1智慧財產法院民事判決2107年度民專訴字第20號3原告ALMECOGMBH（艾爾美科公司）456法定代理人GiorgioGabrieleLocci78訴訟代理人張哲倫律師9莊郁沁律師10吳俐瑩律師11李協書12古乃任13被告安森科技材料股份有限公司141516兼法定17代理人OliverStorbeck1819共同20訴訟代理人桂齊恒律師21何娜瑩律師22林景郁239樓24複代理人任政宏25江郁仁律師26被告富鹿貿易股份有限公司27112兼法定3代理人楊國夫456共同7訴訟代理人楊智峰89林曉龍10上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於中華民11國108年2月15日言詞辯論終結，判決如下：
12主文13原告之訴及假執行之聲請均駁回。
14訴訟費用由原告負擔。
15事實及理由16壹、程序方面：
17按不變更訴訟標的，而補充或更正事實上或法律上之陳述者，18非為訴之變更追加，民事訴訟法第463條準用第256條定有明19文。原告於民國106年12月20日具狀，將原起訴聲明第1至203項均有記載之「如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內21，他被告免給付義務」部分刪除，並新增第4項聲明為「就前22三項之聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍內，他23被告免給付義務。」，而更正如後開訴之聲明所載（參本院卷24一第3至4、109至110頁）。核其所為係更正其法律上之陳述25，非訴之變更追加，揆諸上開說明，應予准許。
26貳、實體方面：
27一、原告主張：
21（一）原告係世界領先之照明（包括LED科技）、太陽能應用等2高科技產品所使用之關鍵產品之製造商暨供應商。原告發明3名稱為「溫度及腐蝕穩定的表面反射器」之專利（中華民國4專利公告號第I589448號，下稱系爭專利），專利保護期間5自106年7月1日起至124年10月26日止，此有系爭專利6之智慧財產局專利資料查詢系統查詢資料（原證1號）可稽7。
8（二）被告安森科技材料股份有限公司（下稱安森公司）製造、9販賣，被告富鹿貿易股份有限公司（下稱富鹿公司）販賣10之MIROR98AX17（M98AX17）型號產品（下稱系爭產品），11均侵害原告系爭專利權，至少侵害系爭專利申請專利範圍12第1至3、8至16及30項。為釐清系爭產品是否侵害系爭13專利，原告乃委由其台灣經銷商台灣津聖企業有限公司於14市場上透過第三人間接取得系爭產品（原證3號：系爭產15品照片）及系爭產品規格書（原證4號）（另台灣津聖企16業有限公司之員工之聲明書如原證5號），並由專業分析17鑑定機構（FraunhoferIMWS）加以實驗、分析（原證6號
18：FraunhoferIMWS分析報告），合理認定被告安森公司所19產製之系爭產品具有系爭專利申請專利範圍第1至3、8至2016及30項之技術特徵，落入系爭專利之文義範圍。亦即，21系爭產品已文義讀取系爭專利申請專利範圍第1至3、8至2216及30項之技術特徵。準此，原告自市場上間接取得之系23爭產品侵害系爭專利乙節，已臻明確。
24（三）本件前經本院以106年度民聲字第39號民事裁定准予就被25告安森公司所製造之系爭產品予以取樣保存並拍照，系爭產26品上載有「M98AX17」之文字，且被告安森公司之製造經理27蔡鴻麟先生亦於本院執行保全證據時表示系爭產品確為被告31安森公司生產、製造之產品。
2（四）被告安森公司是由德國安鋁（AlanodGmbH；下稱德國安3鋁）及台灣森鉅科技材料股份有限公司（下稱台灣森鉅）4合資成立之公司（參原證13號），其與德國安鋁及台灣森5鉅同為LED、照明、太陽能應用等材料製造專業領域之業6者，與原告間為競爭同業。而系爭專利已於105年9月17日公開，並於106年7月1日公告在案，被告安森公司絕8無可能不知系爭專利及系爭產品業已侵害系爭專利等情。
9（五）查被告富鹿公司既具多年貿易實務經驗，且德國安鋁之產10品為其主要營業項目，自應熟稔、掌握相關產品之市場實11務消息，包括相關專利之公開、公告等。基於上述，被告12安森公司及富鹿公司即便明知系爭專利之公開、公告及系13爭產品業已侵害系爭專利等情，其等仍續為製造、經銷、14販售侵害系爭專利之系爭產品等行為，顯見被告等均具有15侵害系爭專利權之故意。
16（六）被告OliverStorbeck、楊國夫分別擔任被告安森公司、富17鹿公司之法定代理人（參原證12、16號），自應依公司法18第23條第2項規定，就其擔任法定代理人期間，為被告安19森公司、富鹿公司之侵權行為對原告負連帶賠償責任。爰依20專利法第96條第1、2項規定請求排除侵害、同條第3項21規定請求回收並銷毀侵權產品，依專利法第41條規定請求22補償金，並依民法第184條第1項前段、第185條規定，請23求被告應連帶負損害賠償之責，依民法第179條規定請求被24告等返還其等所受利益，依民法第177條第2項規定請求被25告等因該不法無因管理所獲得之所有利益。
26（七）聲明：
27１、被告安森公司、富鹿公司應連帶給付原告新臺幣（下同）412千萬元整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按2年息5%計算之利息。
3２、被告安森公司、OliverStorbeck應連帶給付原告2千萬元4整，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計5算之利息。
6３、被告富鹿公司、楊國夫應連帶給付原告2千萬元整，暨自7起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息8。
9４、就前3項聲明，如其中一被告已履行給付，在其給付範圍10內，他被告免給付義務。
11５、被告等不得直接或間接、自行或委託他人製造、為販賣之12要約、販賣、使用或進口系爭產品及其他侵害原告所有之13系爭專利產品。
14６、就前4項聲明，原告願以現金或同額之可轉讓定期存單供15擔保，請准宣告假執行。
16７、前項聲明之侵權產品，被告安森公司、富鹿公司應予回收17並銷毀。
18二、被告安森公司、OliverStorbeck則抗辯如下：
19（一）系爭專利說明書不符專利法第26條第1項規定：
20１、通常知識者依據系爭專利說明書揭示，無法確定系爭專利21所宣稱之光密特徵為何，並據以實現製造及使用，不符專22利法第26條第1項規定：
231所請層系統包括「由高純度金屬構成的24光密反射層（6）」，原告於107年7月24日言詞辯論庭之25簡報第15頁（參本院卷二第219頁背面）引用系爭專利說26明書第【0005】段落主張所謂「光密」性質為「為提供反27射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬51構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到『2光密』的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層3到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果，此類4干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾」，並繪製5光密與非光密之差異比較圖於簡報第16頁中云云。
6經查，系爭專利說明書【先前技術】欄中段落【0006】記7載：「WO2007/095876A1（即被證五）提及一種黏接層，8係在鍍層厚度＜90nm的第一功能性反射層之前，先鍍覆在9陽極氧化層上，而第一功能性反射層並非光密」，顯然系爭10專利將某個最小厚度視為光密的標準，但系爭專利在【發明11內容】段落【0032】中揭示系爭專利所請層系統中，光密反12射層6的厚度以50至200nm乃至300nm為較佳，並將厚13度特徵界定在附屬項第7及28項中。因此，若系爭專利說14明書對WO2007/095876A1的闡述成立，則系爭專利已自承15層6的厚度在50至90nm的範圍內是無法據以實現光密的16特徵。
170021】所自承之另一18先前技術DZ000000000000A1（即被證九）揭露該反射層可19由Ag、Al、Au或Pt構成且為光密，應至少以100nm的厚20度沈積而成（請見被證九說明書段落【0013】），再次可證21，系爭專利所請層系統中，層6在50至90nm的厚度範圍22內是無法達到光密特徵，至少100nm以上才可能顯現光密特23徵，不論是被證5或是被證9，均為引用在系爭專利說明書24中之先前技術，乃是專利權人所自承先前技術，顯見系爭專25利說明書揭示內容有自相矛盾之處，通常知識者在參酌系爭26專利說明書後，根本無法確定系爭專利所宣稱之光密特徵為27何，並據以實現製造及使用，系爭專利說明書顯然不符合專61利法第26條第1項規定。
25a作為反射層6之晶種層，依據系3爭專利說明書第14頁第1段記載：「由NiV合金、Cu或優4質鋼構成更佳，厚度以2-40nm為佳，5-30nm更佳」，當晶5種層5a（例如Cu層）之厚度為40nm、反射層6（例如Ag6層）之厚度為50nm時，因為反射層6厚度僅為50nm時，7無法顯現光密效果，已如前述，故入射輻射仍會穿透反射層86，此時層5a勢必與層6併作反射層貢獻反射能力，此部分9顯然與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，亦與原告前次言10詞辯論庭中所主張系爭專利層6光密性質相互矛盾；再依系11爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至50nm為12佳，因此，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及613厚度範圍，倘若反射層6（例如Ag層）之厚度為50nm、層514a（例如Cu層）厚度為2nm，層6併同層5a厚度僅為52nm15，顯難以達到阻止入射輻射穿透到氧化鋁層之目的，此時層416（例如Cr層）厚度倘若採取50nm上限值時，層4（例如Cr17層）在此主要功能作為反射層，與層6（例如Ag層）、層5a18（例如Cu層）併同一起貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻19射穿透到氧化鋁層，倘若採取下限值5nm，層4（例如Cr層20）、層5a（例如Cu層）及層6（例如Ag層）之厚度總和也21才57nm，甚至60nm都不到，依據系爭專利【先前技術】章22節教示，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，以上例子顯23然再次與系爭專利所主張反射層6光密特徵相矛盾，亦與系24爭專利說明書揭示內容牴觸、不一致，通常知識者依據系爭25專利說明書揭示，無法瞭解其內容，並據以實現及製造，不26符專利法第26條第1項規定，至為明確，請明察。
27２、通常知識者依據系爭專利實施例的教示，也無法據以實現71系爭專利所請發明：
2項31中的層4、層5a、層6、層7、層9、層10）材料的選擇4組合多達數百萬種，惟系爭專利實施例僅例示其中的幾種，5甚至有些材料種類亦無任何實施例說明，例如層4僅例示「T6iOX」或「TiNXOy」，所請材料選擇範圍包括「選自某種材7料的層（4），該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及8氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，或者使用9上述金屬中的一個合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
10」、層7僅例示「CrOx」、「TiOX」，所請材料選擇範圍「11層（7），其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計12量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、13銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上14述金屬中的至少兩個」，不僅選擇組合性多樣，且皆未有合15金的實施例，難以合理推及所主張的範圍。更甚者，系爭專16利實施例針對層5a僅例示NiV及優質鋼，與所請範圍「層17（5a），其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、18鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、19鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或20上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成21」相去甚遠，通常知識者在面對高達上百萬種組合下，勢必22要經歷嘗試大量錯誤試驗才能確認所有組合均能實現系爭專23利，參酌專利審查基準，實難謂發明所屬技術領域中具有通24常知識者能瞭解其內容並據以實現，不符合專利法第26條第251項規定。
