智慧財產法院民事判決
102年度民專上字第46號上 訴 人 美商羅門哈斯研磨材料控股公司（Rohm and Haas
Electronic Materials CMP Holdings, Inc.）法定代理人 Blake T.Biederman訴訟代理人 黃麗蓉律師
馮達發律師
參 加 人 經濟部智慧財產局法定代理人 王美花訴訟代理人 劉正旭被上訴人 美商奈平科技股份有限公司（NexPlanar Corpora-
tion）法定代理人 黃衛訴訟代理人 王仁君律師
林哲誠律師徐瑞毅律師上列當事人侵害專利權有關財產權爭議等事件，上訴人對本院中華民國102 年4 月18日100 年度民專訴字第134 號第一審判決提起上訴，本院於103 年1 月8 日言詞辯論終結，判決如下：
主 文上訴駁回。
第二審訴訟費用由上訴人負擔。
事實及理由
一、程序方面：㈠本件乃涉外民事事件，且我國法院有國際裁判管轄權：
⒈本件涉訟之當事人，均為依美國法律設立之法人，本件依
上訴人所起訴之事實，係主張被上訴人於我國有侵害上訴人專利權之行為，應負不得為一定行為及賠償損害之責任。是以本件就人的部分具有涉外案件所需具備之最基本要素（即涉外因素），本件所涉及者，核其性質屬於專利權民事事件，且上訴人業已證明客觀上損害事實之發生及該事實發生地點均發生於我國，亦即本件訴訟爭議法律類型之形式定性，屬關於由侵害專利權行為而生之債，故本件為涉外民事事件，且我國法院對之有國際裁判管轄權。
⒉上訴人就證書號第176078號「化學機械平面化之拋光襯墊
」（下稱系爭078 專利）、證書號第075224號「用於磨光工作件表面之磨光片及其製造及使用方法」發明專利權（下稱系爭224 專利。二者合稱系爭二專利），依我國專利法享有專利權，此為兩造所不爭執。而依專利法所保護之智慧財產權益所生之第二審民事訴訟事件，為本院管轄案件（智慧財產法院組織法第3 條第1 款、智慧財產案件審理法第7 條規定參照），故本院得就本案為審理，並適用涉外民事法律適用法以定涉外事件之準據法。
㈡準據法之選定：
按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第42條第1 項定有明文。查上訴人依我國專利法取得專利權，主張被上訴人在我國有侵害其專利權之行為，則我國法院應依我國專利法決定上訴人在我國有無權利之問題，以解決在我國應否保護及如何保護之問題。揆諸前揭規定，本件關於專利權事件之準據法，應依中華民國之法律。而兩造對於本件應以我國法律為準據法復未作何爭執，故本院自得本此而為審判。
㈢查上訴人為依美國法律設立之外國法人，未依中華民國法律
經經濟部認許，並指定我國境內之訴訟及非訟代理人（本院卷第1 冊第59頁之公司及分公司基本資料查詢），其原由Samuel W. Shoemaker 為其法定代理人提起本件訴訟，經原審於102 年4 月18日判決，惟Samuel W. Shoemaker 已於101年4 月7 日卸任，由Blake T.Biederman 接任（本院卷第1冊第115 頁），惟上訴人遲於102 年5 月20日始具狀聲明承受訴訟（本院卷第1 冊第34頁反面），經原審於同年9 月14日裁定准許（本院卷第1 冊第118 至119 頁）。
㈣查被上訴人為依美國法律設立之外國法人，依中華民國法律
經經濟部認許而設立在我國之分支機構，並指定黃衛為我國境內之訴訟及非訟代理人（本院卷第1 冊第60頁、本院卷第
5 冊第128 頁之公司及分公司基本資料查詢），依公司法第
372 條第2 項規定，應以黃衛為被上訴人之法定代理人。㈤參加訴訟部分：
上訴人起訴主張被上訴人侵害系爭二專利，請求被上訴人不得為一定行為及賠償損害，惟被上訴人抗辯系爭二專利有應撤銷之原因等語。經核被上訴人抗辯系爭二專利權有應撤銷之原因，而影響裁判之結果，該爭點所涉及之專業知識或法律原則，有使參加人表示意見之必要，經本院命兩造陳述意見（本院卷第1 冊第64、77頁反面、90至91頁），於102 年
8 月28日依智慧財產案件審理法第17條第1 項規定，裁定命其參加訴訟，以關於系爭二專利有無應撤銷之原因為限，表示專業上意見，並得獨立提出攻擊防禦方法。
二、兩造之聲明、陳述、及參加人之陳述如下：㈠上訴人起訴主張：其為系爭二專利之權利人，專利權期間分
別自92年4 月21日至110 年5 月24日止、84年12月1 日起至
102 年6 月20日止。被上訴人擅自製造並販賣侵害系爭078專利申請專利範圍第1 項、及系爭224 專利申請專利範圍第
1 、8 、11、13、17、23項之S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊產品（下稱系爭四產品）。爰依（99年8 月25日修正公布）專利法第84條第1 項，請求被上訴人停止並不得為一定行為，且負損害賠償責任等語，聲明：⒈被上訴人不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品。⒉被上訴人應給付上訴人10,000,000元及自起訴狀繕本送達被上訴人之翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。
⒊願供擔保，請准宣告假執行。
㈡被上訴人則以：系爭四產品並未侵害系爭二專利，且系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項、及系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項應屬無效等語，資為抗辯。
㈢原審判決上訴人敗訴，上訴人提起上訴，聲明：⒈原判決廢
棄。⒉被上訴人不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型、SXR-Groove型、E-Groove型及A-Groove型之研磨墊。⒊被上訴人應給付上訴人10,000,000元及自起訴狀繕本送達被上訴人之翌日起至清償日止按年息5%計算之利息。⒋前2 項請求，上訴人願供擔保，請准宣告假執行。
⒈系爭078 專利無應撤銷之原因：
⑴關於系爭078 專利之舉發案經本院98年度行專訴字第67
號、最高行政法院100 年度判字第2223號判決肯認其有效性，嗣參加人重為審查，於102 年7 月18日認定舉發不成立，故被上訴人依專利法第81條及智慧財產案件審理細則第28條第2 項規定，不得再為主張。
⑵IC1000拋光墊、SUBA IV 拋光墊不足以否定系爭078 專
利申請專利範圍第1 項之新穎性，被證2 、9 之組合、被證10、11之組合不足以否定系爭078 專利申請專利範圍第1 項之進步性，至被上訴人辯稱IC1000拋光墊與SU
BA IV 拋光墊於30℃與90℃下之蒲松比為已公開之資訊云云，並非事實。
⑶系爭078 專利申請專利範圍第1 項未違反核准審定時專利法第71條第3 款規定。
⑷參加人、經濟部、本院98年度行專訴字第67號、及最高
行政法院100 年度判字第2223號判決均一致認定：「在30℃到90℃時之E'比」意指「E'(30℃)/E'(90℃) 」。
從而，依行政訴訟法第216 條第1 項及第2 項、智慧財產案件審理細則第28條第2 項等規定，各關係機關均受前開解釋之拘束甚明，不容被上訴人恣意爭執。
⒉系爭224 專利無應撤銷之原因：
⑴被上訴人混淆「已見於刊物」及「已公開使用」之事由
，且IC1000研磨墊本身及被證20在系爭224 專利申請前並未公開，被證21號之磨光墊在系爭224專利申請日前並不存在，IC1000拋光墊亦未揭示系爭224 專利申請專利範圍第1 項之全部技術特徵。被上訴人亦未具體指出被證20號揭露其他申請專利範圍之要件，即空言IC1000拋光墊已揭露系爭224 專利申請專利範圍第8 、11、13、17及23項之技術內容云云，即無可採。
⑵被證20之IC1000型錄或拋光墊，在系爭224 專利申請之
前，係在保密契約下交付特定公司以共同研發，並未對外公開，故不具證據能力。又被證22並未揭示系爭22 4專利申請專利範圍第1 項之「......其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟......」技術特徵，況聚合微體「大體上為撓性」具有一定功效，故系爭22
4 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17及23項實具有進步性。
⑶系爭224 專利申請專利範圍未違反審定時專利法第71條第3 款規定。
⒊系爭四產品落入系爭078 專利申請專利範圍第1 項，故上
訴人得請求被上訴人不得製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品。另系爭四產品亦落入系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17 、23項，且具侵害系爭二專利權之故意，故上訴人得請求被上訴人賠償10,000,000元。
㈣參加人之陳述（本院卷第4 冊第103 頁、本院卷第5 冊第13
3 頁）：⒈系爭078 專利之舉發N01 案審定後因未提訴願而確定，至
舉發N02 案現正審查中，因舉發為合議審查制，在合議審查未完成前，無法對系爭078 專利有效性表示意見。⒉系爭224 專利並無舉發案繫屬，故參加人無法就其有效性部分表示意見。
㈤被上訴人答辯聲明：⒈上訴及假執行之聲請均駁回。⒉如受
不利判決，被上訴人願供擔保請准宣告免為假執行。並辯稱：
⒈系爭078專利有應撤銷之原因：
⑴IC1000拋光墊（被證3 至8 、14至16、27、28）、SUBA
Ⅳ拋光墊（被證4 至6 、8 、15、27至29）、被證2 可證系爭078 專利申請專利範圍第1 項顯不具新穎性。
⑵被上訴人於本件主張系爭078 專利申請專利範圍第1 項
為無效之事證均非另案判決所審酌之標的，另件舉發案所審酌者為系爭078 專利申請專利範圍第1 項是否於該專利優先權日前已見於刊物，而被上訴人於本件訴訟則主張具有系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容的拋光墊於該專利優先權日前已公開銷售及使用，二者之法律依據完全不同，故本院就另件舉發案之判決並不拘束本案。
⑶被證2 、9 之組合、被證10、11之組合可證系爭078 專
利申請專利範圍第1 項不具進步性，熟習該項技術者基於被證10足以推知IC 1000拋光墊與SUBA IV 拋光墊具有系爭078 專利申請專利範圍第1 項之「E'比」之技術特徵。
⑷系爭078 專利申請專利範圍第1 項未載明實施必要事項
使實施為不可能或困難，違反核准審定時專利法第71條第3 款規定。
⒉系爭224 專利有應撤銷之原因：
⑴在系爭224 專利申請日前已公開販售及使用之IC1000拋
光墊具有系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項之全部技術特徵，而上訴人根本未證明IC1000拋光墊之銷售或使用係受保密合約拘束。
⑵IC1000拋光墊具有系爭224 專利申請專利範圍第1 項之
全部技術特徵，所屬技術領域具有通常知識者藉由被證22可直接且無歧異得知系爭224 專利申請專利範圍第1項「當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵。而聚合微體之撓性並無任何功效可言，故系爭224 專利不因而具有進步性。
⑶IC1000拋光墊、被證22之組合可證明系爭224 專利申請
專利範圍第1 、8 、11、13項不具進步性；IC1000拋光墊、被證22、23之組合可證明系爭224 專利申請專利範圍第17、23項不具進步性。
⑷系爭224 專利未載明實施必要事項使實施為不可能或困
難，違反83年1 月21日修正公布之專利法第71條第3 款規定。
⒊系爭四產品未落入系爭078 專利申請專利範圍第1 項，亦
未落入系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項，故上訴人不得請求被上訴人不得製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品，亦不得請求被上訴人賠償10,000,000元。
三、經查下列事實，有兩造均不爭執之各該證據附卷可稽，復為兩造所不爭執，自堪信為真實。
㈠訴外人羅德爾控股公司於90年5 月25日向參加人申請「化學
機械平面化之拋光襯墊」發明專利，同時主張優先權（受理國家為美國，申請日分別為西元2000年5 月27日、同年7 月28日，申請案號分別為第60/207938 、60/222099 號），經參加人於92年3 月5 日審查准予專利（申請號：第00000000
0 號，證書號：第176078號，公告號：第528646號。即系爭
078 專利），專利權期間自民國92年4 月21日起至110 年5月24日止，嗣於93年6 月1 日變更專利權人名稱為上訴人（原審卷第1 冊第13至28頁之參加人函、專利證書、發明專利說明書，並經本院依職權調閱系爭078 專利之申請卷）。㈡羅德爾控股公司於82年6 月21日向經濟部中央標準局（嗣於
88年1 月26日正式改制為智慧財產局）申請「用於磨光工作件表面之磨光片及其製造及使用方法」發明專利，經中央標準局於84年10月21日審查准予專利（申請號：第00000000號，證書號第075224號，公告號：第264493號。即系爭224 專利），專利權期間自84年12月1 日起至102 年6 月20日止，嗣於93年6 月1 日變更專利權人名稱為上訴人（原審卷第1冊第125 至145 頁之專利證書、專利案件權利異動資料、發明專利說明書，並經本院依職權調閱系爭224 專利之申請卷）。
㈢系爭078 專利之舉發案：
⒈訴外人智勝科技股份有限公司（下稱智勝公司）於95年4
月18日以系爭078 專利違反核准審定時專利法（90年12月24日修正公布）第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發（申請案號：00000000N01，舉發00000000 N01卷第275 頁）。經參加人審查，於97年4 月2 日以（97）智專三（三）05056 字第0972017731
0 號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。上訴人不服，提起訴願，經經濟部98年4 月10日經訴字第09806110000 號決定駁回，上訴人遂向本院提起行政訴訟。經本院於99年3 月4 日以98年度行專訴字第67號判決撤銷上開訴願決定及原處分（舉發00000000 N01 012卷第60至1 頁，原審卷第2 冊第12至71頁）。智勝公司不服，提起訴願，經最高行政法院於100 年12月22日以100 年度判字第2223號判決駁回智勝公司之上訴確定（舉發00000000 N01 014卷第20至5 頁，原審卷第2 冊第71至86頁）。參加人重為審查，並於102 年7 月18日以（102 ）智專三（三）06022 字第10220944920 號專利舉發審定書為「請求項1 至10舉發不成立」之處分（舉發00000000 N01 019卷第11至5 頁，申請00000000卷第187 至181 頁，本院卷第2 冊第254 至260 頁之上證5 ），因未提訴願而告確定。
⒉被上訴人於101 年4 月27日以系爭078 專利違反核准審定
時專利法（90年12月24日修正公布）第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發（申請案號：00000000N02 ，舉發00000000 N02卷第100 至82頁），現由參加人審查中。
⒊訴外人○○○於102 年3 月1 日以系爭078 專利違反（10
0 年12月21日修正公布）專利法第26條第1 項規定，不符發明專利要件，對之提起舉發（申請案號：00000000N03，舉發00000000 N03卷第18至16頁），現由參加人審查中。
㈣訴外人○○○○於90年4 月13日以系爭224 專利違反核准審
定時專利法（90年12月24日修正公布）第20條規定，不符發明專利要件，對之提起舉發（申請案號：00000000 N01，舉發00000000 N01卷第181 至150 頁）。經參加人審查，於93年11月1 日以（九三）智專三（四）01024 字第0932097311
0 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分確定（舉發00000000 N01 002卷第24至15頁）。
