智慧財產法院民事判決103年度民專上字第28號上訴人美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司（RohmandHaasElectronicMaterialsCMPHoldings,Inc.）法定代理人BlakeT.Biederman訴訟代理人黃麗蓉律師輔佐人劉尚志訴訟代理人馮達發律師輔佐人陳文章上二訴訟代理人輔佐人單寶荃被上訴人美商奈平科技股份有限公司（NexPlanarCorporation）法定代理人黃衛訴訟代理人王仁君律師徐瑞毅律師被上訴人華立企業股份有限公司法定代理人張瑞欽訴訟代理人林哲誠律師羅秀培律師上列當事人間排除侵害專利權等事件，上訴人對於中華民國103年5月20日本院102年度民專訴字第95號第一審判決提起上訴，1本院於105年5月19日言詞辯論終結，判決如下：
主文上訴駁回。
第二審訴訟費用由上訴人負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
一、按民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法）（最高法院98年度台上字第2259號判決意旨參照）。依據涉外民事法律適用法第1條規定：「涉外民事，本法未規定者，適用其他法律之規定，其他法律無規定者，依法理」。而涉外民事法律適用法中並無關於國際管轄權之規定，故依該法第1條之規定，應適用民事訴訟法之規定，定涉外民事事件之管轄法院（最高法院100年度台上字第310號判決意旨參照）。查上訴人美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司（下稱上訴人）、被上訴人美商奈平科技股份有限公司（下稱被上訴人奈平公司）均係依美國法律設立之法人，有上訴人公司委任狀公認證正本（見原審卷一第9至12頁、本院卷一第49至52頁）、被上訴人奈平公司登記資料（見原審卷一第137頁）在卷可憑，故本件為涉外民事事件。
二、次按訴訟，由被告住所地之法院管轄。被告住所地之法院不能行使職權者，由其居所地之法院管轄。訴之原因事實發生於被告居所地者，亦得由其居所地之法院管轄；對於私法人或其他得為訴訟當事人之團體之訴訟，由其主事務所或主營業所所在地之法院管轄；因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，我國民事訴訟法第1條第1項、第2條第2項、2第15條第1項分別定有明文。上訴人主張被上訴人奈平公司及華立企業股份有限公司（下稱被上訴人華立公司）於我國境內侵害其就中華民國發明第165490號「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」專利（下稱系爭專利）所享有之專利權，且被上訴人華立公司之主事務所在臺灣境內，故我國法院就本件涉外民事事件有國際管轄權。
三、又按專利法所保護之智慧財產權益所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產法院有管轄權，智慧財產法院組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條復有明文。是本院對本件涉外事件有管轄權，並適用涉外民事法律適用法定本件涉外事件之準據法。而以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第42條第1項定有明文。查上訴人於我國依法取得系爭專利之專利權，於民國（下同）102年6月13日起訴主張被上訴人在我國有侵害其專利權之行為，故本件準據法應適用我國現行民事法律及專利法之相關規定。
四、再按未經認許其成立之外國法人，雖不能認其為法人，然仍不失為非法人之團體，苟該非法人團體設有代表人或管理人者，依民事訴訟法第40條第3項規定，自有當事人能力。至其在臺灣是否設有事務所或營業所則非所問（最高法院50年台上字第1898號判例意旨參照）。查上訴人係未經認許之外國法人，依上訴人所提委任狀公認證正本，上訴人設有董事長（President）乙000000000000000（見原審卷一第11頁、本院卷一第52頁），依民事訴訟法第40條第3項規定，上訴人既設有代表人，即不失為非法人團體，自有當事人能力。又外國公司應在中華民國境內指定其訴訟及非訴訟之代理人，並以之為在中華民國境內之公司負責人3，公司法第372條第2項定有明文。被上訴人奈平公司已經我國認許，並指定丁○為我國境內之訴訟及非訟代理人，此有該公司登記資料在卷可憑（見原審卷一第137頁），揆諸前開規定，本件訴訟自應以丁○為被上訴人奈平公司之法定代理人，併此敘明。
貳、實體方面：
一、上訴人主張：
(一)上訴人為全球知名之研磨材料及設備之廠商，產品包括半導體製程須使用之研磨液及研磨墊等。上訴人於我國取得系爭專利之專利權，專利期間自91年11月1日至110年5月24日止。被上訴人奈平公司之主要產品為使用於半導體製程之化學機械研磨墊。被上訴人奈平公司於100年9月9日參與我國之SEMICON展覽會時，在現場提供其研磨墊產品簡報。依該簡報顯示，其研磨墊產品均係用於半導體製程之化學機械研磨墊，亦即用於平面化一半導體元件或其先質表面之研磨墊，且共分成四型：S-Groove、SXR-Groove、E-Groove及A-Groove。被上訴人奈平公司並委託被上訴人華立公司為我國之代理商，對我國半導體廠商銷售其S-Groove型（產品型號為NEXX-09A2-29S-30-128TS-4CFX、NEXX-09AZ-29S-30-128TS-4CF，下稱系爭產品1）及SXR-Groove型（產品型號為E7070-20SXR-70-00A、7070-20SXR-70-00A，下稱系爭產品2）等研磨墊產品。智慧財產法院於另案上訴人主張系爭產品侵害我國第176078號專利（下稱078專利）之民事侵權事件中，將系爭產品委請財團法人塑膠工業技術發展中心（下稱塑膠工業發展中心）進行分析，依據該中心出具之試驗報告，可知系爭二產品侵害系爭專利請求項1。上訴人依專利法第96條第1項與第2項、第97條及民法第185條第1項規定，請4求排除及防止被上訴人等侵害專利權之行為，並請求被上訴人等連帶負損害賠償責任。
(二)系爭專利請求項1之更正，符合更正審定時之專利法第64條第1項第1款，且未違反同法第64條第2項之規定：
上訴人於101年2月21日申請更正時，將原系爭專利請求項5「根據申請專利範圍第1項之拋光襯墊，其中該彈性儲存模數比，E'，在30℃及90℃時係在約1到約4之範圍內。」，加入「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之限制條件後，併入原系爭專利請求項1而成為「……一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內……」。原系爭專利請求項5對於「該彈性儲存模數比，E'，在30℃及90℃時係在約1到約4之範圍內」之量測方法本無限制，故可採用各式量測方法。如使用DMA在20弳度/秒頻率下量測；或是使用其他種測量E'值之儀器進行量測，只要該E'(30℃)／E'(90℃)之比值在1至4之間，即落入該申請專利範圍。而併入之「其在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」條件，顯然係對於E'(30℃)／E'(90℃)比值之量測方法加入限制。亦即須是採用該量測方法所產生之E'(30℃)／E'(90℃)之比值在1至4之間，方落入該申請專利範圍。故加入「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之限制條件，實係原系爭專利請求項5之減縮，且未實質變更申請專利範圍。故原系爭專利請求項1之更正，符合99年專利法第64條第1項第1款，並未違反同條第2項之規定。
(三)關於系爭專利申請專利範圍之解釋：
1.關於更正後系爭專利請求項1「三角形」與「六角形」之解釋：
5參照系爭專利說明書第9頁第3段記載之內容可知，其既明確記載「此種表面凹槽設計包括，但不限於……」，亦即在「但不限於」之例示，均僅係系爭專利說明書關於凹槽圖案之例示，系爭專利說明書並已表明不受此限制，而前開段落所載「可為同心或螺旋形凹槽的圓形凹槽」之文義，亦僅表示該圓形凹槽得為同心或螺旋形，惟並未表示「同心」必須限定為「同心圓」，又前開段落所載「諸如六角形、三角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案」之文義，既未表示「三角形」與「六角形」內不得有其他凹槽，更未表示「同心三角形」與「同心六角形」並非規則圖案。
2.關於更正後系爭專利請求項1「鋪網底形」之解釋：參照系爭專利說明書第9頁第3段記載之內容可知，「排列如橫跨襯墊表面之X-Y方格的鋪網底圖案」之「X-Y方格」應為「鋪網底形」之例示之一，則此與「鋪網底形」中文文義即「網底部形狀」一致，得以支持該項文義解釋。故「鋪網底形」中文文義即已明確為「網底部形狀」，自無須探究系爭專利之外文本。
(四)更正後系爭專利請求項1具專利有效性：
1.系爭專利說明書並未違反90年專利法第71條第3款規定：系爭專利說明書比較實例1，係先前技術之拋光墊，並非系爭專利之發明。且該比較實例1之記載係參照美國第5,578,362號與第5,900,164號專利所揭示之拋光墊製作方法，以製作比較之用之拋光墊，而前開二美國專利說明書均已詳載該拋光墊之製作方法，熟悉此項技術者均可據以製作該二美國專利說明書之拋光墊。系爭專利說明書比較實例2，亦為先前技術之拋光墊，並非系爭專利之發明。而該比較實例2具體表明援用美國第6,022,268號專利，以製作比較之用之拋光墊，而此美國6專利即為被證10。該美國專利在說明書第10欄第10行以下已具體記載其拋光墊之製作方法，熟悉此項技術者均可據以製作該兩件美國專利說明書之拋光墊。況系爭專利說明書比較實例2明確記載，係援用前開美國專利之「鑄模法」，而非援用前開美國專利拋光墊之組成。系爭專利說明書實例3記載使用類似實例1所述之鑄造法的填充與非填充拋光墊之製造，並接續說明其與實例1之差異之處，又系爭專利說明書實例4記載使用類似實例2所述之鑄造法，並表明採用比較實例2之模鑄條件，故熟悉此項技術者得據以實施。
2.IC1000、SUBAIV拋光墊分別與被證9、30、31之組合，均無法證明更正後系爭專利請求項1不具進步性：
後系爭專利請求項1第1技術特徵即「一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊」，亦即該拋光墊係用以平面化半導體元件或其先質表面，並未為先前技術所揭露。參照被證28第2頁內容可知，SUBA拋光墊須與其他拋光墊併用，且是作為內墊之用，而非用以平面化半導體元件或其先質表面之拋光層。此亦有被證9揭示RODEL公司供應由IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊所組成之雙層拋光墊足證。故SUBAIV拋光墊不符更正後系爭專利請求項1第1技術特徵。又被證28雖亦記載：SUBA拋光墊適合用於半導體晶體云云，惟此既非半導體元件或其先質表面，故亦證SUBAIV拋光墊並非用於平面化半導體元件或其先質表面。尤見，SUBAIV拋光墊不符更正後系爭專利請求項1第1技術特徵。
1之第4技術特徵為「該拋光層有一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」，亦即該E'(30℃)E'(90℃)之比值必須係DMA在10弳度／7秒即頻率為1.6Hz條件進行測試之數據，惟被上訴人所提出之IC1000拋光墊DMA數據，亦即被證5、6，卻係在頻率1.0Hz（約：6.28弳度／秒）條件下所為之測試，顯與更正後系爭專利請求項1之第4技術特徵不同，況參照智慧財產法院98年行專訴字第67號判決及最高行政法院100年度判字第2223號判決意旨可知，被證5與6並不具證據能力。又078專利請求項1並無「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之限定，足見在系爭專利優先權日之前，對於熟悉此項技術領域者而言，DMA測量頻率差異對於E'(30℃)／E'(90℃)之比值是否有重大影響，屬於未知領域。既屬於未知領域，則熟知此項技術者自無從由被上訴人所提證據，推知更正後系爭專利請求項1之第4技術特徵。
同時解決凹化作用，惟被證9、30、31均未提及其凹槽之目的在於解決凹化作用，且此目的與被證9所揭示之凹槽目的，性質顯不相同；被證30更為反向教示，明確表明其凹槽目的在於解決凸化現象，與系爭專利在於解決凹化作用之發明目的相反；被證31更明確表明其採用大、小凹槽目的在於產生高拋光能力，與凹化作用毫無關聯。故雖被證9、30、31所揭示之凹槽深度、寬度、間距之範圍，與更正後系爭專利請求項1第6技術特徵之凹槽深度、寬度、間距之範圍，有部分重疊，惟系爭專利係藉由控制凹槽寬度、深度、間距，以解決凹化作用，而被證9、30、31並未提及此種解決性質不相同之凹化作用之技術特徵。則依90年專利審查基準第1-2-26頁規定，相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1之第6技術特徵係不同性質之技術特徵，具有進步性。
IC1000拋8光墊與被證9、30、31，以解決凹化作用。故熟悉此項技術者並不會組合IC1000拋光墊與被證9、30、31，以完成更正後系爭專利請求項1。而IC1000拋光墊「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例」，係屬未知；相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1之第6技術特徵係不同性質之技術特徵，均如前述，故縱組合IC1000拋光墊與被證9、30、31，熟悉此項技術者亦無從輕易完成更正後系爭專利請求項1。尤以被證9揭示得使用一種由IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊所組成之雙層拋光墊，亦即被證9已反向教示熟悉此項技術者必須同時結合IC1000拋光墊、SUBAIV拋光墊與被證9，且IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊組合後之「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例」亦屬未知；被證30更為反向教示，明確表明其凹槽目的在於解決凸化現象；被證31係採用大、小凹槽，且用以產生高拋光能力，相對於IC1000拋光墊、被證9與通常知識或IC1000拋光墊、被證30及31之組合，無法否定更正後系爭專利請求項1之進步性。