26層27材料的厚度多以範圍例示記載，而非確切的數值，甚至在單81一實施例中出現材料選用情形，例如實施例3a出現層4可為2「TiOx」或「TiNxOy」的不特定情形，惟實施例應是揭露教3示通常知識者如何實現專利之實例，理論上應是特定產品結4構，例如化合物發明，實施例所例示產物應是特定單一化學5結構式之化合物，若為裝置結構發明，實施例所例示應是特6定單一結構之裝置，但系爭專利實施例記載的層厚度卻是以7範圍記載，且某些層之厚度範圍差異變化可超過100%，例如8扮演反射功能之層6，在每個實施例中厚度為90到200nm，9差異變化高達100%以上，以實際生產角度觀之，殊難想像生10產者會在生產過程中變動厚度差異超過100%，且在單一產品11中，層厚度變化超過100%，層的平坦性若不足，也會對產品12性質產生影響，故系爭專利說明書實施例以範圍及材料選用13方式記載一特定產品中的層結構厚度及材料，通常知識者勢14必要經歷嘗試大量錯誤試驗才能實現系爭專利，參酌專利審15查基準，系爭專利不符合專利法第26條第1項規定。
16(6)之厚度範圍為17「90-200nm」，根本不包括90nm以下之範例，通常知識者18依據說明書實施例的例示，根本不知如何實現層(6)光密特徵19，且依系爭專利【先前技術】章節教示，反射層(6)需至少102000nm厚度才可能顯現光密效果，但系爭專利實施例所例示21層(6)厚度範圍下限值90nm，仍然會有入射輻射穿透層(6)到22達層(6)以下的層結構，惟參酌系爭專利各實施例，層(6)下方23均是緊接層(5b)，當入射輻射穿透層(6)到達層(5b)時，層(5b)24勢必與層(6)一起貢獻反射，才能協力防免入射輻射繼續向下25穿透，再細繹系爭專利各實施例竟發現，層(6)成分與層(5b)26成分相同，除實施例3e外，均例示層(6)及層(5b)均為銀材料27，通常知識者知悉「銀」材料之反射性質最佳，因此，通常91知識者依據說明書實施例教示，並無法瞭解其它層順序組合2以及反射率較「銀」材料弱之材料是否同樣具有系爭專利實3施例所宣稱之功效，可見通常知識者仍需要嘗試大量錯誤或4複雜實驗，故系爭專利顯然不符合專利法第26條第1項規定5。
6（二）系爭專利請求項1至3、8至16及30項不符合專利法第267條第2項之規定：
8１、關於請求項1至3、8至16及30項：91之層6僅記載為「高純度金屬構成的光10密反射層」，但未明確界定高純度金屬的純度及成分，更未11定義何謂光密以及達成光密的條件（如厚度），通常知識12者無法瞭解光密的意義以及何種厚度才是可達成光密性質13的範圍，所請並不明確。
1415少100nm厚度才可能顯現光密效果，在參酌系爭專利請求16項1附屬項7或28後可知，系爭專利請求項7、28所界定17反射層(6)明顯與系爭專利【先前技術】章節教示矛盾，故18由系爭專利所自承先前技術揭示至少100nm反射層厚度才19能顯現光密效果時，系爭專利請求項1僅記載「光密」二20字並不能令通常知識者明瞭其意義及範圍，且理論上附屬21項界定特徵應更為明確，倘若通常知識者參酌請求項1之22附屬項7後，只會感到更為混亂與困惑，而無所適從，不23知如何判斷「光密」技術特徵，可見通常知識者在基於說24明書揭示下並不能理解系爭專利請求項1及其附屬項之範25圍，所請範疇並不明確。
261所請層系統，包括金屬基板，在金屬27基板第一面(A)鍍覆以下層：層(4)、層(5a)、高純度金屬構101成之光密反射層(6)、層7、LI層(9)及HI(10)。經查，請求2項1所載各層材料範圍過廣，涉及金屬、合金、金屬氧化物3及氮氧化物等性質截然不同之材料，各層材料的選擇組合多4達數百萬種（尚不計上述的LI層及HI層），而實施例僅例5示其中的幾種，有些種類甚至無任何實施例說明（例如層46及層7皆未有合金的範例，層5則僅例示NiV及優質鋼）7，所屬技術領域中具有通常知識者由說明書揭露的內容無法8合理預測或延伸至請求項之範圍，是為不受說明書的支持。
91使用開放式連接詞「包括」，並10不排除可包含其他層，且其連接關係（層序）亦不一定是11相疊的，此可從系爭專利請求項17所載之層3、層5b、層128看出。且系爭專利說明書所有實施例皆例示包含層5b的13層系統，其材料皆與反射層6之材料相同。所屬技術領域中14具有通常知識者無法從說明書及實施例所載合理延伸至請求15項1所載僅包含層1、層4、層5a、層6、層7、層9及層1160的層系統，亦無法確定其效果是否來自額外包含的層（如17層5b），所請不受說明書的支持。
181所載層系統中之各層僅以「層」19字界定，範疇廣泛且不明確，例如層5a，系爭專利主張層205a作為反射層6之晶種層，依據系爭專利說明書（第14頁21第1段）所載，晶種層5a之厚度範圍為2-40nm為佳，故22當晶種層5a之厚度為40nm、反射層6之厚度為50nm時，23層5a主要功能反而是作為反射層，與層6併作反射層實際24貢獻反射能力，此部分顯然與系爭專利請求項1所主張層625光密特徵相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示牴觸、不一致，26足見系爭專利請求項並未敘明必要技術特徵；再者，以層427為例亦有相同情形，系爭專利主張層4作為黏接與障壁層111，依系爭專利說明書第13頁第3段可知，層4厚度以5至250nm為佳，依據說明書教示及請求項7界定之層4、5a及36厚度範圍，倘若層6厚度為50nm、層5a厚度為2nm，層46併同層5a厚度僅為52nm，顯難以達到阻止入射輻射穿透5到氧化鋁層之目的，此時層4厚度倘若採取50nm上限值時6，層4在此主要功能作為反射層，與層6、層5a併同一起7貢獻反射，才能一起協力阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，倘8若採取下限值5nm，層4、5a及6之厚度總和也才57nm，9甚至60nm都不到，顯難以阻止入射輻射穿透到氧化鋁層，10以上例子顯然再次與系爭專利請求項1所主張層6光密特徵11相矛盾，亦與系爭專利說明書揭示內容牴觸，在在可證，系12爭專利請求項並未敘明解決問題之必要技術特徵，通常知識13者由說明書揭露之內容並無法合理預期或延伸至請求項範疇14，系爭專利請求項1至3、8至16以及引用請求項1之請求15項30所請範疇並不明確，也不受說明書支持。
16LI層』及『HI層』」僅以相對的折射率界17定，並未說明其所包括的化合物種類範圍及厚度範圍，無18法確定是否任何材料（金屬、非金屬、聚合物…）及厚度19都適合用於『LI層』及『HI層』，且細繹附屬項第13及第2015項，LI層(9)折射率上限值為1.8，HI層(10)折射率下限值21為1.8，兩者相等並無差異，明顯與請求項1矛盾，可見所22屬技術領域中具有通常知識者，單獨由系爭專利請求項之記23載內容，無法明確瞭解其意義及範圍，是為不明確。
24２、關於請求項8、14、16：25請求項8所載「TiOx及TiNxOy」，並未明確界定x及y，26請求項14所載「SiOx」、及請求項16所載「TiOx」，均未27載明x值範圍，上述x、y等為化合物之化學計量比，依系121爭專利說明書例如第【0032】段落揭示可知，上述化合物之2化學計量比並非包含所有態樣，因此，系爭專利請求項8、
314、16未記載化學計量比之限制條件，通常知識者單獨由4請求項之記載內容，無法明確瞭解其意義，是為不明確。
5３、關於請求項16、30：6請求項30所載「前述任一項」、「更佳」、「特別是」為7不明確用語，且「更佳」、「特別是」會造成同一請求項8界定不同範圍，是為不明確。此外，請求項16所載「尤佳9」亦有同一請求項界定出不同範圍之問題。因此，請求項1016、30不符專利法第26條第2項之規定。
11（三）系爭產品於系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利之準12備工作，符合專利法第59條第1項第3款規定：
13１、被證4、13、21至24、33、34及42可證明被告安森公司在14系爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/15anodizedaluminum之層堆疊發明概念，已完成必要之準備
16：174實際上揭露產品鍍層順序：
18被證4簡報第15~36頁標題為「Processtrends（製程趨勢）19」記錄試機過程中反應流程及各個反應的操作條件：捲料先20經由GLO（被證4簡報第15~17頁，plasmacleaning即以電21漿清潔捲料表面）→第一個鍍層TiOx（被證4簡報第18~2022頁，濺鍍TiOx）→第二個鍍層Cu（被證4簡報第21~24頁23，濺鍍Cu）→第三個鍍層Ag（被證4簡報第25~27頁，蒸24鍍Ag）→第四個鍍層CrOx（被證4簡報第28~30頁，濺鍍25CrOx)→第五個鍍層SiO2（被證4簡報第31~33頁，SiO2蒸26鍍)→第六個鍍層TiO2（被證4簡報第34~36頁，TiO2蒸鍍27），因此，所形成鍍層結構當然是TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/131TiOx/anodizedaluminum，此為任何有製程概念人士都可了解2知悉。
3TiO2/SiO2/CrOx4/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力包5括調整銀/銅使用量的能力：
6原告一再援引被證4簡報第22頁圖式聲稱被告不得主張先7使用權云云，然而，由本技術領域中光密技術手段演進可8知，在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，乃是系爭9專利申請前通常知識，倘若銀/銅雙層結構為光密，則為被10證8技術手段，倘若在銀/銅雙層結構基礎上，以銀反射層11作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃是被證8申請日12以前，被證9時期所採用技術手段，也是系爭專利前的通常13知識，此等在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，實際14上在被證7圖7中已有相當明確揭露，由此可知，被告在系15爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodize16daluminum之層堆疊發明概念，此發明概念當然包括在銀/銅17雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量的通常知識，詳言之，被18告在系爭專利優先權日前已具備生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/A19g/Cu/TiOx/anodizedaluminum層系統結構之能力，此能力當然20包括調整銀/銅使用量的能力，故原告一再援引被證4簡報第2122頁圖式聲稱被告不得主張先使用權云云，無非是在混淆視22聽，殊無足取之處。
2342及被證43可證明被告在系爭專利優先權日前已具備24生產、製造TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層25系統結構之能力：
26被證42為德國VonArdenne員工FrankWeber出具聲明書，27FrankWeber在98年到101年間代表VonArdenne來臺灣，141執行VonArdenne與森鉅公司所簽訂編號AP291739「Sales2AgreementrelatingtoMetalStripCoatingSystem,agreement3No.AP291739」之合約，內容包括參與設備組裝、量產及驗4收等程序，同時提供台灣森鉅公司人員教育訓練，並也參與5101年5月4日鋁鏡驗收，及101年5月18日第八次銀鏡生6產會議（參被證43），此時在101年5月17日已經完成銀7鏡驗收，FrankWeber確認在臺灣見證銀鏡驗收程序，並參與8標題為「SummaryofAgMirrorFATatXxentria」簡報的製作9，FrankWeber確認該簡報討論的層結構為「TiO2/SiO2/CrOx/10Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum」。
11２、依「發明思想說」，被告安森公司在系爭專利優先權日前已12占有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊13發明思想及能力，此能力自然涵蓋系爭專利所請範圍，故被14告安森公司確實在系爭專利優先權日前已完成實施系爭專利15之準備工作。
16（四）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12或17被證12與被證9之組合不具進步性：