四、上訴人於本院審理時確認其主張被上訴人之系爭四產品侵害系爭078 專利申請專利範圍第1 項，及系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項（本院卷第1 冊第97頁之準備程序筆錄），是本件兩造所爭執之處，經協議簡化如下（本院卷第1 冊第98至100 、151 至152 頁，本院卷第5冊第14頁）：
㈠系爭078 專利申請專利範圍第1 項有無應撤銷之原因？
⒈系爭078 專利申請專利範圍第1 項「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」之解釋。
⒉下列引證可否證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項違反
90年10月24日修正公布之專利法第20條第1 項之新穎性規定？⑴IC1000拋光墊（被證3 至8 、14至16、27、28）：同法
第20條第1 項第1 款「申請前已公開使用」。⑵SUBAⅣ拋光墊（被證4 至6 、8 、15、27至29）：同法
第20條第1 項第1 款「申請前已公開使用」。⑶被證2 ：同法第20條第1 項第1 款「申請前已見於刊物」。
⒊下列引證可否證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項違反
90年10月24日修正公布之專利法第20條第2 項進步性規定？⑴被證2 、9 之組合。
⑵被證10、11之組合。
⒋系爭078 專利是否因未載明實施必要事項使實施為不可能
或困難而違反90年10月24日修正公布之專利法第71條第3款規定？㈡系爭224 專利有無應撤銷之原因？⒈系爭224 專利申請專利範圍第1 項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合可否
證明本請求項違反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第2 項進步性規定？⒉系爭224 專利申請專利範圍第8 項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合可否
證明本請求項違反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第2 項進步性規定？⒊系爭224 專利申請專利範圍第11項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合可否
證明本請求項違反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第2 項進步性規定？⒋系爭224 專利申請專利範圍第13項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合可否
證明本請求項違反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第2 項進步性規定？⒌系爭224 專利申請專利範圍第17項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵下列引證可否證明本請求項違反83年1 月21日修正公布
之專利法第20條第2 項進步性規定？①IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合。
②IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22、23之組合。
⒍系爭224 專利申請專利範圍第23 項：
⑴IC1000拋光墊（被證10、20、21）可否證明本請求項違
反83年1 月21日修正公布之專利法第20條第1 項第1 款新穎性規定？⑵下列引證可否證明本請求項違反83年1 月21日修正公布
之專利法第20條第2 項進步性規定？①IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合。
②IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22、23之組合。
⒎系爭224 專利是否因未載明實施必要事項使實施為不可能
或困難而違反83年1 月21日修正公布之專利法第71條第3款規定？㈢上訴人得否依102 年6 月11日修正公布之專利法第96條第1
項前段、後段規定，請求被上訴人不得製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品？⒈系爭四產品是否落入系爭078 專利申請專利範圍第1 項？㈣上訴人得否請求被上訴人負損害賠償責任？
⒈系爭四產品是否落入下列申請專利範圍？⑴系爭078 專利申請專利範圍第1 項。
⑵系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17 、23項。
⒉被上訴人是否具侵害系爭二專利權之故意？⒊上訴人得否請求被上訴人賠償10,000,000元？
五、按（第1 項）當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定，（第2 項）前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條定有明文。
六、系爭078 專利申請專利範圍第1 項有應撤銷之原因：㈠查系爭078 專利係於90年5 月25日申請，經參加人於92年3
月5 日審查准予專利（系爭078 專利申請00000000卷第81至80頁），是系爭078 專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之90年10月24日修正公布之專利法為斷。
㈡按稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作，90年
10月24日修正公布之專利法第19條定有明文。又（第1 項第
1 款）凡可供產業上利用之發明，無申請前已見於刊物或已公開使用之情事者，得依法申請取得發明專利，（第2 項）發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依法申請取得發明專利，同法第20條第1 項第1 款、第2 項亦有明文。又說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，並限期追繳證書，無法追回者，應公告證書作廢，同法第71條第3 款亦有明文。而系爭078 專利有無違反同法第20條第1 項第1 款、第2 項、第71條第3 款所定情事而應撤銷其發明專利權，依法應由主張系爭078 專利無效之人（即被上訴人）附具證據證明之。
㈢關於系爭078 專利申請專利範圍第1 項之解釋、與各引證之
技術比對，就本院所具備有關之專業知識，以及經技術審查官為意見陳述所得之專業知識，業經本院依智慧財產案件審理法第8 條第1 項、第2 項規定，於審理時詳列各爭點明細，對當事人適當揭露本院所知與本件有關之特殊專業知識，並命當事人陳述意見，令其有辯論之機會，且經當事人充分攻防行言詞辯論（本院卷第3 冊第23頁、本院卷第4 冊第4、6 至16、103 頁之筆錄）。是以本院就涉及專業知識判斷之相關技術爭點業經踐行必要之證據調查程序，並已予當事人有辯論之機會，本院即得參酌當事人所提之意見加以判斷。
㈣系爭078 專利之技術內容：
⒈系爭078 專利所屬之技術領域：
依系爭078 專利之發明專利說明書【發明說明】記載，系爭078 專利之發明係關於在半導體元件製造期間用來拋光和／或平面化基板，特別是金屬或含金屬基板的拋光襯墊（原審卷第1 冊第17頁）。
⒉系爭078 專利之創作目的：
系爭078 專利係針對習知之用來拋光半導體元件或其先質表面的襯墊為改良對象。化學機械平面化（CMP"）係一種目前實行於半導體工業中，用來製造積體電路元件上之平坦表面的方法。CMP 包括流動或不然放置一拋光研磨漿或流體於一積體電路元件先質與一拋光襯墊之間，並於一起偏斜該元件和襯墊時，相對移動該襯墊及元件。此種拋光通常被用來平面化：⑴絕緣層，諸如氧化矽；和／或⑵金屬層，諸如鎢、鋁、或銅。當半導體元件變得益加複雜時（需要更精細的表面幾何特性和更多的金屬化層數），CM
P 必須大致符合更多所需之功能標準。一種極為新近之CM
P 法已成為利用金屬波紋製程的金屬連接線路製造法。行波紋式拋光時，被拋光基板通常與其為一均相層倒無寧為一複合層，且一般包含下列基本步驟：i.利用照相平版印刷方式將一系列金屬導體區域（插頭及線路）界定在一絕緣體表面上；ii. 然後將已曝光之絕緣體表面蝕刻至一吾人所要的深度；iii.在清除光阻劑後，塗佈黏合層及擴散障蔽層；iv. 其後，沉積一厚層導電金屬，延伸至插頭和線路之絕緣體材料表面上方；以及V.然後將金展表面拋光到低於絕緣體表面，以形成由絕緣體材料所分隔的不連續導電性插頭和線路。在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面中央通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面）以一較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能（原審卷第
1 冊第17頁至反面之系爭078 專利說明書第5 至6 頁【發明說明】）。系爭078 專利之發明係關於一方面具有低彈性回復力，而另一方面卻展現較許多已知拋光襯墊更為顯著之無彈性性質的拋光襯墊。本發明之襯墊具有一種或一種以上之下列特質：⑴諸如導線和插頭之類之導電性表面物件的碟化作用為最小；⑵達成橫跨整個晶圓表面的晶粒水平平坦度；和／或⑶諸如抓痕和光點瑕疵之類的瑕疵度為最小，且不會對半導體元件之電氣功能產生負面影響（原審卷第1 冊第17頁反面、18頁反面之系爭078 專利說明書第6 、8 頁【發明說明】）。
⒊系爭078 專利之申請專利範圍共10項，其中第1 、8 項為
獨立項，其餘為附屬項（原審卷第1 冊第28頁至反面之發明專利說明書）。
㈤被上訴人所提之引證資料：
⒈IC1000拋光墊（被證3 至8 、14至16、27、28）：
⑴被證3 ：西元1999年公開發行之Rodel 公司型號「Rode
l ICl000 CMP Pad」拋光墊之產品型錄影本（原審卷第
1 冊第245 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證二十一」（原審卷第2 冊第70頁之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第5 頁）。
⑵被證4 ：1992年公開發行之Rodd公司型號「SUBA IV 」拋光墊之產品型錄影本（原審卷第1 冊第246 頁）。
⑶被證5 ：Irene Li等人之簡報資料影本（原審卷第1 冊
第247 至253 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證1-5 」（原審卷第2 冊第68頁至反面之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第1 至2 頁）。
⑷被證6 ：2000年Irene Li等人在Material Research So
ciety Symp. Vol.613 之論文影本（原審卷第1 冊第25
4 至258 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證一」（原審卷第2 冊第68頁之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第1 頁）。
⑸被證7 ：2012年1 月10日美國Exova-OCM 試驗實驗室公
司（Exova-OCM Test Laboratory ，Inc.）針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本（原審卷第1 冊第259 至273 頁）。
⑹被證8 ：2012年2 月17日SUBA IV 拋光墊進行動態機械
分析所得結果之簡報資料影本（原審卷第1 冊第274 至
277 頁）。⑺被證14：2012年2 月17日IC1000拋光墊進行動態機械分
析所得結果之簡報資料影本，其中第2 頁揭示E'30/E'90=2.55、第3 頁揭示E'30/E'90=3.77（原審卷第2 冊第
127 至132 頁）。⑻被證15：2012年4 月30日使用過的IC1000拋光墊進行試
驗並所提出之經裁切送測之照片影本（原審卷第2 冊第
133 至136 頁）。⑼被證16：2012年4 月30日就SUBA Ⅳ 拋光墊於30℃及90
℃之E'比進行迴歸分析結果之簡報資料（原審卷第2 冊第137 至138 頁）。
⑽被證27：2012年7 月5 日Yaw Samuel Obeng聲明書及中譯文（原審卷第3 冊第87至103 頁）。
⑾被證28：2012年7 月10日Irene Li Barnett聲明書及中譯文（原審卷第3 冊第104 至144 頁）。
⒉SUBA Ⅳ 拋光墊（被證4 至6 、8 、15、27至29）：
⑴被證4 至6 、8 、15、27、28之內容如前第⒈項所述。
⑵被證29：2012年2 月17日SUBA IV 拋光墊進行動態機械
分析所得結果之簡報資料影本及2012年7 月18日送測之照片影本之簡報資料影本（原審卷第3 冊第145 至149頁）。
⒊被證2 ：2000年2 月8 日公告之美國第0000000 號「POLI
SHING PADS AND METHODS RELATING THERETO 」專利案（原審卷第1 冊第241 至244 頁），即系爭078 專利之舉發N01 案「引證八」（原審卷第2 冊第69頁之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第3 頁）。其公開日早於系爭07
8 專利之優先權日（同年5 月27日），可作為判斷系爭07
8 專利是否具新穎性、進步性之先前技術。⒋被證9 ：1997年4 月22日公告之美國第0000000 號「ABRA
SIVE ARTICLE COMPRISING POLYMERIC COMPOSITIONS ANDABRASIVE GRAIN」專利案（原審卷第1 冊第278 至253 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證三」（原審卷第
2 冊第68頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第2 頁）。其公開日早於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），可作為判斷系爭078 專利是否具進步性之先前技術。
⒌被證10：1995年刊載於Thin Solid Films 000 (0000) We
idan Li.等人之論文影本（原審卷第1 冊第254 至286 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證十九」（原審卷第2 冊第69頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第4 頁）。其公開日早於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），可作為判斷系爭078 專利是否具進步性之先前技術。
⒍被證11：1983年出版之John Aklonis .et.al,「Introduc
tion to Polymer Viscoelasticity 」, Secibd Edition之封面、版權頁及內頁第7 至9 頁影本（原審卷第1 冊第
287 至289 頁）。即系爭078 專利之舉發N01 案「引證19-1」（原審卷第2 冊第69頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決附表一第4 頁）。其公開日早於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），可作為判斷系爭078 專利是否具進步性之先前技術。
