智慧財產法院民事判決103年度民專訴字第70號原告英商SPTS科技有限公司法定代理人AndrewEvans訴訟代理人劉法正律師賴蘇民律師孫德沛律師被告力鼎精密股份有限公司法定代理人賴炫宇訴訟代理人郭雨嵐律師汪家倩律師輔佐人潘皇維上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民國104年3月23日言詞辯論終結，判決如下：
主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
一、本件乃涉外民事事件，且我國法院有國際裁判管轄權為外國者。涉外民事訴訟事件，管轄法院須以原告起訴主張之事實為基礎，先依法庭地法或其他相關國家之法律為「國際私法上之定性」，以確定原告起訴事實究屬何種法律類型，再依涉外民事法律適用法定其準據法（最高法院92年度台再字第22號民事判決參照）。又涉外民事法律適用法規定「實體」法律關係所應適用之「準據法」，與因「程序上」所定「法院1管轄權」之誰屬係屬二事（最高法院83年度台上字第1179號民事判決參照）。
決定其應適用何國法律之法，至法院管轄部分，無論是民國100年5月26日修正施行前、後之涉外民事法律適用法均無明文規定，故就具體事件受訴法院是否有管轄權，得以民事訴訟法關於管轄之規定及國際規範等為法理，本於當事人訴訟程序公平性、裁判正當與迅速等國際民事訴訟法基本原則，以定國際裁判管轄。
SPTS科技有限公司（下稱SPTS公司）為依英國法律設立之外國法人，被告則為依我國法律設立之法人，其營業所及住所均在我國。另本件依原告所起訴之事實，係主張被告所製造、銷售之Caprica電漿蝕刻機（下稱系爭產品）於我國有侵害原告之我國發明第373226號「電感耦合式電漿反應器及製程」專利（下稱系爭專利）之行為，應負損害賠償責任及不得為一定之行為。依原告起訴主張之事實，本件應定性為專利權侵權事件，應類推民事訴訟法第15條第1項規定，認原告主張侵權行為地之我國法院有國際管轄權。再者，依專利法所生之第一、二審民事訴訟事件，智慧財產法院有管轄權，智慧財產案件組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條定有明文。是本院對本件涉外事件有管轄權，並適用涉外民事法律適用法以定涉外事件之準據法。
二、準據法之選定按以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，100年5月26日修正施行之涉外民事法律適用法第42條第1項定有明文。原告依我國專利法取得專利權，於103年5月202日起訴主張被告在我國有侵害其專利權之行為，故本件準據法自應依中華民國法律。
貳、實體部分：
一、事實概要5之申請專利範圍。
5之申請專利範圍。
5具有得撤銷之事由。
二、兩造聲明373226號發明專利，以及為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口Caprica電漿蝕刻機。
（下同）3,000,000元，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息。
供擔保請准宣告免為假執行。
三、兩造對爭點之主張3PVD及CVD等半導體製程設備之設計、製造、銷售及供應商，並取得系爭發明專利，專利權期間自88年11月1日起至105年12月18日止（原證1：
系爭專利說明書暨專利證書）。
2頁摘要：「一種供處理半導體晶圓(28)用之電感耦合式電漿反應器與方法。電感耦合式電漿反應器(10)…」、第4頁【發明之領域】：「本發明係關於一般性電漿處理技術，且更特別係關於電感耦合式電漿系統且係關於蝕刻法與沉積製程之同時處理。」、第6頁【發明之概要】：「於實施本發明此處提供一電感耦合式電漿反應器與製程以供使用電感耦合式電漿反應器時蝕刻或沉積材料層」故系爭專利所界定供製造半導體裝置的電漿反應器為電感耦合式電漿系統。4頁第12至22行：「為面對所增加之生產成本製造廠增加了所欲製造積體電路元件為其上之半導體基質之尺寸。單位生產成本可藉增加基質尺寸予以降低。當今具有8"直徑或更大直徑之半導體晶圓對於時下活躍之製造設備而言甚為平常。雖然增加晶圓直徑可使製造廠在單一基質上製得大量之元件，也可能遭遇應用於大直徑半導體晶圓時控制製程均勻性之極大困難。於電漿蝕刻製程中，多項因素可能破壞沉積在半導體晶圓表面之蝕刻材料層之均勻性此等因素包含電漿均勻性，在晶圓表面之離子流通量均勻性，供給至蝕刻系統之氣體反應物，及在晶圓表面之反應產物之移除。」、第5頁第22行至第6頁首行：「目前，電漿蝕4刻系統及電漿沉積系統均不提供任何改變電漿之可能方法以便在大直徑半導體基質上定位蝕刻與均勻性沉積。因此，為在大直徑半導體晶圓上均勻地蝕刻材料層，進一步研發反應器設計與蝕刻製程技術具必要性。」系爭專利之技術背景是要解決在對大直徑半導體基質進行電漿蝕刻或沉積時，會產生電漿均勻性與蝕刻、沉積均勻性的問題，甚至是對半導體基質沿其表面直徑進行不同的加工控制。
勻性的維持是藉由不同電漿產生區域來達成，即系爭專利是在空間中區隔出不同的電漿產生區域，而達成對電漿的空間控制：
A.參照系爭專利說明書「發明之概要」第6頁第4至17行：「本發明之電漿反應器包含配置在一反應室內之同軸多重線圈電漿源。電漿源之位置係與一配置以受納及支撐半導體晶圓之夾盤相關聯。電漿源包含多個通道…於操作時，半導體晶圓被放置於夾盤上且氣體控制系統開始運轉以充填供製電漿之氣體於反應器中。RF電能被施加至獨立RF線圈上且電漿在反應室內被點火。…。於相同方法中，材料層在於空間中控制電漿密度與組合物下被沉積於基質上。高精密性與均勻性之蝕刻與沉積藉沿著半導體晶圓表面之徑向距離下獨立控制電漿密度與組合物被獲得。」系爭專利所界定的電漿反應器之同軸電漿源具有多個通道，每個通道內部可用於產生電漿，意即系爭專利之電漿反應器在空間上可區別出多個區域，而各個區域即對應為不同的通道之內部空間，並供電漿生成，且不同空間5在生成電漿時不會互相影響，並產生對於半導體基質徑向方向各局部電漿的控制性，使得各個區域產生的電漿均能用於對半導體晶圓進行加工。
B.參照系爭專利說明書之圖1、2、4及5，以及說明書第7頁第12至18行：「本發明係關於一電感耦合式電漿反應器，其中電漿密度與組合物可在電漿反應器之空間內予以變更。為達成電漿密度與組合物之空間變異性，一具有可變數量之凹室通道之同軸多重線圈電感式電漿源被提供。」、第7頁第22行至第8頁第2行：「藉使對應於電漿源之通道結構之半導體晶圓定位，造成可改變由電漿源所產生之電漿密度與組合物以局部控制半導體晶圓上之蝕刻速率。因此，在半導體晶圓上之材料層之蝕刻速率可沿著半導體晶圓之直徑被獨立改變。」、第10頁第3至18行：「在圖2與3之舉例說明，第一通道44係與中央通道38約同圓心。…在電漿源16內之額外通道亦配置成與中央通道38與第一通道44約略同圓心。例如，在圖1所示之最大外圍通道係與第一通道約為同圓心。藉連續之同心排列，多數通道可視預期之電漿30之空間控制而定被配置於電漿源16中。如圖2之舉例說明，中央RF線圈54圍繞於中央通道38。另外，第一RF線圈56圍繞第一通道44。中央RF線圈54和第一RF線圈56各自由RF供電系18所獨立控制。…。橫跨於與製程氣體物質電感耦合之RF線圈之電流觸發了在每一通道內之電漿。」、第10頁第19至21行：「雖然電漿源16之同心通道設計提供電漿密度與組合物可被局部性變更之實質控制程度，根據本6發明之所設計之ICP反應器之額外具體實例如圖4及5之實例說明。」、第12頁第22行至第13頁第4行：「於半導體晶圓28與電漿源16之同心通道定位對齊時，在半導體基質28上之點64之局部蝕刻速率可藉改變由電漿源16所產生之空間電漿條件予以獨立控制。依此方法，達成徑向控制蝕刻材料層66之速率，以致近接於圓周邊P之材料層66與在中央點C處之材料層66，與在半導體晶圓28上之各點64部份同時被蝕刻。」、第13頁第22行至第14頁第1行：「於半導體晶圓28與電漿源16之同心通道定位對齊時，在半導體基質28上之點64之局部沉積速率可藉改變由電漿源16所產生之空間電漿條件予以獨立控制。」。
C.參照前述系爭專利所揭示技術內容，就是使得電漿反應器能夠具備多個通道，使得每一通道內部成為可供電漿產生的不同區域，藉此使得電漿能在不同的空間被生成，而生成時不會互相影響，故各個不同生成電漿的空間可產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，並進一步使得該各局部的電漿密度及組成能被控制。又系爭專利之電漿反應器的外圍通道還可包圍內部通道，此即外圍通道之生成電漿的空間位在內部通道之生成電漿的空間之相對於半導體基質之徑向外側，而外圍通道的生成電漿區域即會環繞內圈通道之生成電漿區域的周邊，故外圍通道圍繞內部通道即意謂形成同心配置。換言之，內部通道內部可供電漿產生的區域即具備一外圍周界，該外圍周界是在內部通道之相對於半導體基質的徑向方向7，並可用以區別出不同的電漿生成區域。如此即可使得電漿的生成在空間上產生變異性，並達成沿著大尺寸半導體基質之表面徑向進行各局部電漿情況的控制，而完成均勻電漿加工或沿該徑向方向進行加工控制之目的。此外，系爭專利所提供的電漿反應器為電感耦合式電漿系統，故該電漿反應器在空間上可區別出而可供生成電漿的區域，亦會靠近於電感耦合式系統的RF線圈。
5之專利範圍解釋：
6個獨立項，其中請求項5為：「一種供製造半導體裝置之方法，其特徵為具有以下步驟：提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊；放置一半導體基質在電漿反應器之內；利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿；及利用電漿處理在電漿反應器內之半導體基質。」5界定一製造半導體裝置之方法，並明確敘述製造該半導體裝置時要設置一具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域之電漿反應器，以及將半導體基質放置在電漿反應器中，然後利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域產生電漿而對半導體基質進行加工，其中第二電漿產生區域是圍繞第一電漿產生區域的圓周邊，故系爭專利請求項5是一種半導體裝置的電漿蝕刻製程。
A.系爭專利請求項5所謂「第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域8之圓周邊」，是在描述電漿蝕刻製程中的第一電漿產生區域與第二電漿產生區域的相對位置，也就是在說明產生電漿、蝕刻半導體裝置之機台中所配置第一電漿產生區域與第二電漿產生區域的相對關係。
B.系爭專利請求項5所謂「放置一半導體基質在電漿反應器之內」則指在電漿蝕刻製程中要放置半導體基質而供加工，意即實施系爭製程的電漿蝕刻機台內會設置用來放置半導體基質的載台，半導體基質即置放在此載台上而受到電漿的蝕刻製造。
C.是以，系爭專利請求項5雖然是在界定半導體裝置之製程步驟，但實則是在描述製造該半導體裝置時所需之配置，也就是實施製造該半導體裝置之步驟的機台所會具備電漿反應器、載台等元件之配置。