18被證12之層系統組合可完全對應系爭專利之層系統，且被19證12已揭示各層之材料，被證12擴散阻擋層BS（相對應20於系爭專利層(7)）揭示氧化物材料為經摻雜的氧化鋅，說21明書亦說明該層實際上功能與黏附促進及擴散阻擋的HS層22相當，應可選自ZnOx、SiOx、SnOx、TiOx或ZrOx，其中23x≦2，因此，基於被證12之揭示內容，系爭專利請求項124至3、8至16及30不具進步性，詳如附表二所示。
25（五）系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被證12及26被證9之組合不具進步性：
27被證9揭露一種在基板1上形成黏附促進和擴散阻擋層2/151功能反射層3/黏附促進和擴散阻擋層4/低折射率層51A/高2折射率層51B/低折射率層52A/高折射率層52B之層結構，3其中被證9之層2及層4相當於系爭專利層4及7，依據4被證9揭示，合適的黏附促進和擴散阻擋層(2、4)材料為5TiOx、ZnOx、SiOx、SnOx、ZrOx，其中x≦2，故被證96已揭示系爭專利層4及7可為亞化學計量之氧化物等技術7特徵，由於被證12及被證9均為相同技術領域且為同一申8請人之案件，對於黏附促進和擴散阻擋層之用語亦相同，9通常知識者在參酌被證12及9之下會有合理動機組合兩者10，是以，系爭專利請求項1至3、8至16及30項相較於被11證12及被證9之組合不具進步性，詳如附表三所示。
12（六）系爭專利請求項2至3、8至16及30項相較於被證8與系13爭專利自承先前技術之組合、被證8與被證9與系爭專利14自承先前技術之組合、被證8與被證10與系爭專利自承先15前技術之組合、被證12與系爭專利自承先前技術之組合，16或被證12與被證9與系爭專利自承先前技術之組合不具進17步性：
18１、基板材質為通常知識，依系爭專利說明書第【0002】節記19載：「表面反射器及相當之物體通常係鋁製品。為達到較20高的反射，原鋁應儘可能純淨，如具有99.8%之純度。純21鋁非常軟，故傾向使用所謂"滾壓包覆"材料。該工藝係將22純鋁單面或雙面地滾壓至具有符合機械性能之鋁合金。採23用高純度之原因在於，所含雜質會在加工過程中，例如在24脫脂槽中或在電化學拋光時造成穿孔腐蝕，從而增大漫反25射分量，此點不利於相關應用領域」、第【0003】節記載
26：「通常對經過前述處理之鋁實施陽極氧化。在此過程中27，含有羥基之層自外朝內增長，即朝基板芯部增長，而產161生多孔氧化鋁層」等語可知，系爭專利請求項2、3為系爭2專利申請前通常知識。
3２、在被證8、9、10、12及系爭專利均為相同技術領域下，4通常知識者自有動機將被證8與系爭專利自承先前技術、5被證8與被證9及系爭專利自承先前技術、被證8與被證610及系爭專利自承先前技術、被證12與系爭專利自承先前7技術，或被證12與被證9及系爭專利自承先前技術予以組8合，故系爭專利請求項2至3、8至16及30項不具進步性9。
10（七）系爭專利請求項1至3、8至16及30項依被證40、41，11或被證40、41與被證7之組合，或被證40、41與被證912之組合，不具進步性：
13１、原告並未爭執在系爭專利申請日前已公開銷售Vega98系列14產品、Vega98110層系統是基於被證8等事實。而由被證1540及41可證，Vega98110層結構（TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu16/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊）及技術特徵已成為先17前技術，不具新穎性。亦即，Vega98110可對應系爭專利18請求項1各層，也揭示請求項2至3、8至16，且Vega0000000可用於LED。原告唯一爭執僅在於層6為光密，但此20光密為通常知識者可輕易調整。故系爭專利請求項1至3
21、8至16及30項依據被證40、41之組合，不具進步性。
22２、由被證7圖7、被證9及原告異議答辯理由書（被證39）23可知，在銀/銅雙層結構基礎上，為增加反射率，僅會想到24增加銀之使用量，而以銀反射層作為主要反射層貢獻反射25達成光密效果乃是被證9時期所採用技術手段，因此在銀/26銅雙層結構上增加銀之使用量，以反射率最佳之銀反射層27作為主要反射層貢獻反射達成光密效果，乃屬系爭專利前171通常知識，與被證9時期所採用技術手段並無差異。故系2爭專利請求項1至3、8至16及30項依據被證40、41與3被證7之組合，或是被證40、41與被證9之組合，不具4進步性。
5（八）聲明：
6１、原告之訴駁回。
7２、如受不利判決，被告願以現金或同額之可轉讓定期存單供8擔保，請准免於假執行。
9三、被告富鹿貿易公司、楊國夫除援引被告安森公司、Oliver10Storbec前揭抗辯外，並補充如下：
11（一）被告富鹿貿易公司、楊國夫並無故意或過失侵害系爭專利12之事實：
13１、被告富鹿公司為銷售商，登記營業項目主要為電信器材買14賣及進出口業務，僅係專營買賣及進出口，與製造生產無15任何相關，此觀被告富鹿公司之登記資料即可知(被證1)。
16縱然被告富鹿公司先前銷售德國安鋁公司之電信材料，亦17係其他類型材料，與系爭產品及專利無涉。又因與德國安18鋁公司有合作，基於業務關係經由德國安鋁轉介同案被告19安森公司，交由被告富鹿公司來經銷系爭產品，被告富鹿20公司作為銷售商，自然遵從其要求，然被告富鹿公司從不21涉及製造系爭產品，其亦非專業智財人員，對於產品相關22專利技術不具備與專業製造業者相同之認識及判斷能力，23無從得知是否有侵害專利權之情事，被告富鹿公司並無侵24害原告專利權之任何故意或過失。
25２、原告雖主張被告富鹿公司有委託SGS公司針對系爭產品進26行檢驗分析報告（原證15號），故被告富鹿公司有投資進27行鑑定之行為云云。惟查，該報告主要係檢測有害物質含181量是否超標，係客戶端主動要求提供，並無法由該報告看2出產品結構、成分，更遑論系爭專利內容，故亦不能由此3推論被告等因此知悉系爭專利之技術。
4３、又原告雖有於106年8月寄發律師函通知，惟寄發對象僅5為被告安森公司，被告富鹿公司完全不知情，被告等是案6發後方為知悉有此信函，故原告無從主張被告富鹿公司經7通知後仍有故意或過失販賣系爭產品之意圖。
8（二）因被告富鹿公司僅作為銷售商，苟被告安森公司並無侵害9系爭專利權，被告富鹿公司自亦不構成任何侵害，其理甚10明。
11（三）損害賠償額：
12１、被告等既無侵害系爭專利權之故意或過失，則原告請求被13告等連帶負損害賠償責任，即無理由。
14２、原告並未舉證其所受之損害為何，以及被告等販售系爭產15品與原告所受損害之關聯性，即空口泛稱所受損害之金額16高達2,000萬元，顯無理由。
17（四）聲明：
18１、原告之訴駁回。
19２、如受不利判決，被告願以現金或同額之可轉讓定期存單供20擔保，請准免於假執行。
21四、兩造不爭執之事實（參本院卷二第59頁）：
22（一）原告係系爭專利之專利權人，專利期間自106年7月1日23至124年10月26日。
24（二）被告安森公司製造、販賣系爭產品；被告富鹿公司販賣被25告安森公司製造之上開系爭產品。
26（三）系爭產品實施系爭專利請求項1至3、8至16、30。
27（四）被告OliverStorbeck為被告安森公司之法定代理人，被告191楊國夫為被告富鹿公司之法定代理人。
2（五）均不爭執原證3至7之形式真正。
3（六）均不爭執原證6「FraunhoferIMWS分析報告」所採用之4分析方法。
5五、本件爭點如下（參本院卷五第146頁）：
6（一）系爭產品是否於系爭專利優先權日前即已開始製造，或已7完成必要之準備工作，適用專利法第59條第1項第3款之8規定？92至5頁表格所示各請求項之10證據組合，「及被證40（40-1至40-5）、41之組合、被證1140（40-1至40-5）、41、7之組合、被證40（40-1至40-512）、41、9之組合」，是否足以證明系爭專利請求項1至
133、8至16、30不具進步性？（各「系爭專利自承先前技146至14頁表格所示）。
15（三）系爭專利說明書是否違反專利法第26條第1項，無法據以16實施？17（四）系爭專利請求項1至3、8至16、30，是否違反專利法第1826條第2項明確性及可支持性的要求？19（五）原告得否依專利法第96條第2項、民法第184條第1項前20段及同法第185條、第179條、第177條第2項，公司法21第23條第2項之規定，向被告等請求連帶負損害賠償責任22？如有理由，被告等侵害系爭專利之損害賠償額應如何計23算？24（六）原告是否得依專利法第41條之規定對被告等請求補償金？25（七）原告對被告等主張之排除侵害及回收銷毀請求權，是否有26理由？27六、得心證之理由：
201（一）本件應適用之法律：
2按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者3，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事4訴訟法、行政訴訟法、專利法或其他法律有關停止訴訟程5序之規定。前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智6慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧7財產案件審理法第16條定有明文。本件被告既否認系爭專8利具有可專利性，並以前揭情詞置辯，依前開規定，本院9就被告之抗辯有無理由，應自為判斷。又系爭專利係於10104年10月27日申請，並經經濟部智慧財產局106年5月119日審定核准，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審12定時之106年1月18日修正公布、106年5月1日施行之13專利法定之。
14（二）系爭專利技術分析：
15１、系爭專利技術內容：16本發明關於一種層系統，包括金屬基板，在其面上依序自17內向外鍍覆有以下層：(4)選自某種材料的一層，該材料選18自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及氮氧化物或者選自鈦、19鋯、鉬、鉑及鉻的金屬或者使用上述金屬中的一個的合金20或者選自上述金屬中的至少兩個，(5a)一層，其由一鎳合21金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及/22或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕
23、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金或上述金屬中24的至少兩個構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成，其條件在25於：該層唯有在反射層6由鋁構成的情況下方能由鋁構成26，以及，在此情況下，層5a的鋁係濺鍍而成，(6)由高純度27金屬構成的光密反射層，(7)一層，其選自鈦、鋯、鉿、釩
211、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、2鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬3中的一個的合金或者選自上述金屬中的至少兩個，(9)與緊4鄰之層10(HI層)相比具有低折射率的層(LI層)，及(10)5緊鄰層9且與層9(LI層)相比具有高折射率的層(HI層)6。該層系統例如可用作較佳與LED一起使用之表面反射器7，特別是用於LED之MC-COB、用作太陽反射器或者用作8雷射鏡，特別是用於DLP雷射投影儀中之色輪。(摘錄自9系爭專利之摘要)
10２、系爭專利主要圖式：如附圖一所示。
11３、系爭專利申請專利範圍分析：12系爭專利之申請專利範圍共30項，其中請求項1、30為獨13立項，其餘均為附屬項。原告主張受侵害之系爭專利請求14項為請求項1至3、8至16及30，其內容如下：
151：16一種層系統，包括17一金屬基板(1)，具有一第一面(A)，在該第一面(A)上依序18自內向外鍍覆有以下層：
19選自某種材料的層(4)，該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的20氧化物及氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，21或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的22至少兩個，23層(5a)，其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、24鉬、鈷、鐵、鈦及/或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢
25、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合26金，或上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質27鋼構成，221由高純度金屬構成的光密反射層(6)，2層(7)，其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計3量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬
4、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選5自上述金屬中的至少兩個，6LI層(9)，與緊鄰之HI層(10)相比具有低折射率，及該7HI層(10)，緊鄰該LI層(9)且與該LI層(9)相比具有高8折射率。
9《註：以上段落之記載係按申請專利範圍原文排列方式》
102：11如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)含12有鋁、銅或優質鋼或者由以上材料構成的一芯部(1a)。
133：14如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板(1)由15以下構件構成：一芯部(1a)，其由鋁、鋁合金、銅、鉬
16、鈦、鉭、優質鋼、鋼、鐵、鍍錫板，或者由使用上述材17料中的至少一個的合金，或者由上述材料中的至少兩個構18成，位於該芯部(1a)的一面上的氧化鋁層(2a)，或者位於19該芯部(1a)的該面上的氧化鋁層(2a)以及位於該芯部(1a)20的另一面上的氧化鋁層(2b)。
218：22如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該23層(4)之材料選自TiOx及TiNxOy。
249：25如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該26層(5a)之材料選自非鐵磁鎳合金，特別是NiV、優質鋼及27銅。
23110：
2如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該3反射層(6)之高純度金屬選自純度至少為99.9%之金屬，且4選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者使用上述金屬中的5一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
611：7如申請專利範圍第10項所述之層系統，其中該反射層(6)8之高純度金屬選自銀及鋁。
912：10如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該11層(7)由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成。
1213：
13如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該14LI層(9)之折射率n為1.3至1.8，且該LI層(9)之材料選15自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物16及金屬碳氮氧化物。
1714：
18如申請專利範圍第13項所述之層系統，其中該LI層(9)之19材料選自SiOx、Al2O3、MgF2、AlF3、CeF3、YF3、BaF2La20F3、SiAlOx、TiAlOx及硼矽玻璃。
2115：
22如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該23HI層(10)之折射率n為1.8至3.2，且該HI層(10)之材料24選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化25物及金屬碳氮氧化物。
2616：
27如申請專利範圍第15項所述之層系統，其中該HI層(10)241之材料選自TiOx、TiAlOx、ZrOx、HfOx、La2O3、Y2O3、2Bi2O3、ZnO、SnO2、具有8%原子比之Al的ZAO、Nb2O53及Si3N4尤佳。
430：5一種如申請專利範圍第1至29項中任一項所述之層系統6之應用，作為表面反射器、作為太陽反射器、或者作為雷7射鏡。
8（三）系爭產品技術內容：
9原告稱被告安森公司所製造及販售之系爭產品侵害其專利10權，原告提供系爭產品照片（參原證3號）並加以分析(11參原證6號：FraunhoferIMWS分析報告)。又本件兩造12對於原證6之形式真正並不爭執，故系爭產品之技術內容13詳如附圖二所示，即以原告提供之原證6號之圖2及表114表示之。
15（四）專利有效性證據技術分析：
16１、被證7：177為95年公開之「銀基超-反射器之大面積EB-PVD」18，SocietyofVacuumCoaters期刊，該公開日早於系爭專利優19先權日（103年10月27日，下同），故被證7可為系爭專20利之先前技術。
217技術內容：
22被證7記載反射增強層堆疊之結構，其包括利用EB-PVD代23替銀濺鍍，相較於濺鍍解決方案，EB-PVD製程之塗層材料24成本高達85%。此外，藉由銅界面層之延伸，部分地替換下25部銀層部分，高達約25%之銀層可經替換。銅材料的價格約26為銀價之3-4%。(參被證7號第205頁左欄末段、第207頁27右欄及圖1)251２、被證8：
28為98年3月4日公開之CZ000000000A，該公開日3早於系爭專利優先權日，故被證8可為系爭專利之先前技4術。
58技術內容：
6被證8涉及一種高反射層系統，用於以提高反射的層塗覆基7底，一種用於製造該層系統的方法以及一種用於實施該方法8的設備。在基底(S0)的表面上塗敷第一功能反射層(S3)。該9第一功能反射層(S3)可以為反射的或者部分反射的且由金屬10或者金屬合金組成，該金屬或者金屬合金含有來自銅、鎳、11鋁、鈦、鉬、錫的組中的一種或多種成分。在該第一功能反12射層(S3)上設有第二功能反射層(S5)。該第二功能反射層(S135)可以由金屬或者金屬合金組成，例如銀或者銀合金。在該14第二功能反射層(S5)上跟著的是第一透明介電層(S7)。該第15一透明介電層(S7)例如可以由氧化矽組成。在該第一透明介16層(S7)上設置有第二透明介電層(S8)。該第二透明介電層(17S8)例如可以由氧化鈦組成。(參被證8之摘要)
18３、被證9：199為95年7月20日公開之DZ000000000000A1，該公20開日早於系爭專利優先權日，故被證9可為系爭專利之先前21技術。
22被證9技術內容：
23被證9係關於一種在可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩24定鏡面層系統，用於沉積在介電基板上的技術。(參被證925之摘要)
26４、被證10：2710為86年1月1日公告之TW294630，該公告日早於261系爭專利優先權日，故被證10可為系爭專利之先前技術。
2被證10技術內容：
3被證10揭示一個具有改良之塑料負載金屬黏附性之塑料負載4金屬材料，它包含一個具有一個表面的塑料載體，一個在載5體表面上、3至200CC的厚的黏附提升第一層，它包含有選6自鉿、鋯、鉭、鈦、鈮、鎢、釩、鉬、鉻、鎳及其合金中的7金屬，且是以金屬本身或低於計量關係的氧化物式呈現，以8及一個在第一層之上的第二層，它包含有100-10,000。(參被9證10之摘要)
10５、被證12：1112為101年8月23日公開之DZ000000000000A1，該公12開日早於系爭專利優先權日，故被證12可為系爭專利之先前13技術。
1412技術內容：
15被證12揭示一種反射層系統，用於太陽光譜層中具有高反16射的太陽光電應用中，其包含至少具有HI介電層及LI介電17層順序的層，並且其具有用於製造基板S的預處理表面O的18黏附促進及擴散阻擋層HS，以及具有Cu的第一反射層及Ag19的第二反射層。(參被證12說明書第0001段、第0034段、20第0038段)
21６、被證40：22被證40為系爭專利相對應歐洲專利案EP0000000的相關資料23，其內容如下：
24被證40-1：為107年5月30日異議人所提呈之異議理由。
25被證40-2：為被證40-1之異議理由的中譯本26被證40-3：為被證40-1中的異議證據D29ALMECO樣品目錄27照片影本。
271被證40-4：為被證40-1中之異議證據D29a，其為取自異議2證據D29截取之樣本vega98110(樣品2010)原樣3的2張相片影本。
4被證40-5：為被證40-1中之異議證據D29b的Fraunhorf研究5所分析報告。
6７、被證41：7被證41為102年有關VEGA98產品型錄，該公開日早於系爭8專利優先權日，故被證41可為系爭專利之先前技術。
9（五）技術爭點分析：
10１、系爭產品是否於系爭專利優先權日前即已開始製造系爭產11品，或已完成必要之準備工作，適用專利法第59條第1項12第3款之規定？131至3、8至1416及30內容相同部分，並不爭執。
15(第2頁第貳-一點)抗辯其為專16利權效力所不及，系爭產品是否落入系爭專利請求項1至3
17、8至16、30的專利權範圍列示如附表一所示。182頁，被告安森19公司形式上不爭執原證3、4、5、6、7，其中原證6號20為原告所提之夫朗和裴材料及系統微結構研究所(Fraunhof21erIMWS；德國之研究機構)之XPS與ToF-SIMS儀器分22析報告。
23一所示系爭產品落入24系爭專利之請求項1至3、8至16、30的專利權文義範圍25。
2659條第1項第3款規定之「申請前已在國內27實施，或已完成必須之準備者」為專利權效力所不及：
28159條第1項第3款係規定：申請前已在國內實2施，或已完成必須之準備者，係屬於發明專利權之效力所不3及之情事。按103年9月版專利法逐條釋義之說明，有關「4申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」，本款為學5說上所稱先使用權或先用權之規定，其為專利侵權抗辯事由6之一。依第31條規定，本法對於專利申請係採先申請原則7，申請並取得專利權之人不一定是先發明之人，亦不一定是8先實施發明之人。在專利權人提出專利申請之前，他人有可9能已實施或準備實施專利權所保護之發明，於此情況下，如10在授予專利權後對在先實施之人主張專利權，禁止其繼續實11施該發明，顯然不公平，且造成先實施人投資浪費。因此，12各國大都有先用權之規定，主張先用權者可排除專利權之效13力。先用權名之為權，其實是一種抗辯、前提條件。
14或15使用相同之方法，包括販賣、使用或進口相同之物品或是依16據相同方法直接製成之物品，且不以自己實施為限，委託他17人實施者，亦適用本規定，例如該受委託之人之製造亦屬先18使用權之範圍。所謂已完成必須之準備，是指為了製造相同19之物品或使用相同之方法，已經在國內做了必要之準備。必20要之準備行為須為客觀上可被認定的事實，例如已經進行相21當投資、已完成發明之設計圖或已經製造或購買實施發明所22需的設備或模具等。若僅是主觀上有實施發明之準備，或為23購買實施所必要之機器而有向銀行借款等準備行為，則不得24謂已完成必須之準備。
254、13、21至24、33及34是否可證明被告安森公司在26系爭專利優先權日前已實施或完成與系爭專利相同之物：
27施或291完成與系爭專利相同之物的相關技術內容，主要為被證4、2被證33及被證34，其中被證4為系爭產品於101年5月的3試機報告書，依被證4所記載內容，其報告日期應為101年45月17日，且被證4簡報第15~36頁標題為「Processtrends5（製程趨勢）」記錄試機過程中反應流程及各個反應的操作6條件：捲料先經由GLO（被證4簡報第15~17頁，plasma7cleaning即以電漿清潔捲料表面）→第一個鍍層TiOx（被證84簡報第18~20頁，濺鍍TiOx）→第二個鍍層Cu（被證49簡報第21~24頁，濺鍍Cu）→第三個鍍層Ag（被證4簡報10第25~27頁，蒸鍍Ag）→第四個鍍層CrOx（被證4簡報第2118~30頁，濺鍍CrOx)→第五個鍍層SiO2（被證4簡報第31~1233頁，SiO2蒸鍍)→第六個鍍層TiO2（被證4簡報第34~3613頁，TiO2蒸鍍）。因此，被證4揭露了TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu14/TiOx/anodizedaluminum的層狀結構。
154簡報第22頁圖式，使用銅是為了要節省銀16的材料，由此可知，該技術特徵係為銀/銅作為雙反射層的概17念，其已與以銀作為單反射層的概念不同。因此，即使被證184揭露了TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum的層19狀結構，但被證4仍無法說明該等層狀結構是屬於以銀作為20單反射層的概念。