㈥專利有效性之爭點判斷：
⒈按智慧財產案件審理細則第28條第2 項規定：「關於智慧
財產權有無應撤銷、廢止原因之同一事實及證據，業經行政爭訟程序認定舉發或評定不成立確定，或已逾申請評定之法定期限，或其他依法已不得於行政爭訟程序中主張之事由，於智慧財產民事訴訟程序中，不得再行主張。」又本件言詞辯論終結時之現行專利法（民國100 年12月21日修正公布）第81條規定：「有下列情事之一，任何人對同一專利權，不得就同一事實以同一證據再為舉發：他舉發案曾就同一事實以同一證據提起舉發，經審查不成立者。依智慧財產案件審理法第33條規定向智慧財產法院提出之新證據，經審理認無理由者。」準此，關於系爭078專利申請專利範圍第1 項，倘被上訴人於本件民事訴訟所提應撤銷原因（不具新穎性、不具進步性、未載明實施必要事項使實施為不可能或困難）及證據，與舉發N01 案之舉發階段所提之舉發理由（不具新穎性）及證據、暨在行政訴訟階段就同一撤銷理由所提之新證據相同者，於本件即不得再行主張。
⒉當事人主張專利權有應撤銷之原因所提出之證據，每一獨
立之引證資料或引證資料之組合，均構成一獨立之請求權規範基礎（爭點）。例如，為證明系爭078 專利不具進步性（同一事實），提出「引證A 」（單一引證）、「引證
A 及引證B 之組合」（組合引證）為其證據，係以二不同證據視之（不同證據）。法院應各別就「引證A 」、「引證A 及引證B 之組合」是否得以證明系爭078 專利不具進步性之主張為判斷。因單一引證資料與二以上引證資料之組合，其技術特徵概不相同，所揭露之先前技術的技術內容即非同一，自有可能就系爭078 專利是否具備進步性乙節產生不同之認定結果，亦即雖「引證A 」不足以證明系爭078 專利不具進步性，惟倘熟習該項技術者運用申請前既有之技術或知識（引證A 及引證B 之組合），即能輕易完成系爭078 專利，即可證明系爭078 專利不具進步性。
⒊復按關於新穎性之審查，係以每一申請專利範圍中所載之
發明為對象，應將系爭078 專利申請專利範圍與各引證資料之技術內容作一對一單獨比對，以瞭解其技術內容是否同一，若先前技術已揭露系爭078 專利申請專利範圍所有技術特徵，足認該發明不具新穎性；而進步性之審查，則得將不同引證資料組合其技術內容以與系爭078 專利申請專利範圍之技術內容作比較，以判斷系爭078 專利之發明是否係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者（最高行政法院101 年度判字第1032號、102 年度判字第691 號判決參照）。因此，不同之應撤銷原因，即使引證相同（同一證據），仍屬二不同之爭點，如當事人提出「引證A 」（單一引證）以證明該專利不具新穎性及進步性（不同事實），其爭點自非相同。
⒋查智勝公司於系爭078 專利舉發N01 案，在舉發階段就系
爭078 專利申請專利範圍第1 項主張「不具新穎性」之引證如本院98年度行專訴字第67號判決附表二編號1 至6 所示，與被上訴人於本件主張系爭078 專利申請專利範圍第
1 項有應撤銷原因及引證之對應關係如附表一所示。是被上訴人於本件民事訴訟，關於系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性之引證分別為IC1000拋光墊、SUBA Ⅳ拋光墊、被證2 ，關於不具進步性之引證則為「被證2 、
9 之組合」、「被證10、11之組合」，而被證6 、5 、3、9 、10、11固為舉發N01 案之舉發證據，經審查確定，然其實質上與本件應撤銷原因及引證的法律性質即有所差異，非屬同一事實及同一證據。例如智勝公司於舉發N01案係以引證十九（即本件被證10）為獨立證據，並以引證19-1（即本件被證11）為補強證據，主張系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具「新穎性」；而被上訴人於本件則以「被證10、11之組合」主張系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具「進步性」，自非同一事實及同一證據，本院即應依被證10與被證11之技術內容組合是否足以證明系爭
07 8專利申請專利範圍第1 項不具進步性加以論斷。故上訴人僅以被證6 、5 、3 、9 、10、11為舉發證據，遽謂系爭078 專利申請專利範圍第1 項之有效性，曾經本院及最高行政法院審理肯認，被上訴人依法不得以同一事實及證據再為主張云云，忽略被上訴人於本件之抗辯已為不同之事實及證據，自屬無據。
㈦系爭078 專利申請專利範圍第1 項之解釋：
⒈系爭078 專利申請專利範圍第1 項：「一種用來平面化一
半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比。」（原審卷第1 冊第28頁）。其前言明確界定其係「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊」，乃「用途界定物之請求項」（product-by-use claim）類型，依申請專利範圍整體原則（as
a whole ），系爭078 專利申請專利範圍第1 項除受該申請專利範圍所載技術特徵之限定外，並受所載用途之限定，此業經系爭078 專利舉發N01 案判決確定（原審卷第2冊第48頁至反面、82頁至反面之本院98年度行專訴字第67號判決第73至74頁第八㈡⒈項、最高行政法院100 年度判字第2223號判決第20至21頁第五㈥項）。
⒉關於「該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」
之字義，由「為1 到3.6 的E'比」之文字，可知有二特定之E'值，其比值範圍介於1 至3.6 之間，惟究為何二特定之E'值，系爭078 專利申請專利範圍第1 項所使用之「在30℃到90℃時」文字，有其不明確之處。
⒊觀諸系爭078 專利之申請專利範圍，除申請專利範圍第1
項外，申請專利範圍第8 項亦有「一在30℃到90℃時約為
1 到3.6 的E'比」之文字（原審卷第1 冊第28頁反面），經核閱說明書所揭示與溫度有關二特定之E'值的內容，其中說明書第3 頁【發明摘要】第3 行、第24頁第16至17行（原審卷第1 冊第16、26頁反面）亦有「一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」（原審卷第1 冊第16、26頁反面），乃綜合式地記載「在30℃到90℃」。然而，系爭078專利說明書第6 頁第21至24行記載：「......在一具體實施例中，本發明之拋光襯墊限定一在30℃和90℃時為小於約5 ，更適當為小於約4.6 且更適當為小於約3.5 的E'比。在本發明之其他具體實施例中，拋光襯墊限定一在30℃和90℃時為從約1.0 到約5.0 的E'比與......」（原審卷第1 冊第17頁反面）；第7 頁第5 行記載：「......一在30℃和90℃時為約1.0 到約4.0 的E'比......」（原審卷第1 冊第18頁）；第7 頁第9 至10行記載：「......一在30℃和90℃時為約1.0 到3.5 的E'比。」（原審卷第1 冊第18頁）；第14頁第⒋項參數的範圍列表「參數」欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」；第14頁倒數第4 行記載：
「最後一行定義在30℃和90℃下所測得的模數比......」（原審卷第1 冊第21頁反面）；第17頁表1 「參數」欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1 冊第23頁）；第18頁表2 「實例# 」欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1 冊第23頁反面）；第19頁表3 「組成」欄倒數第2 列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1 冊第24頁）；第21頁表5 「組成」欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1 冊第25頁）；第22頁「襯墊在浸泡於水中後之性質變化」表之最左欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1 冊第25頁反面）；第23頁表「參數」欄最末列「在30℃和90℃時之E'比」（原審卷第1冊第26頁）；是以，記載於系爭078 專利說明書中與實施例有關之實驗數值，均以「在30℃和90℃」界定，而非綜合式記載「在30℃到90℃」。故就系爭078 專利說明書所揭示之內容而言，系爭078 專利申請專利範圍第1 項之實質內容及主要技術特徵在於界定「在30℃和90℃時所測得之模數E'比」。另系爭078 專利舉發N01 案之確定判決亦認定系爭078 專利申請專利範圍第1 項所界定之E'比係30℃及90℃之比值（原審卷第2 冊第52、81頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決第81頁第八㈤⒈項、最高行政法院100 年度判字第2223號判決第19頁第五㈢項），附此敘明。
⒋因此，系爭078 專利申請專利範圍第1 項之「該層具有一
在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」，應解釋為「該層具有一在30℃和90℃時所測得之E'比值約為1 到3.6 」。
㈧系爭078 專利未違90年10月24日修正公布之專利法第71條第
3 款規定：⒈系爭078 專利說明書第17至23頁實施例3 至實例5 記載所
請研磨墊之具體製造方式的實施例及參數數值範圍（原審卷第1 冊第23至26頁），第15至17頁比較實例1 至實施2載明所請研磨墊之比較例（原審卷第1 冊第22至23頁），第20頁表4 、第22頁表6 載有所請研磨墊所達成減少碟化作用之功效（原審卷第1 冊第24頁反面、25頁反面），且前揭內容亦記載各種參數之定義說明及其測試方法，即較佳方法為使用動態機械分析技術測量張力儲存模數、損失模數E"，以及能量損失因子KEL 等實施必要之事項。
⒉系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請「具有一在30℃到
90℃時約為1 到3.6 的E'比。」應解釋為「該層具有一在30℃和90℃時所測得之E'比約為1 到3.6 」，已於前述，且可以使用動態機械分析技術測得該張力儲存模數E ，故系爭078 專利說明書業已載明實施必要之事項。
⒊綜上，系爭078 專利說明書已記載有製造所請研磨墊之具
體實施例、各種參數的測試方法及測得數值範圍，且系爭
078 專利申請專利範圍第1 項亦載明實施之必要事項，熟習該項技術者即可以依據說明書所載內容，運用系爭078專利申請時既有之技術或知識，正確理解且能再現系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項之發明，難謂有何實施不可能或困難之情事。
㈨被上訴人無法證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性：
⒈IC1000拋光墊（被證3 至8 、14至16、27、28）：
⑴被證4 係SUBA IV 拋光墊之產品型錄影本（原審卷第1
冊第246 頁），被證8 係SUBA IV 拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本（原審卷第1 冊第274 至
277 頁），被證16係就SUBA IV 拋光墊於30℃及90℃之E'比進行迴歸分析結果之簡報資料（原審卷第2 冊第13
7 至138 頁），均與IC1000拋光墊之技術內容無涉，無從作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術。
⑵被證6 係西元2000年Irene Li等人在Material Researc
h Society Symp. Vol.613 之論文影本（原審卷第1 冊第254 至258 頁），即系爭078 專利之舉發N01 案「引證一」；被證5 係Irene Li等人之簡報資料影本（原審卷第1 冊第247 至253 頁），即系爭078 專利之舉發N0
1 案「引證1-5 」，已於前述。而被證6 （引證一）、被證5 （引證1-5 ）業經系爭078 專利舉發N01 案確定判決認定無法與其餘補強證據（引證1-1 至1-4 、1- 6至1-9 ）相互勾稽，無從證明引證一之公開日早於系爭
078 專利之優先權日（2000年5 月27日），自不得作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術（原審卷第
2 冊第46頁反面至48頁、81頁反面至82頁之本院98年度行專訴字第67號判決第70至73頁第八㈠項、最高行政法院100 年度判字第2223號判決第19至20頁第五㈣項）。
⑶被證27係2012年7 月5 日Yaw Samuel Obeng聲明書及中
譯文（原審卷第3 冊第87至103 頁），被證28係同年月10日Irene Li Barnett聲明書及中譯文（原審卷第3 冊第104 至144 頁）。上開二人為被證5 、6 之作者，然渠等之聲明係依憑個人記憶及經驗，就個人感官知覺作用直接體驗之客觀事實而為書面陳述，為免有流於個人主觀偏見與錯誤臆測之虞，仍須有客觀具體之證據予以佐證，否則僅憑書面陳述不足以證明是否確為IC1000拋光墊、以及是否於系爭078 專利之優先權日（2000年5月27日）前即已公開使用。
⑷被證7 係2012年1 月10日美國Exova-OCM 試驗實驗室公
司（Exova- OCM Test Laboratory，Inc.）針對IC1000拋光墊進行試驗所提出之試驗報告影本（原審卷第1 冊第259 至273 頁）；被證14係同年2 月17日IC1000拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本（原審卷第2 冊第127 至132 頁）；被證15係同年4 月30日使用過的IC1000拋光墊進行試驗並所提出之經裁切送測之照片影本（原審卷第2 冊第133 至136 頁）。其公開日皆晚於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），且被證7 僅有樣本編號，無從認定是否確為IC1000拋光墊，而被證15第4 、5 頁僅標示IC1000拋光墊之有效期限為「03/15/02」「00 00 0000」，無足認定被證7 、被證14、被證15之樣本是否於系爭078 專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術。
⑸被證3 係1999年公開發行之Rodel 公司型號「Rode lIC
l000 CMP Pad」拋光墊之產品型錄影本（原審卷第1 冊第245 頁），其中第2 頁頁尾有「ⒸRodel 1999 ALL Rights Reserved」字樣，是其公開日早於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），可作為判斷系爭078專利是否具新穎性之先前技術。惟被證3 （引證二十一）業經系爭078 專利舉發N01 案確定判決認定僅簡要記載IC1000拋光墊之規格及內容，並未具體揭露該IC1000拋光墊E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，無從認定被證3 （引證二十一）已公開使用致系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以被證3 （引證二十一）與被證6 （引證一）、被證5 （引證1-5 ）、被證10（引證十九）相互勾稽，而認系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容均因IC1000拋光墊之公開使用而喪失新穎性（原審卷第2 冊第54頁反面至55、82頁至反面之本院98年度行專訴字第67號判決第86至87頁第八㈥項、最高行政法院100 年度判字第2223號判決第22至23頁第五㈧項）。
⑹綜上，被上訴人就IC1000拋光墊所提之被證3 至8 、14