A.基於前述系爭專利之技術思想，參照前引系爭專利說明書之內容，系爭專利請求項5之電漿反應器所具備的第一電漿產生區域及第二電漿產生區域，即係指在空間上可以區分出的區域，並且係可以供生成電漿的處所，且該等可區分的空間在生成電漿時不會互相影響，而在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，此即第一電漿產生區域及第二電漿產生區域所生空間上可變的電漿密度和組成會導致局部電漿情況不同的控制性，故系爭專利請求項5才謂「利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿」。
B.系爭專利請求項5之電漿反應器係指以電感耦合式來產生電漿之系統，故該電漿反應器在空間上可區別出9而可供生成電漿的區域，亦會靠近於電感耦合式系統的RF線圈。因此，系爭專利請求項5之第一電漿產生區域及第二電漿產生區域，即指前述系爭專利技術內涵中所揭示的不同通道之用於產生電漿的內部空間，且不同空間在生成電漿時不會互相影響，使得各個區域產生的電漿均能用於對半導體晶圓進行加工。
C.故系爭專利請求項5之「電漿反應器」係指「以電感耦合式來產生電漿之系統」；「第一電漿產生區域」及「第二電漿產生區域」，則係指「電感耦合式之電漿反應器具備兩個在空間中可予以區隔而可供電漿生成的空間，該等空間靠近於電感耦合式電漿反應器的RF線圈，且生成電漿時不會互相影響，並能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，而使得各空間所生成的電漿均能用於對半導體晶圓進行加工」。
D.此外，系爭專利請求項5之第一電漿產生區域還具備一圓周邊，而第二電漿產生區域則圍繞第一電漿產生區域之圓周邊。則該圓周邊即指第一電漿產生區域可供電漿生成處所的最外圍邊界，並是在相對於半導體基質的徑向方向，而可用以在空間上區隔出第一電漿產生區域及第二電漿產生區域，此即呼應系爭專利所述電感耦合式之電漿反應器具備可在空間上予以區隔的電漿生成空間，而該等區隔不同電漿產生區域的該最外圍邊界則使不同區域生成電漿時不會互相影響。
E.又第二電漿產生區域圍繞該圓周邊，則意指該第二電漿產生區域用以生成電漿的處所不僅會圍繞該圓周邊，亦會圍繞第一電漿產生區域之生成電漿的處所，並10形成該等電漿產生區域的同心配置，故該第二電漿產生區域是位在第一電漿產生區域之相對於半導體基質之徑向外側。
F.因此，系爭專利請求項5之「第一電漿產生區域具有一圓周邊」，係指「第一電漿產生區域生成電漿空間而在相對於半導體基質徑向方向的最外邊界，用以區隔第一電漿產生區域及第二電漿產生區域」；系爭專利請求項5之「第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊」，則係指「第二電漿產生區域用於生成電漿的空間圍繞第一電漿產生區域生成電漿的空間，而形成同心排列，並使得第二電漿產生區域位在第一電漿產生區域之相對於半導體基質之徑向外側」；系爭專利請求項5之「利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿」，即指「藉由空間上可區隔的第一電漿產生區域及第二電漿產生區域，在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，並以該等電漿來處理半導體基質」。
5之技術內容，顯然有誤，並且前後矛盾：
A.承前所述，系爭專利請求項5之「第一電漿產生區域」及「第二電漿產生區域」，係指「電感耦合式之電漿反應器具備兩個在空間中可予以區隔而可供電漿生成的空間，該等空間靠近於電感耦合式電漿反應器的RF線圈，且生成電漿時不會互相影響，並能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，而使得各空間所生成的電漿均11能用於對半導體晶圓進行加工」。是以，系爭專利請求項5係以在空間上可以區分出的區域來作為生成電漿的處所，而在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，並非界定局部控制氣體或RF能量之技術特徵。因此，被告認為系爭專利請求項5所界定之電漿產生機制為局部控制製程氣體及／或RF能量，即顯然有誤。
B.又被告在爭執系爭專利請求項5不具可專利性時，係主張請求項5未記載關於「局部控制製程氣體」及／或「局部控制RF能量」之技術內容，但在主張系爭產品不侵害系爭專利請求項5時，卻又主張「系爭專利請求項5所界定具個別產生電漿機制（局部控制製程氣體及／或RF能量）」，則被告對於系爭專利請求項5之解讀，即顯然有誤，並且前後矛盾。
之系爭產品會侵害系爭專利請求項5：
5及原證6標示有被告之公司名稱及商標字樣（原證7：被告公司商標檢索資料），而該等標示也同於被告於103年7月22日民事陳報狀之附件的標示，顯見原證5及原證6確實源自被告。
5第6至9頁及原證6第16至18頁揭示系爭產品之元件組立關係圖，原證6第24至27頁則揭示系爭產品之實體照片，以及設置於工廠之情形，可以得知被告所製造、銷售之系爭產品具備第一電漿產生區域與第二電漿產生區域之電漿反應器，該第一電漿產生區域具有一圓周邊，第二電漿產生區域則會環繞該第一電漿12產生區域的圓周邊，又該電漿反應器中也設有供半導體基質放置的載台。故系爭產品之電漿反應器、載台等配置，即是用來產生電漿及放置半導體基質，並無其他用途。因此，使用系爭產品來製造半導體裝置，就必然是會利用系爭產品的電漿反應器之第一電漿產生區域與第二電漿產生區域來產生電漿，並對放置在機台內的半導體基質進行製造，故使用系爭產品就會使用到系爭專利請求項5所界定之製程，亦即，使用被告所製造、銷售及提供之系爭產品，確實會文義侵害系爭專利請求項5之申請專利範圍（原證8：系爭專利請求項5及系爭產品所用製程之比對表）。
常見的電漿生成方式是以電場加速電子，碰撞氣體分子而產生電子及離子，因此以足夠的電能源與氣體作用即可生成電漿而形成電漿源。例如，參照被證13第4頁所記載：「執行此種處理的電漿處理裝置是將，譬如說，平行的2枚平板狀電極置於處理容器內，並將半導體晶圓（wafer）置於下方的電極之上，在此2電極間加上產生電漿用的高頻電源，譬如說13.56百萬赫（MHz）的高頻電壓，而產生電極。由此，在晶圓的表面上實施成膜處理。如上所述，在平行平板電極間產生的電極，其電場是由從一方的電極向著他方的電極的交流磁場所得到，因此藉由磁力，電子會沿著電場移動。並在此移動中藉著與氣體分子撞擊而使不易熱激發的氣體活化，而得到所希望的薄膜。在晶圓的表面形成厚度均勻的薄膜，對改善半導體製品的良率是非常的重要。而成膜的厚度是受到原料氣體或處理氣體供給方法的很大的影響13。對此原料氣體供給方法而言，有由處理容器的周壁向其內部插入供給噴嘴（nozzle），由此向著晶圓表面提供原料氣體的方法」。被證13於發明背景所描述的電漿裝置，同樣是以高頻電壓使電場中的電子獲得高能和加速，並撞擊氣體分子而使氣體活化，故該等電漿裝置同樣是需要電源及氣體來產生電漿而作為電漿源。又不同的電能源形式則可形成不同的電漿源，而實務上常見是以射頻電源（頻率常為13.56MHZ）來作為電源，如原證6即謂「射頻電源最為各界廣泛利用」。
InductivelyCoupledPlasma）系統，即以RF電源通以環繞線圈產生RF電能而與氣體作用以生成電漿：
A.以下說明原證5及原證6所揭示內容，並輔以原證16說明原證5及原證6中各頁之重點。
B.參照原證5第2頁之配置圖，系爭產品會透過「sourceRF」對環繞上方通道及下方通道的線圈供給RF電能。參照原證5第3頁及原證6第21頁，系爭產品中用來產生RF電能的元件為「ENIGHW-50ARFGenerator」，原證6第21頁還特別註明為「5000W/13.56MHZ」，此即同於原證6第5頁所述「射頻電源（RFSource,13.56MHz）」。原證5第6頁及原證6第16頁則揭示上下兩組環繞線圈，該等線圈則是位在腔室元件之結構中，故將原證5第2頁、第3頁與原證6第21頁相比對，即可知原證5第6頁及原證6第16頁之兩組環繞線圈是與射頻電源相接的RF線圈，而該等RF線圈所生電能即可與氣體作用以生成電漿。
14C.原證6第28頁揭示系爭產品的腔蓋（Capricachamberlid）具備「TwocoilsforICPsource」，即該腔蓋所具備的二組線圈是用於產生電感耦合式電漿。又比對原證5第2頁、第6頁及原證6第16頁所示的RF線圈，即可知原證6第28頁所示腔蓋之該等線圈是位在該等腔蓋結構的內部。另外，原證6第27頁揭示系爭產品的腔體及腔蓋結構，而該頁則對腔蓋結構有「ChamberLid,ICPdome」之描述，即在該腔蓋處會產生電感耦合式電漿，故與前述內容相比對，亦可知原證6第27頁所示腔蓋之該等線圈同樣是位在該等腔蓋結構的內部。
D.參照原證5第2頁，系爭產品會由腔體頂端注入氣體（即SF6、C4F8、CF4、O2及Ar）。原證5第6頁及原證6第16頁則揭示氣體會由腔室頂端注入，並先通過如蓮蓬頭結構的AlGDP而進入腔室。原證6第27及28頁，則可見此GDP元件，原證6第28頁則記載「CenterfeedgaswithGDP」，表示氣體是以GDP元件來由中央供氣。又原證5第3頁及原證6第21頁也揭示系爭產品會注入SF6（1000sccm）、C4F8（500sccm）、CF4（200sccm）、O2（1000,200sccm）及Ar（500sccm）等氣體。
E.因此，在系爭產品中對RF線圈供給RF電能，並由腔體頂端注入氣體，則RF電能即會與氣體作用以生成電漿，並形成電漿源。原證5第5頁及原證6第15頁所標示「ICPModule」之元件內，即具備生成電感耦合式電漿的電漿源。
5之「電漿反應器」、「15第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」、「線圈」及「半導體基質」之相關位置的說明如下，並請參原證17之圖示暨說明：
RF線圈產生RF電能而與氣體作用以生成電漿，故系爭產品係以電感耦合式方式來產生電漿，而系爭專利請求項5之「電漿反應器」則主要對應於系爭產品之RF線圈及生成電漿處所，即位於原證5第5頁及原證6第15頁之「ICPModule」之內部。
ICPModule中，靠近RF線圈處即會生成RF電能，並可與氣體作用而產生電漿，而系爭產品之RF線圈則環繞於上方通道及下方通等腔蓋的結構處，故系爭產品之「第一電漿產生區域」及「第二電漿產生區域」即係指靠近該等RF線圈而可用於生成電漿的腔室內空間。
A.被告先是主張系爭產品僅具有單一電漿產生機制於單一區域而產生電漿，後又主張下方通道內的下層空間之線圈數多寡、腔室直徑及容積大小等因素而為非電漿產生區域。顯然，被告亦同意上方通道內之上層空間內可產生電漿。
B.惟電漿產生的機制最主要在於使得氣體分子獲得足夠的解離能量，而該等解離能量的獲得則主要取決於RF能量的強度。參照原證5第1頁，系爭產品之上方通道與下方通道之線圈均並聯於同一RF能量源，故既然系爭產品之上方通道的上層空間內可獲得足夠能量而生成電漿，則下方通道內的下層空間亦可獲得足16夠能量而生成電漿。因此，系爭產品之上方通道及下方通道內的空間即為可用以生成電漿的電漿產生區域。
C.此外，參照原證5第2及6頁與原證6第16、27及28頁，系爭產品之上方通道及下方通道內靠近線圈處即為生成電漿之處所，而下方通道的管徑明顯大於上方通道，故系爭產品之上方通道內的第一電漿產生區域與下方通道內的第二電漿產生區域即具有在空間中的可區隔性，而其內所生成的電漿亦不會互相影響，並可產生於半導體基質之徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性。
半導體基質：