3.被證10及11分別與被證9、30、31之組合，均無法證明更正後系爭專利請求項1不具進步性：
10係關於一種應用於半導體之拋光墊，實施例係揭示將前開高分子材料混合後進行反應所產生之單一高分子材料，再經烘烤等數步驟加工，以製備成該拋光墊。依其第10欄所載實施例：在製備該材料後，尚須在200℉下進行五個小時烘烤，再於70℉下進行射出以形成該拋光墊。被證10完全未記載該拋光層之E'在30℃與90℃時之比例數值，自未揭示「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法」進行量測。被證11係揭示一種材料，並非一種拋光墊，故其所示之材料須進一步9加工，方得成為拋光墊。被證11並未揭示其發明之所有材料之彈性儲存模數「在30℃到90℃時之E'比」，僅得由該第1圖至第4圖或可推出其實施例一至三所揭示之彈性儲存模數「在30℃與90℃時之E'比」。故被證11與更正後系爭專利請求項1第4技術特徵有關者，至多僅被證11之實施例一至三，自未揭示係「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法」進行量測。被證11實施例一至三均明載係用作彈性磁性記錄媒材，並非用於拋光墊。
10與被證11均未揭示其係「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法」進行量測。被證11或可推出彈性儲存模數「在30℃與90℃時之E'比」者，係第1圖至第4圖之實施例一至三，惟實施例一至三均表明該材料係用作彈性磁性記錄媒材，而此實已構成反向教示，熟悉此項技術者自不會將此與被證10結合以產製拋光墊。況被證10與被證11彼此間之技術本質亦顯然相異而難以結合，被證10、11自無法結合而揭示更正後系爭專利請求項1第4技術特徵。
90年專利審查基準1-2-26規定，相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1第6技術特徵係不同性質之技術特徵，具有進步性，均已如前述。且所有之被證均未教示、暗示熟悉此項技術者得結合被證10與11與被證9、30、31，以解決凹化作用。故熟悉此項技術者並不會將被證10及11與被證9、30、31組合，以完成更正後系爭專利請求項1。又被證11明確教示實施例一至三均是用作彈性磁性記錄媒材，並非用於拋光墊；相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1之第6技術特徵係不同性質之技術特徵，亦如前述，故縱將被證10及11與被證9、30、31組合，熟悉此項技術者亦無從輕易完成更正後系爭專利請求項1。尤以被證30更為反向教示明10確表明其凹槽目的在於解決凸化現象；被證31係採用大、小凹槽，且用以產生高拋光能力，則相對於被證10、11分別與被證9、30及31之組合，均無法否定更正後系爭專利請求項1之進步性。
4.被證12及13分別與被證9、30、31之組合，均無法證明更正後系爭專利請求項1不具進步性：
13僅揭示E=2(1+σ)G（σ為蒲松比值），而參照智慧財產法院98年度行專訴字第67號行政確定判決：被證12僅揭示IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊之剪應力模數(G')，並非張力模數(E')，被證12並未在「在10弳度／秒之頻率」進行DMA量測，更未在「在10弳度／秒之頻率」進行E'值之量測。
被證12並未指示SUBAIV拋光墊及IC1000拋光墊是否為均質或等向性材料；而被證13已明白表示E=2(1+μ)G公式僅適用於等向性材料；在欠缺均質或等向性材料之資訊下，不可能在本情形下決定是否適合使用蒲松比值；系爭專利申請前之科學文獻清楚記載：對於具有孔洞之等向性聚氨酯發泡材料，其蒲松比值可為負值，可能範圍為－1至0.5且對於複合材料，其蒲松比值計算將更為複雜，而須使用到含有K（容積彈性模數）與G（剪力模數）等參數之一系列微分方程式，且該蒲松比值可能隨著該複合材料成分比例而變化；SUBAIV拋光墊與IC1000拋光墊均是孔洞性複合材料，而被證12並未提供容積彈性模數、剪力模數及成分比例，故並無法依方程式決定蒲松比值；DMA測試頻率確實影響受測樣品之張力模數E'，因被證12並非在10弳度／秒頻率下測試，故不可能決定SUBAIV拋光墊及IC1000拋光墊是否落入更正後系爭專利請求項1所11界定之範圍內；被證12在第603頁第3.3節載明，係將樣品浸入水內24小時後，進行量測，惟系爭專利是參考ASTMD402-90標準測試方法，而以DMA測試浸於水中樣品之張力模數，並不符合標準ASTM操作或是標準DMA條件。故被證13之公式E=2(1+μ)G僅得適用於等向性材料，且不適用於複合材料，自無法由被證12與被證13推知IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊之E'(30℃)／E'(90℃)之比值，而須進行一獨立實驗方可得知。
在系爭專利優先權日前，並無熟悉此項技術者有結合被證12與被證13之理由，縱將之結合，熟悉此項技術者將被證12所教示之G'數值，轉換成系爭490專利所申請之E'數值時，仍需進行大量實驗，始能確定相關溫度下之E'比值的結果：
1第4技術特徵為不同溫度下之張力模數比值。被證12則係屬一學術文章，針對IC1000拋光墊與SUBAIV拋光墊進行測試，其中揭示於不同溫度下之剪應力模數值。被證13則係揭示一基礎科學理論公式，於判斷系爭專利之進步性時，應避免後見偏差之防止，判斷有無結合此二被證之理由，得以輕易完成系爭專利之技術特徵以定之。於判斷有無結合此二被證之理由，應以與更正後系爭專利請求項具備共通部分之被證12為基礎，判斷所屬領域中具有通常知識者，是否會認知將該被證12變更為E'值，並尋求系爭專利請求項1第4技術特徵之特定溫度下E'值比數之利益所在。若為肯定，則需進一步探詢該所屬領域中具有通常知識者，是否可能輕易將被證12與被證13相結合，亦即無須另行相當之實驗或其他科學實證，即可推知或確認被證12與被證13可以結合，而結合之結果亦可輕易得知。此判斷應注意被證12所測試12之材料，並無證據證明該材料為等向性材料。依智慧財產法院98年行專訴字第67號行政判決、最高行政法院100年度判字第2223號行政判決，應不認該拋光墊為等向性材料。而被證13本身有所教示，其所揭示之公式，僅適用於等向性材料。則該所屬領域中具有通常知識者，根據此二被證文件本身之教示，並無將其相結合之理由。亦即在前提不同之情況下，科學原理或公式不得直接推導至其他條件之情境，任何具有基本科學訓練者皆知此理。故熟悉此相關技術者，並無將此二前提互不適用之引證互相套用之理由。
12與被證13，運用此二被證所揭示既有之技術或知識，熟習該項技術者亦無法輕易完成本項發明，因被證13僅係一科學基礎理論，需要大量實驗始可應用：
被證12、13，一為學術研究，一為科學原理，均未達實用階段，且被證13僅揭示等向性材料一般之基本科學原理，參照美國專利審查指南2144.02條，科學原理之作用，需要有證據如實驗資料證明之。亦即被證13所揭示之科學論理，如作為系爭專利之先前技術，需證實該理論已經無須其他證明方式，才得與其他先前技術組合，用以否定系爭專利進步性之作用。被證13本身針對其適用前提有所限制，該科學理論於被證12之先前技術並不適用，自欠缺組合理由，而無法否定系爭專利之進步性。另參照美國進步性理論，如科學理論無法防止大量實驗之需要，則無法排除涉案專利之進步性，則依我國專利法觀之，此即依申請前之先前技術不能「完成」或不能「輕易完成」者。
12、13技術文件均未達實用階段，尤以被證13僅揭示等向性材料之基本科學原理，對該領域有通常知識之人，此二引證案之結合違反科學訓練之基本概念，其結合應無理由。即使13將其結合，其結合之結果，亦需進行實驗加以驗證，無法達到「完成」系爭專利發明之結果。
12所測試之SUBAIV拋光墊與IC1000拋光墊是否為等向性材料，兩拋光墊均係複合材料。然依系爭專利優先權日前之習知技術，複合材料並不適用被證13之E=2(1+μ)G公式，而須使用較為複雜之含有容積彈性模數（bulkmodulus）之方程式，方得將G值轉換成E值。故熟悉此項技術者實無理由將被證12與13結合，故更正後系爭專利請求項1相對於被證12與13，自具有進步性。
90年專利審查基準1-2-26規定，相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1第6技術特徵係不同性質之技術特徵，具有進步性，均已如前述。且所有之被證均未教示、暗示熟悉此項技術者得結合被證12與13與被證9、30、31，以解決凹化作用。故熟悉此項技術者並不會將被證12及13與被證
9、30、31組合，以完成更正後系爭專利請求項1。又被證12與被證13均未揭示「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例」；被證11明白教示實施例一至三均是用作彈性磁性記錄媒材，並非用於拋光墊，相對於被證9、30、31，更正後系爭專利請求項1之第6技術特徵係不同性質之技術特徵，亦如前述，故縱將被證12及13與被證9、30、31組合，熟悉此項技術者亦無從輕易完成更正後系爭專利請求項1。尤以被證30更為反向教示明確表明其凹槽目的在於解決凸化現象；被證31係採用大、小凹槽，且用以產生高拋光能力，則相對於被證12、13分別與被證9、30及31之組合，均無法否定更正後系爭專利請求項1之進步性。
(五)系爭二產品落入更正後系爭專利請求項1之申請專利範圍，被14上訴人等共同不法侵害系爭專利：
1.依塑膠工業發展中心出具之報告，可證系爭二產品落入更正後系爭專利請求項1之申請專利範圍：
1之技術特徵可分為七部分，技術特徵1為「一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊」、技術特徵2為「該拋光襯墊具有一用來平面化該表面之拋光層」、技術特徵3為「該拋光層有一硬度、一張力模數及一能量損失因子KEL」、技術特徵4為「該拋光層有一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」、技術特徵5為「該拋光層有一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構」、技術特徵6為「該凹槽圖案具有：一約75到約2,540微米凹槽深度；一約125到約1,270微米凹槽寬度；以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」、技術特徵7為「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。」。
1、2均係平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵1之文義範圍；系爭產品1、2均具有一用來平面化該表面之拋光層，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵2之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層均有一硬度、一張力模數及一能量損失因子KEL，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵3之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層均有一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法進行量測，在30℃和90℃時的比例係3.8，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵4之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層有一具有多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵5之文15義範圍；系爭產品1、2之凹槽圖案具有：一約826微米凹槽深度；一約673微米凹槽寬度；以及一約3,000微米的凹槽間距，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵6之文義範圍；系爭產品1、2之凹槽圖案為「網底部形狀」，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵7之文義範圍。
1之文義範圍，系爭二產品亦均等侵害更正後系爭專利請求項1：
系爭專利係藉由控制凹槽寬度、深度、間距，以達成平面化並同時解決凹化作用凹槽圖案並非系爭專利之核心技術特徵，對於系爭專利發明貢獻甚微。且系爭產品1之「同心16邊形凹槽」，與更正後系爭專利請求項1之「同心圓凹槽」；系爭產品1之「16條直線凹槽與16邊形凹槽」所構成之凹槽圖形，與更正後系爭專利請求項1之「16組三角形凹槽」；系爭產品2之「同心10邊形凹槽」，與更正後系爭專利請求項1之「同心圓凹槽」或「同心六邊形凹槽」。故系爭二產品無論在技術手段、功能、結果，均與更正後系爭專利請求項1實質相同。
2.縱依臺灣科技大學就本案受智慧財產法院委託進行鑑定所出具之檢測報告（下稱台科大檢測報告），亦可證系爭二產品侵害更正後系爭專利請求項1：