至16、27、28無法相互勾稽，且被證3 未具體揭露IC1000拋光墊E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，無從證明系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。⒉SUBA Ⅳ 拋光墊（被證4 至6 、8 、15、27至29）：
⑴被證6 （引證一）、被證5 （引證1-5 ）、27、28無從
作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術，已於前第六㈨⒈⑵、⑶項所述。
⑵被證15係IC1000拋光墊進行試驗並所提出之經裁切送測
之照片影本（原審卷第2 冊第133 至136 頁），與SUBAⅣ拋光墊之技術內容無涉，無從作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術。
⑶被證8 係2012年2 月17日SUBA IV 拋光墊進行動態機械
分析所得結果之簡報資料影本，其中第2 頁揭示E'30/E'90=1.65，第3 頁揭示E'30/E'90=1.60（原審卷第1 冊第274 至277 頁）；被證29係同年2 月17日SUBA IV 拋光墊進行動態機械分析所得結果之簡報資料影本及2012年7 月18日送測之照片影本之簡報資料影本（原審卷第
3 冊第145 至149 頁）。然其所載日期均晚於系爭078專利優先權日（2000年5 月27日），且被證8 僅有樣本的編號（test#1,test#2 ），無從認定是否確為SUBA I
V 拋光墊，又被證29第9 頁僅標示SUBA IV 拋光墊之有效期限為「03/25/2011」，無足認定被證8 、29之樣本是否於系爭078 專利優先權日前即已製造存在之公開產品，自不得作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術。
⑷被證4 係1992年公開發行之Rodd公司型號「SUBA IV 」
拋光墊之產品型錄影本（原審卷第1 冊第246 頁），其公開日早於系爭078 專利之優先權日（2000年5 月27日），可作為判斷系爭078 專利是否具新穎性之先前技術。惟被證4 並未具體揭露該SUBA Ⅳ 拋光墊E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，無從認定被證4 已公開使用致系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項之技術內容成為公知狀態，或處於不特定人得以使用該發明之狀態，自亦無從以被證4 與被證5 、6 、8 、15、27至29相互勾稽，而認系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容均因SUBA I
V 拋光墊之公開使用而喪失新穎性。⑸綜上，被上訴人就SUBA Ⅳ 拋光墊所提之被證4 至6 、
8 、15、27至29無法相互勾稽，且被證4 未具體揭露SU
BA Ⅳ 拋光墊E'(30℃)/E'(90℃) 之比值，無從證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。
⒊被證2 ：
被證2 說明書第1 欄第11至13行揭示：該發明係關於可用於製造半導體元件或類似物之研磨墊，而揭露系爭078 專利申請專利範圍第1 項「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊該襯墊之特徵為」之「用途限定」技術特徵。又被證2 說明書第11欄第25至26行固揭示：30℃與60℃之張力模數比值為1.0 至2.5 ，惟未進一步揭露系爭078 專利申請專利範圍第1 項之30℃與90℃張力模數比值數值範圍的技術特徵，且該數值範圍非為熟習該項技術者參酌被證2 所揭露之前開技術內容與當時既有之技術或知識，即可直接推導其E'(30℃)/E'(90℃) 之比值落於系爭078 專利範圍第1 項界定E'比之數值範圍（1 至3.6）內。故被證2 不足證明系爭078 專利申請專利範圍第1項不具新穎性。
㈩被證10、11之組合可證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
⒈按90年10月24日修正公布之專利法第20條第2 項關於進步
性之規定，係以不具進步性反面規定方式規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依法申請取得發明專利」者，是以判斷所謂進步性之重點，在於所屬技術領域中具有通常知識者，依申請前之先前技術不能輕易完成者而言，而先前技術是否能輕易完成，主要係指具有共通技術特徵之先前技術對系爭078 專利技術內容是否有所揭露、教示或建議，使熟習該項技術者能運用該先前技術所揭露、教示或建議之內容輕易完成者，此係對進步性「先前技術不能輕易完成」構成要件之法律解釋，法院自得就進步性要件為合法之闡釋（原審卷第1 冊第83頁反面至
84 頁 之最高行政法院100 年度判字第2223號判決第23至24頁第五㈨項參照）。另參照參加人所訂定、於83年11月25日公告之專利審查基準第一篇「發明專利審查基準」第二章「專利要件」第1-2-19頁關於進步性判斷原則：「輕易完成，係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有突出的技術特徵或顯然的進步時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而非所能輕完成者。」第1-2-21頁「突出的技術特徵，係指申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基礎，仍不易由邏輯分析、推理或試驗而得者。」⒉系爭078 專利舉發N01 案確定判決固認定引證十九（即本
件被證10，其補強證據為引證19-1即本件被證11）所載之技術內容並未揭示系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，故無法證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性（原審卷第2 冊第48頁反面至52、81頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決第74至81頁第八項、最高行政法院100 年度判字第2223號判決第19頁第五㈢項）。惟被上訴人於本件係以「被證10、11之組合」主張系爭078專利申請專利範圍第1 項不具「進步性」，與前開舉發理由非屬同一，因此，被上訴人得為此主張，本院應就此一爭點自為判斷，無受前開行政確定判決之拘束。故上訴人主張該確定判決實質上亦包含「本件被證10及被證11之組合，無法否定系爭078 專利申請專利範圍第1 項進步性」云云（本院卷第1 冊第188 頁），忽略新穎性與進步性之判斷原則不同，要無足取。
⒊被證10第601 頁「1.Introduction」左欄第1 至6 行、右
欄第4 至6 行揭示有ICl000及SUBA IV 研磨墊為最常被使用於VLSI（very large scale integrated circuits）的化學機械研磨（Chemical-mechanical polishing, CMP）之研磨墊（原審卷第1 冊第284 頁）。又被證11「Introduction to Polymer Viscoelasticity 」，係關於介紹聚合物黏彈性力學（Polymer Viscoelasticity ）之教科書，其中第7 至9 頁教示張力模數（tensile modulus, E）、剪力模數（shear modulus, G）及蒲松比（Poisson'sratio,μ）之定義及其間關係（原審卷第1 冊第287 至28
9 頁反面），雖被證11未教示特別用於研磨墊，惟系爭07
8 專利之研磨墊說明書第21頁第1 至4 行記載：「儘管熱塑性聚胺基甲酸酯(TPU'S) 實例被用來舉例說明本發明，但本發明並不限於TPU'S ，其他熱塑性或熱固性聚合物，諸如耐龍、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯等等也都可以應用，只要可達成關鍵性質標準即可......」（原審卷第1 冊第25頁），亦即熱塑性聚胺基甲酸酯、聚酯等材料均為聚合物，故可認系爭078 專利適用於被證11所教示之聚合物黏彈性力學領域。因此，被證10、11與系爭078 專利均屬相關技術領域，是熟習化學機械研磨拋光墊技術者如欲解決拋光襯墊之問題時，有合理動機參考並組合被證
10、11所揭露之技術內容。⒋將G'值換算成E'值之通常知識：
⑴被證10係使用TA公司之動態機械分析儀DMA 983 儀器（
原審卷第1 冊第284 頁反面之被證10第602 頁2.1 第4至6 行），由被上訴人所提美國海軍大衛泰勒研究中心（David Taylor Research Center）於1990年1 月所出具之研究報告中圖2 、6 、8 、11亦揭示DMA 983 儀器之測試結果可以E'的型式呈現（本院卷第3 冊第9 、14頁反面、16至17頁之被上證9 ）。又依上訴人所提之「美國陸軍研究、開發及工程中心（US Army Research ,Development and Engineering Center）」於1996年1月所出具之研究報告（全文見本院卷第3 冊第70至81頁反面之上證1-1 。至本院卷第1 冊第192 至194 頁之上證1 則為其封面及節本），其中第2 頁揭露DMA 983 儀器所計算之E'、E"、G'、G"數值，第17頁附錄（APPENDIX）亦記載「E'=2(1+σ)G'」（本院卷第1 冊第193 頁、本院卷第3 冊第72頁反面、80頁）。
⑵另由上訴人所提TA公司於1991年12月發行之DMA 983 軟
體使用操作手冊（本院卷第3 冊第82、83頁之上證6 封面、內頁第1 頁）第A-8 頁明確記載G'之公式（其中以β為參數）及E'=2(1+ σ)G' ，且第A-7 頁記載參數β的定義即包含蒲松比σ（本院卷第3 冊第163 頁至反面。有關「蒲松比」《Poisson's ratio 》之符號，有使用「μ」者《如被證11》，亦有使用「σ」者《如本院卷第3 冊第149 頁之上證6 第125 頁所載、以及DMA 98
3 儀器》，並無特定），是DMA 983 儀器之軟體程式在以量測數值計算樣品G'值時，已包含預設的蒲松比（σ），故在計算樣品G'值時，亦同時可計算出樣品的E'值。
⑶此外，TA公司於1990年就DMA 983 儀器之應用說明資料
記載使用DMA 983 儀器可獲得E'值（本院卷第2 冊第14至19頁），且上證1 、上證1-1 第2 頁所載之DMA 983儀器計算獲得E'、E"、G'、G"數值（本院卷第1 冊第19
3 頁，本院卷第3 冊第72頁反面），是以使用動態機械分析儀（如DMA 983 儀器）量測聚合物之E'或G'值，乃系爭078 專利申請（優先權日：2000年5 月27日）前的通常知識。
⑷因此，被證10使用DMA 983 儀器對IC1000拋光墊、SUBA
Ⅳ拋光墊量測G'，並將其蒲松比假設為0.5 （原審卷第
1 冊第284 頁反面之被證10第602 頁第9 至11行），故熟習該項技術者就被證10所揭示之G'值，參酌上述該領域申請前的通常知識，可以換算出得到E'值。
⒌如前所述，被證10第601 頁揭示有ICl000及SUBA IV 研磨
墊適用於VLSI的化學機械研磨，而揭露系爭078 專利申請專利範圍第1 項「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊該襯墊之特徵為」之「用途限定」技術特徵。又被證10第603 頁第3.3 節溫度效應（The temperat
ure effect）第1 段第8 至11行揭示當溫度自30℃升高至90℃時之G'（剪力模數），IC1000拋光墊降低約3 倍，SU
BA IV 拋光墊則僅降低約1.5 倍（原審卷第1 冊第285 頁），第604 頁左欄第4 圖（Fig.4 ）揭示有ICl000及SUBAIV研磨墊的剪力能量儲存模數（shear modulus ）G'與在溫度30℃至90℃間的關係圖（原審卷第1 冊第285 頁反面），可因此得出IC1000拋光墊及SUBA IV 拋光墊G'30/G'9
0 分別為3 及1.5 。此外，被證11第9 頁記載張力模數E（tensile modulus ）、剪力模數G （shear modulus ）及蒲松比μ（Poisson's ratio ）三者間之關係為E=2(1+μ)G（式子2-7 ）（原審卷第1 冊第289 頁反面）。從而，系爭078 專利申請專利範圍第1 項與被證10之差異僅在於界定研磨墊動態機械性質參數的不同（E'、G'），熟習化學機械研磨技術者自被證10、11，運用系爭078 專利申請前既有之技術或知識，即可換算推論系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請之E'值，可依設計需要或從有限的動態機械性質參數選項中而選用聚合物之E'或G'值來界定研磨墊，而可輕易完成系爭078 專利申請專利範圍第1 項。
⒍上訴人雖主張被證10第4 圖所測試之研磨墊，在測試前已
經浸水24小時，且係在潮濕環境下進行量測，則該DMA 所量測之數值，已非該研磨墊本身上之物理性質，與系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項所要求者係針對研磨墊本身顯不相同，無從用以否定其進步性，且兩造於原審鑑定時，對所用DMA 參數或夾具或有不同意見，惟對於樣品本身，即樣品本身不應以任何溶劑處理過，且應置於「相對濕度50% 狀態下」且進行測試時應維持在該狀態下，兩造意見一致，是被上訴人不爭執系爭078 專利申請專利範圍第1項所要求者係研磨墊本身之物理性質，而非曾以溶劑（包含水）處理過，且該物理性質應是依國際測試標準即「相對濕度50% 狀態下」且應維持在該狀態下進行測試云云（本院卷第1 冊第189 至190 頁，本院卷第5 冊第149 頁反面至150 頁）。然查：系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請該拋光襯墊為「一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1 到3.6 的E'比」，僅限定在30℃及90℃時所測得之E'比值，並未界定該研磨墊測試時之狀態究為「乾燥」、抑或「浸水24小時」等限制條件，易言之，無論該測試之拋光墊為「乾燥」，或「浸水24小時」之狀態，均屬系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請之拋光襯墊，自不能以此排除被證10所揭示之測試條件。
再者，由系爭078 專利說明書第22頁第10行至第23頁第10行所述：「有關水解穩定度......在室溫(25)下浸泡於去離子水中24小時後，性質落在上述範圍內。」（原審卷第
1 冊第25頁反面至26頁），且依第23頁之表「參數」欄最末列所示，該襯墊在室溫25℃浸泡於離水水中24小時後，「在30℃和90℃時之E'比」最佳範圍為「1.0-3.5 」（原審卷第1 冊第26頁），與系爭078 專利申請專利範圍第1項所記之數值範圍相當，足證系爭078 專利申請專利範圍第1 項之E'比值包含浸泡於去離子水中24小時後之數值，亦徵兩造於原審囑託鑑定時所設定之鑑定條件符合系爭07
8 專利申請專利範圍第1 項所請，故上訴人此部分主張委無可採。
⒎被證10及被證11雖未明確揭示蒲松比μ的溫度的關係是為
