智慧財產及商業法院行政判決110年度行專訴字第56號
民國111年5月11日辯論終結原 告 美商CMC材料股份有限公司（CMC Materials, In
c.）代 表 人 凱羅 柏斯登 H. Carol Bernstein訴訟代理人 陳翠華（兼送達代收人）
黃琮益陳群顯律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 洪淑敏訴訟代理人 楊淑珍
參 加 人 羅門哈斯電子材料CMP控股公司代 表 人 Blake T. Biederman上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國110年9月9日經訴字第11006307210號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加被告之訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項按言詞辯論期日，當事人之一造不到場者，倘無民事訴訟法第386條規定之不得一造辯論判決之事由，得依到場當事人之聲請，由其一造辯論而為判決，行政訴訟法第218條準用民事訴訟法第385條第1項前段、第386條定有明文。查參加人受合法通知，無正當理由，未於言詞辯論期日到場，有本院送達證書1紙在卷可稽（見本院卷第323頁），核無民事訴訟法第386條各款所列情形，爰依原告、被告之聲請，由到場之當事人辯論而為判決。
貳、實體事項
一、事實概要：原告於民國89年8月11日以「化學機械磨光系統及其使用方法」向被告申請發明專利，並以88年8月13日申請之美國第60/148,878號專利案主張優先權，經被告編為第00000000號申請案進行審查，於91年3月22日准予專利，並發給發明第153706號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人於106年7月13日以系爭專利違反核准時專利法第20條第1項第1款、第20條之1、第20條第2項及第71條第1項第3款規定，對之提起舉發。原告於106年10月6日、110年1月27日提出系爭專利說明書及申請專利範圍更正本，案經被告審查，以110年4月15日
（110）智專三（五）01103字第11020344650號專利舉發審定書、110年5月7日（110）智專三（五）01103字第11020429220號更正函為「110年1月27日之更正事項，應予更正」、「請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40舉發成立」、「請求項4、6至8、19至22、26、28至30、38至39舉發不成立」之處分（下稱原處分）。原告不服前揭舉發成立部分之處分，提起訴願，經經濟部以110年9月9日經訴字第11006307210號訴願決定駁回，原告不服，乃向本院提起行政訴訟。本院認為本件判決結果，如認訴願決定及原處分關於前揭舉發成立部分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將受有損害，故依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告主張：㈠系爭專利更正後請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40係關於一種化學機械性磨光系統或組合物（即CMP系統／組合物）及其使用方法，並包含三種必要成分，即至少一種氧化劑、至少一個α-氨基酸、以及至少一種鈍化薄膜形成劑。系爭專利併用α-氨基酸，相較於併用不屬於α-氨基酸之甘胺酸所提供之CMP組合物，系爭專利可於銅的CMP過程中使凹陷、腐蝕、線凹面及Cu表面粗度顯著降低。當CMP組合物分別採用等量α-丙胺酸與β-丙胺酸，採用α-丙胺酸所提供的銅移除速率為2784／分鐘， 遠高於採用β-丙胺酸之銅移除速率為986／分鐘，且採用α-丙胺酸之CMP組合物，其Cu：Ta選擇率為253.1（計算式：2784÷11＝253.1），與採用β-丙胺酸之CMP組合物Cu：Ta選擇率為75.8（計算式：986÷13＝75.8）相較，效益較高。故系爭專利發明以在CMP操作中併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑，成功地在合宜速率、選擇率下磨光多層基材，且同時避免過度凹陷及腐蝕問題，在CMP技術領域之改良為前所未見。依其所提之表1數據顯示，相較於僅使用氧化劑之銅拋光速率明顯過低之淤漿1態樣，若僅併用氧化劑與鈍化薄膜形成劑而未使用α-氨基酸如淤漿2，無助於銅拋光率的提升；若僅併用氧化劑與α-氨基酸而未使用鈍化薄膜形成劑如淤漿3，雖可提升銅拋光速率，但產生嚴重的凹陷問題；只有同時併用氧化劑、α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑如淤漿4，才能在無顯著凹陷腐蝕問題情形下有效提升銅拋光速率。表1：
㈡證據3所揭露一種包括化學劑與蝕刻劑之拋光劑，其實施例使
用苯并三唑作為化學劑，並使用甘胺酸作為蝕刻劑，以此組合說明其發明效益。其組成說明並無針對化學劑之選項使用進一步說明探討，尤其未教導、建議就其眾多化學劑選項為選用或組合使用的優先順序，更未提及應特別併用半胱胺酸與苯并三唑或三唑，遑論提供如系爭專利併用α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑之技術指引，即證據3並未提供在CMP組合物中選擇併用α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑組合之動機。系爭專利所屬技術領域具通常知識者由證據3之內容，無從輕易思及於拋光劑併用半胱胺酸與苯并三唑或三唑作為化學劑。反而因證據3實施例僅例示使用甘胺酸於CMP組合物，本即為系爭專利欲改良之習知技藝。而現行法與90年專利法於新穎性之標準並未改變，至於專利審查基準是用來詮釋法律，故後續修改之專利審查基準可補充先前基準之不足，於與法律規範未衝突部分自得援用以闡明法律的意義，故被告所辯就系爭專利之新穎性審查應採「直接推導」而非「直接且無歧異得知」判斷標準，並認定熟悉該項技術者可直接推導出包含苯并三唑及半胱胺酸之組合，進而認定系爭專利不具新穎性，應無可採。
㈢證據3雖列舉10多種化學劑或其混合物為複數化學劑選項，
且載明其目的係在待拋光基材上形成保護膜，亦僅能對應系爭專利鈍化薄膜形成劑如苯并三唑之功能，而不及於系爭專利選擇將α-氨基酸併用後可提高銅移除率及Cu：Ta選擇率之功能。證據3列舉之複數化學劑選項，彼此間組合情形多達數十、百種，係揭露複數個意義，並未明示如系爭專利之特定組合，應不得認定由證據3能直接且無歧異而得知系爭專利之技術特徵，證據3既未教導於拋光劑中如系爭專利必須同時存在氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之組合，故無從證明系爭專利更正後請求項1至3、9至11、13、14不具新穎性，且不足證明更正後請求項1至3、5、9至17、23至25、
27、31至37不具進步性。證據3所載拋光劑之化學劑選項馬庫西群組，其選項眾多，各選項之歧異性極大，亦無α-氨基酸之選項，僅以半胱胺酸作為含硫之氨基酸之例，自不應僅由證據3所載馬庫西群組之慣常用語「……及其混合物」，率認已明確揭示苯并三唑及含硫之氨基酸（特別是半胱胺酸）的混合物，而過度解讀證據3揭露之內容。即僅由馬庫西群組之慣常使用之「……及其混合物」，不足據為認定該馬庫西群組涵蓋之組合態樣已被明確教示於說明，而否定馬庫西群組所列選項之二或多者之組合為技術特徵發明之新穎性。只要該組合有意義而可提供發明功效，仍應具有新穎性及進步性。
㈣證據3以半胱胺酸作為含硫之氨基酸之例，熟習該項技術者至
多僅有動機以其他含硫之氨基酸、而非以α-氨基酸取代半胱胺酸。系爭請求項5所載之α-丙胺酸、系爭請求項12所載之賴胺酸均非含硫之氨基酸，自亦不得以證據3揭示之半胱胺酸與α-丙胺酸、賴胺酸同屬α-氨基酸為由，以後見之明逕認熟習該項技術者可輕易完成請求項5、12之發明專利。
㈤證據5係提供一種改良拋光片，其包括固態均勻聚合物層，該
聚合物層在使用期間，同時呈現有大型與小型流體通道的表面結構或圖形，該等通道允許漿液在橫跨拋光片之表面而傳送。即證據5係著眼於拋光片之改良，亦未提供於CMP操作中併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之動機。故證據3與證據5之組合無法證明請求項18、40不具進步性。