A.參照原證4所載內容：「Caprica是一台全自動化、多腔室的高密度電漿蝕刻系統，Caprica使用感應耦合式電漿（ICP）產生高密度電漿，同時配備靜電吸附式氦氣冷卻系統（electrostaticchuckedheliumcoolingsystem），所以本系統可以在低溫下達成高蝕刻率。目前Caprica已經使用在包括微機電（MEMS）、直通矽穿孔（TSV）、矽晶圓薄化（Siliconwaferthinning）及深矽蝕刻（deepSiliconEtching）等不同製程上，而它在蝕刻率、深寬比、均勻度上的不錯表現均足以與業界最好的產品一較高下；此外，Caprica在氧化物蝕刻製程上驗證也已經邁向最後的階段。Caprica在兼具平價及高效率的特性，使得它成為目前市面上最佳性價比的乾式蝕刻系統之一。」故被告在其公司網頁即已宣稱，系爭產品可進行微機電、直通矽穿17孔、矽晶圓薄化及深矽蝕刻等製作，而該等製作即需要放置矽晶圓於系爭產品之腔室中，否則如何進行直通「矽」穿孔或「矽」晶圓薄化。
B.系爭產品是以電漿對晶圓（即半導體基質）進行蝕刻之系統，參照原證5第6頁及原證6第16、27及28頁所示，系爭產品具備可放置晶圓的載台，原證6第28頁則記載「Electorstaticwaferchuck」，即表示系爭產品具備靜電晶圓載台，而原證6第19及20頁則說明此類載台的機制。此外，原證6第9、10及14頁顯示系爭產品對晶圓的監看畫面及資訊，原證6第34至38頁及原證4則顯示利用系爭產品製作的晶圓之蝕刻結構，故系爭產品可對半導體基質進行加工。
C.再者，原證6前面為系爭產品之敘述，其第34至38頁則揭示晶圓之蝕刻結構，而原證4上半部為系爭產品之敘述，下半部也揭示晶圓之蝕刻結構，故已可合理推知該等晶圓蝕刻結構之照片為系爭產品所製作。
若被告否認該等晶圓蝕刻結構非系爭產品所製作，則被告即應舉證以實其說。
5及原證6已可證明使用系爭產品即是執行系爭專利請求項5所揭露之步驟：
5之內容，系爭專利請求項5界定一製造半導體裝置之方法，並敘述製造該半導體裝置時要設置一具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域之電漿反應器，以及將半導體基質放置在電漿反應器中，然後利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域產生電漿而對半導體基質進行加工。因此，系爭專利請求項5即描述電漿蝕刻製程中的第一電漿產生區域與第二18電漿產生區域的相對位置，也就是在說明產生電漿、蝕刻半導體裝置之機台中所配置第一電漿產生區域與第二電漿產生區域的相對關係，且該機台中會設置用來放置半導體基質的載台而供半導體基質的放置。是以，系爭專利請求項5雖然是在界定半導體裝置之製程步驟，但亦是在描述製造該半導體裝置時所需之配置，也就是實施製造該半導體裝置之步驟的機台所會具備電漿反應器、載台等元件之配置。
參照原告上開所述暨原證5、6、8、16、17，系爭產品之上層通道及下層通道內部即為第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第二電漿產生區域會環繞該第一電漿產生區域的圓周邊，又該電漿反應器中也設有供半導體基質放置的載台。故系爭產品之電漿反應器、載台等配置，即是用來產生電漿及放置半導體基質，並無其他用途。因此，使用系爭產品來製造半導體裝置，就必然是會利用系爭產品的電漿反應器之第一電漿產生區域與第二電漿產生區域來產生電漿，並對放置在機台內的半導體基質進行製造，故使用系爭產品就會使用到系爭專利請求項5所界定之製程。
，而有排除及防止侵害之必要：
2：被告之公司登記事項查詢單），其所製造、銷售及提供國內半導體廠商使用之系爭產品所採用之製程方法，有侵害系爭專利請求項5之情形，原告就此曾籲請被告尊重原告所有之系爭專利（原證3：原告於103年1月10日寄發予被告之律師函）。惟被告除了在其公司網頁展示及銷售系爭產品19（原證4：被告公司網頁資料），原告另取得被告簡報系爭產品之兩份資料（原證5及原證6），可證明被告確實曾銷售、提供系爭產品予國內半導體廠商而供其使用。。
體廠商就是日月光半導體製造股份有限公司（下稱日月光公司），並說明本案係因兩造向日月光公司銷售電漿蝕刻機而引起的案件。被告於103年7月22日陳報狀之附件即提出向日月光公司的報價資料（本院卷（一）第111頁至第113頁），另外原證6第23頁以下則顯示被告設置在日月光公司的機台（本院卷（一）第47頁背面以下）。因此，被告確實有製造、販賣、要約販賣或向日月光公司提供系爭產品之行為。而原證5及原證6則顯示被告製造、販售或提供給日月光公司的系爭產品之零組件及組合圖，使用系爭產品即構成系爭專利請求項5之侵害，則如前述。
被告對其所製造、銷售之系爭產品或提供給日月光公司之系爭產品，勢必得先實際進行測試，意即會使用系爭產品對半導體基質進行電漿蝕刻製程而製作為半導體裝置，否則如何確保機台之性能。此外，參照原證6第34頁以下的半導體裝置之照片（本院卷（一）第53頁以下），顯示被告曾使用系爭產品對半導體基質進行蝕刻而製造半導體裝置，並以此使用結果向日月光公司進行簡報。而使用系爭產品即會使用到系爭專利請求項5之製程，並構成該請求項之文義侵害已如前述，故被告對於系爭產品進行的測試、使用而製造半導體裝置，確實對系爭專利請求項5構成直接侵害。而被告依此製程而製造、銷售及提供予日月光公司之系爭產品，則對原告之實施系爭專利製程之電20漿蝕刻機的業務推展造成影響及損失。
括電子零組件製造業、機械設備製造業、機械安裝業等（原證2），具備開發半導體製程所用物理氣相沉積、乾式蝕刻等機台之能力，並申請多件電漿蝕刻或半導體製程設備之專利（原證14），故被告實為原告之競爭同業，有預見或避免因侵害原告專利致損害發生之能力及注意義務，且原告亦曾以律師函籲請被告尊重原告所有之系爭專利（原證3），故被告即為故意，或應認其有未盡注意義務之過失，而侵害系爭專利。是以，被告未得原告同意實施系爭專利而使用該製造半導裝置之製程，侵害原告依專利法第58條第1項、第3項第1款之規定的專利排他權，並屬專利法第96條第2項、民法第184條第1項前段及第2項之侵權行為。
99年度民專訴字第59號判決意旨：「按民法第185條規定，數人共同不法侵害他人之權利者，連帶負損害賠償責任，不能知其中孰為加害人者亦同；造意人及幫助人視為共同行為人。依此規定，共同侵權行為可分為共同加害行為、共同危險行為、造意及幫助三種（最高法院101年度台上字第720號判決意旨參照）。又前條第二項所稱之幫助人，係指幫助他人使其容易遂行侵權行為之人，其主觀上須有故意或過失，客觀上對於結果須有相當因果關係，始須連帶負損害賠償責任（最高法院92年度台上字第1593號判決意旨參照）。故民法第185條第2項造意或幫助犯之成立，必以有直接侵權行為人之存在為前提。…該等產品已於市場流通，則配合規格書一併使用，市場上顯然必有侵害系爭專利申請專利範圍第1項21之直接侵權人之存在…此所謂造意及幫助行為，乃教唆或幫助他人使遂行或易於遂行侵權行為，其主觀上有故意或過失，客觀上對於其發生之結果有相當因果關係，即須連帶負損害賠償責任（最高法院99年台上字第1207號判決意旨參照）。」故鈞院判決肯認在直接侵權人或直接侵權行為之存在情況，共同加害行為、共同危險行為、造意或幫助者，即會成立共同侵權行為，並應負損害賠償責任。
就本案而言，被告所製造、販售、及提供予日月光公司之系爭產品設置有具備第一電漿產生區域及第二電漿之電漿反應器及放置半導體基質的載台，故利用該電漿反應器就能產生電漿而對半導體基質進行製造，而實施系爭專利請求項5之技術內容，因此，被告之系爭產品就是要用來使用系爭專利之製程，並無其他非侵權用途。質言之，日月光公司使用系爭產品而製造半導體裝置，必然會直接使用到系爭專利請求項5之技術內容，而被告製造、銷售及提供系爭產品，亦與日月光公司使用系爭產品具有因果關係。是以，被告製造、販售及提供系爭產品之行為，確實已共同侵害系爭專利而為民法第185條前段之侵權行為，並應負損害賠償之責。
58條第1項規定「發明專利權人，除本法另有規定外，專有排除他人未經其同意而實施該發明之權。」、同條第3項第1款規定「方法發明之實施，指下列各款行為：一、使用該方法。」、第96條第1項規定「發明專利權人對於侵害其專利權者，得請求除去之。
有侵害之虞者，得請求防止之。」對於方法專利而言，專利權人專有排除未經其同意而使用該方法之權，並得主張排除侵害。又系爭專利請求項5界定一種半導體裝置之製22程技術，而被告所製造、銷售或提供給日月光公司之系爭產品，就是要使用該半導體裝置之製造方法，而侵害系爭專利請求項5，且無其他非侵權用途，已如前述。是以，被告因製造、銷售而測試系爭產品，以及將之提供給日月光公司，均是未經原告同意而使用系爭製程，故被告為自己或他人使用目的而製造、販賣、販賣之要約或為上述目的而進口系爭產品等行為，即有侵害系爭製程之虞，而有排除及防止侵害之必要。
務及對原告侵權主張提出實質回應：
5及原證6標示有被告之公司名稱及商標字樣（原證7：被告公司商標檢索資料），而該等標示也同於被告於103年7月22日民事陳報狀之附件的標示，顯見原證5及原證6確實源自被告。
5及原證6揭示被告電漿蝕刻機之零組件及結構，並可證明被告之侵權行為已如前述，故原告已確實積極證明被告之侵權行為。因此，依據民事訟法第195第2項及第266條第2項第2款之規定，被告應就原證5及原證6所揭示內容及對原告侵權主張提出其具體陳述，並詳實說明其提供給日月光公司的機台之組件及結構與原證5及原證6所揭示內容有何差異，以盡其事案解明義務，而非單純否認或爭執原告未進行實物比對，或空泛否認該等證據之真實性。
5之有效性部分：
5不具可專利性：
13（即我國公告第311326號專利）之公23開日期為1997年7月21日，遠晚於系爭專利之申請日，故被告執此被證13與其他引證案進行組合而論系爭專利請求項5不具新穎性及進步性，即屬無據。其次，系爭專利之美國對應案（即美國專利第5,683,548號）在申請過程時，美國專利局即審查過被證9（即美國專利第5,091,049號），故被告以被證9而論系爭專利請求項5不具新穎性及進步性，亦非有理。
被告係以被證3至被證13等11件引證案主張系爭專利請求項5不具新穎性及進步性，並以【被證3至被證13之任何一者】、【「被證7至被證11之其中之一者」與「被證3至被證6及被證12之其中之一者」之組合】及【「被證8」與「被證3、5、6之其中之一者」與「被證7、9、10、11之其中之一者」之組合】，主張可證明系爭專利請求項5不具進步性云云。惟，該等引證案並未揭露前述系爭專利所界定在空間中區隔不同電漿產生區域，並利用該等區域所生電漿處理半導體基質之技術特徵。此外，該等引證案亦未揭露前揭所解釋系爭專利請求項5之「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」、「第一電漿產生區域具有一圓周邊」、「第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊」及「利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿」等要件。故該等引證案並不能證明系爭專利請求項5不具新穎性，相關理由原證15之比對表（本院卷（一）第311頁至第324頁）。此外，既然該等引證案並未揭示系爭專利請求項5之技術特徵，則該等引證案暨組合亦不能證明系爭專利請求項5不具進步性。
245並未違反系爭專利審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項，並具可專利性：
