為證，惟查附件1為「『雙金屬條』用於溫度變化轉換成機械位移」（本院卷第91頁），而系爭專利請求項1是「一種『干擾濾波器』，其包含：一包含複數層之層堆疊，其層堆疊至少包含：『非晶氫化矽層』，以及一或多個『介質材料』，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包括一介質材料層，『該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍』；以及一『透明基板』，支撐該層堆疊，其中該層堆疊包括在該透明基板之一側之第一層堆疊以及在該透明基板另一側之第二層堆疊」，二者互核觀之，可知原告提出附件1之雙金屬條和系爭專利請求項1、證據2利用非晶氫化矽層及一或複數個介質材料層，設計干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm 或000-0000nm之範圍，其於技術領域、材料、結構、性質、功能或作用皆明顯不同，自無從引用附件1為佐證，是原告此部分之主張應非可採。
⑹、原告復主張系爭專利請求項1所揭示之濾波器設計成透明基板
兩側皆為組成材料、結構、功能類似之濾波堆疊層，使透明基板兩側因應溫度所產生之熱脹冷縮膨脹程度相似，不會產生彎曲情形，證據2未建議該發明領域内具有通常知識者得將證據2第一層堆疊置換成證據2之第二層抗反射層以獲得系爭專利請求項1之發明，該發明領域内具有通常知識者於系爭專利請求項1「申請時」，並不會有「明顯動機」去將第一層堆疊置換成證據2之第二層抗反射層以獲得系爭專利請求項1之發明技術。系爭專利請求項1之發明係將堆疊層分散於透明基板兩側，證據2僅揭露將堆疊層集中在透明基板一側之技術，而未揭露如何製造出將堆疊層分散於透明基板兩側，仍照常發揮濾波功效之技術。若直接將證據2之第一層堆疊用來置換其抗反射層，則證據2濾波器的光學特性將大幅改變云云，然系爭專利請求項1僅界定「其中該層堆疊包括在該透明基板之一側之第一層堆疊以及在該透明基板另一側之第二層堆疊」，並未明確指出第一層堆疊以及第二層堆疊之組成、結構、材料皆一致或類似，況系爭專利說明書記載「具有兩濾波器側110、112的此種濾波器可以，例如做帶通濾波器，一側之堆疊是高通濾波器而在另一側之堆疊是低通濾波器---通過頻帶的波長範圍高於高通濾波器之截止波長和低於低通濾波器之截止波長」等內容（系爭專利說明書【0039】，乙證4卷第114至115頁），而系爭專利請求項7更明確記載「如申請專利範圍第1項所述之干擾濾波器，其中該第一層堆疊定義具有低通截止波長之一低通濾波器，該第二層堆疊定義具有高通截止波長的一高通濾波器，並且該干擾濾波器有一通過頻帶，該通過頻帶被定義在該高通截止波長與該低通截止波長之間」，在在顯示第一層堆疊、第二層堆疊之組成、結構、材料並不相同，原告主張系爭專利請求項1所揭示之濾波器設計成透明基板兩側皆為組成材料、結構、功能相同之濾波堆疊層，當不可採。又證據2之本判決附件圖二及說明書揭示「在本發明的濾波器中使用改進的氫化矽材料，調整為具有合適的光學特性。參照圖6，濾波器600包括濾波器層堆疊610，其設置在基板620的第一表面上。
在大多數情況下，基板620是自立式基板，通常為玻璃基板......抗反射(AR)塗層630通常設置在基板620的與第一表面相對的第二表面上。通常，AR塗層630是『多層干涉塗層』，例如Ta2O5/SiO2塗層」之意（證據2說明書【0045】，原文見乙證1卷第37頁背面），由於系爭專利請求項1之第一層堆疊、第二層堆疊之組成、結構、材料並未明確界定需要一致（依照系爭專利說明書及請求項7之記載第一層堆疊、第二層堆疊應不相同），且系爭專利請求項1對於基板另一側之第二層堆疊並未有明確界定，如前所述證據2利用相同技術手段之非晶氫化矽層及複數個介質材料層，設計近紅外線光學干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm之範圍，其功能作用與系爭專利完全相同。是以將證據2基板另一側之抗反射(AR)塗層為Ta2O5/SiO2「多層干涉塗層」置換為發明目的相同之層堆疊，應為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易改變而完成，故原告此部分之主張，亦非可採。
⑺、原告再提出系爭專利請求項1之發明所屬領域具有通常知識者
即物理學博士索斯韋爾進行實驗並作成原證3書面報告（本院卷第259至280頁），以證明系爭專利係使用分別置放於透明基板兩側之低通濾波器及高通濾波器組成具有一定通過頻帶之干擾濾波器，較未區分低通瀘波器及高通瀘波器並將之分別置放於透明基板兩側之先前技術具有調整濾波範圍容易、良率提高、耐用性高等功效乙節，惟按，智慧財產案件審理法第33條規定：「關於撤銷、廢止商標註冊或撤銷專利權之行政訴訟中，當事人於言詞辯論終結前，就同一撤銷或廢止理由提出之新證據，智慧財產法院仍應審酌之（第1項)。