㈥並聲明：訴願決定及原處分關於「請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40舉發成立」部分均撤銷。
三、被告抗辯：㈠證據3揭示之化學機械磨光試劑，包括化學劑及蝕刻劑具體例
示之化學劑，包含苯并三唑（相當系爭專利之鈍化薄膜形成劑）及半胱胺酸（相當系爭專利之α-氨基酸之組合），具體例示之蝕刻劑可為過氧化氫（相當系爭專利之氧化劑），故證據3已揭示系爭專利限定之氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之組成內容，縱使證據3並非以此組成內容作為實施例，亦無法否定證據3已揭示系爭專利所請CMP系統／組合物之事實，因此證據3足證系爭專利所請CMP系統/組合物不具新穎性。再者，證據3既揭示與該CMP系統/組合物相同之組成內容，依「相同物質、相同功效」之理，必然產生相同於系爭專利之功效，因此，系爭專利相較證據3並無功效上之差異，系爭專利自無原告所稱具有無法預期之功效。故原處分認定系爭專利所請CMP系統／組合物不具進步性，並無違誤。依前所述，證據3既揭示化學機械磨光試劑包括化學劑及蝕刻劑，並分別以「擇一形式」記載化學劑及蝕刻劑之選項，其中，已特定揭示蝕刻劑可為過氧化氫，另於單一群組中例示化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之組合，即應認證據3已揭示化學磨光試劑包含過氧化氫、苯并三唑及半胱胺酸之發明，至於證據3記載之其餘化學劑或化學磨光試劑數量為何，則與新穎性之判斷無涉。
㈡證據3以單一馬庫西群組揭示化學劑選項及其組合，依據系爭
專利適用90年專利法及83年發布的審查基準，對於新穎性審查係採「直接推導」判斷標準，不同於現行法規為「直接且無歧異得知」判斷標準，足以認定熟悉該項技術者可直接推導出包含苯并三唑及半胱胺酸的組合，故系爭專利不具新穎性。
㈢「擇一形式」或「馬庫西」記載方式，係將具有類似本質之
選項以群組方式表示，通常用於化合物技術領域，用以簡化必須重複記載的共同技術特徴，故以此記載形式所構成之單一群組中的任一選項，實為揭示一個別之發明。證據3記載「能與以金屬為主成分之物質形成保護膜之化學劑之例子包含苯并三唑……含硫氨基酸（特別是半胱胺酸）……對氨基苯甲醛、鹵代乙酸、硫醇如膦酸（例如十二烷基硫醇和辛烷麟酸）、單醣如葡萄糖和果糖衍生物及前述敘及之化合物的混合物……」，即是以單一群組呈現不同化學劑（選項）所構成之發明，既然該群組涵蓋化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之選項，應足認證據3已揭示化學劑為苯并三唑及半胱胺酸之發明。
㈣證據3已揭示包含氨基酸的組合物，足使熟悉該項技術者具有動機替代成其他氨基酸（包含α-氨基酸或α-丙胺酸）。原告並未提出系爭專利請求項5相較證據3包含半胱胺酸之組成物之比較數據，亦無法證明相較先前技術確有產生無法預期的功效，故無法證明系爭專利請求項5具有進步性。
㈤按一般化學知識，具有相似結構之化合物，具有相似性質，
熟習該項技術者自有動機嘗試將具有相似結構之化合物互為替代。證據3揭示之半胱胺酸之化學結構既為已知α-氨基酸之一種，熟習該項技術者自有動機嘗試以其他習知α-胺基酸做為替代物。由於系爭專利界定之α-丙胺酸或賴胺酸與證據3揭示之半胱胺酸具有結構上之相似性，自無法排除熟習該項技術者將該等胺基酸做為半胱胺酸替代物之動機。故原處分認定熟習該項技術者可輕易完成請求項5、12之發明專利，並非後見之明。
㈥並聲明：原告之訴駁回。
四、參加人未於準備程序及言詞辯論期日到庭，亦未具狀陳述。
五、本件整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下（見本院卷第298頁至第299頁）：
㈠不爭執事項：
如事實及理由欄貳、一、事實概要所示。
㈡本件爭點：
⒈證據3是否足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不
具新穎性？⒉證據3是否足以證明系爭專利請求項1至3、5、9至17、23至25
、27、31至37不具進步性？⒊證據3、證據5之組合是否足以證明系爭專利請求項18、40不
具進步性？
六、得心證之理由：㈠按發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。
專利法第71條第3項本文定有明文。查系爭專利申請日為89年8月11日，經被告審查後於91年3月22日准予專利，並發給發明第153706號專利證書等情，有系爭專利之公告本、專利核准處分書附卷可參（見乙證2第37頁至第65頁、第76頁），是系爭專利有無應撤銷之原因，自應以其核准審定時所適用之90年10月24日修正公布、施行之專利法（下稱核准時專利法）為斷。次按發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作。凡可供產業上利用之發明，無下列情事之一者，得依本法申請取得發明專利：申請前已見於刊物或已公開使用者。但因研究、實驗而發表或使用，於發表或使用之日起六個月內申請專利者，不在此限。發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。核准時專利法第19條、第20條第1項第1款、第2項分別定有明文。
㈡系爭專利之技術分析：
⒈系爭專利之技術內容：
依系爭專利說明書之摘要及發明說明所載（見乙證2第64頁、第55頁至第59頁），系爭專利係提供一種係關於含有α－氨基酸之化學機械性磨光組合物及淤漿，其可用於磨光包括多層金屬、金屬及介電質之基材。系爭專利之發明係關於含有α-氨基酸之化學機械性磨光系統，其包括化學機械性磨光組合物，淤漿及在高速率與低損壞率下磨光一種或多種金屬及電基材相關之介電層之方法。α-氨基酸由式H2N-CR1R2COOH表示，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基、含硫取代基及其混合物。另外，化學機械性磨光系統可包括磨光墊，其與化學機械性磨光組合物協合以磨光基材。在一具體例中，磨光墊不包括埋入其中之研磨粒子。在另一具體例中，磨光墊包括埋入其中之研磨粒子。系爭專利之發明又關於化學機械性磨光組合物，其包含約0.05至約10.0重量％至少一種氧化劑、約0.1至約10、0重量％苯胺、及約0.01至約5.0重量％至少一種含氮化合物，其可抑制化學機械性磨光組合物之能力，以磨光與基材相關之至少一層。因為至少一種含氮化合物抑制化學機械性磨光組合物磨光基材層之能力，所以稱為停止化合物。雖然停止化合物顯示被陽離子充電，此並非本發明之限制。化學機械性磨光組合物可包含或不可包含研磨劑。系爭專利之發明之CMP系統，包括組合物及淤漿，可包括成份，其在電基材層之表面上形成鈍化層。一旦形成鈍化層時，為了獲得所欲磨光速率，能干擾鈍化層變得重要。本發明之化學機械性磨光系統包括增加金屬磨光速率之α-氨基酸之磨光添加劑。α-氨基酸由式H2N-CR1R2COOH表示，其中R1及R2均非氫且其中R1及R2各獨立選自氫及具有1至8個碳原子之環狀、分支及支鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基及含硫取代基，包括但不限於-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物。更佳的是，α-氨基酸係選自丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、擷胺酸及其混合物所組成之群。磨光添加劑最佳為丙胺酸。
⒉系爭專利申請專利範圍：
系爭專利原核准請求項共40項，原告於106年10月6日、110年1月27日提出對請求項1、13、19、21、23、32更正申請，經被告審定原告110年1月27日所提更正內容准予更正，故申請專利範圍以更正後請求項內容為準（見乙證1第246頁至第252頁），請求項共計40項，其中請求項1、19、21、23為獨立項，其餘為附屬項，依更正後請求項內容如下：
⑴請求項1：
一種化學機械性磨光系統，其包含：至少一種氧化劑；至少一個α-氨基酸，其中具有式H2N-CR1R2COOH，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基、含硫取代基及其混合物；及至少一種鈍化薄膜形成劑。