1、2均係平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵1之文義範圍；系爭產品1、2均具有一用來平面化該表面之拋光層，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵2之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層均有一硬度、一張力模數及一能量損失因子KEL，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵3之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層均有一彈性儲存模數，E'，其在10弳度16／秒之頻率下利用動態機械分佈法進行量測，在30℃和90℃時的比例係1到4之間，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵4之文義範圍；系爭產品1、2之拋光層有一具有多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵5之文義範圍；系爭產品1、2之凹槽圖案具有：一約780微米凹槽深度；一約610微米凹槽寬度；以及一約2310微米的凹槽間距，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵6之文義範圍；系爭產品1、2之凹槽圖案為「網底部形狀」，落入更正後系爭專利請求項1技術特徵7之文義範圍。
2在乾燥情況下以1.6Hz頻率對平行溝槽取樣量測而得之E'(30℃／90℃)，均在1至4之間，故文義符合更正後系爭專利請求項1第4技術特徵。另系爭產品1在乾燥情況下以
1.6Hz頻率對平行溝槽取樣量測而得之E'(30℃／90℃)，均大於4。惟倘認更正後系爭專利請求項1並未特定於乾燥拋光墊，亦包括浸泡於水中24小時之拋光墊時，則依台科大檢測報告可知，系爭產品1在浸泡水中24小時情況下以1.6Hz頻率對平行溝槽取樣量測而得之E'(30℃／90℃)，均在1至4之間，故文義符合更正後系爭專利請求項1第4技術特徵。
1「鋪網底形」之中文文義，即是「網底部形狀」，已如前述，而系爭二產品之凹槽圖案均為鋪網底形，故其確已文義符合更正後系爭專利請求項1第7技術特徵。
(六)關於損害賠償及排除侵害：
1.被上訴人奈平公司於100年9月9日在我國之半導體展即SEMICONTaiwanCMPUG上，公開宣佈銷售系爭二產品，且以被上訴人華立公司為在台之代理商。故應以該日為本件損害賠償計算之始日。被上訴人奈平公司產銷、輸入系爭拋光墊，以被上訴人華立公司為台灣代理商，共同於我國進行系爭二產品之17販賣、為販賣之要約，並將之儲放於被上訴人華立公司倉庫，被上訴人等顯係共同侵害系爭專利。
2.上訴人於100年11月21日智慧財產法院執行系爭產品之保全證據時，上訴人所生產之拋光墊相關產品市場售價每片均遠超過600美元。故在前開時間點，系爭二產品市場價格約為每片600美元，其後系爭二產品之價格應高於600美元。另於上開執行保全證據時，被上訴人華立公司出示「庫存表」至少尚有500片系爭二產品，被上訴人華立公司自同年9月開始代理系爭二產品即有庫存至少500片，而此數量僅係起步階段。被上訴人等已正式販賣系爭二產品，且迄今每年均持續進口。故系爭二產品每年輸入我國之數量必遠超過500片，以100年11月21日至105年3月20日，共4年4個月期間計算，被上訴人等至少輸入、販賣系爭二產品2,167片，再依著名市調公司CSIMarket,Inc.之統計資料，半導體產品之毛利率至少達50%，故系爭二產品之毛利亦應至少有50%。綜上所述，被上訴人等共同侵害系爭專利而獲有利益為600美元／片×2,167片×50%=650,100美元。倘以臺灣銀行105年3月21日牌告美元兌新臺幣1：32.4匯率轉換，被上訴人等共同侵害系爭專利請求項1而獲有利益新臺幣（下同）21,063,240元，此尚未計算被上訴人故意侵害系爭專利之三倍損害賠償。故上訴人請被上訴人等連帶賠償1,000萬元，應屬有理。另關於禁止被上訴人等於判決確定後繼續製造、販賣、為販賣之要約或為前述目的而進口，係依現行專利法第96條第1項請求。爰起訴請求：1.被上訴人等不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣使用或為上述目的而進口S-Groove型及SXR-Groove型之研磨墊。2.被上訴人應連帶給付上訴人1,000萬元整及自102年6月20日起至清償日止按年息百分之5計算之利息。3.前二項18請求，原告願供擔保，請准宣告假執行。
二、被上訴人奈平公司、華立公司則以：
(一)系爭專利請求項1之更正不應准許：相較於公告時之系爭專利申請專利範圍，更正後系爭專利請求項1係將更正前系爭專利請求項5之附屬項改寫為獨立項，並加入「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之技術特徵。而前開加入之技術特徵並未記載於更正前任一申請專利範圍，縱於發明說明中有所揭露，顯為公告時申請專利範圍未涵蓋之技術內容。另原公告之申請專利範圍未定義任何測量方法與條件，並無任何有關「測量方法與條件」之技術特徵，故該新增之有關測量方法與條件之技術特徵並非「更正前申請專利範圍所載技術特徵之下位概念技術特徵」，亦非「更正前申請專利範圍所載技術特徵進一步界定之技術特徵」，構成「引進非屬更正前申請專利範圍所載技術特徵之下位概念技術特徵或進一步界定之技術特徵」之更正，依據專利審查基準核屬實質變更申請專利範圍，不應准許，而應予撤銷。而依系爭專利核准更正時之專利審查基準，「申請專利範圍之更正理由即使符合『申請專利範圍之減縮』之事項，仍應注意更正後不得實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍。」，故申請專利範圍之減縮與有無實質變更顯屬二事，則系爭專利請求項1之更正已涉及實質變更，不應准許。
(二)關於系爭專利請求項1中「三角形」、「六角形」、「鋪網底形」之解釋：
1.關於系爭專利請求項1中「三角形」、「六角形」之解釋：1既將其凹槽圖案以「同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」加以定義，其明確指出有「同心圓形」，卻不包含「同心三角形19」或「同心六角形」，顯見所謂「三角形」或「六角形」必定不包含「同心三角形」或「同心六角形」，否則系爭專利之申請人必定會另以「同心三角形」、「同心六角形」描述之。
30第5欄第33至35行、第11欄10至14行之內容可知，無論係「多邊形投影」、「多邊形突出部位」或該圖5A上之「投影330」，該先前技術顯係認為凹槽形狀是指「凹槽所圍出的突出部位」之形狀。另參被證31第4欄第67行至第5欄第4行之內容亦可知，上訴人前身之Rodel公司既已自承拋光墊之凹槽圖案為「表面圖樣投影」，則所謂凹槽圖案顯係指「凹槽所圍出的突出部位」之形狀。再被證32明確將拋光墊中「三角形」、「六角形」之凹槽圖案以圖7與圖8表示，由圖7、8可知該等「三角形」、「六角形」皆指「凹槽所圍出的突出部位」之形狀。
2.關於系爭專利請求項1中「鋪網底形」之解釋：關於「鋪網底形」實難由文字上理解，此由以「鋪網底形」為關鍵字於知名搜尋引擎搜尋所得結果為零，即可知「鋪網底形」一詞非通用文字，且參照最高行政法院等相關實務見解可知，關於中文專利說明書之文字存有疑義時，仍得參酌原來外文意義或參酌對應之外國專利其中所使用之外文字，以助釐清中文專利之真意，則參酌系爭專利於100年5月3日申請時所提出之外文本請求項1之文字（"saidgroovepatternisconcentric,spiral,cross-hatched,X-Ygrid,hexagonal,triangular,fractaloracombinationthereof."），中文申請專利範圍請求項1之「鋪網底形」應係對應於英文「cross-hatched」而言。而於Webster'sUnabridgedDictionary中對英文「cross-hatch」之定義，其係指「由二或多組平行線相交所組成之圖形」（tomarkorshadewithtwoormoreintersectingseriesofparallellines）。TheNew20OxfordDictionaryofEnglish之解釋亦同，將「cross-hatch」定義為「由若干組平行線相交構成之圖形【"shade(anarea)withintersectingsetsofparallellines"】。則因系爭專利請求項1所稱「鋪網底形」之文字確有疑義，故參酌系爭專利外文本之內部證據及外文字典之外部證據，將「鋪網底形」解釋為「由若干組平行線相交構成之圖形」，亦符合最高行政法院之相關實務見解。
(三)系爭二產品並未侵害系爭專利：
1.系爭二產品之凹槽圖案與系爭專利請求項1所請之「同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」不同：
「鋪網底形」實難由文字上予以理解，縱為解釋，亦應理解為「由若干組平行線相交構成之圖形」之義，已如前述。且系爭二產品之凹槽圖案完全不同，如認一種屬鋪網底形，另一種即不可能屬鋪網底形，更可知系爭專利請求項1中「鋪網底形」之文字實無法理解。故系爭產品自未落入系爭專利請求項1該無法理解之專利申請範圍內。
或「六邊形」之均等範圍：
系爭二產品並無所謂由大小不同之三角形、六角形構成「同心三角形」、「同心六角形」，故無論如何解釋系爭專利請求項1中「三角形」、「六角形」之凹槽圖案，皆無法涵蓋系爭產品之凹槽圖案。系爭二產品關於凹槽圖案之「技術手段」與系爭專利請求項1所請凹槽圖案之技術手段實質上完全不同，且可達成之結果與系爭專利請求項1亦有顯著不同，故系爭二產品並未落入「同心圓形」、「三角形」、或「六角形」之均等21範圍。
1之凹槽圖案並非「三角形」：
系爭產品1之宏觀凹槽圖案為由互不交會之放射狀直線，與正16邊形所構成，且其中由內算起之第二圈凹槽並不連續。系爭專利請求項1所謂凹槽圖案為「三角形」，係指「由凹槽所圍繞而成的凸出物為一完整三角形的最小單元，凸出物內不具有其他凹槽，再將其排列成規則的宏觀圖案」。系爭產品1之宏觀結構為同心16邊形構造之凹槽結構，凸出物之最小單元完全沒有三角形，故不可能落入該請求項所稱凹槽圖案為三角形之文義範圍。
同心圓」之均等範圍：
系爭產品2之宏觀凹槽圖案為正十邊形。無論如何解釋系爭專利請求項1之凹槽圖案，系爭產品2之凹槽圖案顯非三角形、六邊形或同心圓形。則系爭產品1為由互不交會之放射狀直線與正十六邊形所構成，且其中由內算起之第二圈凹槽並不連續，系爭產品2之宏觀凹槽圖案為正十邊形，均已如前述，系爭二產品關於凹槽圖案之「技術手段」與系爭專利請求項1所請凹槽圖案之技術手段實質上完全不同，且可達成之「結果」與系爭專利請求項1均有顯著不同。
2.台科大檢測報告足證系爭二產品並未侵害系爭專利：E'(30℃)／E'(90℃)比值結果，受測產品經浸泡之測試樣本切片如以受測產品之長邊與凹槽紋路垂直之方向（下稱垂直方向）取樣，所有樣本之E'(30℃／90℃)比值均落於系爭專利請求項1之範圍外。因研磨墊實際操作時，晶圓台會自轉，且研磨墊會在晶圓下方旋轉，其目的即在於使晶圓於實際進行研磨時，能不22斷接觸研磨墊本體之塊狀區域及研磨墊上之溝槽，故受測樣品切片如長邊與溝槽方向垂直，將使樣品切片具有最多數量之研磨墊塊狀區域及溝槽，故更符合操作實務。另以「垂直方向」取樣更符合ISO標準之要求。而依台科大檢測報告，「E7070-20SXR-70-00A」拋光墊產品（下稱「E7070拋光墊）」）及「NEXX-09AZ-29S-30-128TS-4CF」拋光墊產品（下稱「09AZ拋光墊」）如以「垂直方式」取樣，浸泡後樣本之E'(30℃/90℃)比值全數落於系爭專利請求項1所請之E'比值範圍外。足證受測產品並未侵害系爭專利。
過一半之E'(30℃／90℃)比值落於系爭專利請求項1所請之範圍外。縱有特定樣品落入請求項之E'範圍，因該部分試驗數據差異甚大，顯示測試數據之精確度及正確性實屬有疑。依台科大檢測報告，E7070拋光墊產品乾燥樣本如以垂直方向取樣，其E'(30℃/90℃)比值有3個落於請求項範圍外。09AZ拋光墊以此等方式取樣之乾燥樣本之E'(30℃/90℃)比值亦有一半落於請求項範圍外。因依系爭專利請求項1之文字，鑑定機關本應對受測產品之全部進行鑑定，惟如因本件動態機械分析儀限制而需將受測產品裁切樣品而予以測量，如有任一部分即本件檢測報告之樣品切片之測量結果，未落入系爭專利請求項1之範圍，即應認定系爭產品未落入該請求項。依台科大檢測報告，應認定被上訴人之產品並未侵害系爭專利。09AZ拋光墊以垂直方向取樣之乾燥樣本之E'(30℃／90℃)比值有一半落於請求項範圍外、一半落於請求項範圍內。惟因此二組不同結果之數值彼此間之有相當大的統計上差異（高達36%），已超越科學實驗可容忍之誤差範圍，故此部分之測量數據之精確度與正確性，實屬有疑。
23樣（下稱平行方向取樣），其E'比值仍落於請求項範圍之外。依台科大檢測報告，對受測產品以垂直方向取樣或以平行方向取樣所得之E'(30℃／90℃)比值完全不同。以裁切自E7070拋光墊之經浸泡樣品切片為例，其以垂直方向取樣之樣品片之E'(30℃)/E'(90℃)比值最小為0.81，而以平行方向取樣之樣品片之E'(30℃)/E'(90℃)比值竟可高達4.22。而以平行方式取樣所得之E7070拋光墊所測得之E'比值，8個比值中有1個落於系爭專利請求項範圍之外，而裁切自09AZ拋光墊之樣品切片亦有一半落於請求項範圍外，仍不足證明受測產品落入系爭專利請求項1中。綜上所述，若台科大檢測報告內容全部正確，本檢測報告已證明系爭產品被上訴人之E'(30℃)／E'(90℃)比值並未落入系爭專利請求項1內。
(四)更正後系爭專利請求項1應屬無效：
1.被證12、13分別與被證9；被證30；或被證31之先前技術組合，均足以證明更正後系爭專利請求項1不具進步性：
先前技術之組合已揭露系爭專利請求項1「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的E'比例係在約1到約4之範圍內」之技術特徵：
1之技術內容，因所有拋光墊之拋光層皆具有一硬度、一張力模數及一能量損失因子KEL等物理性質，此為公知且無庸舉證之事實，且更正後系爭專利請求項1未就該等參數作數值上之限定，故此部分自非屬請求項之技術特徵。參照被證12第604頁圖4所示之剪力模數對溫度之曲線圖，SUBAIV拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數分別為43及28MPa，而IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數則分別為90及32MPa，且被證12第2.1節已揭露「蒲松氏24比(Poisson'sratio)為0.5」之假設。又被證13揭示一材料之拉伸模數E與剪力模數G間之關係式為「E=2(1+μ)G」，其中μ為蒲松氏比；亦即倘一材料之拉伸模數、剪力模數及蒲松氏比三者已知其二，則剩餘之第三者可輕易藉由該關係式計算而得。參照另案智慧財產法院102年度民專上字第46號判決，依被證12與13之組合，在蒲松氏比為0至0.5之範圍計算之IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊之E'比值可能範圍，即可明確得知SUBAIV拋光墊所有之E'30／E'90之數值皆位於1到4之範圍內，且IC1000拋光墊之E'30／E'90數值亦有高達92%之可能性位於1到4。