制製程氣體」及／或「局部控制RF能量」，而系爭專利請求項1至4及6均記載該等實施系爭專利之必要技術內容，顯然系爭專利發明人亦認該等內容為實施系爭專利之必要技術，但系爭專利請求項5卻未予以界定，則系爭專利請求項5顯未記載解決系爭專利所欲解決問題之實施必要技術內容，而違反系爭專利審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項云云。
已不得作為主張系爭專利請求項5之無效事由：
A.按系爭專利審定時專利法（即83年專利法）第41條第1項規定：「公告中之發明，任何人認有違反第4條、第19條至第21條、第22條第3項或第4項、第27條規定，或利害關係人認有不合第5條或第30條規定者，自公告之日起三個月內備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起異議。」故審定時專利法第22條第4項暨審定時專利法施行細則第16條第2項所規定者為異議事由，而異議之提起必須在專利公告之日起三個月內為之。
B.又系爭專利審定時專利法第71條規定：「有下列情事之一者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，並限期追繳證書，無法追回者，應公告證書作廢：
一、違反第19條至第21條或第27條規定者。」、25專利法第72條第1項規定：「前條第二款之舉發，限於有專利申請權人。其他各款，任何人得附具證據，向專利專責機關舉發之。」故審定時專利法第72條第1項規定之舉發事由，係為違反第19至21條或第27條之事由者，並無第22條第3項或第4項所規定之事由。
C.是以，系爭專利為88年11月1日公告，現今早已超過可提起異議之三個月時間，故被告不可再以異議事由主張系爭專利請求項5不具可專利性，被告至多僅能以舉發事由而論系爭專利之效力。因此，被告以審定時專利法第22條第4項之異議事由，而論系爭專利請求項5不具可專利性，即顯屬有誤。
5實未違反審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項之規定：
A.參照系爭專利說明書「發明之概要」第6頁第4至7行：「本發明之電漿反應器包含配置在一反應室內之同軸多重線圈電漿源。電漿源之位置係與一配置以受納及支撐半導體晶圓之夾盤相關聯。」、說明書第7頁第12至18行：「本發明係關於一電感耦合式電漿反應器，其中電漿密度與組合物可在電漿反應器之空間內予以變更。為達成電漿密度與組合物之空間變異性，一具有可變數量之凹室通道之同軸多重線圈電感式電漿源被提供。」及第7頁第22行至第8頁第2行：「藉使對應於電漿源之通道結構之半導體晶圓定位，造成可改變由電漿源所產生之電漿密度與組合物以局部控制半導體晶圓上之蝕刻速率。因此，在半導體晶圓上之材料層之蝕刻速率可沿著半導體晶圓之直26徑被獨立改變。」
B.系爭專利所界定的電漿反應器之同軸電漿源具有多個通道，每個通道內部可用於產生電漿，此即用於生成電漿的空間區域。故系爭專利之電漿反應器首要是在空間上可區別出多個區域，各個不同區域則作為電漿生成的處所，並對應為不同的通道之內部空間，使得能夠產生對於半導體基質徑向方向各局部電漿的控制性，而達到對大直徑半導體基質進行加工的均勻性。
因此，系爭專利實際上是先在空間上區隔出多個生成電漿的處所，然後才在各個空間處所施以局部控制RF能量及製程氣體。故系爭專利請求項5所界定之「第一電漿產生區域」及「第二電漿產生區域」即是描述空間上可區隔的電漿生成處所。是以，系爭專利請求項5已明確界定其技術內容，並載明解決問題之實施手段，故無被告所謂違反審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項等規定之情形。
按侵害發明專利權損害賠償之計算，依專利法第97條第1項第1款之規定，可依民法第216條規定計算，但不能提供證據方法以證明其損害時，發明專利權人得就其實施專利權通常所可獲得之利益，減除受害後實施同一專利權所得之利益，以其差額為所受損害；再者，依專利法第97條第1項第2款之規定，得依侵害人因侵害行為所得之利益來計算損害。侵害行為如屬故意，依專利法第97條第2項之規定，法院更得依侵害情節，酌定損害金額之3倍內的賠償。又民事訴訟法第244條第4項規定：第1項第3款之聲明，於請27求金錢賠償損害之訴，原告得在第1項第2款之原因事實範圍內，僅表明其全部請求之最低金額，而於第一審言詞辯論終結前補充其聲明。本此，原告等謹依民事訴訟法第244條第4項之規定，先表明全部請求之最低金額即300萬元，容於嗣後聲請調查證據確認被告應賠償之金額後再擴張給付範圍之聲明。
5：5乃「一種供製造半導體裝置之方法」，亦即系爭專利請求項5為一製造半導體裝置之方法專利，且並非製造電漿蝕刻機之方法專利。
5既然非屬一教示製成系爭產品之方法，故僅有於被告確實有「使用該方法」之情況下，方有該當專利法第58條第3項而侵害系爭方法專利請求項5之可能。查原告主張被告製造、販售及提供系爭產品予我國半導體廠商，則依原告主張之內容，可知系爭方法專利請求項5之步驟，僅由實施半導體製程、利用電漿處理半導體基質者所實施，原告根本未具體舉證被告如何「使用系爭專利請求項之方法」，其主張被告侵害系爭方法專利云云，顯然依法無據。
8之比對表未解釋申請專利範圍、未比對實物、未就其結論進行分析、亦未說明侵害之態樣，其比對方法及結論均顯有錯誤，無足採信：
要點所示鑑定流程、及專利侵權訴訟實務流程不符。按「專利侵害之鑑定流程分為兩階段：（一）解釋申請專利範圍（ClaimConstruction）；（二）比對解釋後之申28請專利範圍與待鑑定對象（物或方法）」，此有專利侵害鑑定要點第27頁可參（附件5）。鈞院公布之「智慧財產民事訴訟事件審理模式」，亦將專利訴訟之專利有效性、含申請專利範圍之解釋列為應先予辯論之事項。可知專利侵權之主張，首應進行申請專利之解釋，以確認系爭專利範圍及其技術特徵，並合理界定專利權範圍。此外，就同一專利請求項，侵權比對與專利有效性亦應以相同之解釋申請專利範圍進行比對。
為方法時，應就所送之待鑑定對象中與申請專利範圍所述之申請標的對應之方法予以比對；所送待鑑定對象應包括能證明其實施方法之證據。為確定待鑑定對象之實施方法，必要時應進行現場勘驗或實驗。若專利標的為方法，而待鑑定對象為物時，或所送之書面證據欠缺具體技術內容，應補齊相關證據後再比對」，此有專利侵害鑑定要點第37及38頁可參（附件6）。
8之比對表僅係不滿4頁之簡單表格，其完全未解釋系爭專利請求項申請專利範圍，即逕進行所謂之比對；且該表格未依比對對象之實施方法為比對，即逕記載結論。顯然該比對，僅係原告形式上做出一對自己有利之比對表而已。而原告之書狀及其比對表均未解釋申請專利範圍，甚至未分析其所謂「是否侵害」之結論，所指之侵害究係基於何理由？是文義讀取？均等？或其他？原告之分析方法顯有錯誤，結論亦無參考價值。
16、17所示之系爭產品未落入系爭專利請求項5每一技術特徵之文義範圍，且不符合全要件原則，不符合文義讀取，無專利侵權可言：
29需求製作調整；原證16、17僅為系爭產品之示意及說明，原則上不得作為專利侵權比對之基礎：
A.原告主張之系爭專利請求項5乃方法專利請求項，原告有權排除他人之行為態樣，僅及於未經原告同意而實施該方法之行為，而不及於物品專利之範圍。系爭專利請求項5乃一種供製造半導體裝置之方法，並非製造電漿蝕刻機之方法專利，僅有於被告確實有「使用該方法」之情況下，方有可能該當專利法第58條第3項而侵害系爭方法專利請求項之可能。
B.原證16、17均僅為系爭產品之示意及說明，而系爭產品乃客製化產品，原告如主張被告有何產品侵權，自不得以該等示意說明性質之文件作為侵權主張之依據。惟鈞院既指示暫以原證16、17所示之系爭產品就專利侵權比對表示意見，且依原證16、17內容，可知並無專利侵權情事可言，詳述如後。
5所載「提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊」之文義範圍：
A.系爭產品係設計為「單一氣體通道」與「單一射頻電源」，而僅具有單一電漿產生機制於「單一區域」產生電漿，與系爭專利請求項5所載可獨立控制產生電漿之兩個電漿產生區域（「第一電漿產生區域」與「第二電漿產生區域」），兩者完全不同：
a.系爭專利請求項5係界定電漿反應器具有第一電漿30產生區域與第二電漿產生區域，發明所屬技術領域中具有通常知識者應可理解系爭專利請求項5所載「第一電漿產生區域」與「第二電漿產生區域」之文字意義為兩個電漿產生區域，其具個別產生電漿機制（局部控制製程氣體及／或RF能量）且可被獨立控制。
b.惟參照原證5第2頁及第6頁所揭示之系爭產品（被證15），系爭產品僅具有單一氣體通道及與兩個並聯之上、下線圈連接之單一射頻電源，當該單一射頻電源供給上線圈電流，且由該單一氣體通道注入半導體所需製程氣體，上線圈所感應出之電場即與製程氣體作用而於上層空間（上線圈圍繞之空間）生成電漿。簡言之，系爭產品係設計為「單一氣體通道」與「單一射頻電源」，而僅具有單一電漿產生機制於「單一區域」產生電漿，系爭產品無法局部控制氣體及／或RF能量，其與系爭專利請求項5所界定具個別產生電漿機制（局部控制製程氣體及／或RF能量）且可獨立控制之兩個電漿產生區域，兩者完全不同。
B.系爭產品之下線圈施予下層空間之能量，未達足以解離製程氣體之條件，系爭產品之下層空間「非」電漿產生區域，故系爭產品欠缺系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」之技術特徵而不符全要件原則，亦未落入系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」之文義範圍：
a.原告稱「被告機台之ICPModule中，靠近RF線圈處即會生成RF電能…被告機台之『第一電漿產生31區域』及『第二電漿產生區域』即係指靠近該等RF線圈而可用於生成電漿的腔室內空間。」云云（原告民事準備（三）狀第4頁第（二）段）。
b.惟電漿產生方式係藉由提供能量加速氣體分子之電子，當該氣體分子獲得之能量達到足以解離製程氣體之條件，氣體分子始產生解離、激發、離子化等反應，而生成電漿。簡言之，「產生電漿」之必要條件不僅為「提供能量」及「注入製程氣體」，更須氣體分子獲得之能量達到足以解離製程氣體之條件。至於如何使氣體分子獲得之能量達到足以解離製程氣體之條件，則端視電漿反應器之設計，包含射頻電源高低、線圈數多寡、腔室直徑、容積大小等等因素。
c.系爭專利請求項5既為「提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊」，則原告就系爭產品何以具有該請求項5之每一技術特徵，即應詳予說明並盡舉證責任。原告逕稱靠近RF線圈即可產生電漿，完全未舉證系爭產品之設計，包含射頻電源、線圈數、腔室直徑、容積等上開因素足使系爭產品之下層空間（下線圈圍繞之空間）中氣體分子獲得之能量達到足以解離製程氣體之程度，即空言稱系爭產品之下層空間因靠近RF線圈即為系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」，原告不僅未盡其舉證責任，且所言顯不可採。