⑵請求項2：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中含氮取代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物。
⑶請求項3：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中α-氨基酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、纈胺酸及其混合物所組成之群。
⑷請求項4：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括約0.05至約10.0重量%該α-氨基酸。
⑸請求項5：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中α-氨基酸為α-丙胺酸。
⑹請求項6：
根據申請專利範圍第5項之化學機械性磨光系統，其包括約0.05至約10.0重量%α-丙胺酸。
⑺請求項7：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括約0.1至約17.0重量%至少一種氧化劑。
⑻請求項8：
根據申請專利範圍第7項之化學機械性磨光系統，其包括約0.5至約10.0重量%至少一種氧化劑。
⑼請求項9：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其中至少一種氧化劑為過氧化氫。
⑽請求項10：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其包括至少一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合物為陽離子充電之含氮化合物。
⑾請求項11：
根據申請專利範圍第10項之化學機械性磨光系統，其中至少一種停止化合物係選自化合物，其中包含第一胺、第二胺、第三胺、第四胺、低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低聚合醯亞胺、聚合胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、氨基酸、氨基淳、醚胺及其混合物。
⑿請求項12：
根據申請專利範圍第10項之化學機械性磨光系統，其中至少一種停止化合物係選自具有分子量範圍為約200至百萬以上之聚伸乙亞胺；N4－胺（N,N’－雙－[3－胺基丙基]乙二胺）；4,7,10－三苐三癸烷－1,13－二胺；3,3－二甲基－4,4－二胺基二環己甲烷；2－苯基乙胺；聚醚胺；醚胺；N,N－二甲基二丙三胺；3－[2一甲氧乙氧基]丙胺；二甲基胺基丙胺；1,4一雙（3－胺基丙基）六氫吡；賴胺酸；異佛爾酮二胺；六亞甲二胺；N－環己基－1,3－丙二胺；N－（3－胺基丙基）－1,3－丙二胺；四乙五胺；N,N,N’,N’－四甲基－1,4－丁二胺；丙胺；2－（2－胺基乙氧基）乙醇；1,3－二胺基－2－丙醇；硫代雲母礦；2－胺基－1－丁醇；聚[雙（2－氯醚）－alt－1,3－雙（3－甲基胺基）丙基]；及其混合物。
⒀請求項13：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，該鈍化薄膜形成劑包括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活性官能基，其中至少一個環包括氮原子。
⒁請求項14：
根據申請專利範圍第13項之化學機械性磨光系統，其中至少一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物。
⒂請求項15：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其更包括至少一種金屬氧化物研磨劑。
⒃請求項16：
根據申請專利範圍第15項之化學機械性磨光系統，其中金屬氧化物研磨劑為約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、其複合物及其混合物。
⒄請求項17：
根據申請專利範圍第1項之化學機械性磨光系統，其更包括磨光墊。
⒅請求項18：
根據申請專利範圍第17項之化學機械性磨光系統，其中磨光墊包括埋入其上或其內之研磨劑。
⒆請求項19：
一種化學機械性磨光組合物，其包含：約0.5至約10.0重量%過氧化氫；約0.05至約10.0重量%丙胺酸；及約0.005至約1.0重量%至少一種鈍化薄膜形成劑。
⒇請求項20：
根據申請專利範圍第19項之化學機械性磨光組合物，其包括約0.1至約30.0重量%之氧化鋁。
請求項21：
一種化學機械性磨光組合物，其包含：約0.5至約10.0重量%至少一種氧化劑；約0.05至約10.0重量%丙胺酸；約0.01至約5.0重量%至少一種含氮化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少一與基材相關之層之能力，其中至少一種含氮化合物被陽離子充電；及約0.005至約1.0重量%至少一種鈍化薄膜形成劑。
請求項22：
根據申請專利範圍第21項之化學機械性磨光組合物，其包括約0.1至約30.0重量%至少一種研磨劑。
請求項23：
一種磨光包含第一金屬層與位在第一金屬層下方之第二層之基材的方法，其包括a.將化學機械性磨光組合物塗覆至與磨光墊結合之基材，化學機械性磨光組合物包含氧化劑、至少一個α-氨基酸及至少一種鈍化薄膜形成劑，該α-氨基酸具有式H2N-CR1R2COOH，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基、含硫取代基及其混合物；及b.用化學機械性磨光組合物及磨光墊磨光第一金屬層，直到第一金屬層之至少一部份自基材除去以形成局部磨光基材為止。
請求項24：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中含氮取代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物。
請求項25：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、擷胺酸及其混合物所組成之群。
請求項26：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸係以該組合物之約0.05至約10.0重量%之量呈現。
請求項27：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中α-氨基酸為α-丙胺酸。
請求項28：
根據申請專利範圍第27項之方法，其包括約0.05至約10.0重量%α-丙胺酸。
請求項29：
根據申請專利範圍第23項之方法，其包括約0.1至約17.0重量%氧化劑。
請求項30：
根據申請專利範圍第29項之方法，其包括約0.5至約10.0重量%氧化劑。
請求項31：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中氧化劑為過氧化氫。
請求項32：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中該鈍化薄膜形成劑包括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活性官能基，其中至少一個環包括氮原子。
請求項33：
根據申請專利範圍第32項之方法，其中至少一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物。
請求項34：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中化學機械性磨光組合物包括至少一種金屬氧化物研磨劑。
請求項35：
根據申請專利範圍第34項之方法，其中金屬氧化物研磨劑為約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。
請求項36：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中化學機械性磨光組合物包括至少一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合物為陽離子充電之含氮化合物。