21/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量，乃是22系爭專利申請前通常知識，例如被證7至9的技術內容，因23而，被告認為在系爭專利優先權日前已占有TiO2/SiO2/CrOx/A24g/Cu/TiOx/anodizedaluminum之層堆疊發明概念，此發明概25念當然包括在銀/銅雙層結構基礎上，調整銀/銅使用量的通26常知識(15頁第(二)點)。然而，參酌被27證7至9係僅能作為參考文件，被告仍應以是否有實際製作301以銀作為單反射層的概念的相關證據，始能證明系爭產品為2「申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」為專利權3效力所不及的事實。
4WO2007/095876號專利，即被證85(CZ000000000)的對應案(8頁第(四)點)而製6作的技術，而該技術特徵係為銀/銅作為雙反射層的概念。然7而，被告一方面認為系爭產品乃是依照WO2007/095876號專8利(即被證8的對應案)所製作的技術，即銀/銅作為雙反射層9的技術；另一方又自承系爭產品與系爭專利請求項1至3、810至16及30內容相同(1頁或107年4月2411日準備程序筆錄整理之不爭執事項)，惟系爭專利所請係為一12層銀的光密反射層，而非雙反射層的技術。因此，被告之主13張係有所矛盾，併此指明。
14２、系爭專利說明書並未違反專利法第26條第1項之規定：15光密」的特徵：
1626條第1項規定「使該發明所屬技術領域中具17有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現」，指說明書18應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦應明確，19使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請20專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識21，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專22利之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
230005段記載「為提高反射性並抑制有害24的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層25或反射層，其必須具有使得該層達到光密的厚度，亦即，此26種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成27氧化鋁層中的干擾效果。此類干擾效果會降低鏡面之效率並311引致有害的干擾」。另依有關光密的敘述，系爭專利說明書2第14頁第2段記載「不會或者基本上不會(小於1%為佳)有3任何介於000-0000nm(特別是可見光)之電磁輻射能夠穿過位4於其下方之層」。因此，所屬技術領域中具有通常知識者參5酌系爭專利說明書時，係可理解「光密」一詞的意義，該敘6述不會致使所屬技術領域中具有通常知識者無法據以實現。
7(即被證5及被證9)所8記載內容，光密反射層須具有一定厚度始能達到其特性，而9系爭專利說明書所記載的層6的厚度為50至90nm是無法達10到光密特徵，因此，該特徵無法據以實現云云(參被告於民事113至4頁第(二)-2至3點)。經查，該發明所屬12技術領域中具有通常知識者係可理解不同反射材料可能會有13不同的反射性質，其所達成光密之厚度會有所差異，例如系14爭專利說明書第14頁第2段記載「一層反射層，其由高純度15金屬構成，該金屬之純度至少99.9%為佳，選自銀、鋁、金
16、鉑、銠、鉬及鉻，或者由使用上述金屬中的一個合金構成17，或者由上述金屬中的至少兩個構成更佳……」。由於不同18材料所達成光密之厚度會有所不同，該發明所屬技術領域中19具有通常知識者，基於系爭專利之教示以及其所具有之通常20知識，自能針對所欲作為反射層之材料決定其厚度。被告所21稱系爭專利說明書之先前技術所指的被證5只能說明該被證225在＜90nm的第一功能性反射層並非光密，仍無法說明系爭23專利所界定的層6的厚度在50至90nm是無法據以實現的。
24又有關被告所指的被證9說明書第0013段揭露「該反射層可25由Ag、Al、Au或Pt構成且應光學密封地，至少以100nm的26厚度沉積而成」，惟該段內容所述的材料與系爭專利說明書27所述之材料仍不完全相同，且被證9至多只能說明反射層可321由Ag、Al、Au或Pt構成且利用100nm的厚度沉積可以達2到光學密封，但仍不能證明在低於100nm時，是否可以達到3光學密封的效果或是使用其他材料時，其可以達到光學密封4的厚度為多少。是以，系爭專利說明書係已記載有關光密的5材料、純度及厚度，而被告所指的被證5及被證9所使用的6材料與系爭專利也不盡相同，故不能單以厚度作為達到該層7是否屬於光密的一層，系爭專利說明書所載之內容並無矛盾8。因此被告所稱之理由並不可採。
96與作為晶種層的層5a的厚度關係，顯10示反射層6與層5a會併同一起貢獻反射，其會與系爭專利11主張反射層6光密特徵矛盾云云(參被告所提之民事答辯狀124至5頁第3點)，經查被告舉反射層6的材料為銀，13且其厚度為50nm作為例子，欲說明反射層6光密特徵的矛14盾，惟如前所述，光學密封的效果會因不同的材料、純度及15厚度均會產生不同結果，被告所舉之例係為以假設銀的厚度16為50nm且無法顯現光密效果為前提，但系爭專利說明書並17未指示銀作為光密反射層時，其厚度僅須在50nm，反而依18系爭專利的實施例，例如實施例1a，則指示使用銀作為高純19度金屬構成之光學活性反射層時，其厚度應為90nm至200n20m。所屬技術領域中具有通常知識者，參酌系爭專利說明書21的整體內容後，自可輕易瞭解使用銀作為光密反射層時，不22會僅將其厚度製作在50nm。至於系爭專利說明書第14頁第232段所指的反射層厚度可在50至200nm，其50nm的厚度24未必即指的是使用的材料是銀的情況，而系爭專利說明書中25同時也具體指出了可以使用其他材料作為反射層，該50nm26的厚度亦可以是使用其他材料作為反射層的情況。此外，系27爭專利說明書亦說明了「厚度以50至200nm乃至300nm較331佳，通常為90至300nm，80至180nm，或者100至200nm2」，系爭專利說明書已具體指明了可以達到反射層有光密效3果的材料與厚度範圍，則所屬技術領域中具有通常知識者參4酌系爭專利說明書的內容後，經由該指示即能瞭解其內容，5並據以製造及使用系爭專利之發明，解決問題，並且產生預6期的功效。因此，被告所稱之理由不可採。
731(以具有陽極氧化鋁(0.8μm)於其上之8鋁基材作為層堆疊之基板，模擬當波長從300nm至2700nm9時，層堆疊之反射率)欲說明系爭專利說明書所記載的內容10無法為通常知識者據以實現云云。惟經查被證31的層系統11模擬試驗僅為被告所自行製作的結果，其理論模型所假設之12前提與適用條件以及各層材料的純度等的參數為何，均仍有13疑義。此外，被告認為依據被證31的結果判斷反射層是否14符合「光密」的標準是觀察其「干涉」現象(參民事答辯狀153頁)，然而如上所述，依據系爭專利說明書對於「光16密」的意思是指「不會或者基本上不會(小於1%為佳)有任17何介於000-0000nm(特別是可見光)之電磁輻射能夠穿過位18於其下方之層」，被告判斷「光密」的方式仍與系爭專利說19明書的意思有所不同。是以，被告所提之被證31的證據不20可採。
21題
22：23目主24要是取決於申請專利範圍中所載之技術特徵的總括程度，如25並列元件的總括程度或數據的取值範圍；而實施例的數目是26否適當，亦應考量發明的性質、所屬技術領域及先前技術的27情況，原則上應以是否符合可據以實現要件及是否足以支持341申請專利範圍，予以判斷。當一個實施例足以支持申請專利2範圍所涵蓋的技術手段時，說明書得僅記載單一實施例。若3申請專利範圍涵蓋的範圍過廣，僅記載單一實施例並不符合4可據以實現要件時，應記載一個以上不同之實施例，或記載5性質類似之擇一形式（alternative）實施方式，以支持申請6專利範圍所涵蓋的範圍。
74、層5a、層6、8層7、層9、層10等，其說明書中雖列舉數種材料，而實9施例雖僅列舉部份的材料，惟系爭專利說明書所載之各層的10材料係以擇一形式總括的方式記載，而以擇一形式總括時，11並列的各選項應具有類似的本質(nature)，據此，雖然系爭12專利之實施例僅列舉部份的材料，但其他材料應具有類似的13本質，是以所屬技術領域中具有通常知識者基於具有類似本14質的材料，自可根據說明書所記載的內容而可據以實現，其15尚未有過度實驗的問題。
16問題17(6至7頁第2至3點)。經查按專利審18查基準第一篇第一章「1.2.6實施方式」相關規範，實施方式19(embodiments)係申請專利之發明的詳細說明，為說明書的20重要部分，對於明確且充分揭露、能瞭解及實現發明，以及21對於支持及解釋請求項，均極為重要。因此，說明書應記載22一個以上發明之實施方式，必要時得以實施例(examples)說23明。據此，系爭專利說明書已記載了相關的「實施方式」，24而「實施例」係僅屬於例示性質，就系爭案而言，尚難要求25專利申請人對每一個組合分別提出實施例，且依據系爭專利26說明書第28頁第0085及第0086段記載，該等實施例是列27出特別有利的厚度範圍，再加上實施例已具體列出各層所使351用的材料，例如可選擇Ag作為反射層材料，其厚度可利用290或200nm進行試驗。因此，該發明所屬技術領域中具有3通常知識者基於說明書所揭露的內容，利用例行之試驗或分4析方法即可延伸，或對於說明書所揭露之內容僅作明顯之修5飾即能獲致，本案尚難否認說明書所揭露的內容不能為所屬6技術領域中具有通常知識者可據以實現。
726條第1項之8規定。
9３、系爭專利請求項1至3、8至16、30未違反專利法第26條10第2項之規定：
11相12關規範：
13求項14整體之記載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知15識者，單獨由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而16對其範圍不會產生疑義。具體而言，即每一請求項中記載之17範疇及必要技術特徵應明確，且每一請求項之間的依附關係18亦應明確。解釋請求項時得參酌說明書、圖式及申請時之通19常知識。
20申請21標的必須根據說明書揭露之內容為基礎，且請求項之範圍不22得超出說明書揭露之內容。該發明所屬技術領域中具有通常23知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方24法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範25圍時，應認定請求項為說明書所支持。應注意者，請求項不26僅在形式上應為說明書所支持，並且在實質上應為說明書所27支持，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能就說明361書所揭露的內容，直接得到或總括得到申請專利之發明。審2查時，應參酌申請時之通常知識，包括相關的先前技術，判3斷請求項總括的範圍是否恰當，而使請求項之範圍未超出說4明書揭露之內容，亦未減損申請人理當獲得之權益。若無相5關的先前技術，開創性發明相較先前技術的改良發明，通常6可獲得較廣之總括範圍。
7(6)8之「金屬純度」、「成分」及「厚度」與LI層(9)及HI層(190)之「材料」及「厚度」等參數/條件的問題：
10按專利法施行細則第18條第2項之規定「獨立項應敘明申11請專利之標的名稱及申請人所認定之發明之必要技術特徵」12，有關「必要技術特徵」係指申請專利之發明為解決問題所13不可或缺的技術特徵，其整體構成發明的技術手段，而發明14之必要技術特徵係為申請專利之發明與先前技術比對之基礎15，至於非必要技術特徵於請求項中得不予記載。經查，本案16光密反射層之「金屬純度」、「成分」及「厚度」或是LI層
17、HI層之「材料」及「厚度」等參數條件，係屬於習知，非18屬系爭專利之發明的必要條件，系爭專利請求項的必要技術19特徵應在於申請人所認定之必要技術特徵，即能夠達到高純20度金屬構成的光密反射層以及具有低折射率的LI層與高折射21率的HI層，以及該等層的組合。另參考被證8、9及12之22請求項所界定的內容，其同樣未界定功能反射層或反射層的23「金屬純度」、「成分」及「厚度」或是高折射率層與低折24射率層的「材料」與「厚度」等條件，顯然該等參數條件並25非為必要的技術特徵，即使未界定該等參數條件，所屬技術26領域中具有通常知識者仍可輕易理解系爭專利請求項所界定27的內容，不會對該範圍產生疑義。
3712徵已3為所屬技術領域中具有通常知識者可據以實現，並據以定義4，則所屬技術領域中具有通常知識者對於系爭專利請求項所5載的「光密」之特徵的內容及範圍自亦不會產生疑義。
6100nm厚度才可能顯現光密效7果」，並認為參酌系爭專利請求項1、7及28顯與系爭專利8【先前技術】章節教示矛盾(8頁第(二)-29點)。惟經查，如前述所示，「反射層至少100nm厚度才可10能顯現光密效果」係屬於先前技術(即被證9)的內容，並不能11代表系爭專利請求項所請之發明的結果，而系爭專利說明書12第14頁第2段已經隱含了反射層的選擇可以有不同的材料搭13配不同的厚度，更何況系爭專利請求項7及28所界定的反射14層厚度(50至200nm或是80至180nm)，並未說明是使用何種15材料，而由於不同反射層材料達成光密的厚度會有不同，例16如50nm之厚度的鋁反射層就可能達到光密效果(參原證33)17。因此，系爭專利請求項1與請求項7及28所界定的範圍並18無矛盾。是以，被告所主張之理由不可採。