d.再者，自原告103年12月23日民事準備（二）狀32就被告所提無效證據之回應：「被證7之電漿反應室1雖然具備上筒體2及下筒體3，但僅有上筒體2具備可產生高頻極化波的天線4，故被證7僅揭示會在上筒體2產生電漿，至於下筒體3所具備的螺旋線圈11及12，則是用來導引從上筒體2流往下筒體3之電漿10至基板13」（原證15第7頁），更可清楚得知，原告明知「非」僅靠近線圈即可證明生成電漿，卻於其侵權論述中，僅依系爭產品具有線圈即謂該線圈可產生電漿云云，顯刻意規避其須舉證證明系爭產品之下線圈可產生電漿之責任。
e.實則，系爭產品之下線圈的作用在於使電漿於上層空間產生後，藉由下線圈而提升電漿之均勻度，並「非」用以產生電漿。質言之，系爭產品之下線圈施予下層空間之能量未達足以解離製程氣體之條件，系爭產品之下層空間「非」電漿產生區域，欠缺系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」之技術特徵而不符全要件原則，或未落入系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」之文義範圍。
C.另一方面，系爭專利請求項5係界定「被第二電漿產生區域所圍繞之第一電將產生區域」，而系爭產品之下層空間「非」電漿產生區域，欠缺系爭專利請求項5所載「第二電漿產生區域」之技術特徵，如前所述。從而，系爭產品之上層空間「未」被另一電漿產生區域所圍繞，因此未落入系爭專利請求項5所載被第二電漿產生區域所圍繞之「第一電漿產生區域」之文義範圍。
335所載「放置一半導體基質在電漿反應器之內」之技術特徵而不符全要件原則，或未落入系爭專利請求項5所載「放置一半導體基質在電漿反應器之內」之文義範圍：
A.原告稱系爭產品可對半導體基質進行加工，其理由無非認為參照原證5第6頁及原證6第16、27、28頁所示機台具備放置晶圓的載台；參照原證6第9、10、14頁所示機台對晶圓的監看畫面及資訊；以及參照原證6第34至38頁與原證4顯示利用被告機台製作的晶圓之蝕刻結構云云（原告民事準備（三）狀第4頁第（三）段）。
B.惟首須說明，鈞院104年1月16日智院灶信103民專訴字第70號函用以比對之照片僅為原證5第2、5、6頁及原證6第15、16、27頁，鈞院既諭知兩造依前開函文陳述意見，則原告將上開範圍以外之照片（即原證4、原證6第9、10、14、28、34至38頁）納入範圍，違背鈞院來函意旨。被告僅暫依鈞院前開來函範圍表示意見。
C.何況，系爭專利請求項5係界定「放置一半導體基質在電漿反應器之內」，縱將上述不得作為比對之照片納入作為侵權比對之對象，上開照片亦僅揭示系爭產品具放置晶圓之載台及用以監看晶圓之監視器，完全未顯示系爭產品之腔室內被放置一半導體基質。至於原證6第34至38頁及原證4，其僅顯示某一晶圓蝕刻結構，並無法證明其為原證5第2頁及第6頁之系爭產品所蝕刻、製造之晶圓。簡言之，原告所指原證5第2、5、6頁及原證6第15、16、27頁皆無法顯34示或證明系爭產品之腔室內被放置一半導體基質，系爭產品欠缺系爭專利請求項5所載「放置一半導體基質在電漿反應器之內」之技術特徵而不符全要件原則，亦未落入系爭專利請求項5所載「放置一半導體基質在電漿反應器之內」之文義範圍。
5所載「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」、「半導體基質」之技術特徵，已如前述，從而系爭產品未落入或欠缺系爭專利請求項5所載「利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿」及「利用電漿處理在電漿反應器內之半導體基質」之技術特徵。
5之解釋申請專利範圍進行比對，自我矛盾：
A.原告於103年12月23日民事準備（二）狀所為之專利有效性回應，業已就系爭專利請求項5主張解釋申請專利範圍為：「『第一電漿產生區域』及『第二電漿產生區域』，則係指『電感耦合式之電漿反應器具備兩個在空間中可予以區隔而可供電漿生成的空間，該等空間靠近於電感耦合式電漿反應器的RF線圈，且生成電漿時不會互相影響，並能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性，而使得各空間所生成的電漿均能用於對半導體晶圓進行加工』」（原告民事準備（二）狀第7頁）。而按「解釋申請專利範圍，得參酌專利案自申請至維護過程中，專利權人所表示之意圖和審查人員之見解，以認定其專利權範圍」，專利侵害鑑定要件第35至36頁已明定，從而，原告既已於系爭專利有35效維護過程中表示其解釋申請專利範圍之意圖，則原告於侵權比對時，應受限於其本身就專利有效性主張之系爭專利請求項5之解釋申請專利範圍進行比對。
B.然而，原告於其104年1月30日民事準備（三）狀為侵權比對時，僅稱「被告機台之『第一電漿產生區域』及『第二電漿產生區域』即係指靠近該等RF線圈而可用於生成電漿的腔室內空間」（原告民事準備
（三）狀第4頁第（二）段），完全未依其自己所主張之系爭專利請求項5解釋申請專利範圍進行比對。
舉例而言，原告並未證明系爭產品之上層空間與下層空間「在空間中可予以區隔」、「生成電漿時不會互相影響」、「能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況的控制性」等等。
從而，原告就同一專利請求項，侵權比對與專利有效性之主張顯然以不同之解釋申請專利範圍進行比對，自我矛盾，實不足採。
5每一技術特徵之文義範圍，亦不符合全要件原則，系爭產品不符合文義讀取，無侵害系爭專利可言。
5，乃先前技術已揭露者，不具新穎性、亦不具進步性。茲提出歐洲公開第0000000號「Multi-zoneplasmaprocessingmethod」專利案（被證3，公開於1994年1月12日）、美國公告第5,401,350號「Coilconfigurationsforimproveduniformityininductivelycoupledplasmasystems」專利案（被證4，公開於1995年3月28日）、美國公告第5,292,370號「CoupledmicrowaveEC36Randradio-frequencyplasmasourceforplasmaprocessing」專利案（被證5，公開於1994年3月8日）、美國公告第5,032,202號「Plasmageneratingapparatusforlargeareaplasmaprocessing」專利案（被證6，公開於1991年7月16日）、美國公告第5,146,137號「Deviceforthegenerationofaplasma」專利案（被證7，公開於1992年9月8日）、美國公告第4,438,368號「Plasmatreatingapparatus」專利案（被證8，公開於1984年3月20日）、美國公告第5,091,049號「Highdensityplasmadepositionandetchingapparatus」專利案（被證9，公開於1992年2月25日）、美國公告第5,449,432號「Methodoftreatingaworkpiecewithaplasmaandprocessingreactorhavingplasmaigniterandinductivecouplerforsemiconductorfabrication」專利案（被證10號，公開於1995年9月12日）、美國公告第4,810,935號「Methodandapparatusforproducinglargevolumemagnetoplasmas」專利案（被證11，公開於1989年3月7日）、日本公開第特開平0-000000號「高密度電漿化學汽相沈積及蝕刻反應器」專利案（被證12，公開於1995年7月4日）、中華民國公告第311326號「電槳處理裝置」專利案，公開於1997年7月21日（被證13，申請日為1995年4月28日），共11件先前技術為證。
5應撤銷之原因如「附表」所示（本院卷
（一）第180頁至第192頁）。其中，被證3至被證13之任何一者，均可證明系爭專利請求項5不具新穎性。3至被證13之任一者技術上與系爭專利有些微差異，但該等些微差異均為系爭專利所屬技術領37域中具有通常知識者依「被證3至被證13之任何一者」、「『被證7至被證11之其中一者』與『被證3、4、5、6、12之其中一者』之組合」、或「『被證8』與『被證3、5、6之其中一者』與『被證7、9、10、11之其中一者』之組合」所能輕易完成，均可證明系爭專利請求項5不具進步性。
商摩托羅拉公司曾在美國申請US5,683,248C1號專利（下稱美國對應案）。原告系爭專利請求項5之內容，係對應於其美國對應案之請求項11。就該美國對應案，原專利權人自知其請求項11範圍過大，專利有效性容有疑問，故原專利權人自行於2004年1月28日向美國專利商標局提出單方再審查（ExParteReexaminationprocedure）之請求，並提供四份先前技術，即美國專利US5,907,221、美國專利US5,401,350、美國專利US5,292,370、及美國專利US5,032,202予美國專利商標局進行審查。原專利權人提出再審查申請後，立即對該請求項11作出修正。美國專利商標局嗣後援引另一先前技術即美國US6,077,384號專利，認為該美國對應案之請求項11不具專利性（被證2）。系爭專利美國對應案請求項11最終經過三次修正，始免於遭撤銷。足見與美國對應案原請求項11內容一致之系爭我國專利請求項5，顯然欠缺新穎性及進步性而應予撤銷。
5另違反審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項之規定，有應撤銷之原因：
85年12月19日，88年11月1日公38告。因此，系爭專利是否有應撤銷之原因，應依83年1月23日公布施行之專利法及83年10月3日發布施行之專利法施行細則（以下分別簡稱「審定時專利法」及「審定時專利法施行細則」）。
技術內容及特點」、「獨立項應載明申請專利之標的、構成及其實施之必要技術內容、特點」，審定時專利法第22條第4項及審定時專利法施行細則第16條第2項，已分別明定。再者，依審定時專利法第41條第1項所載「公告中之發明，任何人認有違反第四條、第十九條至第二十一條、第二十二條第三項或第四項、第二十七條規定，或利害關係人認有不合第五條或第三十條規定者，自公告之日起三個月內備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起異議。」。因此，倘申請專利範圍獨立項未記載實施之必要技術內容，違反審定時專利法第22條第4項規定，即有應撤銷之原因。
5頁，倒數第3行至第6頁第1行所載：「目前，電漿蝕刻系統及電漿沉積系統均不提供任何改變電漿之可能方法以便在大直徑半導體基質上定位蝕刻與均勻性沉積。因此，為在大直徑半導體晶圓上均勻地蝕刻材料層，進一步研發反應器設計與蝕刻製程技術具必要性。」，以及系爭專利說明書第8頁第7至13行所載：「經過局部控制製程氣體流動速率與組合物，隨同局部控制RF能量密度與頻率，本發明之電感耦合式電漿反應器容許在蝕刻製程中控制製程參數之強化程度。…因此，具有大直徑之半導體晶圓在經由本發明所提供之局部控制電漿密度下可被均勻地處理。」，39可知系爭專利所欲解決之問題，為傳統電漿蝕刻系統無法在大直徑半導體晶圓上均勻地蝕刻材料層，而系爭專利解決該問題之技術手段，係透過局部控制製程氣體流動速率與組合物，隨同局部控制RF能量密度與頻率，而使大直徑之半導體晶圓可被均勻地處理。簡言之，系爭專利實施之必要技術內容係「局部控制製程氣體」及／或「局部控制RF能量」。