請求項37：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中至少一種停止化合物係選自化合物，其包含第一胺、第二胺、第三胺、第四胺、低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低聚合醯亞胺、聚合胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、氨基酸、氨基醇、醚胺及其混合物。
請求項38：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中至少一種停止化合物係選自具有分子量範圍為約200至百萬以上之聚伸乙亞胺；N4－胺（N,N’－雙－[3－胺基丙基]乙二胺）；4,7,10－三苐三癸烷－1,13－二胺；3,3－二甲基－4,4－二胺基二環己甲烷；2－苯基乙胺；聚醚胺；醚胺；N,N－二甲基二丙三胺；3－[2－甲氧乙氧基]丙胺；二甲基胺基丙胺；1,4－雙（3－胺基丙基）六氫吡；賴胺酸；異佛爾酮二胺；六亞甲二胺；N－環己基－1,3－丙二胺；N－（3－胺基丙基）－1,3－丙二胺；四乙五胺；N,N,N’,N’－四甲基－1,4－丁二按；丙胺；2－（2－胺基乙氧基）乙醇；1,3－二胺基－2－丙醇；硫代雲母礦；2－胺基－1－丁醇；聚[雙（2－氯醚）－alt-1,3-雙（3－甲基胺基）丙基]；及其混合物。
請求項39：
根據申請專利範圍第36項之方法，其中第二層為黏著層，其覆蓋在氧化物層上，其中至少一種停止化合物可抑制黏著層及氧化物層之磨光。
請求項40：
根據申請專利範圍第23項之方法，其中該磨光墊包括埋入其上或其內之研磨劑。
㈢舉證證據之技術分析：
⒈證據3（見乙證1卷第42頁至第35頁背面）：
⑴證據3為西元1998年6月23日公告之美國第US0000000A號「Pol
ishing agent and polishing method using the same」發明專利案，其公告日早於系爭專利優先權日即西元1999年8月13日，可為系爭專利之先前技術。
⑵證據3係關於一種拋光劑和一種拋光方法，更具體地，涉及一
種用于諸如半導體器件製造步驟的微加工步驟中的拋光劑和一種使用這種拋光劑的拋光方法。該發明還提供一種拋光劑，其用于通過化學機械拋光法在表面具有凹部的基板的凹部中形成由以金屬爲主要成分的材料製成的膜，并且其包括化學試劑，該化學試劑負責通過與包含金屬作爲主要成分的材料反應，在待拋光基板的表面上形成保護膜。上述含有金屬作爲主要成分的材料反應形成保護膜的化學試劑的實例包括苯并三唑、包括通過取代氫原子製備的三唑三唑(TTA)的苯并三唑衍生物、苯并三唑的苯環與甲基、含有上述化合物的混合物、硫脲、唑類（特別是苯并咪唑）、三唑、水楊醛肟、銅鐵酮、乙二胺、含硫氨基酸（特別是半胱氨酸）、對氨基苯甲醛、鹵代乙酸、硫醇例如膦酸（例如十二烷基硫醇和辛烷膦酸）、單糖例如葡萄糖和果糖、上述化合物的衍生物和混合物、N-苯甲醯基-N-苯基羥基胺（下稱BPA）、BPA 衍生物等。該發明可以使用含有甘氨酸、氨基硫酸或這些化合物的混合酸等氨基乙酸和過氧化氫（H2O2）、硝酸、次氯酸、臭氧水等氧化劑的蝕刻劑。作爲其他蝕刻劑，可以使用硝酸、氨、過硫酸銨、氮化銨、氯化銨等銨鹽、鉻酸的水溶液。當使用Cu或Cu合金作爲包含金屬作爲主要成分的材料時，特別優選使用這些蝕刻劑。
⒉證據5（見乙證1卷第11頁至第1頁背面）：
⑴證據5為西元1999年6月21日公告之我國第362551號「拋光片
」發明專利案，其公告日早於系爭專利優先權日即西元1999年8月13日，可為系爭專利之先前技術。
⑵證據5係關於一種改良拋光片，其包括固態均勻聚合物層，該
聚合物層本質上不具有吸收或傳送漿液粒子的能力，在使用期間，其同時呈現有大型與小型流體通道的表面結構或圖形，該等通道允許漿液在橫跨拋光片之表面而傳送，其中該等通道不為材料結構之一部分，而是在該拋光片表面上機製而成。在本創作的較佳型態中，拋光片結構包括在使用之前形成的大型結構，以及在拋光片使用期間藉由多種小型研磨點在選定之規則間距上以研磨的方式所形成的小型結構。
㈣證據3足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不具新穎性：
⒈證據3足以證明系爭專利請求項1不具新穎性：
證據3已揭露一種化學機械磨光試劑，包括化學劑（chemica
l agents）及蝕刻劑（etching agent）等，較佳之磨光試劑包含氨基乙酸（aminoacetic acid）及/或氨基磺酸（amidosulfuric acid）、氧化劑、水及苯并三唑，其中，該化學劑可為苯并三唑（benzotriazole，即BTA）、包含BTA或BTA衍生物之混合物、含硫胺基酸特別係半胱胺酸（cysteine）……前述化合物之衍生物與混合物等，且該化學劑係可與金屬反應形成保護膜（見乙證1卷第38頁至背面）。上述化學機械磨光試劑相當於系爭專利請求項1所載「一種化學機械性磨光系統」之技術特徵；氨基乙酸之結構通式可為H2N-CR1R2COOH，且係通常知識中習知α-氨基酸之一種，與系爭專利請求項1所界定α-氨基酸之差異僅在於證據3未具體限定R1、R2取代基類別；該氧化劑即可對應於系爭專利請求項1所載「至少一種氧化劑」之技術特徵；半胱胺酸之結構式為H2N-CH(HSCH2)COOH，相當於系爭專利請求項1所稱「式H2N-CR1R2COOH之α-氨基酸中，R1為氫，R2為具有1個碳之直鏈部分且經一個含硫取代基取代者」之技術特徵；化學劑係可與金屬反應形成保護膜，則相當於系爭專利該請求項1所載「及至少一種鈍化薄膜形成劑」之技術特徵。又依證據3所揭露該化學劑「可為苯并三唑……特別係半胱胺酸（cysteine）……前述化合物之衍生物與混合物等」之內容，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，依其一般化學知識，即可知證據3之化學劑可為苯并三唑與半胱胺酸之混合物。基上，證據3已揭露系爭專利請求項1之全部技術特徵，足以證明系爭專利請求項1不具新穎性。
⒉證據3足以證明系爭專利請求項2至3、9至11、13至14不具新穎性：
⑴系爭專利請求項2依附於請求項1，進一步界定「其中含氮取
代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3所揭露之半胱胺酸（cysteine），該結構式為H2N-CH(HSCH2)COOH，如前所述，即為α-氨基酸含-SH取代基者，相當於系爭專利請求項2所請α-氨基酸之含硫取代基為-SH之技術特徵，是證據3已足以證明系爭專利請求項2不具新穎性。
⑵系爭專利請求項3依附於請求項1，進一步界定「其中α-氨基
酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、纈胺酸及其混合物所組成之群」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3已揭露其磨光劑可包含半胱胺酸（cysteine），如前所述，即可對應於系爭專利請求項3上開技術特徵，是證據3已足以證明系爭專利請求項3不具新穎性。
⑶系爭專利請求項9依附於請求項1，進一步界定「其中至少一
種氧化劑為過氧化氫」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3已揭露其氧化劑可為過氧化氫（H2O2）（見乙證1卷第38頁背面），即可對應於系爭專利請求項9上開技術特徵，是證據3已足以證明系爭專利請求項9不具新穎性。
⑷系爭專利請求項10依附於請求項1，進一步界定「其包括至少
一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合物為陽離子充電之含氮化合物」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3所揭露半胱胺酸結構式為H2N-CH(HSCH2)COOH，且屬於該發明所屬技術領域中具有通常知識者習知之陽離子充電含氮停止化合物，即相當於系爭專利請求項10所界定陽離子充電含氮停止化合物之技術特徵，是證據3已足以證明系爭專利請求項10不具新穎性。⑸系爭專利請求項11依附於請求項10，進一步界定「其中至少