一定值，不同溫度間之E'與G'之比值仍需視蒲松比（μ）而定。而蒲松比（μ）測量不易，且在限定應用範圍內隨環境之變化量通常並非很大，故於實務應用上通常將之視為定值，惟此為實務上應用之約略值，實際上蒲松比（μ）並非定值，而係隨溫度、時間、張力之不同而有所變化（原審卷第2 冊第49頁反面之本院98年度行專訴字第67號判決第76頁第八㈣⒍項參照）。然由於E'與G'係線性（linear）黏彈性（viscoelasticity ）力學所探究之領域，無論溫度是30℃或90℃，均應遵守線性黏彈性之理論，故被證11所揭示之關係（E'30/E'90= [G'30 ×(1+μ30)]/[G'90×(1+μ90)]，或E'30/E'90=[G'30/G'90 ×[(1+μ30)/(1+μ90)] ）仍應適用線性黏彈性之理論。故對熟習該項技術者而言，在動態機械分析的試驗溫度範圍內，蒲松比（μ）雖隨溫度變化而變化，仍應介於一定的數值範圍內，始能適用線性黏彈性的理論。如附表二至四所示之列表分析，在μ30與μ90均介於0 ～0.5 範圍時，(1+μ30)/(1+μ90) 之值介於0.6 ～1.67（如附表二所示），再配合上述關係式及被證10所記載之G'比值，可得出IC1000及SUBA IV 拋光墊E'30/E'90 分別為介於2.0 ～4.50及1.0～2.25（如附表三、四所示），在附表三、四所示之72個可能的數值中有66個（以灰色網底標示者。其比例高達92% ，66÷72=92%）介於系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請之1 ～3.6 間。因此，即使在蒲松比（μ）非為定值的情形下，熟習該項技術者為解決化學機械研磨拋光襯墊拋光後因凹化作用所發生的橫跨金屬結構厚度各處差異的問題，有合理動機參酌被證10所揭示之剪力能量儲存模數G'的比值，再依被證11所揭示之張力模數E 、剪力模數G及蒲松比（μ）之關係E=2(1+μ)G（式子2-7 ），在線性黏彈性之理論下，經由邏輯分析、推理，即可合理預期系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請之E'的比值範圍，而可輕易完成系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容。
⒏有關上揭線性黏彈性理論之假設，業經本院於審理時公開
予兩造陳述意見之機會（本院卷第4 冊第15頁），且參酌被證11第7 頁下方之說明（如附表六所示，原審卷第1 冊第288 頁反面），應力（stress）及應變（strain）係定義在很小變形量之情形，如此受力變形後樣品的斷面積與變形前樣品的斷面積本質上是相等的，亦即在小變形量的情況，始會適用被證11於其後所推導出的E 、G 、Poission's ratio、及E=2(1+μ)G等公式。再者，本院於審理時業將被證10之G'與被證11之E 、G 公開予兩造陳述意見（本院卷第3 冊第23頁）。因此，被證10第4 圖既已在攝氏30度至90度的溫度範圍中求得一系列G'值，即隱含其係適用被證11所教示的小變形量情形，在小變形量情形推導出之蒲松比（μ）換算公式自亦在適用之範圍內，亦即在攝氏30度及90度時均應適用黏彈性力學之假設。從而，被證11已教示G(G') 、E(E') 、E=2(1+u)G 均定義在小變形量情形，且被證10已揭示G'，因被證10係適用小變形量情形，即可得知E=2(1+μ)G亦會適用於被證10。
⒐上訴人又主張依據上證6 （DMA983計算軟體）之內容，被
證10所使用的量測儀器是先測得G'值再依需要配合公式換算成E'值，換算公式包含不確定的蒲松比值，因此不能由被證10所揭示之G'值組合被證11之換算公式得到系爭078專利之E'值範圍云云（本院卷第1 冊第186 至187 頁）。
惟查：
⑴依上訴人所述，對於系爭078 專利申請（優先權日：20
00年5 月27日）前之通常知識（上訴6 ）業已揭示被證10的G'值是可以換算成E'值乙節並不爭執，且如上訴人所援引上證6 之處即第123 頁Table 8.1 item 8記載E'值係由G'換算而得，第124 頁Table 8.1 item 11 記載G'值係由公式⑴（equation 1）計算而得（本院卷第3冊第148 頁至反面）。然依上證6 第126 頁公式⑴之內容包含β（如附表5-1 所示），再由第127 頁合併因子（Combined Quantity ）如附表5-2 所示之β之運算式（本院卷第3 冊第150 頁），可知其亦包含σ，即蒲松比（Poisson's ratio ，上證6 第128 頁，本院卷第3冊第150 頁反面，如附表5-3 所示），故計算G'值需有β，而計算β又需有σ，是以計算G'值需有蒲松比σ。
⑵參酌上證6 附錄A 第A-1 至A-9 頁關於DMA 983 儀器之
運作理論，在第A-8 頁所列之公式（如附表5-4 所示，本院卷第3 冊第163 頁反面），其中所使用「moduli」為「modulus 」的複數形，且G'與E'併列，亦可知在計算出G'值後即可換算成E'值。
⑶另參酌上證6 第19頁，使用者在輸入參數值時，可選擇
輸入固定的蒲松比值，或是輸入涵蓋測試溫度範圍的數個蒲松比－溫度值，再由軟體內插算得隨溫度變化的蒲松比（本院卷第3 冊第96頁），可知蒲松比在計算G'值時是不可或缺的參數。
⑷綜上，上證6 同時揭示在由公式⑴計算G'值時即使用到
蒲松比，亦即蒲松比在計算G'值時是不可或缺的參數之一，故在相同溫度時以計算所得之G'值，配合該蒲松比，自能再換算為唯一相對應的E'值。以被證10所揭示之蒲松比0.5 為例，在整個測試溫度範圍即以該蒲松比值經公式⑴計算而獲得如圖3 所示之一系列G'的數值，由於蒲松比係設定為不隨溫度變化，故可換算得到唯一相對應的一系列E'的數值。因此，上訴人主張被證10係先測量求得E'值再換成G'，其換算公式包含不確定的蒲松比值，無法由被證10所揭示之G'值組合被證11之換算公式得到系爭078 專利之E'值範圍云云，要無足取。
⒑上訴人另主張：IC1000拋光墊與SUBA IV 拋光墊均是發泡
PU（polyurethane）為基質，並摻雜其他材料，依科學文獻（上證7 ）記載，發泡PU材質依其摻雜之材料，蒲松比介於1.0 至-1.0之間，故不能假設蒲松比值在30℃與90℃介於0 至0.5 之間，上訴人逐一代入公式計算，總計800筆數值中376 筆之E'(30℃)/E'(90℃) 落在1 至3.6 間，更有424 筆未落入（高達53% ），顯無相當可能性預期系爭078 專利申請專利範圍第1 項之E'比值云云（本院卷第
5 冊第152 至153 頁）。惟查：⑴上證7 主要係揭示針對特定材質之發泡PU（hyperbranc
hed polymer(HBP) in polyurethane (PU) foams ）之力學行為研究（本院卷第4 冊第115 頁之上證7 第1 頁「ABSTRACT」摘要左欄第2 至3 行），發泡PU的主要用途為絕緣、家俱、包裝及毛氈緩衝，該論文特別是關於應用於機動車座墊材料之研究（同頁之上證7 第1 頁左欄第1 段），雖與系爭078 專利之半導體製程用研磨墊材料同為發泡PU，惟兩者在發泡PU分枝材料及應用領域大不相同，且上證7 僅研究特定材料組成（本院卷第4冊第117 頁之上證7 第2292頁TABLE I ），該發泡PU所獲得之蒲松比結果可否推及適用於所有發泡PU而能直接採用，即非無疑。
⑵又上證7 有關蒲松比之定義記載於第2291頁左欄公式(3
) 「υp=(E/2G)-1」、右欄第2 段（The Poisson rati
o ）及Fig.2 ，且依第2291頁右欄第2 段第4 至8 行記載：「......幾乎所有的一般材料呈現0.2 至0.5 之正蒲松比值(positive Poisson ratios between 0.2 and
0.5) ，特定發泡物之蒲松比值接近1/3 ，依其相對密度與閉孔之數量而有所不同。」（本院卷第4 冊第116頁），第2297頁左欄第4 至6 行記載：「......絕大部分未變形狀態下之發泡物的蒲松比值會趨近於0.3...... 」（本院卷第4 冊第122 頁），第2296頁左欄最末行至右欄第2 行記載：「......公式(3) 僅就小量變形下之等向性、彈性材料有其適用。......」（本院卷第4冊第121 頁）。
⑶上證7 第2296頁右欄下方之圖13固揭露上訴人所稱「發
泡PU材質依其摻雜之材料，蒲松比介於1.0 至-1.0之間」（本院卷第4 冊第106 頁反面、121 頁），然同頁右欄第5 至9 行載明其所獲得之蒲松比，係在樣品單一方向已到達60% 變形量明顯呈現非等向的測試條件下所獲得之「視比值」（apparent ratio ） （本院卷第4 冊第121 頁），既稱「視比值」，即與實際之蒲松比係在等向性、彈性材料在小量變形之情況所獲得的數值有所不同，自不得遽謂「蒲松比的視比值」等同於「蒲松比的實際值」。
⑷如前所述，E'與G'係基於在線性黏彈性區域內的應力－
應變行為而獲得的數值資料，是以不論是在30℃或90℃度的溫度下，均應遵守線性黏彈性之理論。縱使上證7所揭示之特定組成發泡PU之「蒲松比的視比值」可以類推於半導體製程用研磨墊「蒲松比的實際值」，亦僅止於在相同溫度下之「蒲松比的視比值」可能為-1.0至1.
0 ，上證7 並未進一步教示蒲松比視比值隨溫度變化亦會有-1.0至1.0 如此大範圍的變化。再者，上證7 第2296頁右欄第15行至第2297頁左欄第2 行記載：「......在低變形下會出現令人意外、極高的視蒲松比值，其係因發泡物樣本係由頂部與底部裁切，樣本厚度約0.3 毫米（泡體殼層一半厚度的2 倍）會因此產生邊緣效應（edge effects）。」（本院卷第4 冊第121 至122 頁），業已說明過高之蒲松比數值起因於「邊緣效應」；另上證7 第2297頁左欄第3 至6 行記載：「......為克服邊緣效應而壓縮樣本時，其蒲松比值會趨近於0.3 ，此為絕大部分未變形狀態下之發泡物之數值。......」（本院卷第4 冊第122 頁），復說明絕大部分未變形狀態之發泡物，其蒲松比值會趨近於0.3 。是上訴人所稱依上證7 可知發泡PU材質依其摻雜之材料，蒲松比介於1.
0 至-1.0之間云云，要無足採。⑸以上訴人所提「依科學文獻所載發泡PU材質之蒲松比值
介於1 至-1，代入公式計算所得之E'(30℃)/E'(90℃)」表（本院卷第4 冊第112 至114 頁），其中第2 頁末欄第2 行E'30/E'90 為30.0，係在G'30/G'90 為1.5 、μ30為1.0 、μ90為-0.9之條件下所算得。參酌上證7第2291頁左欄第1 圖之示意圖及說明（本院卷第4 冊第
116 頁），在30℃為一方向拉長另一方向縮短，而在90℃則為二方向同時拉長或同時縮短，同一材料在不同溫度而呈現有如此極端的蒲松比視比值，顯非系爭078 專利說明書第14頁倒數第4 至最末行所載在有用的拋光溫度範圍模數將儘可能地小幅且隨溫度增加作線性趨勢之改變之理想半導體製程拋光墊（原審卷第1 冊第21頁反面）。
⑹綜上，上訴人以上證7 主張摻有其他材料之發泡PU之蒲
松氏比介於-1至1 之間，而否認故IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊之蒲松氏比值在30℃與90℃並非介於0 至0.5之間云云，要難採信。
⒒至上訴人援引本院98年度行專訴字第67號判決第八㈣項，
據此主張在蒲松比值可能範圍內，經由公式換算，被證10之G'值在部分情形下或許可換算出其E'(30℃)/E'(90℃)之比值落於系爭078 專利申請專利範圍第1 項界定E'比之數值範圍，惟部分情形亦未落在1 至3.6 之內，而屬不確定，故被證10、11之組合未必揭示系爭078 專利申請專利範圍第1 項界定E'比之數值範圍，是熟悉此項技術者縱使組合被證10與被證11，亦無從輕易完成系爭078 專利申請專利範圍第1 項云云（本院卷第1 冊第184 頁至反面，本院卷第5 冊第151 頁至反面）。惟前已述及，系爭078 專利舉發N01 案確定判決係認定引證十九（即本件被證10，其補強證據為引證19-1即本件被證11）所載之技術內容並未揭示系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，而無法證明該請求項不具新穎性，與本件有關進步性之爭點並不相同。本件重點在於，即使被證10未明白揭露E'的比值，且無法認定蒲松比即為定值，則熟習該項技術者依據被證10揭示之G'值於30℃及90℃之變化量、被證11揭示之換算公式，以及系爭078 專利申請（優先權日：2000年5月27日）前既有之相關技術或知識，經邏輯分析、推理或試驗後是否能預期到系爭078 專利申請專利範圍第1 項界定E'比之數值範圍（1 至3.6 ）內？惟如前所述，系爭07
8 專利亦適用於聚合物黏彈性力學領域，而蒲松比仍應介於一定的數值範圍內始能適用線性黏彈性的理論，故依據被證10所揭示之剪力能量儲存模數G'的比值，熟習該項技術者仍可預期能獲得系爭078 專利申請專利範圍第1 項之E'的比值範圍。
⒓綜上，被證10揭露適用於VLSI化學機械研磨之ICl000及SU
BA IV 研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖，且被證11所揭示之張力模數E 、剪力模數G 及蒲松比（μ）之關係E=2(1+μ)G（式子2-7 ），故熟習該項技術者有合理組合被證10、11之動機。又於系爭078 專利申請專利範圍第
1 項申請時，熟習該項技術者依被證10所揭露適用於VLSI化學機械研磨之IC l000 及SUBA IV 研磨墊的剪能量儲存模數G'與溫度關係圖，依被證11所揭示之張力模數E 、剪力模數G 及蒲松比（μ）之關係E=2(1+μ)G（式子2-7 ），運用申請前既有之有關技術或知識，予以邏輯分析、推理或試驗，可合理預期將被證10之G'比值而得系爭078 專利申請專利範圍第1 項所請之E'的比值範圍，促使熟習該項技術者組合被證10、11，輕易完成系爭078 專利申請專利範圍第1 項之技術內容。是系爭078 專利申請專利範圍第1 項不能超越熟習該項技術者依被證10、11所可預期的技術上的一般發展，未具有突出的技術特徵或顯然的進步，因此，被證10、11之組合可證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
綜上所述，經整體技術特徵比對，系爭078 專利申請專利範
圍第1 項之主要結構與技術已為被證10、11之組合所揭示，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具有進步性。故被上訴人主張系爭078 專利申請專利範圍第1 項有違民國90年10月24日修正公布之專利法第20條第2 項規定，而有應撤銷之原因等語，於法有據。
七、系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項有應撤銷之原因：
㈠查系爭224 專利係於82年6 月21日申請，經經濟部中央標準
局（嗣於88年1 月26日正式改制為智慧財產局）於84年10月21日審定准予專利（系爭224 專利申請000000 00 000 卷第
118 頁），是系爭224 專利有無撤銷之原因，應以核准審定時有效之83年1 月21日修正公布之專利法為斷。
㈡按利用自然法則之技術思想之高度創作，且可供產業上利用
之發明，得依83年1 月21日修正公布之專利法第19條、第20條規定申請取得發明專利。又（第1 項第1 款）凡可供產業上利用之發明，無申請前已見於刊物或已公開使用之情事者，得依法申請取得發明專利，（第2 項）發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依法申請取得發明專利，同法第20條第1 項第1 款、第2 項定有明文。又說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，並限期追繳證書，無法追回者，應公告證書作廢，同法第71條第
3 款亦有明文。而系爭224 專利有無違反同法第20條第1 項第1 款、第2 項、第71條第3 款所定情事而應撤銷其發明專利權，依法應由主張系爭224 專利無效之人（即被上訴人）附具證據證明之。
㈢關於系爭224 專利與各引證之技術比對，就本院所具備有關
之專業知識，以及經技術審查官為意見陳述所得之專業知識，業經本院依智慧財產案件審理法第8 條第1 項、第2 項規定，於審理時詳列各爭點明細，對當事人適當揭露本院所知與本件有關之特殊專業知識，並命當事人陳述意見，令其有辯論之機會，且經當事人充分攻防行言詞辯論（本院卷第3冊第189 至203 頁、本院卷第4 冊第3 頁之審理單、通知、筆錄）。是以本院就涉及專業知識判斷之相關技術爭點業經踐行必要之證據調查程序，並已予當事人有辯論之機會，本院即得參酌當事人所提之意見加以判斷。
㈣系爭224 專利之技術內容：
⒈系爭224 專利所屬之技術領域：
依系爭224 專利之發明專利說明書第4頁【發明說明】之記載，系爭224 專利係有關浸注著聚合微體的聚合物基質及其製備和使用方法，且更特定言之，有關用以磨光材料，例如半導體裝置之製造物件。本發明物可以應用的磨光，平面化和其他操作等所用到的傳統聚合物基質或磨光墊片可能接觸到多種會影響到基質材料選擇的操作狀況。例如，要磨光的工作件之本質變異，磨光速度和壓力，磨光操作中產生的高溫，以及操作中用到的任何磨光漿液之本質等都可能影響到基質的選擇（原審卷第1 冊第128 頁反面）。