191對各層界定的敘述方式：
20認為21系爭專利請求項1未界定層5b的技術特徵(22第9至10頁第4及5點)，惟經查系爭專利請求項1已針對23層系統的各層進行界定與敘述且已為明確，而各層所達到的24技術效果，係由各層之堆疊次序以及各層所選用之材料所賦25予，自當無需特別界定於請求項中。此外，參照系爭專利說26明書第0033段的內容「(5b)位於反射層6下方而以非光密為27佳的層，其以在層(5a)所提供之縮核上增長為佳，並且會有381助於反射層金屬之特別緊密的增長("晶種層2")，而此層以由2與反射層相同之金屬構成為佳」，另外，系爭專利說明書第30059段及第0060段亦分別記載了「在反射層6由鋁構成之4特殊情形下，可將濺鍍之鋁作為"晶種層1"。蒸鍍之鋁反射5層6極佳地附著在此種晶種層上，如此便毋需設置第二"晶種6層"」、「而當反射層6完全透過濺鍍而被沈積時，則可棄用7層5b」。系爭專利說明書亦已建議了不一定須使用層5b的8技術特徵。因此，被告認為系爭專利請求項1所界定範圍不9為說明書所支持的理由不可採。
101各層僅以「層」字界定，範圍11廣泛且不明確，例如系爭專利說明書所記載之層(4)、層(5a)12及層(6)之間厚度的關係，將會致使系爭專利之申請專利範圍13不明確且無法為說明書所支持。惟如上所述，系爭專利請求14項1已明確界定層(6)係為「由高純度金屬構成的光密反射層15」，其已隱含了該層系統係為屬於一種單一層的反射層的技16術特徵，而被告所認定的不明確之情況係在於所刻意假設之17入射輻射會穿透「光密反射層」至氧化鋁層之情況，其已與18請求項1之文義相違，且不同的材料可以使用不同的厚度，19再按專利法第58條第4項之規定：「發明專利權範圍，以申20請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，併得審酌說明書21及圖式」，參照系爭專利說明書第0032段所記載的內容，層22(4)係為用來增強用於反射層金屬的附著度且作為擴散障蔽的23一層，而層(5a)係為用來作為讓反射層較佳增長的縮合核的24一層(及晶種層)為前提，則所屬技術領域中具有通常知識者25參酌系爭專利說明書的內容後，係可理解系爭專利請求項126所請之發明的含意。因此，被告所稱之理由不足採。
2713界定LI層之折射率與請求項15界定391HI層之折射率的問題：
2被告認為系爭專利請求項13界定LI層之折射率n上限值為
31.8，而請求項15界定HI層之折射率下限值n亦為1.8之問4題，其有矛盾之情況(10第6點)，惟經查5，系爭專利請求項1已明確界定LI層與緊鄰之HI層相比具6有低折射率，而請求項13及15又分別依附於請求項1，是7以，所屬技術領域中具有通常知識者係可理解，LI層與HI8層的折射率必不相同。更何況請求項13及15均分別依附於9請求項1至6項中任一項，請求項15與請求項13之間並無10依附關係，亦即請求項13界定LI層之折射率n上限值為1.811，與請求項15界定HI層之折射率下限值n亦為1.8，兩者並12無關聯性。當所屬技術領域中具有通常知識者解讀請求項1313時，係應解釋為LI層的折射率n為1.3至1.8，而HI層的折14射率理當高於LI層的折射率。當解讀請求項15時，係應解釋15為HI層的折射率n為1.8至3.2，而LI層的折射率理當低於16HI層的折射率。在解釋請求項13或15時，並不會將其解釋17為LI層的折射率n為1.3至1.8且HI層的折射率n為1.8至
183.2的情況。被告欲以兩個無依附關係的請求項來說明系爭專19利請求項1的界定矛盾並不合理。
20218所界定之「TiOx」、「TiNxOy」，其22係為界定層(4)之材料，經查請求項8係為請求項1的附屬項23，由於請求項1已界定層(4)的材料為「可選自鈦及鋯之亞化24學計量的氧化物」，故通常知識者當能瞭解系爭專利請求項825所記載之「TiOx」及「TiNxOy」係指化學式上不完全飽和之26鈦之亞化學計量的氧化物或氮氧化物。
27系爭專利請求項14所界定之「SiOx」，其係為界定LI401層(9)之材料，經查請求項14為請求項13的附屬項，而請求2項13係已界定LI層(9)之材料可為選自金屬氧化物，而金屬3氧化物可包含化學計量的化合物或亞化學計量之化合物，是4以，請求項14所界定的「SiOx」即已意指化學計量之氧化矽5或亞化學計量之氧化矽。此外，參酌系爭專利說明書第00326段(第15頁第1段)，記載「可以某種方式選擇該等氧化物中7之指數x，使得不是出現化學劑量之化合物，就是氧化物之8陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)9」亦得以佐證。
10系爭專利請求項16所界定之「TiOx」，其係為界定HI11層(10)之材料，經查請求項16為請求項15的附屬項，而請求12項15係已界定HI層(10)之材料可為選自金屬氧化物，而金13屬氧化物可包含化學計量的化合物或亞化學計量之化合物，14是以，請求項15所界定的「TiOx」即已意指化學計量之氧化15鈦或亞化學計量之氧化鈦。此外，參酌系爭專利說明書第003162段(第15頁第2段)，亦記載「可以某種方式選擇該等氧化17物中之指數x，使得不是出現化學劑量之化合物，就是氧化物18之陽離子在化學式上不完全飽和(即出現亞化學計量之化合物)19」亦得以佐證。
20系爭專利請求項記載內容，無法明瞭請求項8
21、14及16的意義(11頁第(三)點)，惟如上22所述，系爭專利請求項8、14及16係為附屬項，於解讀時仍23應參照其所依附之請求項的內容予以解讀，並非僅解釋該等24請求項所進一步界定的技術特徵而已，且按專利法第58條第254項之規定：「發明專利權範圍，以申請專利範圍為準，於解26釋申請專利範圍時，併得審酌說明書及圖式」。是以，所屬27技術領域中經解讀系爭專利請求項8、14及16並參酌相關說411明書內容後，理應可瞭解系爭專利請求項8所界定之「TiOx2」、「TiNxOy」、請求項14所界定之「SiOx」，及請求項316所界定之「TiOx」的含意。因此，被告之主張不可採。
41至3、8至16、30未違反專利5法第26條第2項之規定。
6４、被證8、被證8及9之組合、被證8及10之組合、被證12
7、或被證12及被證9之組合不足以證明系爭專利請求項1至
83、8至16、30不具進步性：98與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
10系爭專利請求項1：
118揭示一種高反射的層系統，被證8說明書第812頁第11至13行揭示關於塗覆的基底(S0)的材料，並且層系13統特別有利地被應用到金屬基底(S0)，該金屬基底(S0)應獲14得高反射表面，其可對應於系爭專利請求項1所界定之金屬15基板(1)的技術特徵。
168說明書第2頁第4至8行及系爭專利請求項12至1417揭示在基底(S0)與第一功能反射層(S3)之間形成增附劑層(S182)，該增附劑層(S2)的材料可為鉻、鉬、鈦，其可對應於系19爭專利請求項1所界定之層(4)的技術特徵。
208說明書第1頁摘要及系爭專利請求項1至3揭示在基21底(S0)上形成可以為反射或部分反射的第一功能反射層(S3)22，其材料可為銅、鋁、鈦、鉬等的金屬或金屬合金。此外，23被證8說明書第1頁第19至20行及請求項4及5揭示在第24一功能反射層(S3)上設置有第二功能反射層(S5)，該第二功25能反射層(S5)可為銀或銀合金。然而，系爭專利請求項1所26界定之形成在層(5a)上的結構係為由高純度金屬構成的光密27反射層(6)。在此，被證8說明書第3頁第1至3行記載「第421一功能反射層(S3)和第二功能反射層(S5)一同被構成為光密2性的。顯見第二功能反射層(S5)仍未達到光密效果，須加上3第一功能反射層，才能真正達光密效果。反觀系爭專利所界4定的由高純度金屬構成的光密反射層(6)即是作為能夠具有光5密特性的一層反射層。據此，系爭專利請求項1所界定之由6高純度金屬構成的光密反射層(6)與被證8所揭示的第二功能7反射層(S5)的技術特徵有所不同。
88說明書第2頁第17至21行及請求項19至21揭示增9附劑層(S6)被設置在第二功能反射層(S5)與第一透明介電層(10S7)之間，該增附劑層(S6)的材料可以為金屬或氧化鈦等物11質。然而，系爭專利請求項1所界定之形成在由高純度金屬12構成的光密反射層(6)上的層(7)，該層(7)的材料係為選自鈦13等物質的亞化學計量的氧化物，其與被證8所揭示的增附劑14層(S6)的技術特徵有所不同。
158說明書第1頁摘要及系爭專利請求項1、6、7揭示在16第二功能反射層(S5)上跟著的是第一透明介電層(S7)，該第17一透明介電層(S7)例如可以由氧化矽組成。在第一透明介電18層(S7)上設置有第二透明介電層(S8)，該第二透明介電層(S8)19例如可以由氧化鈦組成。據此，被證8所揭示的第一透明介20電層(S7)及第二透明介電層(S8)係可分別對應於系爭專利請21求項1所界定之LI層(9)及HI層(10)的技術特徵。
228與系爭專利請求項1最主要的差異在於23，系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射24層(6)以及層(7)與被證8所揭示的第二功能反射層(S5)以及增25附劑層(S6)的技術特徵有所不同。此外，系爭專利請求項126所界定之層系統係可解決應用於LED、太陽反射器、或雷射27鏡時於高溫操作下所面臨之穩定性問題，而被證8亦未教示431其效果。據此，被證8尚不足以證明系爭專利請求項1不具2進步性。
3系爭專利請求項2至3、8至16、30：
4經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附5於請求項1的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項1的6獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項17之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8已不足以證明系8爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、89至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內10容，則被證8仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16
11、30不具進步性。128不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、1330不具進步性。
148及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之15比對：
161：179說明書第0001段及第0016段揭示一種在可見18光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系統，而該層系19統係可沉積在玻璃基板或塑膠基板。被證9說明書第0029段20揭示在基板上沉積一介電氧化層2，以用作助黏劑及擴散障壁21層，其適合材料可為TiOx、ZrOx等採用亞化學計量製化學劑22量建構方案。此外，被證9說明書第0013段及第0030段揭23示在黏附促進和擴散阻擋層上沉積Ag等的反射層，且該反射24層具有光學密封的特徵。再者，被證9說明書第0031段揭示25在金屬層上施覆另一介電氧化層4，以用做擴散障壁及保護26層，該層材料可使用等同於助黏劑及擴散障壁層2的材料。27又，被證9說明書第0015段及第0034段揭示該層系統沉積441SiO2或MgF2的低折射率層和TiO2或Nb2O5的高折射率層。
29說明書第0016段及第0024段，其層系統3所使用的基板主要為玻璃基板或塑膠基板，並且其沉積介電氧4化層2(用作助黏劑及擴散障壁層)的目的也是在於增加玻璃或5塑膠基板與反射層之間的黏著度問題。反觀被證8所揭示的層6系統，其基板的材質則是為金屬。而被證9並未教示其層系統7可以使用金屬基板。另外，被證9所揭示的反射層係為經由單8一反射層而形成光學密封，但被證8所揭示的層系統係為利用9兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所屬技術領域中具10有通常知識者當參酌被證9時，尚無動機將其與被證8組合而11完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此，被證8及9之組合12尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
13系爭專利請求項2至3、8至16、30：