078專利請求項1與系爭專利請求項1之實質技術內容並無不同，且系爭專利請求項1界定之「在30℃和90℃時之E'比值」廣於078專利，而078專利請求項1既經最高法院103年度台上字第2409號判決，以被證12與13之組合認定不具進步性並判定應予無效確定，則系爭專利請求項1有關E'比值之技術特徵相較於被證12、13等先前技術組合，自應被認定不具進步性而同屬無效。被證13雖僅記載：「由等向性固體之彈性理論，E與G與D與J的關係為E=2(1+μ)G」（Fromthetheoryofelasticityofisotropicsolids,onehastherelationshipbetweenEandGandDandJthatE=2(1+μ)G…….），並未記載該公式僅適用等向性材料，惟參照被證24即美國柏克萊加州大學機械工程學系首席講座教授DavidDornfeld教授出具之專家意見書可知，一材料僅需大致上具有等向性，即可適用被證13所揭示之「E=2(1+μ)G」之關係式，且據其觀察IC1000拋光墊樣本的掃描式電子顯微鏡照片，IC1000拋光墊材料確具有等向性，此由被上證17至19亦可證。被證13在提出關係式「E=2(1+μ)G」後之相關說明段落中，除未表示該關係25式對非均質材料並不適用，反附帶說明「非均質材料」之蒲松氏比會較橡膠類之0.5為低，足見該關係式「E=2(1+μ)G」顯亦得適用於計算非均質材料例如複合材料之G值、E值換算。且技藝人士縱使用上證7所附文獻3中包含「容積彈性模數K」之關係式(8)算出複合材料之蒲松氏比，仍可使用被證13之「E=2(1+μ)G」關係式轉換該材料之E值與G值，故關係式(8)並非用以取代關係式「E=2(1+μ)G」，其與關係式「E=2(1+μ)G」並非互斥、而係互補之關係。
0至0.5之間：
一般材料之蒲松氏比均為正值。而有多篇學術文獻已明確指出IC1000拋光墊之蒲松氏比為0至0.5之間，且最高法院及智慧財產法院在與系爭專利實質相同之078專利訴訟中，亦認定IC1000、SUBAIV拋光墊之蒲松氏比應介於0至0.5之間。甚或由上訴人所提出之專家意見書，亦說明只有在極少例外情況下之材料方具有負值之蒲松氏比。另上證19係上訴人將被上訴人在另案所提IC1000拋光墊測試數據簡報資料，所做之斷章取義呈現，被上訴人之測試係顯示有高達90%之數值為正值，且縱以出現蒲松式比可為負值之特定數據計算，IC1000拋光墊之E'(30℃／90℃)比值仍為2.21而揭露了系爭專利請求項1所請之E'(30℃／90℃)比值。
12縱未明白揭露本請求項所載「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」之技術特徵，惟頻率之改變僅為試驗條件之簡單變化，所屬技術領域具有通常知識者仍可基於被證12、13及系爭專利優先權日前所屬技術領域之通常知識，輕易完成系爭專利請求項1有關具有特定E'比值之拋光墊發明。況被證12第4圖足證動態機械分析測試頻率之差異對E'(30℃)／E'(90℃)之比值無重大影響，且系爭專利說明書
26、更正申請書亦未針對增加此等技術特徵究會使系爭專利相較於先前技術增加任何不可預期之功效，益證系爭專利未因增加「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」技術特徵即具有進步性。且依據審查基準，頻率之改變本為試驗條件之簡單變化，由上訴人所提之ASTM與ISO等國際量測標準，亦可知「0.01至100Hz」之頻率本為動態機械分析法測量張力模數所得採用之測試條件，故更正後系爭專利請求項1使用「10弳度／秒」(即1.6Hz)之頻率實為一般公知且習用之測試頻率，僅為通常試驗條件之記載。且由078專利說明書中已提及「在一40℃之溫度與10弳度(或弧度)／秒之頻率下，利用動態機械分析法來測量模數，(E')……」，亦可得知078專利請求項1之文字中雖未限定E'比值之測試條件為「10弳度／秒」，但亦涵蓋此測試條件。況系爭專利說明書、更正申請書從未針對增加此等技術特徵究會使系爭專利相較於先前技術增加任何不可預期之功效，系爭專利不應僅增加「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測」技術特徵，即具有進步性。
機械分佈法量測E'(30℃)／E'(90℃)比值時，拋光墊應為何等狀態或類型，被證12揭露了泡水之SUBAIV拋光襯墊與IC1000拋光襯墊於30℃及90℃之剪力模數，輔以被證13所揭露之拉伸模數E與剪力模數G間關係式，足認其已揭露系爭專利請求項1之E'比值部分技術特徵：
系爭專利請求項1無論在請求項文字或專利說明書，均未限定量測E'比值之拋光墊性質及狀態。且因同一拋光墊在其為乾、濕狀態下所測得之E'(30℃)／E'(90℃)比值會有不同，則將系爭請求項解釋為其所請E'(30℃)／E'(90℃)比值係指實際操作27時之拋光墊，理應更符合系爭專利之發明目的。以測量拋光墊之彈性模數而言，測量浸泡於水中一定時間之拋光墊為業界常見之方法。被證12雖未明確表示將拋光墊泡水之理由，惟此應係為模擬拋光墊之操作實務，系爭專利請求項1既未限定量測E'比值之拋光墊性質及狀態，而被證12測試浸泡於水中24小時之IC1000拋光墊及SUBAIV拋光墊之剪力模數，透過被證13所揭露之關係式，可知該等拋光墊之E'(30℃)／E'(90℃)比值揭露系爭專利請求項1所請之E'(30℃)／E'(90℃)比值範圍，自已揭露系爭專利請求項1所請之E'(30℃)／E'(90℃)比值範圍。
1「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」之技術特徵：
9已揭露系爭專利請求項1「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」。另被證9亦揭示其所請之拋光墊可為上、下兩層之組合，且此種雙層之拋光墊可由Rodel公司之IC1000及SUBA4拋光墊所組成。另參被證30專利說明書之內容，其所請之拋光墊具有溝槽，該溝槽深度可為0.025英吋即約640微米、寬度可為0.018英吋即約460微米、間距可為0.060英吋即約1520微米。因被證30揭露之溝槽深度、寬度、及間距數值範圍均落在系爭專利請求項1所載溝槽深度、寬度、及間距之範圍內，系爭專利請求項1之「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」之技術特徵顯已為被證30所揭露。
31專利說明書所載，其所請之拋光墊上溝槽之深度可28為0.010或0.012英吋即約254或305微米、間距可為0.055英吋即約1,397微米，另被證31同時提及「實務上，……宏觀凹槽之深度至少與寬度相當(Inpractice,…withmacrorecessdepthbeingatleastequivalenttothewidth)」，亦即因被證31所請拋光墊凹槽之深度得為約254或305微米，故其所請拋光墊凹槽之寬度得同為約254或305微米。因系爭專利請求項1所載溝槽深度、寬度、及間距之範圍內，系爭專利請求項1之「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」之技術特徵顯已為被證31所揭露。
1，均無任何關於「解決凹化作用」之文字，自不得以未界定於該請求項之「解決凹化作用」之目的或功能，逕認系爭專利請求項1具有進步性。且先前技術與系爭專利所欲達成目的皆為受質或晶圓之平面化或平坦化，系爭專利相較於先前技術並未產生不同性質之突出技術特徵。因化學機械研磨拋光的目的，在於使受質如半導體元件之表面在製造過程中達成平坦化。上開各先前技術亦已分別揭露藉由拋光墊凹槽之設計等可達成受質之平坦化，避免某些部位被過度拋光之情形。如被證9已揭示藉由該發明凹槽寬度、深度、間距之技術特徵，可避免在化學機械研磨中突出部位與凹下部位會同時被研磨之「平面化效應」、使得研磨漿藉由凹槽充分分佈於受質表面進行研磨、並可有效移除研磨後之廢棄物質。被證30則指出，該發明之拋光墊表面凹槽設計可降低受質表面過度拋光的面積、增加研磨漿的分佈與廢棄物質的移除、並改進化學機械研磨中「平面化效應」與中心低速等問題。另被證31、32揭露藉由拋光墊凹槽使得研磨漿充分分佈；被證12論文亦揭露平面化效率(planarizationefficiency)29是化學機械研磨表現的重要標準之一，其係以每單位在突出部位上被移除的氧化物之高度差(step-heightreduction)表示，此皆屬達成受質之平坦化，避免某些部位被過度拋光之情形。系爭專利說明書即指出，製造半導體元件之理想狀況為「於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度」；而所謂「凹化作用」係指「表面物件中心通常較邊緣具有較小厚度」，「會損傷最終半導體元件的功能」。故系爭專利所稱之「解決凹化作用」，亦在於減少或消除半導體元件之某些部位被過度拋光之情形，使半導體元件表面在製造過程中達成平坦化，其與前開先前技術之目的並無二致。故縱考量未載於請求項之所謂「解決凹化作用」，熟習該項技術者亦得輕易結合先前技術而完成系爭專利請求項1之技術內容。
1「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」之技術特徵：
9圖3已揭露一具有「同心圓」狀溝槽之拋光墊，圖5則揭露一具有「螺旋形」狀溝槽之拋光墊。故該先前技術已揭露系爭專利請求項1「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」之技術特徵。而若認本請求項之「六角形」、「三角形」應包含「同心六角形」、「同心三角形」，則被證9圖3亦應揭露本請求項「六角形」、「三角形」之技術特徵。另依被證30之專利說明書所載，其所請之拋光墊之溝槽圖案可為「多邊形」、「實質上正方形」、「鋪網底形」等。故系爭專利請求項1之「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」之技術特徵顯已為被證30所揭露。
3031專利說明書所載，其所請之拋光墊之溝槽圖案可為「同心圓形」、「正方格子形」、「三角形」、「長方形」、「任意排列之直線」及「其組合」等。故系爭專利請求項1之「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」之技術特徵顯已為被證31所揭露。縱上所述，本請求項所請之所有凹槽圖案均已為先前技術所明確揭露，顯見此技術特徵本不具任何創新性，得為熟習該項技術者所輕易思及，為系爭專利優先權日前之通常知識，而系爭專利說明書中並未說明其所請之所有凹槽圖案，相較其他形狀有何不可預期功效，自無進步性。
求項顯然並未超越熟習該項技術者所可預期的技術上一般發展：
因上開各先前技術皆屬電子產業研磨加工技術之領域，且被證
9、12、13、30、31均揭露以化學機械研磨技術拋光晶圓之拋光墊，被證30、31甚明確提及IC1000及／或SUBAIV拋光墊之使用，熟習該項技術者參酌前述自有將該等先前技術加以結合之動機。綜上所述，因熟習該項技術者依系爭專利優先權日前既有之先前技術，即有動機且得輕易將該等先前技術以組合之方式完成系爭專利請求項1所請之技術內容，請求項1顯未超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而可單由先行技術之組合推論而完成，自不具進步性。
2.被證10、11分別與被證9；被證30；或被證31之組合，均足以證明更正後系爭專利請求項1不具進步性：
1「在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的E'比例係在約1到約4之範圍內」之技術特徵：
31被證10揭示可用於製造半導體元件或類似物之經改良之拋光墊，其該拋光墊具一親水性拋光層，且該拋光層在30℃時之張力模數對在60℃時之張力模數之比值為1.0至2.5。而被證11則揭示一研磨材質，於其圖1中EXAMPLE2已揭露一研磨材質在90℃時之彈性模數E'為約1.0，而在30℃時之彈性模數E'則為約2.5，故由圖1可知，30℃及90℃時之E'比即約為2.5。因078專利請求項1與系爭專利請求項1之實質技術內容並無不同，且系爭專利請求項1所界定之「在30℃和90℃時之E'比值」廣於078專利，而078專利請求項1既經智慧財產法院以100年度民專訴字第134號判決，以被證10與11之組合認定不具進步性，則系爭專利請求項1有關E'比值之技術特徵相較於被證10、11等先前技術組合，亦應被認定不具進步性。
9、被證30或被證31已揭露系爭專利請求項1「一約75到約2,540微米的凹槽深度、一約125到約1,270微米的凹槽寬度、以及一約500到約3,600微米的凹槽間距」、「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」，均如前述，且因前開各先前技術皆屬電子產業研磨加工技術之領域，被證9、10、11、30、31均揭露以化學機械研磨技術拋光晶圓之拋光墊，被證30、31亦明確提及IC1000及／或SUBAIV拋光墊之使用，熟習該項技術者參酌前述自有將該等先前技術加以結合之動機。綜上所述，因熟習該項技術者依系爭專利優先權日前既有之先前技術，即有動機且得輕易將該等先前技術以組合之方式完成系爭專利請求項1所請之技術內容，該請求項顯未超越熟習該項技術者所可預期的技術上一般發展，而可單由先行技術之組合推論而完成，自不具進步性。
323.台科大檢測報告足以證明系爭專利未載明實施必要之事項，使實施其申請專利範圍為不可能或困難，應予撤銷：