⒉系爭224專利之創作目的：
系爭224 專利係針對習知之聚合物磨光片為改良對象，傳統聚合物磨光片常因為聚合反應和摻合程序的不精確控制及最後產品的切割和成形等而使其品質變化不定。因此，施加於被磨光的操作件之磨光特性，例如，表面品質，物料去除率和平面化速率等，通常會在磨片之間造成大幅的差異。傳統的磨光片通常是由多層層合物或層疊基材等所形成，其物理性質會沿磨片的厚度而呈不均勻分佈。廣用以磨光半導體裝置的典型層疊片之例子有Politex Suprem
e 磨光片，係Newark,Delaware 的Rodel Incorported 之市售產品。典型的Politex Supreme 片含有數層，包括一堅固但具彈性，厚1 毫米到2 毫米，由聚酯氈和聚胺基甲酸酯黏合劑所構成的孔洞型底層。在該底層上壓合一厚度約0.05毫米到3 毫米的海綿狀彈性微孔洞型胺基甲酸酯樹脂層。其頂層係由具有垂直錐形孔洞的垂直胺基甲酸酯構造所構成，孔洞的錐形係朝向磨片的頂面漸細。該頂層非常柔軟，呈孔洞型且具彈性。於典型磨光操作中，這種層疊片的頂層會迅速磨耗掉。當頂層磨耗掉時，後接層即暴露出，使得磨片的磨光性質發生變異，導致不一致的磨光率而在操作件表面上造成不一致的磨光特性。傳統的磨光片通常具有結構化表面。磨片的“微型組織”為磨片在製造後的內稟微觀主體組織。會影響傳統磨片所具靜態形態或微觀主體組織的一些因素為操作面的本質或組織，例如，起伏，洞孔，縐紋，稜緣，隙縫，凹陷，突出和裂縫等，以及個別部件或加工點的尺寸，形狀，分佈，頻率或間隔等。於典型磨光片中，磨片的微型組織呈大幅無規形式，係製造方法本身因素造成的結果。因為製造方法所具變數眾多，所以對於變數，例如，孔徑，形狀和分佈等的控制所做嘗試不多。可能影響磨片組織的其他特性，可提及者有硬度，彈性，厚度，滲透性和電阻係數等。“小型組織化”磨片在片上具有中間尺寸的組織化人造點，可能是由於使用雷射所產生，或因為空氣或氣體摻到片材內而產生。“巨型組織”，或較大尺寸的組織化人造點，可經由例如壓紋，削片，穿孔及／或機削等而施加在磨片的操作面上。於傳統磨光片中，個別巨型組織人造點或特點的間隔及／或尺寸通常大於5 毫米。這些人造點的間隔和尺寸通常非常規則且具重複性。傳統磨光片可能包括各種固體粒狀物，例如，氧化鈰，氧化鈦，氧化鋁，碳酸鋇，玻璃粉和纖維，矽藻土，紅鐵粉，碳酸鈣，鑽石，和碳等，通常，這種粒狀物的機械混合與分佈皆為控制不佳者（原審卷第1 冊第128 頁反面至129 頁反面之系爭224 專利說明書第4 至6 頁）。
⒊系爭224 專利之申請專利範圍共35項，其中第1 、8 項為
獨立項，其餘為附屬項（原審卷第1 冊第138 頁反面至14
2 頁）。相關圖式如附圖1 所示。㈤被上訴人所提之引證資料：
⒈IC1000拋光墊（被證10、20、21）：
⑴被證10：西元1995年刊載於Thin Solid Films 000 (00
00) We idan Li. 等人之論文影本（原審卷第1 冊第25
4 至286 頁）。⑵被證20：Rodel 公司1991年型錄暨中譯文（原審卷第3
冊第8 至9 頁），揭示有型號「IC」之產品，其材質為具有微孔之聚胺基甲酸酯，並揭示型號「IC 1000 」之產品的厚度、蕭式硬度（Shores hardness ）及比重。
⑶被證21：Rodel 公司於西元2012年7 月6 日關於IC1000-A2 拋光墊簡報資料（原審卷第4 冊第10至11頁）。
⒉被證22：
⑴被證22為1990年9 月14日公開之日本平0-000000「研磨
バツド」專利暨中譯文（原審卷第4 冊第12至14頁，本院卷第5 冊第24至26頁之上證12），其公開日早於系爭
224 專利之申請日（民國82年6 月21日），可作為判斷系爭224 專利是否具新穎性及進步性之先前技術。
⑵被證22揭示拋光用之研磨墊，其製法包含：將發泡聚胺
基甲酸酯材料中填充微粒、經混練機或分散機使該微粒均勻分散、將含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀而形成厚度0.3 ～2 毫米之片料，而製成研磨墊，該研磨墊之微粒，可選自中空球狀氧化矽（バル－ンシリカ）等粒子（原審卷第4 冊第13頁、本院卷第
5 冊第25頁之被證22第455 頁左上欄第10行至右上欄第14行）。
⒊被證23：
⑴被證23為西元1993年5 月25日公開之美國第5,212,910
號「Composite polishing pad for semiconductor process 」專利暨中譯文（原審卷第4 冊第15至21頁），其公開日早於系爭224 專利之申請日（民國82年6 月21日），可作為判斷系爭224 專利是否具進步性之先前技術。
⑵被證23揭示利用鋸刀（saw blade ）或化學蝕刻等方法
於拋光墊（polishing pad ）上形成一人造點組織（ti
les pattern ），包含相距1 厘米寬之通道（channel）26及被通道26所區隔之人造點（tiles ）25（原審卷第4 冊第15至21頁之被證23說明書第5 欄第42至48行）。第4 圖為其發明一實施例之剖面圖（原審卷第4 冊第17頁。如附圖2 所示）。
㈥專利有效性之爭點判斷：
○○○○先前固以日本平0-000000「研磨バツド」專利（即本件被證22）為引證案一，與其他8 項引證案結合，主張系爭224 專利不具新穎性及進步性，經參加人審查並為「舉發不成立」之處分確定（舉發00000000 N01 002卷第18至16頁）。惟被上訴人於本件民事訴訟，關於系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項不具新穎性及進步性之引證，分別ｊｏ６IC1000拋光墊（被證10、20、21），被證22與IC1000拋光墊（被證10、20、21），以及被證22與IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證23之組合，故被證22固為舉發N01 案之舉發證據，經審查確定，然其實質上與本件應撤銷原因及引證的法律性質即有所差異，非屬同一事實及同一證據，本院即應依上開單一引證或引證組合之技術內容組合是否足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13、17、23項不具新穎性及進步性加以論斷。故上訴人主張為被證22業經審定確認不足以否定系爭224 專利之新穎性及進步性，不得再為相反之認定云云，要無足取。
㈦系爭224 專利未違83年1 月21日修正公布之專利法第71條第
3 款規定：⒈關於「操作表面」及「次表面」：
⑴系爭224 專利說明書第9 頁最末段第1 至4 行記載「本
發明物件10等本身即可用為磨光片或在使用磨光漿的磨光操作中為基質以對半導體裝置......或其他表面等產生所需的表面整理。......」（原審卷第1 冊第131 頁），第10頁第2 段第1 至2 行記載：「物件10等係用以經由磨光操作，例如，研光，平面化，研磨或成形等將操作件（未繪出）的表面（亦未繪出）變更......」（原審卷第1 冊第131 頁反面），第13頁第3 至5 行記載：「......於本發明一較佳實施例中，至少有一部份位於操作面18的聚合微體16' 會在接觸操作環境（未繪出）或磨光漿液時變軟......」（原審卷第1 冊第333 頁）。可見系爭224 專利之磨光片（物件10）係應用於工作件之表面磨光處理，熟習系爭224 專利技術者依上揭說明書之內容，自可瞭解該磨光片之操作環境為磨光操作進行之環境，「操作表面」即為磨光片與操作環境接觸之部分。
⑵系爭224 專利說明書第4 頁第4 段第1 至2 行記載：「
傳統的磨光片通常是由多層層合物或層疊基材等所形成......」（原審卷第1 冊第128 頁反面），第6 頁第2段第：「......其中，該基質的表面可自己再生且不會在該表面與操作件接觸時有明顯地變異。......」（原審卷第1 冊第129 頁反面），可知系爭224 專利發明目的之一在於解決傳統（習知）層疊式之磨光片各層磨光率不一之缺點，而提出非層疊結構之磨光片。因此，系爭224 專利所稱「磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面」，係指操作表面與次表面呈連續且結構相似，非如傳統的磨光片各層間有明顯之界分。
⑶再者，系爭224 專利說明書第21頁第2 段載有「當磨片
12的操作面18透過與半導體裝置表面的滑動接觸而被磨蝕時，部份的次表面24會暴露出來並將次表面24內的微體16予以磨蝕或化學變更或軟化而形成具有類似前面被磨蝕掉的操作面所具物理性質之新的操作表面18。因此之故，與半導體裝置表面接觸的操作面18基本上會連續地再生而在半導體裝置的表面上產生一致的平面化或磨光作用」（原審卷第1 冊第137 頁），足見當「操作表面」磨蝕後，「次表面」隨即曝露而成為新的「操作表面」。
⒉關於「人造點」及「微型組織」：
於系爭224 專利說明書第5 頁第2 段第1 至5 行記載：「傳統的磨光片通常具有結構化表面。磨片的" 微型組織"為磨片在製造後的內稟微觀主體組織。會影響傳統磨片......為操作面的本質或組織…以及個別件加工點的尺寸......」第3 段記載：「" 小型組織化" 磨片在片上具有中間尺寸的組織化人造點，可能是由於使用雷射所產生，或因為空氣或氣體摻到片材內而產生。」第4 段第1 至3 行記載：「" 巨型組織" ，或較大尺寸的組織化人造點，可經由例如壓紋，削片，穿孔及／或機削等而施加在磨片的操作面上......」（原審卷第1 冊第129 頁），是上開內容已明確記載「人造點」及「微型組織」係指描述磨光片製造後表面之形貌。
⒊關於「撓性之聚合微體」：
系爭224 專利說明書第11頁第3 段第2 至4 行記載：「......較佳者，至少一部分的聚微體係概括地軟質者。適當的聚合微體包括無機鹽類，糖類和水溶性膠與樹脂。......」（原審卷第1 冊第132 頁），業已記載至少一部分的聚微體係概括地軟質者，熟習該項技術者即能依此標準選擇適當的軟質材料為聚合微體。另參酌被上訴人所提GRAN
T & HACKH 氏化學辭典第238 頁所示，「flexibility （撓性）」係指「一物體在不斷裂的情況下彎曲之能力」（原審卷第5 冊第229 頁），可知「撓性」乃係描述物體受力時彎曲程度之性質，為任何物體均具有之性質僅在於不同物體撓性「程度」不同而已。
⒋系爭224 專利說明書第14至17頁實施例1 至實施例5 記載
其所請研磨墊之具體製造方式的實施例（原審卷第1 冊第
133 頁反面至135 頁）；第17至20頁實施例6 、實施例7記載在研磨墊的操作表面形成小型或巨型圖案或組織之實施例，亦記載各種數值的具體範圍等實施必要之事項（原審卷第1 冊第135 至136 頁反面）。故系爭224 專利說明書已記載實施必要之事項。
⒌綜上，系爭224 專利發明說明書已記載製造所請研磨墊的
具體實施例，及在研磨墊的操作表面形成小型或巨型圖案或組織之實施例，熟習該項技術者即可依據該說明書所載之內容及申請當時之技術知識，正確理解且能再現系爭22
4 專利申請專利範圍之發明，難謂有實施不可能或困難之情事。
㈧系爭224 專利申請專利範圍第1 項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第1 項：「一種用以磨光一工
作件之表面的磨光片，該磨光片包含浸漬有多數個大體上為撓性之聚合微體的聚合物基質，各聚合微體內部都具有中空空間，該磨光片具有一操作表面及一緊貼該操作表面的次表面，該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分係嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中，其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟，且在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光。」（原審卷第1 冊第
138 頁反面）⒉IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性：
⑴被證10之論文係於西元1995年刊載（原審卷第1 冊第25
4 至286 頁），其公開日晚於系爭224 專利之申請日（民國82年6 月21日），不得作為判斷系爭224 專利是否具新穎性及進步性之先前技術。且其內容僅說明具有微孔之聚胺基甲酸酯與水浸於水中之性質，並未揭示「聚合微體」及「聚合物基質」等相關技術內容。
⑵被證20為Rodel 公司之型錄，右上方載有「ROdeL 」字
樣，右下方載有「12/91 」、電話及傳真號碼，左下方載有「Ⓒ1991 Rodel」字樣（原審卷第3 冊第8 頁），可認為該型錄為Rodel 公司於西元1991年所發行，其公開日早於系爭224 專利之申請日（民國82年6 月21日），可作為判斷系爭224 專利是否具新穎性及進步性之先前技術。固然被證20揭示有型號「IC」之產品，其材質為具有微孔之聚胺基甲酸酯，並揭示型號「IC1000」之產品的厚度、蕭式硬度（Shores hardness ）及比重，但無有關其內部結構之說明，且由其所載之「微孔」並不能直接推得其為聚胺基甲酸酯本身之結構（如發泡聚胺基甲酸酯），或於該聚胺基甲酸酯另混合有中空聚合微體。
⑶被證21為Rodel 公司於西元2012年7 月6 日關於IC1000
- A2拋光墊簡報資料（原審卷第4 冊第10至11頁），其公開日晚於系爭224 專利之申請日（民國82年6 月21日），不得作為判斷系爭224 專利是否具新穎性及進步性之先前技術。且其測試之樣品型號為「IC1000-A2 」，此型號未見於被證20，亦無相關證據證明被證20型號「IC1000」與被證21型號為「IC1000-A2 」二者之關連性，難認被證21與被證20為同一基礎事實之關聯證據。
⑷綜上，被上訴人所提有關IC1000拋光墊之引證，除被證
10、21晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷之先前技術外，被證10、20、21亦未揭示系爭224 專利所請之「聚合微體」及「聚合物基質」等相關技術內容，故IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。
⒊IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合可證明系爭224專利申請專利範圍第1 項不具進步性：
⑴被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）
、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。而被證20（原審卷第3 冊第8 頁）第1 至8 行載有型號「IC」產品為具有微孔之聚胺基甲酸酯研磨墊，其係被設計成具有適當硬度及最小壓縮性的研磨墊，特別適用於製造平坦、精密磨光表面需求的產品，其微孔可以有效地搭配研磨粒子進行研磨來減少工作件表面刮傷，且提供最佳的拋光效果，並於中央的產品內容表（
IC TYPICAL PROPERTIES ）揭示有型號「IC」系列之產品（包含型號「IC1000」之產品）的厚度、蕭式硬度（Shores hardness ）及比重，是被證20之「型號為IC1000之研磨墊產品」，已揭露系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「一種用以磨光一工作件之表面的磨光片」。
又系爭224 專利說明書第10頁第3 段第3 至4 行記載：
磨光片之聚合基質14可用聚胺基甲酸酯樹脂、聚酯等（原審卷第1 冊第131 頁反面）。故被證20之聚胺基甲酸酯研磨墊相當於系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「聚合基質」。
⑵被證22說明書第455 頁左上欄第10行至右上欄第14行揭