一種停止化合物係選自化合物，其中包含第一胺、第二胺、第三胺、第四胺、低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低聚合醯亞胺、聚合胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、氨基酸、氨基淳、醚胺及其混合物」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項10不具新穎性，業如前述。又證據3所揭露半胱胺酸結構式為H2N-CH(HSCH2)COOH，由其結構可知半胱胺酸為具有第一胺取代基之氨基酸，可對應於系爭專利請求項11所界定第一胺、氨基酸等化合物之技術特徵，是證據3已足以證明系爭專利請求項10不具新穎性。
⑹系爭專利請求項13依附於請求項1，進一步界定「該鈍化薄膜
形成劑包括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活性官能基，其中至少一個環包括氮原子」技術特徵；系爭專利請求項14則依附於請求項13，並進一步界定「其中至少一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具新穎性，業如前述。又證據3所揭示苯并三唑，屬於系爭專利請求項13進一步界定技術特徵之下位概念化合物，且符合系爭專利請求項14所述之「其中至少一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物」技術特徵。因此，證據3足以證明系爭專利請求項13、14不具新穎性。
⒊原告雖主張：系爭專利請求項1至3、9至11、13、14所界定之
發明，相對於證據3所揭露者，係由證據3以馬庫西形式之擇一形式群組中之複數個選項選出特定組合之選擇發明。而證據3並沒有針對化學劑之選項及使用作任何進一步說明或探討，且未揭示併用α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑之概念，熟習該項技術者並無動機選用半胱胺酸、苯并三唑，是依本院104年度行專訴33號行政判決及最高法院106年度判字第130號判決意旨可知，系爭專利前述請求項中所界定者，非屬由證據3所揭露之上位概念用語能直接且無歧異得知者，即該等請求項之發明應具有新穎性等情。然查：
⑴按就申請專利發明之構成上不可或缺的事項有兩個以上之選
擇項目，且此等選擇項目間有類似的性質或功能時，可以馬庫西形式等之擇一形式，將此等選擇項目記載於單一之獨立項內（83年至91年專利審查基準彙編第三章第1-3-14頁可參），所謂「馬庫西形式等擇一形式」之記載方式係指於專利說明書、申請專利範圍等文件中記載一群發明時，為達簡潔表示、避免冗贅敘述所致之不明確等目的，而以「或」、「及」並列數個選項的具體特徵的總括形式記載該發明群，且在解讀時應認該發明群中之每一發明係由所載擇一形式中各個選項分別予以界定。本件證據3申請專利範圍係以「馬庫西形式等擇一形式」之記載方式，而系爭專利請求項1至3、9至11、13、14所載發明內容，相對於證據3，係以擇一形式記載其技術特徵之選擇發明，此為兩造所不爭執，並有證據3之專利公告本、系爭專利之公告本等件在卷可參（見乙證1卷第42頁至第35頁背面、乙證2卷第65頁至第37頁、）。是證據3既已明確揭示其研磨劑包含氧化劑與化學劑、單一群組呈現之化學劑成分等技術內容，而熟習該項技術者可由該證據以單一群組呈現之化學劑成分中得知該成分包含苯并三唑與半胱胺酸之混合物選項，且該半胱胺酸符合系爭專利前述請求項所界定α-氨基酸，足見證據3確已揭露系爭專利請求項1至3、9至11、13、14所有技術特徵。因此，系爭專利前述請求項之發明應不具新穎性。
⑵原告雖援引本院104年度行專訴33號行政判決及最高法院106
年度判字第130號判決內容（見本院卷第97頁至第152頁），認依上開判決意旨，系爭專利前述請求項非由證據3所揭露之上位概念用語能直接且無歧異得知，故具新穎性云云，惟觀諸上開判決所稱「觀念上，上位概念發明僅表明下位概念包含於上位概念中，或者單純地可從上位概念的用語中，列舉出下位概念的用語者，不得認為可由上位概念發明導出以下位概念來表現之發明……此時先前技術揭露之技術特徵包含數個意義，申請專利之發明僅限定其中一個意義，則不得認定該發明中之技術特徴由該先前技術即能直接且無歧異得知」等語，僅為表達先前技術揭露之上位概念發明不宜視為已直接且無歧異地揭露了下位概念發明，並非直接推論先前技術所揭露之上位概念無法作為下位概念之發明是否具有新穎性之依據；又該案另以其先前技術並未明示可否併用二種以上之氧化組分為由而否認該新穎性，此與本案證據3已揭露包含併用複數化學劑（如BTA衍生物之混合物）之技術內容，並於其實施例1、3等中強調其化學劑可替換為複數BTA衍生物（various BTA derivatives）而能獲致相似之功效，顯有不同，是兩者所引用證據資料不同，事實基礎亦有差異，實難以比附援引。
⑶再者，世界各國專利局在審查實務上關於前述選擇發明新穎
性之判斷，通常會採取與其相應的特別處理方式，歐洲專利局審查指南（Guidelines for Examination）關於選擇發明之審查，已敘明若該選擇發明實質上僅係由先前技術揭露之單一清單呈現選項中進行選擇，則該發明應不具新穎性，然若係由二清單以上進行選擇，則認為該發明具有新穎性，此基準將先前技術之各清單選項的排列組合視為已揭露，但僅以該選擇發明實質上若係由先前技術之單一清單呈現選項中進行選擇者才認定不具新穎性之折衷方式，來達成「鼓勵發明」與「促進產業發展」二者間之衡平。因此，我國發明審查基準中關於選擇發明之新穎性亦採取相同之審查認定方式，而為「若先前技術所揭露的技術內容係以單一群組呈現各種可供選擇的成分，則由其中選出的任一成分所構成的選擇發明不具新穎性。若先前技術的技術內容係以二個或二個以上的群組呈現各種可供選擇的成分，而申請專利之發明係由不同群組中個別選出一個成分所組成的選擇發明，由於該組成是經由組合不同群組的成分所產生，且並非先前技術已特定揭露者，因此該選擇發明具有新穎性」之規定（參見西元2013年版發明專利審查基準第二篇第三章2.5.4.1選擇發明之選別成分或次群組），本件系爭專利之先前技術即證據3，其所揭露者係由該證據之單一群組呈現各種可供選擇的成分中選出的任一成分所構成者，揆諸前揭說明，應認定系爭專利已為證據3之該選項特定揭露。
⑷另原告所稱於熟習該項技術者是否有動機選用證據3與系爭專
利之發明所界定者相同特定組合云云，查新穎性判斷之重點在於先前技術是否已揭露系爭專利之發明，與熟習該項技術者是否有動機選擇某一特定組合無涉，又證據3已特定揭露符合於系爭專利前述請求項所界定之技術特徵，而得證明系爭專利前述請求項不具新穎性，是原告上開主張，核與新穎性判斷無關，且無礙本院前述認定，實非有據。
⑸綜前，證據3足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不具新穎性。原告所稱前情，均非可採。
㈤證據3足以證明系爭專利請求項1至3、5、9至17、23至25、2
7、31至37不具進步性：⒈證據3足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13至14不具進步性：
證據3已揭露系爭專利請求項1至3、9至11、13至14之技術內容，業如前述，且證據3所載實施例1至4明確揭示其磨光劑之蝕刻劑、化學劑可有多種不同成分組成，熟習該項技術者當會得知可藉由調整該證據所揭露磨光劑之成分組成，以調整或改良其功能、性質並適度提升磨光效能(見乙證1卷第41頁背面圖6、第40頁圖8、第38頁至第35頁），可達成與系爭專利相同功效，是證據3可證明系爭專利請求項1至3、9至11、13至14不具新穎性，當亦可證明系爭專利請求項1至3、9至11、13至14不具進步性。
⒉證據3足以證明系爭專利請求項5、12至17、23至25、27、31至37不具進步性：
⑴系爭專利請求項5依附於請求項1，進一步界定「α-氨基酸為α
-丙胺酸」技術特徵。證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已如前述。又證據3既已揭露氨基乙酸，且為通常知識者所習知之α-氨基酸，而所屬技術領域中具有通常知識者基於證據3之技術內容會得知可藉由調整其所揭露磨光劑之成分組成，以適度提升磨光劑之效能，並會有動機嘗試採如半胱胺酸等具有氨基乙酸主結構之相近化合物（如在α碳上連結不同碳數之取代基）進行磨光劑之改良。況系爭專利請求項5所進一步界定之「α-丙胺酸」，其結構式為H2N-CH(CH3)COOH，僅為氨基乙酸之α碳上包含碳數為1之烷取代基者，由於該烷取代基為相關技術領域進行取代基調整時習知慣用之類型，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項5之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