智慧財產專責機關就前項新證據應提出答辯書狀，表明他造關於該證據之主張有無理由(第2項)」。依該條之立法理由之記載及該條第2項規定，智慧財產專責機關就同條第1項之新證據應提出答辯書狀之條文結構相互以觀，智慧財產案件審理法第33條第1項之規定，就專利舉發案而言，係經專利專責機關為舉發不成立，專利舉發人於對專利專責機關之處分不服而以該專責機關為被告所提起之行政訴訟中，始有其適用（最高行政法院100年度判字第2247號判決意旨參見）。本件原處分係作成舉發成立，由專利權人作為原告提起之行政撤銷訴訟，並無上開條文之適用。故原告在本院審理階段提出原證3，僅係作為系爭專利具有進步性之補強證據，並非智慧財產案件審理法第33條所稱新證據，本院自得予以審酌該補強證據。又系爭專利請求項1並未明確界定第二層堆疊之組成、結構、材料，業如前述，依本判決附件圖二及證據2說明書已揭示「在本發明的濾波器中使用改進的氫化矽材料，調整為具有合適的光學特性」（證據2說明書【0045】，原文見乙證1卷第37頁背面），且該說明書亦揭示「本發明的濾波器使用改進的氫化矽材料，其在800nm至1100nm的波長範圍內，即在近紅外波長範圍內具有高折射率和低吸收係數，通常係非晶氫化矽材料」（證據2說明書【0035】，原文見乙證1卷第37頁），即已顯示證據2可組成低通濾波器及高通濾波器而具有一定通過頻帶之干擾濾波器，證據2利用相同技術手段，設計近紅外線光學干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm之範圍，其功能作用與系爭專利完全相同，原告訴稱證據2未區分低通濾波器及高通濾波器並將之分別置放於透明基板兩側即不可採，又原告即使委請專家進行實驗並作成書面報告，足以證實系爭專利具有調整濾波範圍容易、良率提高、耐用性高等功效，然因系爭專利請求項1為證據2之簡單變更，則系爭專利已不具進步性，業經本院論述如前，原告亦無從以原證3證明系爭專利請求項1具有進步性。
⑻、至於原告主張系爭專利請求項1 之發明已於107年6月5日獲得
美國專利商標局核准公告等情，惟專利係採屬地主義，而各國專利法制及其審查基準各有不同，且個案審查時所檢索比對的先前技術亦互有差異，即使其他國家對某發明授予專利權證據，尚難逕行採為我國相關案件有利之認定（最高行政法院109年度判字第232號行政判決意旨參照），原告此部分之主張亦難採憑。
２、關於系爭專利請求項2至7：
⑴、關於系爭專利請求項2、3：
系爭專利請求項2係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「其中該折射率在1.9到2.7範圍之介質材料層包括一或多層，該層包含Si3N4、SiOxNy，其y足夠大以提供1.9或更高之一折射率，Ta2O5、Nb2O5、或TiO2」之附屬技術特徵。另系爭專利請求項3係依附於請求項2，包含請求項2之全部技術特徵，並進一步界定「其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層」之附屬技術特徵。查證據2說明書已揭示「在大多數情況下，低折射率材料是介電材料，通常是氧化物。合適的低折射率材料包括二氧化矽（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、二氧化鈦（TiO2）、五氧化二鈮（Nb2O5）、五氧化二鉭（Ta2O5）和它們的混合物，即混合氧化物」（證據2說明書【0051】，原文見乙證1卷第36頁），而證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，業經本院論述如前，而系爭專利請求項2、3並未產生無法預期之功效，依證據2說明書之前開記載，亦為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成，故證據2亦可證明系爭專利請求項2、3不具進步性。
⑵、關於系爭專利請求項4、5：
查系爭專利請求項4、5均為依附於請求項1至3任一項之附屬項，包含請求項1至3任一項全部技術特徵，並分別進一步界定「其中該層堆疊之經組配以使其擁有一通過頻帶中心波長在000-0000nm範圍」、「其中該層堆疊之經組配使其擁有一通過頻帶中心波長在000-0000nm範圍」。又證據2說明書揭示「The optical filter 600 is an interference filter
having a passband at least partially overlapping wi