14被證8及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性15，則被證8及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、168至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（0）000000及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、198至16、30不具進步性。
208及10之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之21比對：
22系爭專利請求項1：
2310說明書第5頁末段至第6頁第1行揭示其係提24供一個具有改良之金屬對塑料黏附性的塑料負載金屬材料，其25通常為一個二維的平面的塑料載體。此外，被證10請求項126揭示在載體表面上具有3至200A(埃)的厚度的黏附提升第一27層，其含有選自鋯、鈦、鉬、鉻等金屬或是低於計量關係的氧451化物式呈現。再者，被證10說明書第11頁第20至22行揭示2可以使用銀作為具有光學反射性的一層結構。
310說明書第3頁第2至5行揭示其有關塑料4負載金屬型表面的改良，其特徵為在金屬成份物和塑料薄膜間5有顯著增強的黏附力。反觀被證8所揭示的層系統，其基板的6材質則是為金屬，其與被證10所欲解決的問題不同，且被證170並未教示其層系統可以使用金屬基板。另外，被證10所揭8示的反射層係為經由單一層的光反射層，但被證8所揭示的層9系統係為利用兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所屬10技術領域中具有通常知識者當參酌被證10時，尚無動機將其11與被證8組合而完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此，被12證8及10之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性13。
142至3、8至16、30：
15被證8及10之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步16性，則被證8及10之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3
17、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（0）000000及10之組合不足以證明系爭專利請求項1至3
20、8至16、30不具進步性。2112與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
22系爭專利請求項1：
2312說明書第0032段揭示一種反射層系統，其包含24基板S，且可將所有常見材料，如玻璃、塑膠或金屬，以及撓25性材料用作基板S，其係可對應於系爭專利請求項1所界定之26金屬基板(1)的技術特徵。
2712說明書第0034段、第0042段及請求項8揭示基板S461的表面在實例中藉由沉積黏附促進及擴散阻擋層HS形成經預2處理的表面，並可使用TiOx或ZrOx(其中x≦2)等材料，其係3可對應於系爭專利請求項1所界定之層(4)的技術特徵。
412說明書第0038段、請求項4及8教示了可在黏附促進5及擴散阻擋層HS上形成一第一反射金屬層(R1)，而該第一反6射金屬層的材料可為銅。此外，被證12說明書第0038段揭示7反射層系統可以使用一第二反射層，其材料可為銀。然而，對8應於系爭專利請求項1所界定之形成在層(5a)上的結構係為由9高純度金屬構成的光密反射層(6)，系爭專利請求項1所界定的10層系統係為使用一層光密的反射層，而被證12則是使用兩層的11反射層，被證12所揭示的第二反射層並非屬於一種光密反射層12。因此，被證12所揭示的第二反射層與系爭專利請求項1所界13定之由高純度金屬構成的光密反射層(6)有所不同。
1412說明書第0038段揭示在反射層上可形成一擴散障壁層15BS，由鋁摻雜氧化鋅(ZAO)構成。然而，對應系爭專利請求項161所界定之層(7)，其在層(7)的成分並非如被證12所揭示的ZA17O的材料。因此，被證12所揭示的擴散障壁層BS與系爭專利18請求項1所界定之層(7)的技術特徵有所不同。
1912說明書第0038段及請求項10揭示該反射層系統可形20成由氧化矽(SiO2)構成的低折射率介電層，以及由TiO2所構成21的高折射率介電層，其依序可對應於系爭專利請求項1所界定22之LI層(9)及HI層(10)的技術特徵。
2312與系爭專利請求項1最主要的差異在於24，對應系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反25射層(6)及層(7)，與被證12所揭示的技術內容不同。此外，系26爭專利請求項1所界定之層系統係可解決應用於LED、太陽反27射器、或雷射鏡時於高溫操作下所面臨之穩定性問題，而被證47112亦未有教示其效果。據此，被證12尚不足以證明系爭專利2請求項1不具進步性。
3系爭專利請求項2至3、8至16、30：
4被證12已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，則被證512仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進6步性《論述理由7。
812不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、309不具進步性。
1012及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之11比對：
12系爭專利請求項1：
13經查，有關系爭專利請求項1與被證12的差異主要在於，對14應系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射層15(6)及層(7)，與被證12所揭示的技術內容不同。在此，被證916揭示了一種可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系17統，雖然被證9說明書第0031段揭示在金屬層(即使用如Ag18等材料的功能性反射層3上施覆另一介電氧化層4，以用做擴19散障壁及保護層，該層材料可使用等同於助黏劑及擴散障壁層202的材料，即TiOx、ZrOx等採用亞化學計量製化學劑量建構21方案，其可相當於系爭專利請求項1之層(7)。且被證9說明書22第0013段及第0030段揭示使用Ag等的一層具有光學密封的23反射層。然而，被證9僅揭示該一層反射層是形成在黏附促進24和擴散阻擋層上，而非形成於如系爭專利請求項1所界定之層25(5a)上，亦即被證9並未揭示系爭專利請求項1之層(5a)的技26術特徵。此外，被證12說明書第0011段、第0022段與請求27項1及3雖然亦揭示該反射層系統可以僅使用一層的反射層，481惟被證12仍然未教示當僅使用一層的反射層時，其亦須使用2如系爭專利請求項1所界定之層(5a)的技術特徵，被證12說3明書第0038段雖然揭示一層由Cu構成的第一反射層，惟該4情況係指該反射層系統是在具有兩層反射層的情況下，而非單5一反射層的情況。據此，被證12及9的組合仍未教示系爭專6利請求項1的技術特徵，被證12及9之組合尚不足以證明系7爭專利請求項1不具進步性。
8系爭專利請求項2至3、8至16、30：
9被證12及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步10性，則被證12及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3
11、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、（0）000000及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、148至16、30不具進步性。
15５、被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及9及系爭16專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭專利自承先前17技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之組合、或被18證12及9及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專19利請求項2至3、8至16、30不具進步性：
202及3：
212及3為請求項1之附屬項，於解釋22上應包括請求項1的所有技術特徵，而請求項2及3並進一步23界定基板(1)的材料與構成，先予敘明。
248及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項2及253之比對：
261的技術特徵，如上所述，請求項1與被27證8的主要差異在於系爭專利請求項1所界定之由高純度金491屬構成的光密反射層(6)以及層(7)與被證8所揭示的第二功能2反射層(S5)以及增附劑層(S6)的技術特徵有所不同。被證83尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
45利說明書第0002段及第0003段所載有關基板的材料，即對鋁6實施陽極氧化，並在其兩側形成有氧化鋁層的技術特徵，該7等技術特徵係為與系爭專利請求項2及3所進一步界定的技8術特徵有關，其與由高純度金屬構成的光密反射層(6)以及層(97)的技術特徵無關。是以，被證8與系爭專利自承先前技術10之組合仍不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
118及9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求12項2及3之比對：
13系爭專利請求項1的技術特徵，如上所述，被證8所揭14示的層系統，其基板的材質則是為金屬。而被證9並未教示15其層系統可以使用金屬基板。另外，被證9所揭示的反射層16係為經由單一反射層而形成光學密封，但被證8所揭示的層17系統係為利用兩層的複合反射層以形成光學密封。據此，所18屬技術領域中具有通常知識者當參酌被證9時，尚無動機將19其與被證8組合而完成系爭專利請求項1的技術特徵。因此20，被證8及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進21步性。
228及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步23性，則該系爭專利自承之先前技術與被證8及9之組合亦仍24不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
258及10及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求26項2及3之比對：
27系爭專利請求項1的技術特徵，被證10的特徵為在金屬501成份物和塑料薄膜間有顯著增強的黏附力。而被證8所揭示2的層系統，其基板的材質則是為金屬，其與被證10所欲解決3的問題不同。另外，被證10所揭示的反射層係為經由單一層4的光反射層，但被證8所揭示的層系統係為利用兩層的複合5反射層以形成光學密封。據此，所屬技術領域中具有通常知6識者當參酌被證10時，尚無動機將其與被證8組合而完成系7爭專利請求項1的技術特徵。因此，被證8及10之組合尚不8足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
98及10之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步10性，則該系爭專利自承之先前技術與被證8及10之組合亦仍11不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
1212及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求13項2及3之比對：
14系爭專利請求項1的技術特徵，被證12與系爭專利請15求項1主要的差異在於，對應系爭專利請求項1所界定之16由高純度金屬構成的光密反射層(6)及層(7)，與被證12所揭17示的技術內容不同。因此，被證12尚不足以證明系爭專利18請求項1不具進步性。
1920項2及3所進一步界定的技術特徵有關，已如前述，惟其與21由高純度金屬構成的光密反射層(6)以及層(7)的技術特徵無關22。是以，被證12與系爭專利自承先前技術之組合仍不足以23證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