示研磨墊製法：「將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒......藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度0.3 ～2 毫米之片料，作成研磨墊。」（原審卷第3 冊第13頁、本院卷第5 冊第25頁），是被證22填充有「微粒」之「發泡聚胺基甲酸酯」所構成之研磨墊，可對應於系爭224 專利申請專利範圍第1 項所請浸漬有「聚合微體」之「聚合物基質」所構成之磨光片。
⑶系爭224 專利申請專利範圍第1 項所請為具有中空空間
聚合微體，且說明書第11頁第11行明確揭示：「......適當的聚合微體包括無機鹽類，糖類和水溶性膠與樹脂。......」（原審卷第1 冊第132 頁）。而被證22說明書第455 頁左上欄第10至16行記載「......高純度合成二氧化矽材料，如空心（中空）球狀二氧化矽......」（原審卷第3 冊第13頁、本院卷第5 冊第25頁第14至15行），揭示微粒子的狀物的例示選用材料，其中高純度合成氧化矽之中空球狀氧化矽微粒亦可視為聚合微體之一種，自可對應系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「內部具有中空空間聚合微體」技術特徵。故上訴人主張被證22申請專利範圍第1 項所揭之二氧化矽中空微粒係具有高硬度的微粒材料，並非系爭224 專利之「具有中空空間的聚合微體」云云（本院卷第5 冊第17頁反面），並非可取。
⑷被證22之研磨墊係由含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂
塊體加工切成片狀後所製得，已於前述，是該片狀體之表面即相當於系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「操作表面」，且被證22之片狀體表面以下的部分（下稱「次表面」）即相當於系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「緊貼操作表面之次表面」，故被證22具有與系爭22
4 專利相同之「在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」技術特徵。
⑸有關「該操作表面比該次表面更軟」之技術特徵：
①就此部分技術特徵，系爭224 專利說明書第20頁第18
至21行記載：「......緊貼操作面18的至少一部份聚合微體16之一部份殼層20可能經由削片，磨蝕，切割和穿刺一部份的殼層20或將一部份殼層20經由化學變更或軟化等而使得操作面18上的一部份聚合微體比次表面24中的微體16較不堅硬。......」（原審卷第1冊第136 頁反面）；第21頁第20至24行亦記載：「......將緊貼操作面18的至少一部聚合微體16的至少一部份殼層20打開之步驟，使得打開的微體16' 比在次表面24內的微體16較不堅硬。打開聚合微體的步驟可包括將一部份該微體16的每個殼層20予以削片，磨蝕，切割和穿刺等中的至少一種方式。......」（原審卷第1 冊第137 頁）②而被證22說明書第456 頁「發明の效果」段明確揭示
該發明之拋光墊與工作件接觸表面的磨耗微小，且可以增加工作件平坦度等功效（原審卷第4 冊第13頁反面，本院卷第5 冊第26頁）。此外，依被證22說明書第455 頁左上欄第10行至右上欄第14行所述之製造方法（即將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒，藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度0.3 ～2 毫米之片料，作成研磨墊。原審卷第
3 冊第13頁，本院卷第5 冊第25頁），於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞，是相較於次表面之氧化矽微粒（完整狀），位於表面者（破開狀）自然較不堅硬。是被證22之製作過程中，不論係在經過加工切成片狀的過程（即被證22說明書第45
5 頁左上欄第10行至右上欄第14行，原審卷第3 冊第13頁、本院卷第5 冊第25頁），抑或在用以實施研磨工作件之表面過程（即實際上在進行研磨時，如被證22說明書第455 頁右下欄第9 至17行實施例所載之實施過程「將本發明的研磨墊以感壓接著劑貼合於直徑500mm 的下研磨盤，接著將3 片直徑4 公分的矽晶片以臘貼合在直徑500mm 的上研磨盤並裝設於研磨機之中......將研磨墊以100rpm回轉一周期20分間來回地研磨」，原審卷第3 冊第13頁，本院卷第5 冊第25頁反面第15行以下），該微粒必然會有磨蝕，均符合系爭224 專利說明書上述之過程，自可獲得系爭224 專利說明書及申請專利範圍第1 項所載較不堅硬的結果。
③再者，參酌系爭224 專利說明書第13頁第16至22行明
確揭示：「本發明的一項優點為在物件10與操作環境接觸時，位於物件10操作表面18的聚合微體16' 會比包埋在次表面24內的聚合微體16較不堅硬。此外，較不堅硬的聚合微體16' 對於聚合物基質14中包圍較不緊固的微體之部份15提供較少支撐，因而減低包圍住該聚合物基質部份15的基質之有效堅硬度。因此之故，在物件10中創造出至少兩種硬度水平，操作表面18通常比次表面24較為軟。」（原審卷第1 冊第133 頁），是以系爭224 專利之操作表面比次表面較為軟之原因，在於聚合微體變得較不堅硬，因此減低對包圍其之聚合物基質的支撐，故而減低對包圍其之聚合物基質的有效堅硬度。而被證22如上所揭示之中空球狀氧化矽微粒在經過加工切成片狀或是實施研磨工作的過程中，均會遭破壞而變得較不堅硬，自亦使得包圍在其周圍的基質變軟。
④因此，被證22雖未明確揭示位於表面者較不堅硬之結
果，但其在加工或是實施研磨的過程中微粒亦遭破壞，相同於系爭224 專利說明書所述打開聚合微體之步驟，被證22自亦可以達到系爭224 專利申請專利範圍第1 項所載之較不堅硬及操作表面比該次表面更軟之目的、功效及結果，當無上訴人所稱被證22有與系爭
224 專利相反之情事。故上訴人主張被證22未揭示位於表面者較不堅硬，反而為硬度增加之相反教示，且被證22所揭示之微粒材料其目的、功能及結果均與系爭224 專利相反云云（本院卷第5 冊第17頁反面至18頁），要無足採。
⑤綜上，熟習該項技術者由被證22研磨墊之製法自可得
知被證22之研磨墊具有同於系爭224 專利申請專利範圍第1 項所界定之「在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比嵌在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟」技術特徵。
⑹上訴人主張被證22所揭示之微粒得為中空球狀氧化矽，
惟該中空球狀氧化矽微粒並不具可撓性，縱經切削而遭破壞，亦不因此而減低其硬度，是被證22之拋光墊表面微粒並不會較次表面微粒不堅硬云云（本院卷第5 冊第
161 頁至反面）。惟查：①按系爭224 專利核准審定時之83年1 月21日修正公布
專利法第22條第3 項至第5 項規定：「（第3 項）第
1 項之說明書，除應載明申請專利範圍外，並應載明有關之先前技術、發明之目的、技術內容、特點及功效，使熟習該項技術者能瞭解其內容並可據以實施。
（第4 項）前項申請專利範圍，應具體指明申請專利之標的、技術內容及特點。（第5 項）說明書、圖式及申請專利範圍之敘述方式，於施行細則定之。」又83年10月3 日修正之專利法施行細則第15條第1 項規定：「本法第22條......說明書應直式橫書由左至右載明下列事項：......發明或新型摘要：應以簡明之文字敘述其申請專利內容之特點。」準此，發明說明應載明「有關之先前技術」、「發明之目的」、「技術內容」、「特點」及「功效」，且使熟習該項技術者能瞭解其內容並可據以實施，是以發明究係針對先前技術所產生之何問題、欲以何技術手段加以解決，自應記載於發明說明，以供公眾瞭解該發明是否增進功效而具備進步性。倘若發明申請人未記載其所欲解決之技術問題及功效於發明說明，無由容許其事後另行增添原先所無之結構或功效。
②雖被證22未明確揭示其中空球狀氧化矽具有撓性，然
綜觀系爭224 專利說明書全文，除於系爭224 專利申請專利範圍第1 項第1 、23至25、27、28、35項述及「撓性之聚合微體」外，別無其他文字或圖式說明有關「撓性」之定義與功效，而系爭224 專利申請專利範圍第1 項並未明確界定「撓性」之範圍，其說明書亦未說明或以實施例佐證「撓性」對所請之磨光片產生任何功效，是於功效上仍無法具體區隔系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「撓性之聚合微體」與被證22之「氧化矽微粒」之差異。因此，尚不足以系爭22
4 專利申請專利範圍第1 項界定聚合微體大體上具撓性之性質，遽謂系爭224 專利具進步性。
③上訴人雖稱凡熟知此項技術者均知，不具可撓性顆粒
（如玻璃珠）縱使經切削而破壞後，其硬度並不會改變；但具有撓性之顆粒經切削而破壞後，其硬度將隨之改變云云（本院卷第5 冊第161 頁反面）。惟撓性與硬度並不具有必然的因果關係，撓性係與形狀結構有關，以鐵與塑膠為例，鐵雖比塑膠為硬，但鐵線可以拗折，塑膠管卻不易拗折，是鐵線較塑膠管更具撓性。而上訴人所稱之玻璃珠，係因其屬實心結構，始會造成破壞前與破壞後之硬度相同的結果。故上訴人此部分主張，不足採信。
④上訴人另主張系爭224 專利申請專利範圍第1 項之在
磨光片操作表面的聚合微體較不堅硬的技術特徵，即源自於於聚合微體之「大體上為撓性」性質，當該聚合微體「大體上為撓性」時，在與操作環境接觸時，位在操作表面上之聚合微體因曝露於該操作環境，致該聚合微體遭到破壞，進而該聚合微體硬度隨之改變，故形成上開較不堅硬的情形云云（本院卷第5 冊第
161 頁反面至162 頁）。惟查系爭224 專利申請專利範圍第1 項所請乃上位的「接觸」而變不堅硬，且於系爭224 專利發明說明中關於變得不堅硬的機制，僅有系爭224 專利說明書第20頁第18至21行、第21頁第20至24行有關的機械性加工變不堅硬之記載（原審卷第1 冊第136 頁反面、137 頁），以及第22頁第15至第20行所載：「於另一實施例中......可被操作環境所化學變更或軟化使得......較不堅硬......」（原審卷第1 冊第137 頁反面），綜觀系爭224 專利之發明說明全文，皆未提及聚合微體具「撓性」之特徵，更無從以聚合微體具撓性而推論其因「破壞」變得不堅硬的結果。是系爭224 專利申請專利範圍第1 項及其說明書均未上揭「撓性」、「破壞」而致不堅硬結果之因果關係，亦不易推知，故上訴人此部分主張亦無可取。
⑤上訴人再主張系爭224 專利拋光墊在缺陷密度上，相
對於習知拋光墊IC60（與被證22相同亦以不具撓性之氧化矽，作為其微體）優異3 倍（原證46），且系爭
224 專利說明書第4 圖亦揭示其拋光速率較習知拋光墊快四倍，參酌系爭224 專利申請專利範圍第1 項最末記載「......在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」可知，前開功效自是源自「大體上為撓性」之聚合微體云云（本院卷第5冊第162 頁）。然查：原證46為一機密文件（原審卷第5 冊第105 、110 至113 頁），非屬系爭224 專利申請前習知技術之一部分。且此僅比較IC60與IC1000研磨結果之"Particles vs. Wafer Polished"，不足證明IC60以氧化矽作為微體而IC1000為具撓性聚合微體。又參酌系爭224 專利說明書第14頁第24行至第15頁第7 行關於第4 圖之實際說明（原審卷第1 冊第13
3 頁反面至134 頁），其係比較研磨墊有無微體對平面化速率的關係，並非上訴人所稱具有撓性之聚合微體。倘若要凸顯有無撓性之功效，應係以「具撓性的微體」與「不具撓性的微體」此2 種研磨墊為比較對象始具說服力，故上訴人此部分主張委無可取。⑺綜上，被證20係被設計成具有適當硬度及最小壓縮性的
研磨墊，特別適用於製造平坦、精密磨光表面需求的產品，被證22之發明名稱即為「研磨墊」（原審卷第3 冊第12頁、本院卷第5 冊第24頁之被證22說明書第453 頁左欄「1.發明の名稱」），系爭224 專利之發明名稱為「磨光片」，故三者之技術領域屬於相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域，是熟習系爭224 專利技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術（被證20、22）而完成系爭224 專利申請專利範圍第1 項之發明應無困難。而系爭224 專利申請專利範圍第1 項「聚合微體」、「聚合物基質」、「操作表面」及「次表面」共構之磨光片結構已見於被證22之研磨墊，被證20亦已揭露系爭224 專利申請專利範圍第1 項之「聚合物基質」，且熟習該項技術者將被證22所揭示之具中空球狀氧化矽之技術，組合IC1000拋光墊（被證20）具微孔之聚胺基甲酸酯研磨墊，可以獲得被證20所教示之減少工作件表面刮傷，且提供最佳的拋光效果，以及如被證22說明書第456 頁「發明の效果」所教示之拋光墊與工作件接觸表面的磨耗微小及增加工作件平坦度等功效（原審卷第3 冊第13頁反面、本院卷第5 冊第26頁）。雖系爭
224 專利申請專利範圍第1 項進一步界定其聚合微體「大體上為撓性」，惟該差異並未產生無法預期之功效，亦無法具體區隔與先前技術之差異，難謂系爭224 專利申請專利範圍第1 項非運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，是IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑻至上訴人主張：被證22中所揭之二氧化矽中空微粒係具
有高硬度的微粒材料（詳被證22申請專利範圍第1 項之記載），並非系爭224 專利之「具有中空空間的聚合微體」，亦非用於磨光工作件，而是用於支撐研磨墊結構以避免研磨墊在磨光過程中因與研磨液接觸（即暴露於操作環境）而導致結構劣化，更不具有系爭224 專利「該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光」之技術特徵云云（本院卷第5 冊第17頁反面）。被證22申請專利範圍第1 項固如上訴人所稱係具有高硬度的微粒材料（原審卷第3 冊第12頁、本院卷第5 冊第24頁），惟該請求項末尚記有其含量為0.5 ～50容量% ，由50% 之記載，足見被證22既可用於支撐研磨墊結構，同時亦可以與基質研磨工作件。此外，被證20與被證22之組合具有與系爭224 專利申請專利範圍第1 項具有相同的結構（中空狀聚合微體），當然可以產生相同的功效（即磨光工作件）。故上訴人此部分主張，要難採信。
㈨系爭224 專利申請專利範圍第8 項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第8 項為直接依附於第1 項獨
立項之附屬項：「如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體各具有小於150 微米的平均直徑。」（原審卷第1 冊第139 頁）⒉IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第8 項不具新穎性：
如前第七㈦⒉項所述，被證10、20、21無法證明系爭224專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，而系爭224 專利申請專利範圍第8 項為依附於第1 項之附屬項，故IC1000拋光墊（被證10、20、21）亦無法證明系爭224 專利申請專利範圍第8 項不具新穎性。
⒊IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合可證明系爭224專利申請專利範圍第8 項不具進步性：
被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又系爭224 專利申請專利範圍第8 項進一步界定申請專利範圍第1 項之聚合微體各具有小於150 微米的平均直徑。
如前第七㈧⒊項所述，IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，且被證22揭示之微粒直徑為300 微米以下，而系爭