th the wavelength range of 800 nm to 1100 nm.」（證據2說明書【0053】，原文見乙證1卷第36頁），亦即「濾波器600是具有至少部分地與800nm至1100nm的波長範圍重疊的通帶干擾濾波器」之意，而系爭專利請求項2之波長在000-0000nm範圍內，且證據2已可證明系爭專利請求項1至3不具進步性，業如前述，而所屬技術領域中具有通常知識者由證據2可得知「其中該層堆疊之經組配使其擁有一通過頻帶中心波長在000-0000nm範圍」之揭示，且對照證據2並未產生無法預期之功效，從而，證據2亦可證明系爭專利請求項4、5不具進步性。
⑶、關於系爭專利請求項6：
系爭專利請求項6係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「其中該透明基板包含一玻璃基板」之附屬技術特徵。查證據2說明書揭示「在大多數情況下，基板620是自立式基板，通常為玻璃基板」（證據2明書【0045】，乙證1卷第37頁背面）。而證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，業如前述，所屬技術領域中具有通常知識者由證據2已可得知「其中該透明基板包含一玻璃基板」之揭示，且對照證據2並未產生無法預期之功效，是以證據2可證明系爭專利請求項6不具進步性。
⑷、關於系爭專利請求項7：
系爭專利請求項7係依附於請求項1，包含請求項1之全部技術特徵，並進一步界定「其中該第一層堆疊定義具有低通截止波長之一低通濾波器，該第二層堆疊定義具有高通截止波長的一高通濾波器，並且該干擾濾波器有一通過頻帶，該通過頻帶被定義在該高通截止波長與該低通截止波長之間」之附屬技術特徵。查證據2圖7D（乙證1卷第41頁背面）及說明書記載「the first exemplary optical filter are plott
ed in FIG. 7D . The first exemplary optical filter h
as a transmittance level, within the passband, of greater than 90%, and a blocking level, outside of the
passband, of greater than OD3 over a wavelength ran
ge of 450 nm to 1050 nm. The passband has a center wavelength of about 850 nm and a FWHM of about 46.5 n
m at an incidence angle of 0°.」（證據2說明書【0059】，乙證1卷第36頁），其揭示「第一示例性濾波器在450nm至1050nm的波長範圍內在通帶內具有大於90％的透射率水平和在通帶外的阻擋水平。通帶在入射角為0度時具有約850nm的中心波長和約46.5nm的FWHM」即相當於第一層具有低通截止波長之低通濾波器及第二層具有高通截止波長的高通濾波器，並且該干擾濾波器有一通過頻帶。證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，業經論述如前，而系爭專利請求項7附加技術特徵「其中該第一層堆疊定義具有低通截止波長之一低通濾波器......該通過頻帶被定義在該高通截止波長與該低通截止波長之間」，為該所屬技術領域中具有通常知識者予以簡單置換即可得，且對照證據2未產生無法預期之功效，從而，證據2可證明系爭專利請求項7不具進步性。
㈤、證據2足以證明系爭專利請求項8、9不具進步性：
１、關於系爭專利請求項8：系爭專利請求項8為獨立項，其內容為「一種製造干擾濾波器的方法，包含以下步驟：藉作業以製造在如申請專利範圍第1-7項中之任一項所述之干擾濾波器，該作業包括在基板上沉積該層堆疊」。查證據2圖4（乙證1卷第44頁背面）及說明書記載「The optical filter 600 may be fabricated
by using a sputtering process. Typically, the substrate 620 is provided in the vacuum chamber of a sputter-deposition system similar to that illustrated in
FIG. 4 . The hydrogenated silicon layers 611 and th
e lower-refractive-index layers 612 are then sequentially deposited on the first surface of the substrat