之拋光墊，同一個拋光墊之E'(30℃／90℃)比值會因取樣部位不同、樣品裁切方向、甚至拋光墊為乾燥或浸泡狀態而相異。系爭專利之專利權人在通篇專利中並未記載如何測量請求項所請特徵之方法。系爭專利既未載明測量E'比值時測試條件，顯未載明實施必要之事項，應予撤銷。系爭專利請求項1所請之拋光墊需具有凹槽，且亦需具有「在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之E'在30℃和90℃時的比例在約1到約4之範圍內」。惟系爭專利並未定義拋光墊在以動態機械分佈法量測前應如何處理。而台科大測試報告證明，如拋光墊上有凹槽設計，同一拋光墊產品如以不同裁切方向取樣，其E'比值有極大不同，且其差異足以影響是否侵權之判斷。以E7070拋光墊產品為例，以不同裁切方式所得E'比值竟有0.81（未落入專利範圍）與4.22（未落入專利範圍）之差異；又以09AZ拋光墊產品為例，其E'比值竟有3.30（落入專利範圍）與4.33（未落入專利範圍）之差異，且此等差異足以影響是否侵權之判斷，系爭專利之範圍顯不明確，所屬技術領域具有通常知識之人實難實施系爭專利。
E'比值極大差異。以E7070拋光墊產品為例，同以樣品長邊與凹槽平行方式取樣，乾、濕狀態之E'比值竟有1.74與4.22之差異；另以09ZA拋光墊產品為例，同以樣品長邊與凹槽平行方式取樣，乾、濕狀態之E'比值亦有3.52（落入專利範圍）與4.33（未落入專利範圍）之差異；且此等差異足以影響是否侵權之判斷，顯示系爭專利所請範圍顯不明確，所屬技術領域33具有通常知識之人，實難實施系爭專利。另針對同一個拋光墊，以相同之測試條件測量不同部位，所得之E'(30℃／90℃)比值亦會不同，且差異足以影響是否侵權之判斷，顯示系爭專利所請範圍顯不明確，所屬技術領域具有通常知識之人實難實施系爭專利。依系爭專利請求項1，其必具有特定E'(30℃／90℃)比值及拋光墊之凹槽圖案及凹槽深度、寬度、間距界定所請之拋光墊。惟系爭專利請求項1僅以「10弳度／秒之頻率利用動態機械分佈法量測」描述E'比值，單以此等測試方法及頻率之限定，並不足以特定其所請拋光墊之範圍，因台科大測試報告已證明，同一個拋光墊之E'比值與試驗結果會因不同部位、拋光墊之乾濕狀態等而有不同，且如拋光墊上有凹槽設計，其E'比值尚會因量測方向與凹槽圖案方向之相對位置而有相當之差異，足以影響是否侵害專利之判斷。亦即系爭專利縱以「10弳度／秒之頻率利用動態機械分佈法」之量測方式界定所請拋光墊，因仍欠缺其他詳細測試條件之必要技術內容，而無法令所屬技術領域具有通常知識之人瞭解其所請之拋光墊為何、究應如何實施等，故系爭專利請求項1顯有未載明實施必要之事項，使實施其申請專利範圍為不可能或困難，應予撤銷。
(五)上訴人之防止侵害及損害賠償請求均應駁回：系爭二產品既未落入更正後系爭專利請求項1，且該請求項因未載明實施必要事項使實施不可能或困難且欠缺進步性，應予撤銷，故上訴人本不得基於無效之系爭專利對被上訴人有任何請求。另台科大檢測報告僅就「09AZ」及「E7070」拋光墊二特定型號之研磨墊予以檢測，檢測結果應僅與此二特定型號之產品有關，不得以之推論所有具有「S-Groove型」及「SXR-Groove型」等凹槽圖案之拋光墊產品即系爭二產品皆有相同結34果。不同拋光墊縱具有相同之凹槽紋路設計，因構成材質不同，其E'比值未必均相同，況各拋光墊之凹槽深度、寬度與間距亦可有多種變化。「09AZ」拋光墊為研發中樣品，從未有任何商業銷售，而「E7070」拋光墊從未在我國販售。故上訴人基於「09AZ」拋光墊及「E7070」拋光墊二特定型號之研磨墊請求系爭二產品所造成之損害，顯屬無理，上訴人請求禁止被上訴人製造、販賣、為販賣之要約或為前述目的而進口系爭二產品，亦屬無據。
三、原審以系爭產品1、2未落入更正後系爭專利請求項1，故被上訴人並未侵害上訴人就更正後系爭專利請求項1所享有之專利權，而為上訴人全部敗訴之判決，上訴人不服，提起上訴，主張被上訴人所提理由及證據之組合均無法證明更正後系爭專利請求項1不具可專利要件；系爭產品1、2侵害更正後系爭專利請求項1；被上訴人等應排除侵害且應負連帶損害賠償責任等語，上訴聲明：1.原判決廢棄。2.被上訴人等不得自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口S-Groove型及SXR-Groove型之研磨墊。3.被上訴人等應連帶給付上訴人1,000萬元整及自起訴狀繕本送達被上訴人等之翌日起至清償日止按年息百分之5計算之利息。4.前二項請求，上訴人願供擔保，請准宣告假執行。被上訴人則執前詞抗辯系爭專利請求項1之更正並不合法、系爭專利請求項1不具專利要件，且系爭產品1、2未落入更正後系爭專利請求項1之權利範圍，上訴人自不得對被上訴人等主張權利等語，被上訴人奈平公司答辯聲明：1.上訴人之上訴駁回（假執行之聲請均駁回應係誤載）。2.如受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。被上訴人華立公司答辯聲明：上訴駁回。
35四、得心證之理由：
(一)上訴人為系爭專利之專利權人，專利權期間自91年11月1日起至110年5月24日止，優先權日為89年5月27日及89年6月28日。本院於100年11月21日實施證據保全所保全之系爭產品1、2拋光墊產品係被上訴人奈平公司製造，且委由被上訴人華立公司在我國經銷代理等事實，為兩造所不爭執，並有系爭專利證書、說明書（見原審卷一第16至40頁）在卷可憑，且經調閱本院100年度民聲字第43號證據保全卷查核屬實，應信為真正。惟上訴人主張被上訴人販售之系爭產品侵害更正後系爭專利請求項1，應負連帶損害賠償責任等情，則為被上訴人所否認，並以前揭情詞置辯。按主張權利受有侵害，應以權利確實有效存在為前提，故智慧財產案件審理法第16條規定，當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷；法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對他造主張權利。而發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。但以違反第34條第4項、第43條第2項、第67條第1項第2、4款、第2、4項或第108條第3項規定之情事，提起舉發者，依舉發時之規定。現行專利法第71條第3項定有明文。查系爭專利之核准審定日為91年10月3日，故被上訴人抗辯系爭專利請求項1有說明書或圖式未記載必要事項，使實施為不可能或困難，以及不具進步性之得撤銷事由，應依核准審定時即90年10月6日修正公布、91年1月1日施行之專利法（下稱90年專利法）為斷。另上訴人抗辯被上訴人於101年2月21日就系爭專利請求項1所為之更正申請，並經智慧財產局於同年5月21日准予公告之內容，有超出申請時申請專利範圍或實質變更公告時36申請專利範圍等更正不合法之得撤銷事由，依前開現行專利法第71條第3項之規定，則應依被上訴人抗辯時即現行專利法之規定為斷，合先敘明。
(二)原審係依本院另案委託塑膠工業發展中心所出具之報告（見原審原證7），認系爭產品1、2未侵害更正後系爭專利請求項1之申請專利範圍。惟查被上訴人於原審及本院審理時均爭執該報告有明顯錯誤之處（見原審卷二第98至100頁及本院卷一第240頁），而不應作為裁判之基礎等語。本院經檢視該報告後，於103年11月21日發函通知兩造因該報告僅記載以動態機械分析儀量測系爭產品在30℃及90℃時的彈性儲存模數E'比值，卻未記載試驗頻率為何，故依該報告尚無法判斷試驗頻率為「10弳度／秒」（1.6Hz）或「6.3弳度／秒」（1.0Hz），且試驗樣品是否包含溝槽，及其所包含溝槽之方向，均有可能會影響彈性儲存模數之量測結果，惟該報告卻未記載試驗樣品之取樣方式，故認該報告確實有程序瑕疵而不可採之理由（見本院卷二第2、3頁）。本院於104年6月24日經兩造同意發函己0000000材料科學與工程系，最終委由該系吳昌謀副教授依據本院與兩造協商之鑑定事項進行量測（見本院卷三第102至104頁、卷四第178至180頁），並於105年2月15日做成量測報告即台科大檢測報告一份在卷可稽。又被上訴人雖抗辯系爭專利請求項1因更正不合法而得撤銷，惟查本件更正已經智慧財產局准予審定公告，故倘更正合法，則應依更正後系爭專利請求項1作為本件是否具備可專利要件及是否侵權之判斷標準，兩造對此均表示無意見（見本院卷三第51頁）。故本件之主要爭點為：
1.系爭專利請求項1之更正是否符合現行專利法第67條第1項第2款、第2、4項之規定？
372.倘更正合法，則更正後系爭專利請求項1是否有如被上訴人所抗辯之應撤銷事由？
3.系爭產品1、2是否侵害更正後系爭專利請求項1之權利範圍？
4.倘更正後系爭專利請求項1為有效，且系爭產品1、2侵害該專利權，則上訴人請求被上訴人排除侵害及連帶負損害賠償責任，是否有理由？
(三)系爭專利請求項1之更正，是否符合現行專利法第67條第1項第2款、第2、4項之規定？
1.現行專利法第67條第1項規定，發明專利權人申請更正專利說明書、申請專利範圍或圖式，僅得就下列事項為之：一、請求項之刪除。二、申請專利範圍之減縮。三、誤記或誤譯之訂正。四、不明瞭記載之釋明。第2項復規定，更正，除誤譯之訂正外，不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。第4項則規定，更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。查系爭專利原核准公告之申請專利範圍共計7項，其中請求項1及7為獨立項，請求項2至6為直接依附於請求項1之附屬項。專利權人另於101年2月21日提出申請專利範圍更正，經智慧財產局審查准予更正，並於101年5月21日公告，更正後之申請專利範圍共計6項，其中請求項1、
2、3、5及6為獨立項，請求項4為直接依附於請求項1之附屬項。原核准公告之系爭專利請求項1為：
1.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL、一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例、以及一包含一具有一38道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540微米的凹槽深度；一約125到約1,270微米的凹槽寬度；以及一約500到約3,600微米的凹槽間距；該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。
更正後之請求項1則是於「E'」及「、以及」間，加上「其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」，其內容如下：
1.一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：
一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL、一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：
一約75到約2,540微米的凹槽深度；一約125到約1,270微米的凹槽寬度；以及一約500到約3,600微米的凹槽間距；該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。
2.次查系爭專利請求項1之更正內容，係將原核准公告之請求項1中「一彈性儲存模數，E'，在30℃和90℃時的比例」，更正為「一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」。經查原核准公告之請求項5已記載：「該彈性39儲存模數比，E'，在30℃及90℃時係在約1到約4之範圍內」，且系爭專利說明書第7頁第14至15行亦記載「……一在30℃和90℃時為約1.0到約4.0的E'比。……」。又查系爭專利說明書第27頁倒數第12至14行記載「在一40℃之溫度與10弳度（或弧度）／秒之頻率下，利用動態機械分析法來測量模數，（E'）和能量損失因子（KEL）……」。因此，系爭專利請求項1所為之更正，係進一步限縮彈性儲存模數（E'）於30℃和90℃時之比的數值範圍為約1至約4，且限縮E'係於10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測，屬於對「E'在30℃和90℃時的比例」之進一步限縮，符合現行專利法第67條第1項第2款之規定。又系爭專利請求項1所為之更正，均可見於申請時原說明書之相關記載，並未超出申請時說明書或圖式所揭露之範圍，且未實質擴大或變更申請專利範圍，符合現行專利法第67條第1、2、4項之規定。綜上，系爭專利請求項1之更正，並無不合法之情事，被上訴人以此辯稱系爭專利請求項1應予撤銷，並無理由。
(四)參考系爭專利說明書之相關記載，及參酌兩造就更正後系爭專利請求項1是否具進步性之攻擊防禦後，整理系爭專利之主要內容如下：
1.系爭專利之主要技術特徵及所欲解決之問題：系爭專利係有關一種用來拋光半導體晶圓上之金屬鑲嵌結構的襯墊和方法，該襯墊具有低彈性回復力以及與高襯墊膠黏硬度有關的高散能性，且該襯墊具有包含凹槽的宏觀構造，該凹槽具有約75到約2540微米的凹槽深度、約125到約1270微米的凹槽寬度以及約500到約3600微米的凹槽間距（參系爭專利摘要）。系爭專利記載在理想狀況下，於拋光後導電性插頭和線路為完全平坦且在所有情況下均為相等截面厚度，但實際40上，橫跨金屬結構寬度各處的厚度會發生明顯的差異，且表面物件中心通常較邊緣具有較小厚度，此種效應，普通稱之為「凹化作用」，通常是吾人所不要的，因為導電性結構之截面積的變化會導致電阻的變化。凹化作用係因較硬之絕緣層（環繞較軟之金屬導體表面物件）以一較金屬物件為慢之速率進行拋光而發生，因此，當絕緣區域被拋光成平坦時，拋光襯墊易於磨蝕導體材料，主要從金屬物件的中心，這反過來會損傷最終半導體元件的功能（參系爭專利說明書第5頁第2段）。系爭專利之適當襯墊具有與高襯墊膠黏硬度有關的高散能性，特別是在壓縮期間，該襯墊展現一可輕易且前後一致地被重製的穩定形態學性質；尤有甚者，該襯墊表面具有宏觀結構，此種宏觀結構可為貫穿襯墊厚度之貫孔或表面凹槽設計，此種表面凹槽設計包括，但不限於，可為同心或螺旋形凹槽的圓形凹槽，排列如橫跨襯墊表面之X-Y方格的鋪網底圖案，諸如六角形、三角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案，諸如碎片圖案、或其組合之類的不規則圖案；凹槽剖面可為具有直線側壁的矩形或凹槽截面可為"V"字形、"U"字形、三角形、鋸齒形等等；再者，圓形設計的幾何中心可與襯墊之幾何中心一致或可為偏心；此外凹槽設計還可沿襯墊表面變化（參系爭專利說明書第9頁末段）。