⑵系爭專利請求項12依附於請求項10，進一步界定「其中至少
一種停止化合物係選自具有分子量範圍為約200至百萬以上之聚伸乙亞胺；N4－胺（N,N’－雙－[3－胺基丙基]乙二胺）；4,7,10－三苐三癸烷－1,13－二胺；3,3－二甲基－4,4－二胺基二環己甲烷；2－苯基乙胺；聚醚胺；醚胺；N,N－二甲基二丙三胺；3－[2一甲氧乙氧基]丙胺；二甲基胺基丙胺；1,4一雙（3－胺基丙基）六氫吡；賴胺酸；異佛爾酮二胺；六亞甲二胺；N－環己基－1,3－丙二胺；N－（3－胺基丙基）－1,3－丙二胺；四乙五胺；N,N,N’,N'－四甲基－1,4－丁二胺；丙胺；2－（2－胺基乙氧基）乙醇；1,3－二胺基－2－丙醇；硫代雲母礦；2－胺基－1－丁醇；聚[雙（2－氯醚）－alt－1,3－雙（3－甲基胺基）丙基]；及其混合物」技術特徵，證據3足以證明系爭專利請求項10不具進步性，業如前述。復依證據3已揭露之氨基乙酸，該發明所屬技術領域中具有通常知識者為提升磨光劑之效能，自有動機嘗試採如半胱胺酸等具有氨基乙酸主結構之相近化合物（如在α碳上連結不同碳數之取代基）進行磨光劑之改良，而系爭專利請求項12所進一步界定之「賴胺酸」，其結構式係H2N-CH(C4H8NH2)COOH，其亦僅為氨基乙酸之α碳上包含碳數為4之烷胺取代基者，由於該烷取代基為相關技術領域進行取代基調整時習知慣用之類型，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項12之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項12不具進步性。
⑶系爭專利請求項15、16依附於請求項1，分別進一步界定「其
更包括至少一種金屬氧化物研磨劑」、「其中金屬氧化物研磨劑為約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、其複合物及其混合物」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項1不具進步性，業如前述。復依證據3實施例1所載（見乙證1卷第37頁），其所揭露之磨光試劑包含5.3重量%氧化矽（silica particles……5.3 wt.%），且金屬氧化物研磨劑僅為習知化學機械磨光組成物之添加劑之一種，即可對應於系爭專利請求項
15、16上開技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項15、16之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項1
5、16不具進步性。⑷系爭專利請求項17依附於請求項1，進一步界定「其更包括磨
光墊」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項1不具進步性，業如前述。復依證據3實施例1所載（見乙證1卷第37頁），其所揭露磨光試劑結合磨光墊之技術內容，該發明所屬技術領域中具有通常知識者自有動機將證據3揭露之任何磨光試劑與磨光墊結合，即可對應於系爭專利請求項17上開技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項17之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項17不具進步性。
⑸系爭專利請求項23所請為一種磨光包含第一金屬層與位在第
一金屬層下方之第二層之基材的方法，主要技術特徵為「將化學機械性磨光組合物塗覆至與磨光墊結合之基材，化學機械性磨光組合物包含氧化劑、至少一個α-氨基酸及至少一種鈍化薄膜形成劑，該α-氨基酸具有式H2N-CR1R2COOH，其中R1及R2均非氫，且其中R1及R2各獨立選自氫、具有1至8個碳原子之分支、環狀及直鏈部份，其未經取代或經一個或多個取代基所取代，取代基選自含氮取代基、含氧取代基、含硫取代基及其混合物」，及「用化學機械性磨光組合物及磨光墊磨光第一金屬層，直到第一金屬層之至少一部份自基材除去以形成局部磨光基材為止」，又證據3已證明系爭專利請求項1所請之一種化學機械性磨光系統/組合物不具進步性，業如前述。復依證據3說明書及實施例所載（見乙證1第38頁及背面、第37頁），亦揭示一種化學機械磨光方法，其係使用磨光劑以磨光金屬層及位於該金屬層下方之基材；及磨光試劑塗覆至與磨光墊結合之基材以進行磨光銅金屬層等技術內容，可對應於請求項23前述「磨光包含第一金屬層與位在第一金屬層下方之第二層之基材的方法」、「塗覆至與磨光墊結合之基材」主要技術特徵。再者，證據3雖未明確揭露系爭專利請求項23所述「將化學機械性磨光組合物塗覆至與磨光墊結合之基材」、「用化學機械性磨光組合物及磨光墊磨光第一金屬層，直到第一金屬層之至少一部份自基材除去以形成局部磨光基材為止」技術特徵部分，惟由證據3揭露之上述「磨光試劑塗覆至與磨光墊結合之基材以進行磨光銅金屬層」技術內容，該發明所屬技術領域中具有通常知識者自有動機將證據3揭示之磨光方法與實施例1之磨光墊結合，並進行必要之磨光程序，而輕易完成系爭專利請求項23之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項23不具進步性。
⑹系爭專利請求項24、25依附於請求項23，分別進一步界定「
其中含氮取代基、含氧取代基及含硫取代基係選自-COOH，-CONH2，-NH2，-S-，-OH，-SH及其混合物」、「其中α-氨基酸係選自α-丙胺酸、精胺酸、天門冬醯胺、天門冬胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、穀氨醯胺、穀胺酸、組胺酸、異亮胺酸、亮胺酸、賴胺酸、蛋胺酸、苯基丙胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、色胺酸、酪胺酸、擷胺酸及其混合物所組成之群」技術特徵。證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。
復依證據3說明書所載（見乙證1第38頁），證據3所揭露之半胱胺酸（cysteine）結構式為H2N－CH(HSCH2)COOH，即係α-氨基酸含-SH取代基者，該發明所屬技術領域中具有通常知識者為提升磨光效能當有動機將半胱胺酸置換為結構相近之其他習知氨基酸（包括含氮取代基、含氧取代基即含硫取代基選自-COOH、-CONH2、-NH2、-S-、-OH者），而輕易完成系爭專利請求項24、25之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項24、25不具進步性。
⑺系爭專利請求項27依附於請求項23，進一步界定「其中α-氨
基酸為α-丙胺酸」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。復依證據3所揭露之氨基乙酸，該發明所屬技術領域中具有通常知識者自有動機嘗試採如半胱胺酸等具有氨基乙酸主結構之相近化合物（如在α碳上連結不同碳數之取代基）進行磨光劑之改良，又系爭專利請求項27所進一步界定之「α-丙胺酸」，結構式係H2N－CH(CH3)COOH，實質上僅為氨基乙酸之α碳上包含碳數為1之烷取代基者，即可對應於系爭專利請求項27上開技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項27之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項27不具進步性。
⑻系爭專利請求項31依附於請求項23，進一步界定「其中氧化
劑為過氧化氫」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。復依證據3說明書所載（見乙證1第38頁），已揭示其磨光劑可包含過氧化氫（H2O2），即可對應於系爭專利請求項31上開技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項31之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項31不具進步性。
⑼系爭專利請求項32、33依附於請求項23，分別進一步界定「