e 620 to form the filter stack 610 as a multilayer coating.」（證據2明書【0052】，乙證1卷第36頁），即揭示「濾波器600可以通過使用濺射工藝製造。典型地，基板620被提供在類似於圖1所示的濺射沉積系統的真空室中。然後將氫化矽層611和低折射率層612依次沉積在基板620的第一表面上以形成作為多層塗層的濾波器層堆疊610」此即相當於製造干擾濾波器作業包括在基板上沉積該層堆疊。證據2足以證明系爭專利請求項8所引用請求項1至7中任一項之干擾濾波器不具進步性，已如前述，系爭專利請求項8之「該作業包括在基板上沉積該層堆疊」亦為證據2所揭示，且對照證據2並未產生無法預期之功效，故證據2可證明系爭專利請求項8不具進步性。
２、關於系爭專利請求項9：系爭專利請求項9係依附於請求項8，包含請求項8之全部技術特徵，並進一步界定「其中該沉積包含使用至少一矽基礎濺射靶材的濺射處理」之附屬技術特徵。查證據2圖4（乙證1卷第44頁背面）及說明書記載「The cathode 430 include
s a silicon target 431 , which is sputtered in the presence of hydrogen (H 2 ), as well as an inert gassuch as argon, to deposit the hydrogenated silicon material as a layer on the substrate 420 .」（證據2明書【0037】，乙證1卷第37頁），即為「陰極430包括矽靶431，其在氫氣(H2)以及惰性氣體如氬氣存在下被濺射，以在基板420上沉積氫化矽材料作為層」，此已揭示沉積包含使用至少一矽基礎濺射靶材的濺射處理。而證據2可證明系爭專利請求項8不具進步性，業如前述，而所屬技術領域中具有通常知識者由證據2應可得知系爭專利請求項9之前開附屬技術特徵，且對照證據2並未產生無法預期之功效，故可依證據2輕易完成系爭專利請求項9之技術特徵，是證據2可證明系爭專利請求項9不具進步性。
㈥、證據2足以證明系爭專利請求項10、11不具進步性：
１、關於系爭專利請求項10：
⑴、系爭專利請求項10為獨立項，其內容為「一種干擾濾波器，
其包含：一個層堆疊，該層堆疊包含複數個至少如下之層：非晶氫化矽層，以及一或多個介質材料，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包含一介質材料層，該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍；其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層；以及其中該層堆疊包括至少一SiO2層緊鄰折射率在1.9到2.7範圍之一介質材料之一層，其間沒有非晶氫化矽之介入層」。
⑵、經查，證據2已揭露系爭專利請求項10「一種干擾濾波器，其
包含：一個層堆疊，該層堆疊包含複數個至少如下之層：非晶氫化矽層，以及一或多個介質材料，其有低於該非晶氫化矽層折射率之一折射率，其中該一或多層包含一介質材料層，該介質材料層有一折射率在1.9到2.7範圍」之技術特徵，已如前系爭專利請求項1所述。而證據2與系爭專利請求項10相較，差異在於證據2未明確揭露「其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層；以及其中該層堆疊包括至少一SiO2層緊鄰折射率在1.9到2.7範圍之一介質材料之一層，其間沒有非晶氫化矽之介入層」之技術特徵。
⑶、然證據2說明書揭示「抗反射(AR)塗層630通常設置在基板620
的與第一表面相對的第二表面上。通常，AR塗層630是『多層干涉塗層』，例如Ta2O5/SiO2塗層」（證據2說明書【0045】，原文見乙證1卷第37頁背面），可知證據2抗反射塗層630是多層干涉塗層，其包含Ta2O5、SiO2塗層，且Ta2O5、SiO2折射率均在1.9到2.7範圍，自可相當於「其中該一或多個介質材料層進一步包括SiO2層；以及其中該層堆疊包括至少一SiO2層緊鄰折射率在1.9到2.7範圍之一介質材料之一層，其間沒有非晶氫化矽之介入層」之技術特徵。亦即系爭專利請求項10為將證據2之抗反射層的鍍膜方式轉用於系爭專利請求項10之「層堆疊」中。又系爭專利請求項10與證據2同屬於濾波器之技術領域，利用非晶氫化矽層及複數個介質材料層，設計近紅外線光學干擾濾波器之設計使其通過頻帶之中心波長在000-0000nm之範圍，其功能作用完全相同，故系爭專利請求項10將證據2之抗反射層的鍍膜方式轉用於系爭專利請求項10之「層堆疊」中，屬於相關的技術領域之轉用，並未產生無法預期之功效。因此，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，自可依證據2所揭示技術內容簡單變更而輕易完成系爭專利請求項10之發明。