6個請求項，且該6個請求項皆為獨立項。其中，請求項1至4、請求項6皆已記載系爭專利實施之必要技術內容為「局部控制製程氣體」及／或「局部控制RF能量」，更明顯可知系爭專利發明人亦認系爭專利實施之必要技術內容係「局部控制製程氣體」及/或「局部控制RF能量」：
A.請求項1：「…藉由調整氣體流率及氣體組成來控制蝕刻均勻度」。
B.請求項2：「…藉由獨立改變活性氣體之氣體流率及氣體組成及該RF功率密度，來控制半導體晶圓之每一位置上之材料層的蝕刻率」。
C.請求項3：「…在半導體晶圓上沉積一材料層，該堆積具均勻度，藉由調整由複數通道合併之氣體之流率及氣體組成，並藉由控制每一通道之RF功率密度，來控制堆積均勻度」。
D.請求項4：「…處理該半導體晶圓，藉由獨立改變每一通道中之活性氣體之氣體流率及氣體組成及該RF功率密度，來控制半導體晶圓之每一位置上之電漿狀況」。
E.請求項6：「…一氣體控制系統，可獨立對每一氣體40供給管線充填用以形成電漿之氣體，以使得每個氣體供給管線可獨立變化其氣體組成及氣體流率」。
5之全部技術內容僅記載：「一種供製造半導體裝置之方法，其特徵為具有以下步驟：提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊；放置一半導體基質在電漿反應器之內；利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿；及利用電漿處理在電漿反應器內之半導體基質。」，系爭專利請求項5完全未記載關於「局部控制製程氣體」及／或「局部控制RF能量」之技術內容，系爭專利請求項5實未記載解決系爭專利所欲解決問題之實施必要技術內容，違反審定時專利法第22條第4項規定，有應撤銷之原因。
四、兩造爭執事項（本院卷第101頁之言詞辯論筆錄）5之專利權範圍？
五、得心證之理由一種供處理半導體晶圓(28)用之電感耦合式電漿反應器與方法。電感耦合式電漿反應器(10)包含具有多個通道(38，44)之電漿源(16)其中處理氣體獨立地被供給至各自每一通道。
一氣體供給系統(20)包含多個氣體進管(34，35，36)，每一個均可供給個別流動速率與氣體組合物至電槳源(16)之多個41通道(38，44)。每一通道由獨立之加壓RF線圈(54，56)予以纏繞。以使在電漿源(16)之每一通道(38，44)內之電漿密度可予以改變。於操作時，疊合於半導體晶圓(28)之材料層(66)藉局部空間控制在半導體晶圓(28)上之每一定點(64)上之電漿特性。而被均勻地蝕刻或沉積，有系爭專利中文發明摘要在卷可稽（本院卷（一）第14頁）。
系爭專利申請專利範圍共計6個請求項且均為獨立項。原告主張系爭專利請求項5被侵害（原告103年5月20日民事起訴狀第2頁理由三），爰僅臚列系爭專利請求項5之申請專利範圍如下：
一種供製造半導體裝置之方法，其特徵為具有以下步驟：
提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊；放置一半導體基質在電漿反應器之內；利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿；及利用電漿處理在電漿反應器內之半導體基質。
系爭專利主要圖式：
系爭專利圖1係為系爭專利電感耦合式電漿反應器示意圖、圖2係為電漿源之部份剖面圖實例、圖3係為電漿源之氣體通氣系統之上視圖實例、圖4係為電感耦合式電漿反應器之另一電漿源具體例之剖面圖、圖5係為電感耦合式電漿反應器之另一電漿源具體例之剖面圖（如附件一所示）。
系爭產品技術內容：
本件原告主張系爭專利請求項5是界定一種半導體裝置之製程技術，被告製造、銷售或提供給日月光公司之系爭產品，42係使用系爭專利請求項5之半導體裝置之製造方法，系爭產品係指原告簡報所指之產品，原證5第5頁至第9頁是被告電漿蝕刻機之零組件圖，實體物在原證6等語（本院卷（二）第4頁、第103頁），並提出原證5、6（原證16、17係擷取自原證5、6），以附其說；惟被告辯稱系爭產品乃客製化之產品，須客戶確認訂單，依客戶需求製作調整，目前被告並無訂單等語（本院卷（一）第149頁），是原告並未提供客觀存在之系爭產品，以供鑑定其製程是否侵害原告系爭專利請求項5。惟被告陳述：原證5、6每頁下方均有標示「LPIConfidential」係被告之機密文件，被告未給原告，若被告欲爭取日月光公司這個客戶，會提供機器資訊予日月光公司，但因是客製之機器，並非固定規格，所以提供是一般資訊，必須客戶下單後才依客戶需求製造，原證6照片非被告之版本等語（本院卷（一）第149頁、本院卷（二）第4頁），是被告並不爭執原告提出之原證5、6係被告之簡報，且係屬機密文件，則原告主張有原證5、6之系爭產品，並非完全無據，爰以原告所主張原證5、6簡報所指之「系爭產品」辨明其製程是否執行系爭專利請求項5之方法，合先敘明。
系爭產品之相關技術內容，有原證5、6（原證16、17係擷取自原證5、6）在卷可按（本院卷（一）第30頁至第55頁），主要參見「原證5投影片第5頁、原證6投影片第15頁之電漿反應器結構示意圖」、「原證5投影片第6頁、原證6投影片第16頁電漿反應器結構局部放大圖」、「原證6投影片第27頁電漿反應器之腔體照片」、「原證5投影片第2頁電漿反應器之氣體管線配置圖」（如附件二所示）。
43有效性證據技術部分：
被告主張系爭專利請求項5具有應撤銷之原因，並提出下列證據，因本件判決就是否侵害專利權足為論斷，故就此部分爰不詳述其技術內容，併此敘明：
3為83年1月12日公開之歐洲第EP0000000號「Multi-zoneplasmaprocessingmethod」專利案。
4為84年3月28日公告之美國第US0000000號「Coilconfigurationsforimproveduniformityininductivelycoupledplasmasystems」專利案。
5為83年3月8日公告之美國第US0000000號「CoupledmicrowaveECRandradio-frequencyplasmasourceforplasmaprocessing」專利案。
6為80年7月16日公告之美國第US0000000號「Plasmageneratingapparatusforlargeareaplasmaprocessing」專利案。
7為81年9月8日公告之美國第US0000000號「DEVICEFORTHEGENERATIONOFAPLASMA」專利案。
8為73年3月20日公告之美國第US0000000號「Plasmatreatingapparatus」專利案。9為81年2月25日公告之美國第US0000000號「Highdensityplasmadepositionandetchingapparatus」專利案。
10為84年9月12日公告之美國第US0000000號「Methodoftreatingaworkpiecewithaplasmaandprocessingreactorhavingplasmaigniterandinductivecouplerforsemiconductorfabrication」專利案。
11為78年3月7日公告之美國第US0000000號「Methodandapparatusforproducinglargevolumemagnetoplasmas44」專利案。
12為84年7月4日公開之日本第JP0-000000號「高。
13為東京電子股份有限公司於84年4月28日申請，86年7月21日公告之我國第311326號「半導體發光元件及其製造方法」專利案。
申請專利範圍解釋按發明專利範圍，以申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌說明書及圖式。系爭專利請求項5關於「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」之用語，於專利說明書或圖式均未界定其意義或指出其範圍，爰有審酌說明書及圖式解釋之必要。經查：
依系爭專利說明書第4頁第12行至第22行：「為面對所增加之生產成本製造廠增加了所欲製造積體電路元件為其上之半導體基質之尺寸。單位生產成本可藉增加基質尺寸予以降低。當今具有8"直徑或更大直徑之半導體晶圓對於時下活躍之製造設備而言甚為平常。雖然增加晶圓直徑可使製造廠在單一基質上製得大量之元件，也可能遭遇應用於大直徑半導體晶圓時控制製程均勻性之極大困難。於電漿蝕刻製程中，多項因素可能破壞沉積在半導體晶圓表面之蝕刻材料層之均勻性此等因素包含電漿均勻性，在晶圓表面之離子流通量均勻性，供給至蝕刻系統之氣體反應物，及在晶圓表面之反應產物之移除。傳統之電漿蝕刻反應器主要設計為具有一能量源，其產生電漿，與一注入點以導入製程氣體。藉限制系統為單一之能量源與氣體供給，使在大直徑晶圓上之蝕刻系統之製程蝕刻速率之均勻性達最佳化可能性極些微。…」（本院卷（一）第14頁背45面、第15頁）、同上說明書第5頁第22行至第6頁首行：「目前，電漿蝕刻系統及電漿沉積系統均不提供任何改變電漿之可能方法以便在大直徑半導體基質上定位蝕刻與均勻性沉積。因此，為在大直徑半導體晶圓上均勻地蝕刻材料層，進一步研發反應器設計與蝕刻製程技術具必要性。」（本院卷（一）第15頁正、背面），可知系爭專利是要解決在對大直徑半導體基質進行電漿蝕刻或沉積時，所產生電漿均勻性與蝕刻、沉積均勻性的問題，甚至是對半導體基質沿其表面直徑進行不同的加工控制。
依系爭專利說明書之圖1、2、4及5（詳附件一），以及說明書第7頁第12行至第19行敘述：「本發明係關於一電感耦合式電漿反應器，其中電漿密度與組合物可在電漿反應器之空間內予以變更。為達成電漿密度與組合物之空間變異性，一具有可變數量之凹室通道之同軸多重線圈電感式電漿源被提供。每一通道被獨立賦予高功率之RF線圈所圍繞且包含一製程氣體。氣體控制機構被提供以使電漿源中之製程氣體流動速率與組合物在每一通道中可被獨立改變。」（本院卷（一）第16頁）；同說明書第7頁第22行至第8頁第2行敘述：「…藉使對應於電漿源之通道結構之半導體晶圓定位，造成可改變由電漿源所產生之電漿密度與組合物以局部控制半導體晶圓上之蝕刻速率。因此，在半導體晶圓上之材料層之蝕刻速率可沿著半導體晶圓之直徑被獨立改變。」（本院卷（一）第16頁正、背面）；同說明書第8頁第8行至第14行敘述：「經過局部控制製程氣體流動速率與組合物，隨同局部制RF能量密度與頻率，…本案發明之反應器與製程提供高精確控制在大直徑基質上之材料層之蝕刻速率或沈積厚度之46方法。因此，具有大直徑之半導體晶圓在經由本發明所提供之局部控制電漿密度下可被均勻處理。」（本院卷（一）第16頁背面）；同說明書第10頁第4行至第19行敘述：「在圖2與3之舉例說明，第一通道44係與中央通道38約同圓心。…在電漿源16內之額外通道亦配置成與中央通道38與第一通道44約略同圓心。例如，在圖1所示之最大外圍通道係與第一通道約為同圓心。藉連續之同心排列，多數通道可視預期之電漿30之空間控制而定被配置於電漿源16中。如圖2之舉例說明，中央RF線圈54圍繞於中央通道38。另外，第一RF線圈56圍繞第一通道44。中央RF線圈54和第一RF線圈56各自由RF供電系18所獨立控制。每一RF線圈可供給一獨立電能與RF頻率至連結於通道內之製程氣體RF線圈54與56中之每一通道中之製程氣體由介電質外殼58所分隔。橫跨於與製程氣體物質電感耦合之RF線圈之電流觸發了在每一通道內之電漿。彼等熟練此方面技藝者將認知藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體在電漿16內每一通道中之電漿密度與組合物可被獨立調整。」（本院卷（一）第17頁背面）；同說明書第10頁第20至22行：「雖然電漿源16之同心通道設計提供電漿密度與組合物可被局部性變更之實質控制程度，根據本發明之所設計之ICP反應器之額外具體實例如圖4及5之實例說明。」（本院卷（一）第17頁背面）；同上說明書第12頁第23行至第13頁第5行敘述：「於半導體晶圓28與電漿源16之同心通道定位對齊時，在半導體基質28上之點64之局部蝕刻速率可藉改變由電漿源16所產生之空間電漿條件予以獨立控制。依此方法，達成徑向控制蝕47刻材料層66之速率，以致近接於圓周邊P之材料層66與在中央點C處之材料層66，與在半導體晶圓28上之各點64部份同時被蝕刻。」（本院卷（一）第18頁背面、第19頁）；同說明書第13頁第23行至第14頁第2行敘述：「於半導體晶圓28與電漿源16之同心通道定位對齊時，在半導體基質28上之點64之局部沉積速率可藉改變由電漿源16所產生之空間電漿條件予以獨立控制。」（本院卷（一）第19頁正、背面）。