其中該鈍化薄膜形成劑包括至少一個有機雜環，其具有5至6員雜環作為活性官能基，其中至少一個環包括氮原子」、「其中至少一個鈍化薄膜形成劑選自苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。復依證據3說明書所載（見乙證1卷第38頁），已揭示其磨光劑可包含苯并三唑，及與該苯并三唑功能或作用相當之替代物包含苯并三唑及其衍生物或混合物(BTA……derivatives and mixtures of the above-mentio
ned compounds），即可對應於系爭專利請求項32、33上開技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項32、33之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項32、33不具進步性。
⑽系爭專利請求項34、35依附於請求項23，分別進一步界定「
其更包括至少一種金屬氧化物研磨劑」、「其中金屬氧化物研磨劑為約0.1至約30重量%金屬氧化物研磨劑，選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯、其複合物及其混合物」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。復依證據3之實施例1所載（見乙證1第37頁），揭露其磨光試劑包含5.3重量%氧化矽（silica particles……5.3 wt.%），且系爭專利請求項34、35所載「金屬氧化物研磨劑」僅為習知化學機械磨光組成物之添加劑之一種，已可對應於系爭專利請求項34、35前述技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項34、35之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項34、35不具進步性。
⑾系爭專利請求項36、37依附於請求項23，分別進一步界定「
其中化學機械性磨光組合物包括至少一種停止化合物，其抑制化學機械性磨光組合物磨光至少一與基材有關之層之能力，其中至少一種停止化合物為陽離子充電之含氮化合物」、「其中至少一種停止化合物係選自化合物，其包含第一胺、第二胺、第三胺、第四胺、低聚合胺、低聚合亞胺、低聚合醯胺、低聚合醯亞胺、聚合胺、聚合亞胺、聚合醯胺、聚合醯亞胺、氨基酸、氨基醇、醚胺及其混合物」技術特徵，證據3已證明系爭專利請求項23不具進步性，業如前述。復依證據3所揭露之半胱胺酸，即可對應於系爭專利請求項36、37前述界定之陽離子充電含氮停止化合物、第一胺、氨基酸等化合物之技術特徵，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3所揭露之技術內容輕易完成系爭專利請求項36、37之發明，故證據3足以證明系爭專利請求項36、37不具進步性。
㈥證據3、證據5之組合足以證明系爭專利請求項18、40不具進步性：
⒈系爭專利請求項18依附於請求項17，並進一步界定「其中磨
光墊包括埋入其上或其內之研磨劑」之技術特徵；系爭專利請求項40依附於請求項23，並進一步界定「其中磨光墊包括埋入其上或其內之研磨劑」之技術特徵。又證據3足以證明系爭專利請求項17、23不具進步性，分別經本院認定如前，復依證據5之說明書所載（見乙證1卷第10頁背面、第8頁），已揭露用於玻璃、半導體、絕緣體/金屬合成物與積體電路之拋光片，及該拋光片具有一包括突出部與凹槽特定表面結構，填料粒子存在或不存在於突出部與凹槽中等技術內容，即可對應於請求項18、40前述進一步界定「磨光墊」、「研磨劑」之技術特徵，則系爭專利請求項18、40與證據3之差異技術特徵均僅為習知之磨光墊結構。再者，證據3、證據5均屬半導體磨光技術領域，均使用磨光墊解決磨光之問題，該發明所屬技術領域中具有通常知識者自有動機將證據5揭示之磨光墊結構與證據3之磨光試劑為結合，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者自可依據證據3、證據5所揭露之前述技術內容輕易完成系爭專利請求項18、40之發明，故證據3、證據5之組合足以證明系爭專利請求項18、40不具進步性。
⒉至原告主張證據5係著眼於拋光片之改良，亦未提供於CMP操
作中併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之動機云云，然判斷該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容時，應考量複數引證之技術內容的關連性或共通性，而非考量引證之技術內容與申請專利之發明的技術內容之關連性或共通性。亦即，本件應考量證據3與證據5所揭技術內容之關連性及共通性，原告指稱證據5未提供系爭專利中於CMP操作中併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化薄膜形成劑之動機，已不符合進步性結合動機之判斷方式。又判斷複數引證間所欲解決之問題是否具有共通性，並非僅以引證中所記載之所欲解決問題來認定，尚需考量該發明所屬技術領域中具有通常知識者能易於思及之所欲解決問題來判斷。查證據3、證據5均屬半導體磨光技術領域，具有技術領域之關聯性，且均使用磨光墊解決磨光之問題，是兩者對於解決手段、方式亦有共通性，是該所屬技術領域具有通常知識者在解決磨光問題時，自有合理動機結合證據5揭示之磨光墊結構與證據3之磨光試劑，是證據3、證據5在所欲解決之問題、功能、作用上均有共通性存在，自有組合動機，原告上開主張，並不足採。
㈦另原告主張：證據3之實施例未提及α-氨基酸，且未包含併用
α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑之技術內容，該發明所屬技術領域中具有通常知識者無從依證據3所揭示之半胱胺酸置換為α-丙胺酸或賴胺酸，且不會有動機完成前述成分之組合，亦無從得知併用α-氨基酸可發揮干擾鈍化膜、增加磨光速率等功能，又依本院106年度行專訴字第102號判決意旨，證據3並未揭示如系爭專利請求項所界定發明之特定成分組合，而系爭專利所使用之α-氨基酸如丙胺酸，係針對甘胺酸、β-氨基酸之改良，可以達成合宜磨光速率與選擇率且避免過度凹陷及腐蝕的無法預期功效；系爭專利併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化膜形成劑能達成在無顯著凹陷腐蝕問題下，有效提升銅拋光速率之效能，故系爭專利之發明達成先前技術習知者無法預期之功效，故具進步性云云，然查：
⒈觀諸系爭專利說明書之實施例、比較例（見乙證2卷第49頁至
第44頁），其所為試驗群組均含有氧化劑之成分，而無缺少氧化劑、α-氨基酸及鈍化膜形成劑之一組成分之比較結果，並自無從作為原告所稱系爭專利併用氧化劑、α-氨基酸及鈍化膜形成劑已達到無法預期功效之情形，先予敘明。
⒉原告所提出之前揭表1，至多僅能用於顯示「併用α-氨基酸與
鈍化薄膜形成劑」之功效，然證據3已揭露含有氧化劑、半胱胺酸、苯并三唑等成分之磨光劑，如前所述，而表1並無包含如含有氧化劑、半胱胺酸、苯并三唑等成分之磨光劑，相互比較後之功效，實難僅以表1判斷是否已達更有利或無法預期之功效，亦無從據此而認定系爭專利之發明係屬無法輕易完成。
⒊本件證據3所揭露具有氧化劑、半胱胺酸、苯并三唑之磨光劑
，已完全對應於系爭專利所界定之氧化劑、α-氨基酸、鈍化薄膜形成劑，業如前述，則原告援引本院106年度行專訴字第102號判決內容，而認證據3未揭露系爭專利請求項界定發明之特定成分組合，與本院前開認定實有未符，已難採憑。又依證據3說明書所載（見乙證1卷第38頁），復敘明其磨光劑可包含作為蝕刻劑之氨基乙酸如甘胺酸（α-氨基酸之最基本化合物）與化學劑，該化學劑係可與金屬反應形成保護膜，且該化學劑可包括含硫胺基酸特別是半胱胺酸（為甘胺酸之α碳上連結-CHSH取代基者，且同樣具有氨基乙酸主結構），自難謂證據3未包含「併用α氨基酸與鈍化薄膜形成劑」之內容。況證據3確實揭露磨光劑所使用蝕刻劑可為氨基乙酸如甘胺酸，此亦揭露該磨光劑所用化學劑可包括苯并三唑及其衍生物之混合物、含硫胺基酸特別是半胱胺酸、及前述化合物之混合物等，基於結構相近化合物間通常有較佳相容性等考量，該發明所屬技術領域之通常知識者為提升磨光效能當會有動機於證據3所揭示磨光劑之化學劑（如其實施例所載之苯并三唑等）中併用同樣具有氨基乙酸主結構之半胱胺酸。另依證據3說明書所載（見乙證1卷第38頁背面、第37頁背面），已揭露其磨光劑之化學劑所形成的保護膜可容易地以化學機械性磨光系統之機械活動移除（亦即可提升研磨速率），及該化學劑可為複數成分如苯并三唑、含硫胺基酸特別是半胱胺酸、前述化合物之混合物等技術內容，且該發明所屬技術領域之通常知識者可得知悉半胱胺酸係α-氨基酸之一種，且於證據3中係作為形成保護膜之化學劑，故系爭專利所稱「併用α-氨基酸與鈍化薄膜形成劑」之技術內容，實質上等同於證據3所揭露前述「可為複數成分」之化學劑，而基於複數化學成分間常有相互競合反應之情事係相關技術領域之通常知識，則該發明所屬技術領域之通常知識者應由簡單試驗即可知悉併用α-氨基酸可發揮干擾鈍化膜、增加磨光速率等功能。是原告所稱證據3未揭露「併用α氨基酸與鈍化薄膜形成劑」技術特徵、該發明所屬技術領域中具有通常知識者無動機完成前述成分之組合，亦無從得知併用α-氨基酸可發揮干擾鈍化膜、增加磨光速率等功能，均難採信。