2.系爭專利襯墊之凹槽深度、寬度及間距的相關參數定義：系爭專利圖1界定凹槽襯墊的精確尺寸並以襯墊厚度相對於凹槽深度的關係來表示GSQ，使得：
GSQ＝凹槽深度（D）／襯墊厚度（T）GFQ被定義為：
GFQ＝凹槽截面積（Ga）／間距截面積（Pa）此處41Ga=D×W，Pa=D×P，P=L+W此處D為凹槽深度，W為凹槽寬度，L為平地區域寬度，而P為間距，因為對一特殊之凹槽設計而言D為一常數，故GFQ也可表為凹槽寬度對間距的比例：
GFQ＝凹槽寬度（W）／凹槽間距（P）（以上參系爭專利說明書第11頁第2段至第12頁首段）。
3.拋光襯墊之膠黏硬度及調理對於凹化作用等問題的影響：墊膠黏硬度是重要的，因（說明書漏載）為它控制了幾項重要的拋光參數，包括橫跨晶圓之清除速率均勻度、晶粒水平平坦度、以及影響程度較小的碟化作用（英文為DISHING，應即為上訴人所稱之凹化作用）和晶粒內的表面物件磨蝕等。對均勻拋光而言，理想上清除速率在晶圓表面上的所有點處均應相同，這示意著襯墊必須在所有點處，以相等於襯墊和晶圓之間的接觸壓力及相對速度而與整個晶圓表面接觸。不幸的是，晶圓並非完全平坦，且典型上具有某種程度之源自於製造應力及各種不同之沉積氧化物和金屬層之不同熱膨脹係數的彎曲度，這迫使拋光襯墊必須具有足夠可撓性以順應晶圓－尺寸平坦度之變化，此項問題的一個解決方案為將一硬拋光襯墊壓合到一可撓下層基底襯墊上，該基底襯墊典型上為較易壓縮、發泡型聚合材料，這改良了橫跨晶圓的拋光均勻度，而不會在拋光頂部襯墊之膠黏硬度方面做出不當之讓步（參系爭專利說明書第13頁末段至第14頁首段）。
低GSQ值（相當於高膠黏硬度），因為一以微氣球填充之襯墊將具有一較相對應之非填充襯墊為低之模數，因此也就具有42較低膠黏硬度，故該襯墊應具有一較非填充襯墊為低之GSQ值以獲致相等之膠黏硬度，這與從上述論及之水上滑翔化觀點所得的GSQ趨勢一致。另一重要之比例為建立凹槽寬度與間距之關係的GFQ，此一參數決定了與晶圓接觸的襯墊表面積、橫跨襯墊以及襯墊－晶圓界面處之研磨漿流動特性、以及影響程度較小的襯墊膠黏硬度（參系爭專利說明書第14頁末段至第15頁首段）。襯墊調理也是重要的，通常需要充分之調理以在襯墊表面中產生微小渠道並增加襯墊表面之親水性，但過度調理可能會使表面過分粗糙化，它反過來會導致吾人所不要之碟化作用的增加（參系爭專利說明書第20頁第2段）。
4.拋光襯墊黏彈性的相關參數定義：數種度量制中的任何一種來加以量化。或許最簡單之此種度量制涉及靜壓縮負載的應用和百分比壓縮度及百分比彈性回復力的測量。百分比壓縮度被定義為物質在給定負載下的壓縮形變，表示為襯墊原始厚度的百分比；百分比彈性回復力被定義為當該負載從襯墊表面上移開時，壓縮形變回復的分率。然而，當上述之彈性回復力試驗應用到本文所披露之拋光襯墊時可能無效，因為拋光作用為一動態過程且不可能利用靜態參數來充分定義。此外，拋光襯墊還傾向為展現黏彈性行為的聚合物，因此，或許一較佳方法為使用動態機械性分析技術（參見J.D.Ferry所著，紐約市Wiley公司1961年出版之「聚合物的黏彈性性質」）。
生之應力訊號可被分離成兩種成份：一種與形變相位一致之彈性應力，以及一種與形變率相位一致但與形變相位差90度之黏度應力，彈性應力係一種材質其行為如一彈性固體之程度的43測量，而黏度應力則為該材質其行為如一彈性固體之程度的測量，彈性及黏度應力係透過應力對形變之比例（此比例可被定義為模數）而與材質性質形成關聯，因此，彈性應力對形變之比例為儲存（或彈性）模數而黏度應力對形變之比例為損失（或黏度）模數。當以拉伸或壓縮來進行試驗時，E'和E"分別指定為儲存和損失模數。損失模數對儲存模數之比例為應力和形變間之相角位移（δ）的正切值，因此E"／E'=Tanδ且係材質阻尼能力之測量。
5.Tanδ及KEL參數對凹化作用的影響：拋光為一涉及拋光襯墊與晶圓兩者之週期運動的動態製程，在拋光循環期間能量通常被傳導到襯墊上，此種能量一部份會以熱量形式耗散於襯墊內部，而此種能量的剩餘部份會儲存在襯墊中並接著於拋光循環期間以彈性能之形式被釋放，後者據信會助長碟化作用之現象。已發現具有極低回復力與在週期形變期間吸收極大能量之襯墊，易於在拋光期間引起極低程度的碟化作用，有幾項參數可用來量化說明此種效應，最簡單者就是Tanδ，定義如上。然而，一用來預測拋光功能的較佳參數或許就是已知為「能量損失因子」者。ASTMD4092-90（關於「塑膠之動態機械測量的標準術語」將此參數定義為在每一形變週期中每單位體積之能量，易言之，它是在應力-形變磁滯現象迴路內之面積的測量）。能量損失因子（KEL）為Tanδ和彈性儲存模數（E'）兩者之函數且可利用下列方程式加以定義：
122KEL＝Tanδ×10／〔E'×（1+Tanδ）〕此處E'以巴斯卡（Pascals）為單位。
一襯墊之KEL值愈高，通常其彈性回復力就愈低且觀察到44之碟化作用也愈低（以上參系爭專利說明書第20頁第5段至第22頁第5段）。
6.模數之測量頻率、模數與溫度之線性趨勢：在一40℃之溫度與10弳度（或弧度）／秒之頻率下，利用動態機械分析法來測量模數，（E'）和能量損失因子（KEL），利用先前定義之方程式來計算KEL。最後一行定義在30℃和90℃下所測得之模數比，這代表著有用的拋光溫度範圍，理想上，模數將儘可能地小幅且隨溫度增加作線性趨勢之改變（亦即，比例趨近於一），表面粗糙度為調理後之數值。從上表（即參數範圍表）中，明顯地系爭專利之襯墊將大致具有一平坦之模數-溫度反應、一與高模數數值組合之高KEL數值、調理後之低表面粗糙度、以及相對應於一為特定拋光應用所選取之凹槽設計的最佳化GSQ和GFQ數值（以上參系爭專利說明書第27頁末4段）。系爭專利圖1舉例說明襯墊與凹槽尺寸：
(五)系爭專利之說明書是否違反核准審定時專利法第71條第3款45之規定？
1.依據90年專利法第71條第3款規定：「說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者」，係指說明書記載內容，無法使熟習該項技術者瞭解其內容而實施申請專利之發明。因此，判斷系爭專利有無上開規定所列之情事，應以說明書所載內容是否足以使熟習該項技術者實施申請專利範圍所載發明為斷。
2.系爭專利請求項1為一種用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊，該襯墊包含，一用來平面化該表面的拋光層，該拋光層之特徵在於：一硬度、一張力模數、一能量損失因子，KEL、一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內、以及一包含一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540微米的凹槽深度；一約125到約1,270微米的凹槽寬度；以及一約500到約3,600微米的凹槽間距；該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。進一步審酌系爭專利之發明說明及圖式，可以理解，系爭專利請求項1所請之拋光襯墊，其界定之技術特徵有三：一為於特定頻率（10弳度／秒，及1.6Hz）下量測之彈性儲存模數（E'）在30℃和90℃時的比例範圍；二為凹槽圖案具有深度、寬度及間距之特定數值範圍；以及三為凹槽圖案具有特定形狀。
3.依系爭專利請求項1所載之技術特徵，其專利說明書確載有相關技術特徵之說明，如其說明書第9頁係說明凹槽圖案之形狀；其說明書第27頁表1係說明E'在30℃和90℃時的比例範圍，以及凹槽所具有之深度、寬度及間距範圍，其說明書27頁46倒數第12至14行亦記載「在一40℃之溫度與10弳度（或弧度）／秒之頻率下，利用動態機械分析法來測量模數，（E'）……」；且記載之實施例3至6包含眾多實施系爭專利請求項1之範圍的拋光襯墊。足見系爭專利說明書之記載內容應足使熟習該項技術者瞭解其內容而實施系爭專利請求項1之發明，堪認系爭專利說明書已載明實施之必要事項，是無上開法條所列之情事。
4.被上訴人雖辯稱系爭專利未載明測量E'比值時之測試條件，以及依據台科大檢測報告，測試條件會影響測試結果，故說明書未載明測試條件，顯未載明實施之必要事項等語云云。惟查系爭專利說明書已明確記載使用動態機械分析法來測量模數（E'），亦記載於10弳度（或弧度）／秒之頻率下進行測量，且記載量測出之E'在30℃和90℃時的比例在約1到約4之範圍內，意即已明確記載量測方法、條件及結果。所謂「可據以實施」，係指於專利申請時，該技術領域之通常知識者可正確理解，並且可於非過度之試驗中，即可使專利內容再現而言。僅未一一臚列測試內容，並非專利制度所稱之未記載實施之必要事項。且測試條件之差異固然會影響測試結果，但並不影響已製造完成拋光襯墊之性質，且不影響該領域之通常知識者經閱讀系爭專利之說明書後，製造出E'在30℃和90℃時的比例在約1到約4之範圍內的拋光襯墊。被上訴人上開辯詞均不足採，系爭專利之說明書並未違反核准審定時之專利法第71條第3款之規定。
(六)被證12、13分別與被證9、30、31之組合是否足以證明系爭專利更正後請求項1不具進步性？
1.系爭專利之主要技術特徵之一為：「一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃47和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」，而被上訴人抗辯更正後系爭專利請求項1不具進步性之引證中僅被證12提及拋光墊對溫度之動態剪力模數及頻率。被證12為1995年WeidanLi等人所著刊載於ThinSolidFilms000(0000)000-000之論文影本及其中文節譯，其公開日早於系爭專利之最早優先權日（2000年5月27日），故可為系爭專利之先前技術。被證12以IC1000與SUBAIV拋光墊為例，揭露在當時之化學機械研磨（CMP）中，拋光墊被認為係在達到將超大型積體電路多層次內連線全面平面化最有效的方法中一重要的角色。該文研究二氧化矽之CMP效能，包含拋光墊浸漬於水中之時間、拋光墊之修整（conditioning）、以及拋光墊表面之溫度函數。已觀察到IC1000拋光墊之動態剪力模數G'於浸水5小時後降為其乾燥值的三分之二，然而其氧化物移除率保持實質上不變。一拋光墊之剪力模數亦隨拋光墊溫度之上升而降低，例如，當一IC1000拋光墊之溫度由40℃上升至80℃時，其G'降低約2倍。相同地，當研磨漿溫度升高（使拋光墊表面之溫度升高）時，可觀察到氧化物移除率與平面化效能之提高，其係於「上方部位」（upfeature）上每單位移除之氧化物高度差之減少（step-heightreduction）。拋光墊之修整為CMP中決定性的步驟。於一未進行拋光墊修整之CMP過程中，氧化物移除率隨時間進行降低直到一低穩定狀態值。另一方面，於一未進行拋光墊修整之CMP過程中，平面化之效率隨時間進行而增加。並討論可導致此等現象之可能機制（參被證12摘要）。
2.被證12揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質可借由動態及複合剪切模數G'及G"來描述，在此G'及G"為頻率之函數。
模數係藉由TA儀器公司之983動態機械分析儀（DMA）所測48得，該983DMA決定G'及G"，其係藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出之參數。在此研究中，拋光墊之蒲松氏比假設為0.5，其適用於大部分之聚合物（參被證12第602頁第2.1節「拋光墊剪力模數之特性描述」）。聚氨酯之動態模數為溫度之函數。因此，可預期溫度之變化會影響CMP之效能。已於不同溫度下描繪IC1000與SUBAIV拋光墊之動態模數特徵。圖4顯示IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之G'。於實驗前將拋光墊浸泡於水中24小時並於測量過程中保持濕潤。當溫度自30℃升高至90℃時，IC1000拋光墊之G'降低約3倍SUBAIV拋光墊則僅降低約1.5倍（參被證12第603頁第3.3節「溫度效應」）。被證12之主要圖式如下：被證12圖4說明IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之動態剪力模數G'，且此特性係在0.5及1Hz下進行。
3.被證12揭露聚氨酯之動態模數為溫度之函數，可預期溫度之49變化會影響CMP之效能，於不同溫度下描繪IC1000與SUBAIV拋光墊之動態模數特徵，圖4顯示IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之動態剪力模數G'，於實驗前將拋光墊浸泡於水中24小時並於測量過程中保持濕潤，當溫度自30℃升高至90℃時，IC1000拋光墊之G'降低約3倍SUBAIV拋光墊則僅降低約1.5倍（參被證12第603頁第3.3節「溫度效應」）。
因此，被證12圖4揭露IC1000與SUBAIV拋光墊對溫度之G'，並可得IC1000與SUBAIV拋光墊，無論是於0.5Hz或1Hz下進行量測，其G'在30℃和90℃時的比例分別約為3及約1.5。此外，被證12揭露聚氨酯為一黏彈性材料，其機械性質可藉由動態及複合剪切模數G'及G"來描述，在此G'及G"為頻率之函數。模數係藉由TA儀器公司之983動態機械分析儀（DMA）所測得，該983DMA決定G'及G"，其係藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出之參數。在此研究中，拋光墊之蒲松氏比假設為0.5，其適用於大部分之聚合物（參被證12第602頁第2.1節「拋光墊剪力模數之特性描述」）。