圖式所揭示之技術內容，就是使電漿反應器能具備多個通道，藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體，使每一通道內部成為可供電漿產生之不同區域，藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體，而使電漿能在不同的空間被生成，不致互相影響。且系爭專利之電漿反應器生成電漿之外圍通道位在生成電漿的空間之內部通道之相對於半導體基質之徑向外側，而外圍通道的生成電漿區域即會環繞內圈通道之生成電漿區域的圓周邊，故外圍通道圍繞內部通道形成「同心配置」。易言之，內部通道可供產生電漿之區域具備一圓周界，該圓周界位於相對於半導體基質之徑向方向，而外圍通道則圍繞該內部通道之圓周界，藉此在空間上區隔出「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」，意即「第二電漿產生區域」用於生成電漿的空間圍繞「第一電漿產生區域」生成電漿的空間，而形成同心排列，並使得「第二電漿產生區域」位在「第一電漿產生區域」之相對於半導體基質之徑向外側。綜上，系爭專利請求項5之電漿反應器所具備之「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」48係指「電漿反應器具備空間上可以獨立施予電能於每一RF線圈與獨立供給製程氣體之二個供生成電漿的區域，該二供生成電漿的區域相對於半導體基質之徑向方向形成同心配置，且該二個可區分的區域在生成電漿時不會互相影響，亦即二者是實體相區隔，並能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況之控制性，而使得各區域所生成之電漿均能用於對半導體晶圓進行加工。」。
再查，系爭專利申請專利範圍共6項均為獨立項，其中申請專利範圍第1項、第3項、第6項之「電感耦合式電漿反應器」以及申請專利範圍第2項、第4項之「電感式耦合之電漿反應室」均已界定「電感耦合式」的電漿反應裝置，僅申請專利範圍第5項並未界定「電感耦合式」的電漿反應裝置。再者，系爭專利說明書第5頁第9行至第11行揭露電漿反應裝置常見的有電子迴旋共振（ECR）以及電感耦合式
（ICP），此均表示專利權人在撰寫系爭專利申請專利範圍第5項時並無意撰寫「電感耦合式」作為限制條件。前揭關於引用系爭專利「發明說明」之敘述雖提及「電感耦合式」，乃因該「發明說明」係關於系爭專利之整體說明，尚不得遽以此認系爭專利申請專利範圍第5項限於「電感耦合式」電漿反應器，附此敘明。
專利侵權部分：
請求項5為「供製造半導體裝置之方法」，被告係電漿反應器之設備商，係以商業為目的提供半導體製程的製造商，例如：日月光公司之電漿反應器，雖於完成產品交付前須測試使用機器，執行相關步驟，以確定機器符合契約本旨，惟其測試非基於研究或實驗之目的，尚無現行專利法第4959條例外規定之適用，附此敘明。
使用系爭專利請求項5之步驟，而落入系爭專利請求項5之專利權範圍？5（要件5A至5E）與系爭產品之各要件（要件5a至5e）特徵之文義比對：
系爭產品系爭專利請求項5(Caprica電漿蝕刻機)要要請件件求技術特徵技術內容標標項號號由原證5第5頁或原證6第一種供製造半導體裝15頁示意圖可知系爭產品A置之方法，其特徵為a係用以製造半導體晶圓裝置具有以下步驟：
的製程。
由原證5第5頁或原證6第15頁為系爭產品之外觀示意圖，而系爭產品可視為一種電漿反應器；再由原證5第6頁或原證6第16頁可知系爭產品有「第一電漿區提供一種電漿反應域」及「第二電漿區域」，器，電漿反應器具有此二區域是上、下關係，非第一電漿產生區域與同心圓配置，且「第一電漿第二電漿產生區域，區域」及「第二電漿區域」B第一電漿產生區域具b各自獨立；末由原證5第1有一圓周邊，其中第頁可知系爭產品之第一電漿二電漿產生區域圍繞5區域上方有供Ar、CF4、第一電漿產生區域之SF6或C4F8等氣體流入管圓周邊；道。當氣體流入第一電漿區域時透過RF電壓源產生電漿後，該產生的電漿再經過第二電漿區域至半導體晶圓放置處上方作蝕刻或沈積等製程。
由原證5第6頁、原證6第16頁或被證15可知電漿反應器內設有放置晶圓的載放置一半導體基質在台，系爭產品係為對晶圓進Cc電漿反應器之內；行蝕刻的系統，所屬技術領域中具有通常知識者均知晶圓多為半導體材料的矽，以此晶圓開始進行半導體製50程，最後在封裝製成積體電路(integratedcircuit，IC)；再由原證4被告之網頁資料記載「目前Caprica已經使用在包括微機電(MEMS)、直通矽穿孔(TSV)、矽晶圓薄化(Siliconwaferthinning)及深矽蝕刻(deepSiliconEtching)等不同製程上」，可知系爭產品可使用於矽晶圓薄化及深矽蝕刻之半導體晶圓製程，既然系爭產品有晶圓載台，而在機台設計過程中，會對晶圓進行半導體製程以測試機台是否能運作，可合理推知其上必會放置半導體晶圓。
由原證5第6頁或原證6第16頁可知「第一電漿區域」及「第二電漿區域」外均設有線圈；再由原證5第1頁可知系爭產品之「第一利用第一電漿產生區電漿區域」上方有氣體流入域與第二電漿產生區管道。線圈提供電漿源使第Dd域在電漿反應器之內一電漿區域中的氣體作用產產生電漿；及生電漿，惟「第二電漿區域」並未證明有獨立氣體注入以單獨產生電漿，且「第二電漿區域」外之線圈是「引導」或「產生」電漿不明。
由原證5第6頁、原證6第16頁或被證15可知電漿反應器內設有放置晶圓的載台，可合理推知其上有半導體晶圓，再由原證4之網頁資料「目前Caprica已經利用電漿處理在電漿使用在包括微機電E反應器內之半導體基e(MEMS)、直通矽穿孔質。(TSV)、矽晶圓薄化(Siliconwaferthinning)及深矽蝕刻(deepSiliconEtching)等不同製程上」可知系爭產品可使用於矽晶圓薄化及深矽蝕刻之半導體51晶圓製程，故從系爭產品可以讀取到系爭專利請求項5之要件5E特徵。
解析系爭專利請求項5範圍，其技術內容可解析為如上表所示5個要件。系爭產品之技術內容，經對應系爭專利請求項5各要件解析其技術內容，亦對應解析如上表所示5個要件。判斷系爭產品之技術內容是否為系爭專利請求項5之技術特徵所讀取，說明如下：
系爭產品要件編號5a：由原證5第5頁或原證6第15頁示意圖，可知系爭產品係用以製造半導體晶圓裝置的製程（本院卷（一）第32頁背面、第43頁背面），故系爭產品要件編號5a之內容可為系爭專利請求項5要件編號5A「一種供製造半導體裝置之方法，其特徵為具有以下步驟：」之文義所讀取。
系爭產品要件編號5b：
Ⅰ.由原證5第5頁或原證6第15頁可知系爭產品係有電漿反應器，已如前述；再由原證5第6頁或原證6第16頁（本院卷（一）第33頁、第44頁）可知系爭產品具有「第一電漿區域」（註：為與系爭專利比較，不稱謂「第一電漿產生區域」）以及「第二電漿區域」（註：為與系爭專利比較不稱謂「第二電漿產生區域」）；末由原證5第1頁（本院卷（一）第30頁背面）可知系爭產品之「第一電漿區域」上方有供Ar、CF4、SF6或C4F8等氣體流入管道，而「第二電漿區域」依上開圖示，並未有供Ar、CF4、SF6或C4F8等氣體流入管道；且據原告表示：依照原證5第2頁系爭產品由腔體頂端注入氣體（即SF6、C4F8、CF4、Ar、O2），原證5第6頁及原證6第16頁則揭示氣體會由腔室頂端注入，並先通過如蓮蓬頭結構的AIG52DP而進入腔室，原證6第28頁則記載「CenterfeedgaswithGDP」，表示氣體是以GDP元件來由中央供氣。又原證5第3頁及原證6第21頁也揭示系爭產品會注入SF6（1000sccm）、C4F8（500sccm）、CF4（200sccm）、O2（1000,200sccm）及Ar（500sccm）等氣體等語（本院卷（二）第68頁），並陳述「第二電漿區域」氣體進料管路係位於「第一電漿區域」的正中央，二者是同一氣體進料管路，當氣體於「第一電漿區域」形成電漿後，剩餘的氣體會下沈至「第二電漿區域」而再生成電漿等語（本院卷（二）第102頁、第103頁），則系爭產品之「第一電漿區域」與「第二電漿區域」均係同一氣體進料管道，即均是由系爭產品之「第一電漿區域」上方之管道供應氣體，顯然「第二電漿區域」並無獨立之氣體進料管道。
Ⅱ.前開解釋系爭專利「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」，係指「電漿反應器具備空間上可以獨立施予電能於每一RF線圈與獨立供給製程氣體之二個供生成電漿的區域，該二供生成電漿的區域相對於半導體基質之徑向方向形成同心配置，且該二個可區分的區域在生成電漿時不會互相影響，亦即二者是實體相區隔，並能在電漿反應器內產生對於半導體基質徑向方向的空間中各局部電漿情況之控制性，而使得各區域所生成之電漿均能用於對半導體晶圓進行加工。」，俱如前述；且系爭專利之發明背景強調「傳統之電漿蝕刻反應器主要設計為具有一能量源，其產生電漿，與一注入點以導入製53程氣體。藉限制系統為單一之能量源與氣體供給，使在大直徑晶圓上之蝕刻系統之製程蝕刻速率之均勻性達最佳化可能性極些微。…」（本院卷（一）第14頁背面、第15頁），故系爭專利乃在空間上區隔出2個實體相隔開之生成電漿之區域，然後在各個區域獨立施電能於每一RF線圈及製程氣體，使二個電漿產生區域之電漿密度可被獨立調整。系爭產品既僅有在「第一電漿區域」之單一導入製程氣體之注入管道，其「第二電漿區域」外雖有RF線圈，然並未證明有獨立氣體注入，且「第一電漿區域」與「第二電漿區域」二者上下相通，難認不互相影響，則與前揭系爭專利說明書及圖式所揭示「第一電漿產生區域」、「第二電漿產生區域」，藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體，使每一空間成為可供電漿產生之不同區域，藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體，而使電漿能在不同的空間被生成不致互相影響之要件不合。
Ⅲ.綜上，系爭產品要件編號5b無法讀取到系爭專利請求項5之要件編號5B「提供一種電漿反應器，電漿反應器具有第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，第一電漿產生區域具有一圓周邊，其中第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊；」之文義。