⒋再者，系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者基於證據3揭
露之技術內容即知可藉由調整該證據所揭露磨光劑之成分組成，以適度提升磨光劑之效能，且有動機嘗試採如半胱胺酸等具有氨基乙酸主結構之相近化合物（如在α碳上連結不同碳數之取代基）進行磨光劑之改良，又甘胺酸、半胱胺酸係於氨基乙酸主結構α碳上包含碳數為0之取代基、碳數為1之含硫烷基者，該發明所屬技術領域具有通常知識者理當會由α碳上包含碳數相近、類似取代基者進行成分組成之最佳化試驗，而系爭專利所界定之α-丙胺酸僅為氨基乙酸之α碳上包含碳數為1之烷取代基者、賴胺酸亦僅為氨基乙酸之α碳上包含碳數為4之烷胺取代基者，均屬前述會進行試驗的取代基類型，考量有機化合物進行取代機增減、置換等試驗時通常會優先進行低碳數烷基如甲烷基等之取代置換，自難謂熟習該項技術者無從完成如系爭專利該請求項所界定之α-丙胺酸或賴胺酸，原告所稱該發明所屬技術領域中具有通常知識者無從依證據3所揭示之半胱胺酸置換為α-丙胺酸或賴胺酸乙情，亦難認有據。
⒌按進步性判斷所考量發明之有利功效，必須是系爭專利之發
明相較於「關連最深的先前技術」之特點始能獲得的功效。申言之，理當是由「系爭專利之發明」與該「關連最深的先前技術」所揭露者之差異特徵所獲致的功效，始為進步性判斷應考量者。本件證據3所特定揭露具有氧化劑、半胱胺酸、苯并三唑之磨光劑，應為與系爭專利發明之關聯最深之先前技術，原告所稱系爭專利實施例相較於甘胺酸、β-氨基酸所能達成之功效，並非屬於前述與系爭專利關聯最深之先前技術內容，尚無從作為系爭專利進步性判斷所需考量之功效；又系爭專利說明書並未針對上開功效所述「合宜磨光速率與選擇率」進行客觀定義或說明，系爭專利所使用之α-氨基酸如丙胺酸者是否確已達成前述合宜磨光速率與選擇率，實非無疑；再者，證據3已揭露其磨光劑可具有良好磨光速率、避免刮痕與缺陷等問題，亦難認原告所稱前述功效係該發明所屬技術領域者所無法預期；另相較證據3之圖6、8、系爭專利說明書之實施例1所示內容（見乙證1卷第41頁背面、第40頁、乙證2卷第49頁至第47頁），可知證據3所揭露者在微米等級線寬（wiring width）之凹陷（dishing amount）約為百奈米等級，與系爭專利說明書所載實施例1所載10~50微米線寬之凹陷約為158.8~215.3奈米，二者數量等級相近，實難謂原告所稱上述功效在數量、等級上有意想不到之顯著提升，而達到無法預期之程度。因此，原告所稱系爭專利所使用之α-氨基酸如丙胺酸，係針對甘胺酸、β-氨基酸之改良，可以達成合宜磨光速率與選擇率且避免過度凹陷及腐蝕的無法預期功效云云，實非有據。
⒍又縱認原告所述前開功效為系爭專利之發明能達成，惟按審
查基準關於發明專利進步性判斷時考量系爭案之發明是否具有無法預期之功效的規定，所謂「無法預期之功效」，係指申請專利之發明與相關先前技術相較，產生無法預期之功效，包括產生功效的顯著提升（量的變化），或產生新的功效（質的變化），且其對於該熟習該項技術者而言，係該發明申請時無法預期者。易言之，即使申請專利之發明產生功效的顯著提升，或產生新的功效，惟該功效對於該熟習該項技術者而言，係發明申請時能夠預期者，仍非屬「無法預期之功效」。查本件系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者均得知可藉由調整證據3所揭露之磨光劑之組成成分，以適度提升磨光劑之效能，是系爭專利之發明難謂達到質變之功效，且為熟習該項技術者所無法預期。再者，原告並無提出該發明所屬技術領域中具有通常知識者對於上開功效數量、等級之一般期望值等數據資料，亦無採用證據3所揭露之半胱胺酸等之磨光劑所為相關數據資料，或將之對照表1之內容而佐證其說，則原告僅憑系爭專利說明書之實施例、比較例、表1等數據資料而主張系爭專利之發明已達成該發明所屬技術領域中具有通常知識者所無法預期之顯著提升功效，不足採信。
⒎因此，系爭專利前述實施例、比較例、表1所載功效尚難認定
為其請求項所界定發明能達成，且無證據證明系爭專利之發明與相關先前技術相較，已經產生無法預期之功效，是原告上開主張，洵屬無憑。
七、綜上所述，證據3足以證明系爭專利請求項1至3、9至11、13、14不具新穎性；證據3足以證明系爭專利請求項1至3、5、9至17、23至25、27、31至37不具進步性；證據3、證據5之組合足以證明系爭專利請求項18、40不具進步性，則被告所為系爭專利請求項1至3、5、9至18、23至25、27、31至37、40舉發成立應予撤銷之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。從而，原告仍執前詞，訴請撤銷訴願決定及原處分關於上開請求項舉發成立，應予撤銷部分，為無理由，應予駁回。
八、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及訴訟資料經本院斟酌後，核與判決結果不生影響，爰不予一一論述，併予說明。
九、據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。中 華 民 國 111 年 6 月 1 日
智慧財產第三庭
審判長法 官 彭洪英
法 官 何若薇法 官 潘曉玫以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書。（行政訴訟法第241 條之1 第1 項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1 項但書、第2 項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│ 所 需 要 件 ││代理人之情形 │ │├─────────┼────────────────┤│(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││ 一者，得不委任律│ 格或為教育部審定合格之大學或獨││ 師為訴訟代理人 │ 立學院公法學教授、副教授者。 ││ │2.稅務行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備會計師資格者。 ││ │3.專利行政事件，上訴人或其法定代││ │ 理人具備專利師資格或依法得為專││ │ 利代理人者。 │├─────────┼────────────────┤│(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││ 情形之一，經最高│ 二親等內之姻親具備律師資格者。││ 行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││ 者，亦得為上訴審│ 。 ││ 訴訟代理人 │3.專利行政事件，具備專利師資格或││ │ 依法得為專利代理人者。 ││ │4.上訴人為公法人、中央或地方機關││ │ 、公法上之非法人團體時，其所屬││ │ 專任人員辦理法制、法務、訴願業││ │ 務或與訴訟事件相關業務者。 │├─────────┴────────────────┤│是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，││上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係││之釋明文書影本及委任書。 │└──────────────────────────┘中 華 民 國 111 年 6 月 2 日
書記官 李建毅