２、關於系爭專利請求項11：系爭專利請求項11係依附於請求項10，包含請求項10之全部技術特徵，並進一步界定「其中該折射率在1.9到2.7範圍之介質材料層包括一或多層，該層包含Si3N4、SiOxNy，其y足夠大以提供1.9 或更高之一折射率，Ta2O5、Nb2O5、或TiO2」之附屬技術特徵，證據2 說明書業已揭示「在大多數情況下，低折射率材料是介電材料，通常是氧化物。合適的低折射率材料包括二氧化矽（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、二氧化鈦（TiO2）、五氧化二鈮（Nb2O5）、五氧化二鉭（Ta2O5） 和它們的混合物，即混合氧化物」之技術特徵（證據2說明書【0051】，原文見乙證1卷第36頁）。證據2可證明系爭專利請求項10不具進步性，如前所述，而所屬技術領域中具有通常知識者由證據2 應可得知系爭專利請求項11之前開附屬技術特徵，且對照證據2 並未產生無法預期之功效，自可依證據2輕易完成系爭專利請求項11之技術特徵，故證據2亦可證明系爭專利請求項11不具進步性。
㈦、證據2、3之組合足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性：如前揭理由所述，單就「證據2」既足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性，已不符合專利要件，就證據2、3之組合，自當足以證明系爭專利請求項1至11為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成者，而不具進步性。
七、綜上所述，證據2及證據2、3之組合，均足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性，系爭專利上開請求項違反核准時專利法第22條第2項之規定，故原處分所為「請求項1至11舉發成立，應予撤銷」之審定，並無違法，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告訴請撤銷訴願決定及原處分關於「請求項1至11舉發成立」部分，為無理由，應予駁回。至於原告主張其於111年2月14日始收受參加人書狀，且就證據2部分尚有其他主張，故請求另訂辯論期日乙節，惟參加人主張之理由於原處分、訴願階段均已提出，而證據2及證據2、3之組合，已足以證明系爭專利請求項1至11不具進步性，原告請求另訂辯論期日即無必要。
八、本件事證已明確，兩造及參加人其餘攻擊防禦方法，均與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，附此敘明。
九、據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1 條，行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 111 年 3 月 30 日
智慧財產第三庭
審判長法 官 彭洪英
法 官 林怡伸法 官 林惠君以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│一符合右列情形之一│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 者，得不委任律師│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│二非律師具有右列情│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 形之一，經最高行│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 政法院認為適當者│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ ，亦得為上訴審訴│ 。 ││ 訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合一、二之情形，而得為強制律師代理之例外，上訴││人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出二所示關係之釋明││文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 111 年 3 月 30 日
書記官 張玫玲附件圖一系爭專利圖4之示意圖展示使用圖1之濺射沉積系統適當製造的干擾濾波器圖二證據2圖6是根據本發明的濾波器的橫截面示意圖