系爭產品要件編號5c：由原證5第6頁、原證6第16頁（本院卷（一）第33頁、第44頁）或被證15（本院卷（二）第84頁），可知電漿反應器內設有放置晶圓54的載台，系爭產品係為對晶圓進行蝕刻的系統，所屬技術領域中具有通常知識者均知晶圓多為半導體材料的矽，以此晶圓開始進行半導體製程，最後在封裝製成積體電路（integratedcircuit，IC），再由原證4被告之網頁資料所載「目前Caprica已經使用在包括微機電(MEMS)、直通矽穿孔(TSV)、矽晶圓薄化(Siliconwaferthinning)及深矽蝕刻(deepSiliconEtching)等不同製程上」等語（本院卷（一）第29頁），可知系爭產品可使用於矽晶圓薄化及深矽蝕刻之半導體晶圓製程，既然系爭產品具有晶圓載台，而在機台設計過程難免會對晶圓進行半導體製程以測試機台能否運作，可推知其上必會放置半導體晶圓。故系爭產品要件編號5c之內容可為系爭專利請求項5要件編號5C「放置一半導體基質在電漿反應器之內；」之文義所讀取。
系爭產品要件編號5d：由原證5第6頁或原證6第16頁可知系爭產品「第一電漿區域」及「第二電漿區域」外均設有線圈；再由原證5第1頁可知系爭產品之「第一電漿區域」上方有氣體流入管道，線圈提供電漿源使「第一電漿區域」的氣體作用產生電漿，原告並未證明「第二電漿區域」有獨立氣體注入以單獨產生電漿已如前述。再者，依原告之原證15第7頁記載「被證7電漿反應室1雖具備上筒體2及下筒體3，但…。至於下筒體3所具備的螺旋線圈11及12，則是用來『導引』從上筒體2流往下筒體3之電漿10至基板13。…」（本院卷（一）第317頁），則依上所述，該下筒體之線圈係作為「導引」電漿之用，從而系爭產品「第二電漿區域」外雖設有線圈，惟其並不排除是作為「導引」電55漿而不是「產生」電漿之用。況縱使如原告所述，部分氣體自「第一電漿區域」往下流入「第二電漿區域」，並不代表「第二電漿區域」有啟動RF線圈而「產生」電漿，原告實未證明被告有同時啟動「第一電漿區域」及「第二電漿區域」的RF線圈。故系爭產品要件編號5d無法讀取到系爭專利請求項5之要件編號5D「利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿；及」之技術特徵。
系爭產品要件編號5e：由原證5第6頁、原證6第16頁或被證15可知電漿反應器內設有放置晶圓的載台，可合理推知其上有半導體晶圓，再由原證4之網頁資料「目前Caprica已經使用在包括微機電(MEMS)、直通矽穿孔(TSV)、矽晶圓薄化(Siliconwaferthinning)及深矽蝕刻(deepSiliconEtching)等不同製程上」等語（本院卷（一）第29頁），誠如前述，可知系爭產品可使用於矽晶圓薄化及深矽蝕刻之半導體晶圓製程，故系爭產品要件編號5e之內容可為系爭專利請求5要件編號5E「利用電漿處理在電漿反應器內之半導體基質。」之文義所讀取。
承上，比對系爭專利請求項5之技術特徵與系爭產品各相對要件之技術內容，由系爭產品之製程無法讀取到系爭專利請求項5之要件編號5B、5D，故系爭產品之技術內容並未落入系爭專利請求項5之文義範圍。是以，須就系爭專利請求項5之要件編號5B、5D，進一步判斷系爭產品是否適用「均等論」。
系爭專利請求項5要件編號5B均等分析：
系爭專利請求項5要件編號5B，係以提供具有第一電56漿產生區域與第二電漿產生區域的電漿反應器，且第一電漿產生區域具有一圓周邊（即同心圓配置），第二電漿產生區域圍繞第一電漿產生區域之圓周邊，在第一電漿產生區域與第二電漿產生區域，均各有製程氣體可受到電漿源的作用產生電漿；而系爭產品則係以提供上與下的電漿反應器，且「第一電漿區域」與「第二電漿區域」上下連接且互通，顯然與系爭專利之同心圓配置不同，且原告並未舉證證明「第二電漿區域」有獨立供給之製程氣體以產生電漿。再由系爭專利說明書第10頁第9行至第18行說明「橫跨於與製程氣體物質電感耦合之RF線圈之電流觸發了在每一通道內之電漿。彼等熟練此方面技藝者將認知藉獨立施電能於每一RF線圈與藉獨立供給每一通道製程氣體在電漿16內每一通道中之電漿密度與組合物可被獨立調整」等語（本院卷（一）第17頁背面）以及圖2、4、5（本院卷（一）第23頁背面、第24頁，詳附件一），可知系爭專利請求項5包括兩個互不影響獨立之電漿產生區域，在不同的電漿產生區域可控制有不同的電漿密度，使半導體晶圓之材料層藉由控制不同的電漿密度，而使半導體晶圓均勻蝕刻或沉積的結果，而系爭產品僅能由一個電漿產生區域控制電漿密度，以達到半導體晶圓蝕刻或沉積的結果。從而，系爭產品要件編號5b與系爭專利請求項5要件編號5B雖均是以「半導體晶圓的蝕刻或沉積」為目的，惟系爭產品編號5b要件僅能確認一個電漿「產生」區域與系爭專利請求項5編號5B要件之二個互不影響電○○○區○○○○○段實質不相同。
系爭專利請求項5要件編號5D均等分析：
57系爭專利請求項5要件編號5D，係以利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域在電漿反應器之內產生電漿；而系爭產品之製程則係以當氣體流入第一電漿區域時透過RF電壓源產生電漿，原告並未舉證證明「第二電漿區域」有獨立供給之製程氣體以產生電漿，俱如前述。系爭專利之電漿產生區域有兩個，而系爭產品僅能確認有一個電漿產生區域，因此兩者的技術手段實質不相同。系爭產品要件編號5d與系爭專利請求項5要件編號5D之技術手段實質不相同。
原告於103年12月1日民事準備（一）狀第壹之二點第1至2頁稱：「…然後利用第一電漿產生區域與第二電漿產生區域產生電漿…系爭專利請求項5雖然是在界定半導體裝置之製程步驟，但實則是在描述製造該半導體裝置時所需之配置…」，以及104年1月30日民事準備（三）狀第壹之二之（二）點第4頁稱：「…第一電漿產生區域…第二電漿產生區域…指靠近該等RF線圈而可用於生成電漿的腔室內空間…」，被告機台具有系爭專利之「第一電漿產生區域」以及「第二電漿產生區域」云云。惟查：
系爭專利請求項5，係為「一種供製造半導體裝置之方法」，且更界定「第一電漿產生區域」以及「第二電漿產生區域」，由原告於104年1月30日之民事準備書
（三）狀第壹之一之（一）點中說明「電漿生成方式是以電場加速電子，碰撞氣體分子而產生電子及離子，因此以足夠的電能源與氣體作用即可生成電漿而形成電漿源。」（本院卷（二）第66頁），及被告於104年3月23日之投影片第3頁中說明「『產生電漿』之必要58」（本院卷（二）第113頁），可知電漿的產生一定要有氣體以及電源給予能量否則無法產生電漿，由原證6第5頁可知常見的電漿電源有直流電源（DCsource）、交流電源（ACsource）、射頻電源（RFsource）以及微波電源（MWsource），所屬技術領域中具有通常知識者均瞭解電漿的產生一定要有氣體以及電源，原證5第6頁或原證6第16頁可知系爭產品「第一電漿區域」及「第二電漿區域」外均設有線圈，再由原證5第2頁或原證16第1頁可知系爭產品有RF電壓源提供線圈電壓，系爭產品「第一電漿區域」上方有供
Ar、CF4、SF6或C4F8等氣體流入管道，當氣體流入第一電漿區域透過RF電壓源產生電漿後，原告並未舉證證明「第二電漿區域」有獨立供給之製程氣體以產生電漿，故由原證5、6無法確認系爭產品「第二電漿區域」「一定」會有電漿產生，故系爭產品僅為單一電漿產生區域，此與系爭專利前揭定義之二個電漿產生區域不同。
再者，由原告之原證15第7頁記載「被證7電漿反應室1雖具備上筒體2及下筒體3，但…。至於下筒體3所具備的螺旋線圈11及12，則是用來『導引』從上筒體2流往下筒體3之電漿10至基板13。因此被證7實際上僅揭示單一電漿產生區域」（本院卷（一）第317頁），可知下筒體3外之螺旋線圈11及12的作用在於「導引」電漿，復依原告104年3月23日筆錄中稱「當氣體形成電漿於『第一電漿產生區域』後，剩餘的氣體會下沈至『第二電漿產生區域』而再生成電漿。」可知電漿反應器外之線圈11及12的作用在於生成電漿，59既然系爭產品之第二電漿區域外的線圈與被證7的線圈
11、12的設置方式相同，系爭產品有電漿產生而被證7卻是「導引」電漿，原告所述顯有矛盾。
末查，原告於104年3月19日之民事準備（四）狀第3頁記載「…Caprica電漿蝕刻機之上方通道及下方通道內靠線圈處即為生成電漿之處所，而下方通道之管徑明顯大於上方通道，故Caprica電漿蝕刻機之上方通道內的第一電漿產生區域（即前稱之「第一電漿區域」）與下方通道內的第二電漿產生區域（即前稱之「第二電漿區域」）即具有在空間中的可區隔性，而其內所產生的電漿亦不會互相影響」云云。惟查，依原告104年3月23日言詞辯論稱：參照原證5第2頁，系爭產品之氣體進料管路位於『第一電漿產生區域』（即前稱之「第一電漿區域」）的正中央，『第一電漿產生區域』與『第二電漿產生區域』（即前稱之「第二電漿區域」）是同一氣體進料管路。當氣體形成電漿於『第一電漿產生區域』後，剩餘的氣體會下沈至『第二電漿產生區域』而再生成電漿等語（本院卷（二）第102頁、第103頁），可知原告於此主張氣體會由「第一電漿區域」下沈至「第二電漿區域」，而電漿係由離子、電子和中性粒子組成的氣體，且電漿的性質相似於氣體，原告一方面稱電漿在「第一電漿區域」與「第二電漿區域」不會互相影響，另一方面卻又主張「第一電漿區域」與「第二電漿區域」相通是同一氣體進料管路，原告前後所述顯有矛盾。
綜上，依原告所提之證據僅能證明系爭產品具有「單一」電漿產生區域，無法確認系爭產品有二個電漿產生區60域，是以原告所述，並不可採。
並未落入系爭專利請求項5之技術特徵之文義及均等範圍。
綜上所述，系爭產品之技術內容並未落入系爭專利請求項5之技術特徵之文義及均等範圍。從而，原告依專利法第96條第1項、第97條第1項第1款，民法第184條第1項前段、第2項之規定，請求被告：
國第373226號發明專利，以及為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口Caprica原告3,000,000元，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息，均無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請，即失所附麗，應併予駁回。
六、本件事證已臻明確，兩造其餘主張及攻擊防禦方法暨聲請調查之證據，經本院斟酌後，認為均於判決之結果不生影響，且無調查之必要，爰毋庸逐一論述，併此敘明。
七、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。
中華民國104年4月24日智慧財產法院第三庭法官杜惠錦以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中華民國104年4月24日書記官林佳蘋61附件一：
系爭專利圖1係為系爭專利電感耦合式電漿反應器示意圖系爭專利圖2係為電漿源之部份剖面圖實例62系爭專利圖3係為電漿源之氣體通氣系統之上視圖實例系爭專利第4圖係為電感耦合式電漿反應器之另一電漿源具體例之剖面圖63爭專利圖5係為電感耦合式電漿反應器之另一電漿源具體例之剖面圖64附件二：
系爭產品（原證5投影片第5頁、原證6投影片第15頁之電漿反應器結構示意圖）系爭產品（原證5投影片第6頁、原證6投影片第16頁電漿反應器結構局部放大圖）65系爭產品（原證6投影片第27頁電漿反應器之腔體照片）系爭產品（原證5投影片第2頁電漿反應器之氣體管線配置圖）66