4.被證13為1983年出版之JohnAklonis等人所著之「聚合物黏彈性導論」（IntroductiontoPolymerViscoelasticity）第二版（SecondEdition），其封面頁、版權頁與內頁第7至9頁影本及其中文節譯。被證13之公開日早於系爭專利最早優先權日（2000年5月27日），故可為系爭專利之先前技術。被證13係一聚合物黏彈性導論之教科書，其第9頁揭露根據一等向性固體（isotropicsolids）之彈性理論，張力模數E、剪力模數G及蒲松氏比μ之關係式為：E＝2(1+μ)G。又被證13揭露在特殊情況下之不可壓縮材料，(dV/dε)＝0，而μ＝0.5，可得以下結果：E＝3G。又被證13揭露，實驗上對於橡膠，μ是相50當接近0.5，但對某些塑膠是較低，為0.2至0.3，而對某些非均質（heterogeneous）材料則更低。因此，熟悉該項技術者經參酌被證12及13可以理解，由於被證12明確揭露可利用黏彈性材料之原理進行量測及估算，並假設μ為0.5，而被證13明確揭露當μ＝0.5時，E＝3G，故IC1000或SUBAIV拋光墊於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例應亦分別為約3及約1.5，即無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1Hz下量測之E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至4間。又由被證12圖4可以看出，於0.5Hz或1Hz之頻率下進行量測，對於SUBAIV拋光墊之G'完全沒有影響，而對於IC1000拋光墊僅有些微影響，但經換算為G'在30℃和90℃時的比例後皆無實質影響，且由於頻率1.6Hz與1Hz之差異極小，可以當然推測當於頻率1.6Hz下進行量測，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，在30℃和90℃時的E'比例亦必然落於1至4間。
5.被證9為1999年7月13日公告之美國第US5,921,855號「用於化學機械研磨系統之具有溝槽圖樣之拋光墊」專利及其中文節譯。被證9之公告日早於系爭專利最早優先權日（2000年5月27日），可為系爭專利之先前技術。被證9係關於一種用於化學機械研磨系統具有溝槽圖樣之拋光墊，揭露實施其發明之溝槽可籍同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽可具有一介於0.02與0.05英吋間（508與1270微米間）之深度，例如0.03英吋（762微米）；一介於0.015與0.04英吋間（381與1016微米間）之寬度，例如0.02英吋（508微米）；及一介於0.09與0.24英吋間（2286與6096微米間）之間距，例如0.12英吋（3048微米）（參被證9說明書第2欄第60至66行）。又被證9揭露拋光墊可為雙層拋光墊，其上層由IC-511000組成且下層由SUBA-4組成，可由德拉瓦州紐華克市之Rodel公司取得（IC-1000與SUBA-4為Rodel公司之產品名）（參被證9說明書第5欄第12至24行）。被證9之主要圖式如下：
6.將被證9與系爭專利請求項1進行比較，被證9已明確揭露一拋光墊可具有同心圓形狀排列之溝槽圖案，亦揭露系爭專利請求項1界定凹槽圖案為同心圓形；被證9揭露較佳之溝槽深度、寬度及間距分別為：762、508及3048微米，已完全落於系爭專利請求項1界定凹槽圖案之深度、寬度及間距的特定數值範圍中。因此，被證9與系爭專利請求項1之差異僅在於，被證9未揭露拋光墊具有於特定頻率下量測之E'在30℃和90℃時的比例範圍。惟查由於熟悉該項技術者經參酌被證12、13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1.6Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至4間。又經參酌被證12、13及9後，可以得知IC1000或SUBAIV拋光墊，為熟悉該項技術者於系52爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且被證12及9所揭露之內容，均屬於研磨墊相關之研究文獻，故被證12及9之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據被證9揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，而實施於IC1000或SUBAIV拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。綜上，被證12、13及被證9之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
7.被證30為1997年11月12日公開之歐洲第EP0000000A1號「在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊」專利及其中文節譯。被證30之公開日早於系爭專利最早優先權日（2000年5月27日），可為系爭專利之先前技術。被證30係關於基板之化學機械研磨，更特定地關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊（參被證30說明書第1欄第1段）。被證30揭露要影響化學機械研磨程序的效率之另一問題為「平坦化效應」。所謂「平坦化效應」係指基板表面構形的峰及谷同時被拋光。拋光墊在理想情況下僅拋光基板表面構形的峰，而在拋光一定時間以後，這些峰最終將與谷呈水平，從而產生平坦表面。當峰及谷同時被拋光，則不會產生基板表面構形的有效改變。「平坦化效應」導因於拋光墊的可壓縮性質反應點負載的結果。因此，減少「平坦化效應」的系統已被使用，包含較平均地分佈在拋光墊上負載的方法（參被證30說明書第4欄第3段）。被證30揭露溝槽具有一第一多數平行溝槽以及與第一多數平行溝槽相交之一第二多數平行溝槽。第一多數平行溝槽垂直於第二多數平行溝槽。拋光墊含有一上表面，具有一多數溝槽以定義一多數之多邊形投影（參被證30說明書第5欄第2至3段）。被證30揭露圖5A及圖535B之一實施例中，牆304得具有介於約0.010至0.050英吋（254至1270微米）之高度H，較佳為約0.025英吋（635微米）。基底306得具有介於約0.015至0.050英吋（381至1270微米）之寬度Wb，較佳為約0.018英吋（457微米）。間隔310得具有介於約0.025至0.125英吋（635至3175微米）之寬度Wp，較佳為約0.042英吋（1067微米）（參被證30說明書第10欄第2至3段）。被證30主要圖式如下：
被證30圖5A是其拋光墊之俯視示意圖。
8.被證31為1996年2月6日公告之美國第US5,489,233號「拋光墊與其使用方法」專利及其中文節譯。被證31之公開日早於系爭專利最早優先權日（2000年5月27日），可為系爭專利之先前技術。被證31係關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，特別是關於這種拋光墊的表面紋理（參被證31說明書第1欄第1段）。被證31揭露大型凹槽的圖案與其寬度、深度實際上可為任何所需的圖案或尺寸，只要能滿足上述的限54制即可。實際上，凹槽之寬度與深度通常保持在大型凹槽之間的突出拋光片表面的最大橫向尺寸的50%以下，其中大型凹槽的深度至少等於寬度。……習知技術中所述及的任何圖形，例如同心圓、方格、三角格等均可用以提供例如同心圓、矩形、三角形等突出表面形貌之利益，而在增加大型凹槽的情況下提供整體拋光率。……在此狀況下，可用的最簡單大型凹槽圖形為同心圓或最好為隨機定向的直線。大型凹槽亦不受限於一組固定的間隙、寬度與深度，任何的圖案都可加以組合，而所需的組合在前述尺寸限制中具有良好的效果（參被證31說明書第4欄第56行至第5欄第23行）。被證31實施例3揭露一系列之具有間距為0.055英吋（1397微米）與深度為0.012英吋（305微米）之環狀凹槽；被證31實施例4、6及7揭露一系列之具有間距為0.055英吋（1397微米）與深度為0.010英吋（254微米）之環狀凹槽。被證31主要圖式如下：
被證31圖2顯示其拋光墊的橫截面圖。
9.被證12、13及被證30、31揭露之內容已如前所述，由於熟悉該項技術者經參酌被證12及13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1.6Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至4間。
又經參酌被證12、13及30、31後，可以得知IC1000或SUB55AIV拋光墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且被證12、13及30、31揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，被證12、13分別與30、31之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據被證30、31揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，而實施於IC1000或SUBAIV拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。故被證12、13分別與被證30、31之組合亦足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
(七)上訴人雖稱更正後系爭專利請求項1應係指「未使用」的拋光墊，而被證12係測試泡水後之性質云云。惟查被證12並非僅揭露IC1000拋光墊泡水24小時後之量測結果，其摘要已明確記載觀察到IC1000拋光墊之動態剪力模數G'於浸水5小時後降為其乾燥值的三分之二，其內文3.1節亦有相同記載，故換算為G'在30℃和90℃時的比例，以及再換算至E'的比例時，均不會產生實質之影響，上訴人此部分主張，並不可採。上訴人另主張被證13僅適用於等向性材質，而IC1000及SUBAIV非等向性材料，故無組合可能云云。惟查被證13雖記載E＝2(1+μ)G關係式可適用於等向性材料，然被證13為聚合物黏彈性導論之教科書，其確屬於熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知之一般知識，且其記載當μ=0.5，可得E=3G，而實驗上橡膠之μ是相當接近0.5。又被證12亦明確記載所測者為黏彈性材料，其機械性質可藉由頻率函數之G'來描述，且G'係藉由動態機械分析儀所測得，並藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出G'，並假設μ=0.5適用於大部分聚合物。因此，熟悉該項技術者經理解被證12、13後，確實可以由被證12記載IC1000及56SUBAIV拋光墊之G'「測試數值」，推測E'「測試數值」，而推測之數值，或許與實際之量測值有誤差，但經換算為E'的「比值」（即比例數值）後，因E'比值係2個E'數值相除之值，於推測2個E'數值所產生之誤差，相除後理應不致對E'的「比值」產生影響，故IC1000及SUBAIV拋光墊之E'在30℃及90℃的比值應分別為約3及約1.5，其縱與實際測試之E'值經換算為E'比值後有些微落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1至約4之區間。此外，被證12雖未記載於1.6Hz頻率下G'的測試數值，但由0.5Hz及1Hz之G'的測試數值曲線來看，其趨勢及斜率（曲線的斜率可代表其比值）均非常接近，SUBAIV拋光墊的測試曲線更幾乎完全重疊，故熟悉該項技術者，可合理推測IC1000及SUBAIV拋光墊於1.6Hz頻率下之E'在30℃及90℃的比值應分別為約3及約1.5，其縱與實際測試之值略有落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1至約4之區間。
(八)被證13之教科書雖係假設是等向性材料而得一關係式，但此係科學上推導公式之必然，因為若將每種可能影響實際狀況之參數均列入考量，那符合實際情況之公式將非常複雜，不可能簡化為被證13所記載之簡單關係式。然而科學家在推導公式過程中所作的假設通常亦係符合大部分之實際情況或是由實際情況反推而得。因此熟悉該項技術者於被證12未記載受測拋光墊為等向性材料的情形下，還是有可能參酌被證13所記載之簡化關係式，由G'來推測E'，因為E'及G'均為描述黏彈性材料性質常用之參數，此亦為上訴人所不爭執（參105年5月19日言詞辯論筆錄），故上訴人稱被證12、13無從或毫無理由結合，並不可採。況拋光墊並非是一個「完全」等向性材料，假設拋光墊之研磨面以X-Y方向來看，垂直研磨面之Z57方向的性質與X-Y方向的性質可合理推測會有不同。然而，拋光墊之主要作用即是作為晶圓研磨之用，如果X-Y方向的研磨面在每一個位置的黏彈性性質差異很大，那晶圓研磨的效果必定不佳，故系爭專利請求項1所界定之E'比值才會設定一個區間（約1到約4），這也符合系爭專利說明書第27頁記載「最後一行定義在30℃及90℃下所得之模數比，這代表著有用的拋光溫度範圍，理想上，模數將儘可能地小幅且隨溫度增加作線性趨勢之改變（亦即，比例趨近於一）」，此亦為上訴人所不爭執（參105年5月19日言詞辯論筆錄），因此，拋光墊之研磨面的黏彈性性質，在每一個位置所測得應相當接近，故以假設其為一等向性材料來適用被證13之簡化關係式，並無任何不合理之處。