224 專利申請專利範圍第8 項係界定平均粒徑小於150 微米，二者界定方式雖有不同，然在同屬數百微米級範圍內改變微粒直徑大小，對熟習該項技術者而言並無困難。況系爭224 專利並未說明或以實施例佐證在該聚合微體平均粒徑範圍，對磨光片之功效及影響是無法預期的等情。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合亦可證明系爭224 專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
㈩系爭224 專利申請專利範圍第11項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第11項為直接依附於第1 項獨
立項之附屬項：「如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份之形狀大體上為球形。」（原審卷第1 冊第139 頁）⒉IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第11項不具新穎性：
如前第七㈦⒉項所述，被證10、20、21無法證明系爭224專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，而系爭224 專利申請專利範圍第11項為依附於第1 項之附屬項，故IC1000拋光墊（被證10、20、21）亦無法證明系爭224 專利申請專利範圍第11項不具新穎性。
⒊IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合可證明系爭224專利申請專利範圍第11項不具進步性：
被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又系爭224 專利申請專利範圍第11項進一步界定申請專利範圍第1 項之聚合微體至少一部份之形狀大體上為球形。
如前第七㈧⒊項所述，IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，且被證22已揭露中空球狀氧化矽微粒，可知其亦應大體上呈球形。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合亦可證明系爭224 專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
系爭224 專利申請專利範圍第13項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第13項為直接依附於第1 項獨
立項之附屬項：「如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該聚合微體之至少一部份具有可穿透的殼層使得該中空空間可開放於該操作環境。」（原審卷第1 冊第139 頁反面）⒉IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第13項不具新穎性：
如前第七㈦⒉項所述，被證10、20、21無法證明系爭224專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，而系爭224 專利申請專利範圍第13項為依附於第1 項之附屬項，故IC1000拋光墊（被證10、20、21）亦無法證明系爭224 專利申請專利範圍第13項不具新穎性。
⒊IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合可證明系爭224號專利申請專利範圍第13項不具進步性：
被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又系爭224 專利申請專利範圍第13項進一步界定申請專利範圍第1 項之聚合微體至少一部份具有可穿透的殼層使得該中空空間可開放於該操作環境。如前第七㈧⒊項所述，IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭22
4 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，且被證22之加工切片過程，即其說明書即被證22說明書第455 頁左上欄第10行至右上欄第14行所揭示之研磨墊製法：「將發泡聚胺基甲酸酯材料中填充微粒......藉由混練機或分散機使該微粒均勻分散，最後將製得之含有微粒之發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切成片狀，形成厚度0.3 ～2 毫米之片料，作成研磨墊。」（原審卷第3 冊第13頁、本院卷第5 冊第25頁），是以被證22係使用與系爭224 專利之材料（中空狀聚合微體），經過相同的加工程序步驟（即切片），可以推知其能產生與系爭224 專利相同之結果（即殼層結構會受破壞而開放於該操作環境），亦即被證22研磨墊於發泡聚胺基甲酸酯樹脂塊體加工切片過程中，位於片狀體表面之中空球狀氧化矽微粒之殼層結構自會受破壞而開放於該操作環境。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合亦可證明系爭224 專利申請專利範圍第13項不具進步性。
系爭224 專利申請專利範圍第17項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第17項為直接依附於第1 項獨
立項之附屬項：「如申請專利範圍第1 項所述之磨光片，其中該操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點。」（原審卷第1 冊第139 頁反面）⒉IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第17項不具新穎性：
如前第七㈦⒉項所述，被證10、20、21無法證明系爭224專利申請專利範圍第1 項不具新穎性，而系爭224 專利申請專利範圍第17項為依附於第1 項之附屬項，故IC1000拋光墊（被證10、20、21）亦無法證明系爭224 專利申請專利範圍第17項不具新穎性。
⒊IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合無法證明系爭22
4 專利申請專利範圍第17項不具進步性：被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又系爭224 專利申請專利範圍第17項進一步界定申請專利範圍第1 項之操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，該微型組織內含具有寬度小於1000微米之人造點。
雖如前第七㈧⒊項所述，IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，然IC1000拋光墊（被證20）、22均未揭示或教示操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合無法證明系爭224 專利申請專利範圍第17項不具進步性。
⒋IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合可證明系爭
224 專利申請專利範圍第17項不具進步性：⑴如前第七㈧⒊項所述，IC1000拋光墊（被證20）、被證
22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，且被證23說明書第5 欄第42至47行已揭示：
拋光墊（polishing pad ）亦已揭示利用鋸刀或化學蝕刻等方法於拋光墊上形成一人造點組織（tiles patter
n ），包含相距1 厘米寬之通道（channel ）26及被通道26所區隔之人造點（tiles ）25（原審卷第3 冊第19頁反面）。
⑵綜上，被證23名稱為「供半導體製程之複合拋光墊」，
與被證20、22、系爭224 專利係屬相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域，是熟習系爭224 專利技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術（被證20、
22 、23 ）而完成系爭224 專利申請專利範圍第17項之發明應無困難。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合可證明系爭224 專利申請專利範圍第17項不具進步性。
系爭224 專利申請專利範圍第23項：
⒈系爭224 專利申請專利範圍第23項：「一種用以磨光工作
件表面的磨光片，包含一聚合基質，其浸漬有多個大體上為撓性之聚合微體，各聚合基質內部都具有中空空間，該物件具有一組織化之操作表面及緊貼該操作表面的次表面，該聚合微體之一部分係在該操作表面上且曝露於一操作環境中，該聚合微體之另一部分嵌在該磨光片中而未曝露於該操作環境中，該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點，其中當該磨光片與該操作環境接觸時，由於在該操作表面上之該聚合微體的該部分之曝露於該操作環境中，在該磨光片操作表面的該聚合微體會比包埋在該次表面內的聚合微體較不堅硬，而導致該操作表面比該次表面更軟，且在該操作表面中之該基質與該聚合微體二者皆使該工作件完成磨光。」（原審卷第1 冊第140 頁）⒉經比對系爭224 專利申請專利範圍第23項與第1 項之技術
內容，其差異僅在於第23項更包含有「該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點」之技術特徵。
⒊IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第23項不具新穎性：
被上訴人所提有關IC1000拋光墊之引證，除被證10、21晚於系爭224 專利申請日而不得作為判斷新穎性之先前技術外，被證10、20、21亦未揭示系爭224 專利所請之「聚合微體」及「聚合物基質」等相關技術內容（其理由同如前第七㈧⒉項所述），故IC1000拋光墊（被證10、20、21）無法證明系爭224 專利申請專利範圍第23項不具新穎性。
⒋IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合無法證明系爭22
4 專利申請專利範圍第23項不具進步性：被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224 專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又被證20、22均未揭示或教示操作表面更包含一與該磨光片成一體的微型組織，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合無法證明系爭224 專利申請專利範圍第23項不具進步性。
⒌IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合可證明系爭
224 專利申請專利範圍第23項不具進步性：⑴被上訴人於此雖主張IC1000拋光墊（被證10、20、21）
、被證22之組合，惟被證10、21之公開日晚於系爭224專利之申請日而不得作為判斷進步性之先前技術，已於前述。又如前第七㈧⒊項所述，IC 1000 拋光墊（被證20）、被證22之組合足以證明系爭224 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，而系爭224 專利申請專利範圍第23項之技術內容，除「該組織化之操作表面與該磨光片及在該操作表面上之該聚合微體之該部分成一體且包括一人造點」之技術特徵外，其餘技術特徵均與系爭224專利申請專利範圍第1 項相同，故熟習該項技術者得運用系爭224 專利申請前既有之技術或知識（即IC1000拋光墊《被證20》、被證22），而能輕易完成系爭224 專利申請專利範圍第23項中與第1 項相同之技術特徵。
⑵另被證23說明書第5 欄第42至47行已揭示：拋光墊（po
lishing pad ），以及利用鋸刀或化學蝕刻等方法於拋光墊上形成一人造點組織（tiles pattern ），包含相距1 厘米寬之通道（channel ）26、及被通道26所區隔之人造點（tiles ）25（原審卷第3 冊第19頁反面）。
而如前所述，被證20、22、23與系爭224 專利係屬相同的用於磨光工作件表面的磨光墊之技術領域。故對熟習系爭224 專利技術者而言，組合上述相同技術領域之先前技術（IC1000拋光墊《被證20》、被證22、23），而完成系爭224 專利申請專利範圍第23項之發明應無困難。系爭224 專利復無何突出的技術特徵或顯然的進步，故IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合亦可證明系爭224 專利申請專利範圍第23項不具進步性。
綜上所述，經整體技術特徵比對，系爭224 專利申請專利範
圍第1 、8 、11、13、17、23項之主要結構與技術已分別為IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合，與IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合所揭示，係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具有進步性。故被上訴人主張系爭224 專利上開申請專利範圍有違83年1 月21日修正公布之專利法第20條第2 項規定，而有應撤銷之原因等語，於法有據。
八、從而，被證10、11之組合可證明系爭078 專利申請專利範圍第1 項不具進步性，IC1000拋光墊（被證20）、被證22之組合可證明系爭224 專利申請專利範圍第1 、8 、11、13項不具進步性，IC1000拋光墊（被證20）、被證22、23之組合可證明系爭224 專利申請專利範圍第17、23項不具進步性，而有撤銷之原因，依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定，上訴人於本件民事訴訟中不得對於被上訴人主張系爭二專利之權利。因此，上訴人依專利法相關規定，請求被上訴人不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口系爭四產品，並請求被上訴人應給付10,000,000元及自起訴狀繕本送達被上訴人之翌日起至清償日止按年息5%計算之利息，均無理由，不應准許，其假執行之聲請，亦失所依附，應併予駁回。原審為上訴人敗訴之判決，即無不合。上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應予駁回其上訴。
九、因系爭二專利有應撤銷之理由（不具進步性），故兩造其餘之攻擊或防禦方法（即侵權與否、不行為之請求、損害賠償之計算《本院卷第1 冊第77頁反面至79頁》等），及未經援用之證據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本判決之結果，自無逐一詳予論駁之必要，併此敘明。
據上論結，本件上訴為無理由，依民事訴訟法第449 條第1 項、第78條，判決如主文。
中 華 民 國 103 年 1 月 29 日
智慧財產法院第三庭
審判長法 官 汪漢卿
法 官 陳容正法 官 蔡惠如以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀（均須按他造當事人之人數附繕本）。上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，另應附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466 條之1 第1項但書或第2 項（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中 華 民 國 103 年 2 月 5 日
書記官 林佳蘋附註：
民事訴訟法第466條之1（第1項、第2項）：
對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其他法定代理人具有律師資格者，不在此限。
上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。