(九)上訴人又主張蒲松氏比μ可能為負值，而不應適用被證13所記載之簡單關係式等語。惟被證13並未記載μ為負值時不得適用該關係式，且μ是否會有負值於判斷被證12、13是否可組合並無關係，因被證12已明確記載假設μ為0.5，而被證13亦記載μ為0.5為一通常適用之情形，故熟悉該項技術者係依μ為0.5去進行推測，故其推測結果不會因μ可能有負值這件事產生影響。又上訴人主張熟悉此項技術者亦欠缺將被證12、13與其他證據組合，以否定系爭專利請求項1之合理動機、教示或暗示，故亦無從否定其進步性；且被上訴人所提所有證據均未提及凹化作用，遑論其等根本未提及解決此項凹化作用，更遑論完全沒有教示、建議或動機，使熟悉此項技術者組合此等證據以解決凹化作用云云。惟查被證9、30、31與系爭專利請求項1之差異僅在於，被證9、30、31未揭露拋光墊具有於特定頻率下量測之E'在30℃及90℃的比例範圍，但系爭專利請求項1所界定之其他技術特徵，如凹槽圖案及凹槽深度、58寬度、間距等，均已見於被證9、30、31等，可證屬系爭專利申請前所周知之技術。又被證9及12均已提及IC1000或SUBAIV拋光墊之技術特徵，則以此領域之通常知識而言，應有組合被證12、13與其他證據組合之動機。況綜觀系爭專利之說明書與圖式，對於系爭專利請求項1界定之「E'在30℃及90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」，並無任何對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例、數據等之記載，且對於為何以10弳度/秒之頻率進行量測，系爭專利說明書亦無任何說明，實無從認定系爭專利請求項1有何異於既有之技術或知識的功效。上訴人雖稱系爭專利之目的係為解決凹化作用，但觀之系爭專利之說明書及圖式，亦無任何說明、實施例或數據之記載，得以支持凹化作用的解決可以特定E'比值範圍或於特定頻率下進行量測E'達成，故實難認更正後系爭專利請求項1與既有之技術或知識相比，非可輕易完成而不具進步性。
(十)系爭產品是否侵害更正後系爭專利請求項1之權利範圍？
1.依本院100年度民聲字第43號之證據保全事件，於100年11月21日實施證據保全所取得之系爭產品共有兩種形式（參原證9），分別為S-Groove研磨墊產品及SXR-Groove研磨墊產品，每種形式各取2片，共有4片。本次鑑定對象為下列二個尚未開封之研磨墊產品，其產品型號及外包裝照片如下：系爭產品1：S-Groove研磨墊）59系爭產品2：SXR-Groove研磨墊
2.現行專利法制係以技術思想形諸於文字之方式建構其保護之專利權範圍即申請專利範圍。因此，如何解釋以文字所建構之專利權保護範圍，係判斷專利是否具備可專利要件，以及被控侵權物是否侵權之前提要件。而解釋權利內涵，本即法院固有之權限，故法院得依職權於斟酌當事人之主張及舉證，並綜核卷內之所有資料後為解釋，而非僅就當事人所提關於申請專利範圍解釋之主張或抗辯是否有理由為判斷。又解釋申請專利範圍時，為瞭解每一請求項所載之發明，應以請求項中所載之發明的整體為對象，並參考其說明書及圖式，以瞭解其目的、作用及效果，作出整體一致性之解釋。兩造對系爭專利更正後請求項1中「三角形」、「六角形」及「鋪網底形」之用語解釋有爭執，而原審即係以凹槽圖案之不同而認定系爭產品未文義或均等侵害系爭專利更正後請求項1，故本件在判斷侵權時，應先就此部分之用語為解釋。
3.系爭專利請求項1中對於凹槽圖案係界定：「該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」，按該「三角形」及「六角形」用語之字面60意義，發明所屬技術領域中具有通常知識者，明顯可分別解釋其為「有三條邊及三個角的多邊形」及「有六條邊及六個角的多邊形」。進一步審酌系爭專利之說明書，其說明書並未對「三角形」及「六角形」用語有不同於通常知識者所認定之不同意義。是以發明所屬技術領域中具有通常知識者，無論是否審酌系爭專利之說明書，應可理解「三角形」之用語應解釋為「有三條邊及三個角的多邊形」，而「六角形」之用語應解釋為「有六條邊及六個角的多邊形」。至於「鋪網底」形狀之解釋，由其文字上並不能明確得出其具體形狀，惟參酌系爭專利說明書揭示之內容，有關於凹槽圖案的部分，有「襯墊表面具有宏觀結構，此種宏觀結構可為貫穿襯墊厚度之貫孔或表面凹槽設計，此種表面凹槽設計包括，但不限於，可為同心或螺旋形凹槽的圓形凹槽，排列如橫跨襯墊表面之X-Y方格的鋪網底圖案，諸如六角形、三角形及輪胎著地面形圖案之類的其他規則圖案，諸如碎片圖案、或其組合之類的不規則圖案；」之說明（參系爭專利說明書第9頁），可知表面凹槽設計，至少包X-Y組合類圖案）。因此，「X-Y格子形」實際上是「鋪網底圖案」的具體示例之一。另參酌系爭專利申請時之外文本，「鋪網底形」相對應之英文為「cross-hatched」，而「cross-hatch」之解釋係指「由二或多組平行線相交所組成之圖形」（tomarkorshadewithtwoormoreintersectingseriesofparallellines）（見本院卷(二)第33頁），故「鋪網底形」實際上亦是「鋪網底圖案」的具體示例之一。是以「鋪網底形」用語應解釋為「至少是包括二組平行線相交所成之圖形，如菱形格子，而相交61角度若為90度則為X-Y方格形」。
4.上訴人主張原判決關於系爭專利請求項1中「三角形」、「六角形」與「鋪網底形」之解釋，應屬謬誤云云。而被上訴人主張系爭產品之凹槽圖案與「同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」有別等語。惟查系爭專利之說明書或其他內部證據，並未對凹槽圖案之「三角形」或「六角形」用語有更為明確之定義，但查系爭專利之內部證據，並無須對「三角形」或「六角形」用語另定義異於通常知識之解釋，且查系爭專利之內部證據，已對「鋪網底形」有明確定義如上。此外，兩造所執之外部證據雖各支持其所提論據，然觀之兩造所持爭執係針對系爭產品是否落入系爭專利之專利權範圍而言，此乃屬事實認定之問題，有賴參酌主、客觀侵權事證予以認定，並無須明確劃定專利權範圍之邊界而予以特定。
5.依據台科大之檢測報告，系爭產品1、2凹槽圖案之凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距（參檢測報告第49頁、第1頁），由於系爭專利所界定之凹槽間距（P）=凹槽寬度（L）＋平地區域寬度（W）（參系爭專利說明書第11頁第2段至第12頁首段及圖1），而檢測報告所量得系爭產品1之凹槽間距為2310微米（2.31mm）係對應系爭專利所界定之平地區域寬度（W），故系爭產品1對應系爭專利所界定之凹槽間距應為2920微米（2.31mm＋0.61mm＝2.92mm）。因此，依據檢測報告所得系爭產品1凹槽圖案之凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距應分別為：780微米、610微米及2920微米。送測之系爭產品1及其量測結果如下圖：
62以上檢測報告所量得之凹槽間距為2350微米（2.35mm）係對應系爭專利所界定之平地區域寬度（W），故系爭產品2對應系爭專利所界定之凹槽間距應為2960微米（2.35mm＋0.61mm＝2.96mm）。因此，依據檢測報告所得系爭產品2凹槽圖案之凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距應分別為：830、610及2960微米。另系爭產品2之量測結果如下圖：
63
6.再依據檢測報告，對乾燥狀態下之系爭產品進行DMA量測所使用之頻率為1.6Hz及1.0Hz，對於去離子水中浸泡至少24小時狀態下之系爭產品進行DMA量測所使用之頻率為1.6Hz。又裁切系爭產品進行量測之樣品中，取4片為長邊與凹槽紋路平行方向，亦取4片為長邊與凹槽紋路垂直方向。因此，依據檢測報告所得之E'在30℃及90℃時的比值，表列如下：
系爭產品1樣品1.0Hz／乾燥1.6Hz／乾燥1.6Hz／浸泡垂直平行垂直平行垂直平行
14.304.013.384.334.083.55
24.353.943.324.144.163.69
34.224.224.424.134.213.52
44.074.164.504.164.193.86平均4.244.083.914.194.163.66系爭產品2樣品1.0Hz／乾燥1.6Hz／乾燥1.6Hz／浸泡垂直平行垂直平行垂直平行
10.812.510.933.280.822.236420.712.750.972.580.854.23
30.792.161.073.830.971.74
41.033.120.991.740.922.81平均0.842.640.992.860.892.75
7.依據上開量測結果，系爭產品之內容如下：1S-Groove研磨墊，具有一研磨層，研磨層具有一硬度、一張力模數及一能量損失因子，KEL研磨層經量測後具有一彈性儲存模數，E'，量測之樣品無論是乾燥或浸泡狀態，亦無論是樣品長邊平行或垂直凹槽，其在10弳度/秒（1.6Hz）之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例均在約1到約4之範圍間，該研磨層具有凹槽圖案，其凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距分別為：780微米、610微米及2920微米，凹槽圖案為具同心16邊形之多道凹槽，及16條由最內側16邊形凹槽頂角向圓周放射之16道凹槽。
2SXR-Groove研磨墊，具有一研磨層，研磨層具有一硬度、一張力模數及一能量損失因子，KEL研磨層經量測後具有一彈性儲存模數，E'，量測之樣品無論是乾燥或浸泡狀態，亦無論是樣品長邊平行或垂直凹槽，其在10弳度/秒（1.6Hz）之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例均在約1到約4之範圍間，該研磨層具有凹槽圖案，其凹槽深度、凹槽寬度及凹槽間距分別為：830微米、610微米及2960微米，凹槽圖案為具同心10邊形之多道凹槽。
8.將系爭產品與系爭專利更正後請求項1相較，均僅於凹槽圖案有所不同。而由前開申請專利範圍之解釋可知，系爭專利請求項1中「鋪網底形」用語應解釋為至少是包括二組平行線相交所成之圖形，如菱形格子或X-Y方格形，而系爭產品1之凹槽圖案為具同心16邊形之多道凹槽，及16條由最內側1665邊形凹槽頂角向圓周放射之16道凹槽；系爭產品2之凹槽圖案為具同心10邊形之多道凹槽，均非由二組平行線相交所成之圖形，故系爭產品1、2之凹槽圖案無法讀取「鋪網底形」之文義。惟系爭產品1之凹槽圖案形狀，其同心16邊形之多道凹槽，相當接近同心圓形，而當其組合16道向圓周放射之凹槽後，其整體宏觀結構相當接近「同心圓形及三角形之組合」。另系爭產品2之凹槽圖案形狀，其同心10邊形之多道凹槽相當接近同心圓形、六角形或同心圓形及六角形之組合，其整體宏觀結構亦相當接近「同心圓形」、「六角形」或「同心圓形及六角形之組合」。由於研磨墊之凹槽設計有其技術意義，如系爭專利說明書第5至6頁所示，具有均勻分布研磨漿、控制拋光均勻度及易於排除拋光碎屑等功能。因此，當系爭產品1、2之凹槽圖案形狀，如此接近系爭專利請求項1界定之「同心圓形及三角形之組合」、「同心圓形」、「六角形」或「同心圓形及六角形之組合」的凹槽形狀下，實難謂二者非屬以實質相同之技術手段而達成實質相同之功能並產生實質相同之結果者。故系爭產品1、2均等侵害系爭專利更正後請求項1之權利範圍。
9.雖被上訴人辯稱系爭產品之凹槽圖案與「同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合」有別云云。惟查系爭產品1之凹槽圖案為具同心16邊形之多道凹槽，組合16條由最內側16邊形凹槽頂角向圓周放射之16道凹槽，而系爭產品2之凹槽圖案為具同心10邊形之多道凹槽，經核確未落入系爭專利請求項1所界定之凹槽圖案的文義範圍；但綜觀系爭產品1之凹槽圖案的最內圈，確亦相當接近「同心圓形及三角形之組合」，而系爭產品2之凹槽圖案亦相當接近「同心圓形」、「六角形」或「同心圓形及六角形之66組合」。由於凹槽圖案接近，可推測具有相同之功效，縱有不同，亦僅係功效上程度之差異，其技術手段、功效、結果均實質相同，自仍應認為係均等侵權。
10.惟查更正後系爭專利請求項1已因被證12、13分別與被證9、30、31之組合，而有不具進步性之得撤銷理由，故依據智慧財產案件審理法第16條第2項之規定，而不得向被上訴人主張權利，附此敘明。又被證12、13分別與被證9、30、31之組合，可證明更正後系爭專利請求項1有不具進步性之得撤銷理由已至為明顯，則其他證據組合包括證據10、11，或因未揭露操作頻率，或因未揭露E'的比例等，故已無再一一論述之必要。況上訴人所有078專利請求項1為：「一種用來平面化一半導體元件或其先質表面之拋光襯墊，該襯墊之特徵為：一用來平面化該表面之拋光層，該層具有一在30℃到90℃時約為1到3.6的E'比」，其申請日及優先權日均與本件專利相同，而078專利已於另案即本院102年民專上字第46號民事判決不具進步性而不得主張權利，並已經最高法院103年度台上字第2409號判決駁回上訴而確定，均併此敘明。
五、綜上所述，被上訴人所提被證12、13分別與被證9、30、31之組合，已足證明更正後系爭專利請求項1不具進步性而有應撤銷之理由，依智慧財產案件審理法第16條第2項規定，自不得對被上訴人主張權利，則上訴人依侵權行為法律關係所為之請求，均無理由，應予駁回。雖原審認系爭產品並未侵害系爭專利更正後請求項1，為上訴人敗訴之判決，並駁回其假執行之聲請，其理由與本件不同，但結論並無二致，上訴意旨仍執前詞指摘原判決不當，求予廢棄改判，仍無理由，應予駁回。
67六、兩造其餘之攻擊或防禦方法及未經援用之證據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本判決之結果，自無逐一詳予論駁之必要，併此敘明。
據上論結，本件上訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、民事訴訟法第449條第2項、第78條，判決如主文。
中華民國105年6月2日智慧財產法院第一庭審判長法官陳忠行法官林洲富法官熊誦梅以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀（均須按他造當事人之人數附繕本），上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466條之1第1項但書或第2項（詳附註）所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中華民國105年6月13日書記官謝金宏附註：
民事訴訟法第466條之1（第1項、第2項）對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。
68上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬轉任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。
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