2412及9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利25請求項2及3之比對：
26系爭專利請求項1之技術特徵，如上所述，被證9揭示27使用Ag等的一層反射層，且該反射層具有光學密封的特511徵，然而，被證9並未揭示系爭專利請求項1之層(5a)的技2術特徵。此外，被證12係揭示使用兩層反射層，而被證123雖亦揭示該反射層系統可以僅使用一層的反射層，惟被證124仍然未教示當僅使用一層的反射層時，其亦須使用如系爭專5利請求項1所界定之層(5a)的技術特徵。據此，被證12及96之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
712及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進8步性，則該系爭專利自承之先前技術與被證12及9之組合9亦仍不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
108至16、30：
118至16為直接或間接依附於請求項122或3的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項2或3的13獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項214或3之所有技術特徵。另外，被告亦提出系爭專利說明書第150005段及第0013段有關反射層的技術特徵，而欲說明系爭16專利請求項10及11不具進步性，先予敘明。
178及系爭專利自承先前技術之組合、被證188及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭19專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技20術之組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合21已不足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性，而系爭專22利請求項8至16既依附於請求項2或3、請求項30引用記23載請求項2或3之內容，且系爭專利說明書第0005段及第024013段僅在於說明單一反射層的技術特徵，則該等之組合仍25不足以證明系爭專利請求項8至16、30不具進步性。
268及系爭專利自承先前技術之組合、被證827及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭521專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技2術之組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合3不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性4。
5６、被證40及41之組合，或是被證40、41及9之組合不足以6證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性；但7被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、88至16及30不具進步性：
940，其係屬於系爭專利相應歐洲專利案的異議理由10(被證40-1及40-2)及證據(被證40-3至被證40-5)，由於各11國專利審查制度及基準未盡相同，原則上不宜直接採用他國12對應案之申請歷史檔案(即被證40-1及40-2)。然而，被告1314關係，並另於本案中附上該等證據，即被證40-3至被證40-155，而該等證據係為原告有關Vega98110產品的相關資料。
16被告亦提出被證41(其為102年有關Vega產品的目錄)，被17證40-3至被證40-5係可用於佐證被證41所指之Vega0000000產品的層系統結構。因此，本案尚可依據被證40-3至被證4190-5與被告於本案陳述之理由予以比對。
2040及41之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、821至16及30不具進步性：
22系爭專利請求項1：
2340之相關文件為被證40-1至40-5，均詳如【貳
24、五、（四）６、證據40】段所載。2540之文件主要是要比較Vega98110與系爭專26利之層堆疊結構(詳參被證40-2第22至24頁)，被告引用被27證40-1之D29的證據(即被證40-3)，其中D29a為樣本Veg531a98110(樣品2010)原樣的2張相片影本(即被證40-4)，而D229b則為Fraunhorf研究所分析報告(即被證40-5)。據此，雖3然被告所提之被證40-2(即被證40-1的中譯文)第23頁末行4第24頁第7行記載Vega98110的層堆疊結構由上而下依序5為TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu/TiOx/Al2O3(Eloxal)/鋁載體，惟參6照被證40-5(即有關Vega98110的分析報告)，該分析報告指7出Vega98110的層堆疊結構應為TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiO2/8Al2O3(Eloxal)。按此，應參照被證40-5之分析報告所記載9的層堆疊結構與系爭專利請求項1予以比對。另外，參照被10證41第3頁的Vega98110產品的規格，其係記載具有99.9911%的銀以及反射率≧98。
1240及被證41之組合與系爭專利請求項1主要的13差異在於：(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞14化學計量的氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之15間的TiO2係為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被證41雖16然揭示具有一層99.99%的Ag層，惟尚無法說明該層係為系17爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」18。
19其係指20該反射層具有光密性質。在此，被證40及41均尚無法證明21該等組合具有光密反射層，且系爭專利請求項1所界定之層(224)的材料與被證40所測定出的結果亦有所不同。再者，被23證40及被證41亦未教示經由系爭專利請求項1所界定的特24定組合的層系統所能達到的效果，即被證40及被證41並未25教示可以達到具有溫度穩定性佳及耐腐蝕性等效果。據此，26被證40及41之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進27步性。
541系爭專利請求項2至3、8至16、30：
2被證40及41之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進3步性，則被證40及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項42至3、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、五、568及被證79均已記載使用單層金屬反射層的技術，因此，高純度銀形8成光密反射層係屬通常知識(6至8頁)，9惟被告所持理由並不可採，說明如下：
108的部分11有關被證8說明書第8頁所述「第一功能反射層(S3)允許降12低第二功能反射層(S5)的厚度，而不產生該層系統的反射率13顯著喪失。…所以，如截至目前通常通過磁控濺射鍍覆第二14功能反射層(S5)不再必要」，而系爭專利說明書第4頁所述15「若無第一功能反射層，只能藉由濺鍍法方能濺鍍光密反射16層」，經查該等段落的意思雖指在層系統中可以具有一層單17層的金屬反射層，但該等內容均未教示當僅具有一層的「光18密反射層」時，同時仍然應存在具有如系爭專利請求項1所19界定的層(4)的結構。該等內容反而教示了銅與銀不能同時存20在於層系統中。據此，被告所稱之理由不可採。
219的部分22有關系爭專利說明書第10頁所自承先前技術即被證9說明23書第0013段、第0022段、第0035段揭示可以使用Ag作為24光密反射層，然而，如前所述，被證9雖然揭示在該層系統25尚可以形成一層具有光學密封特徵的Ag反射層，惟被證926並未教示除了具有光密性質之反射層外，仍須具有如系爭專27利請求項1所界定之層(4)的結構。再者，若申請專利之發明551對照相關先前技術具有無法預期之功效，則於判斷是否具有2肯定進步性之因素時，得視為有利之情事。因此，即使申請3時之通常知識或先前技術會促使該發明所屬技術領域中具有4通常知識者完成申請專利之發明，只要該發明具有無法預期5之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有6利之情事。而經由系爭專利請求項1所界定之特殊層結構的7組合係可達到具有溫度穩定性及耐腐蝕性等的功效，而被證840及41與參考系爭專利自承之前技術被證9均仍未教示該9等功效。是以，被告所稱之理由不可採。
1040及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項111至3、8至16、30不具進步性。
1240、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、138至16及30不具進步性：
14系爭專利請求項1：
1540及41之組合與系爭專利請求項1之差異在於：
16(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞化學計量的17氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2係18為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被證41雖然揭示具19有一層99.99%的Ag層，惟尚無法說明該層係為系爭專利請20求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」。
217的技術內容說明如下：
22ａ.經查被證7第208頁左欄末段至右欄末段及圖7揭示以23大約110nm厚度之銀為光密反射層作為基準，並以銅取24代銀而形成銀/銅雙層的技術內容。銅與銀之間有極佳的25附著力以及銀層有良好的化學穩定性，且為了使銀/銅層26與陽極氧化基板表面有有良好的附著力，因此在陽極氧27化基板表面形成一層鈦界面層(此亦可由被證7第208頁561表2得知)。最後可以成功的在陽極氧化基板上形成鈦、2銅及銀的組合。此外，還可在該堆疊結構中形成有氧化3鈦及氧化矽。而被證7說明書第208頁左欄第2段揭示4該陽極氧化基板係為陽極氧化鋁。再者，被證7第2095頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構中的每一層均可具有6良好的附著力，甚至銀層可具有良好的耐腐蝕性的效果7。
8ｂ.由上述可知，被證7已經教示了銀與銅之間具有良好的9附著力，且由被證7圖7亦可得知該實驗可分為4個點10，分別為Ag的取代率為0%、15%、30%及45%，亦即11Ag的厚度分別為110nm、93.5nm、77nm以及60.5nm進12行測試。被證7教示了可以執行之Ag層的厚度。是以，13所屬技術領域中具有通常知識者係可以輕易完成在具有14銀/銅雙層結構的基礎上，為增加反射率，係可增加銀的15使用量，例如具有厚度為93.5nm的Ag層並且可於其一16側形成一銅層，同時，銀層與銅層之間具有良好的附著17力之技術。
1840與被證41的組合係揭示了一種TiO2/SiO2/Cr19Ox/99.99%之Ag/Cu/TiO2/Al2O3(Eloxal)的層系統結構，而被20證41第2頁的「Keycharacteristic」又揭示了該層系統的組21合具有極佳黏著力，而被證7又教示了可以輕易完成具有9
223.5nm的銀層並於一側形成具有良好附著力的銅層。是以，23所屬技術領域中具有通常知識者係可將被證40、被證41與24被證7組合而形成一TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag/Cu/TiO2/A25l2O3(Eloxal)的層系統結構，且該Ag層的厚度係為93.5nm26。在此，參酌系爭專利說明書第14頁第2段，其反射層係27可以具有99.9%之高純度金屬以及具有一定厚度的一層，而571可使得其具有光密的效果。據此，99.99%之Ag層且厚度為
293.5nm的技術特徵係可對應於系爭專利請求項1所界定之3「高純度金屬構成的光密反射層」。在此，參酌系爭專利說4明書第0032段(第14頁第2段)，有關系爭專利之發明所界5定的光密反射層係指具有高純度金屬以及一定厚度及特定材6料所組成，而被證40、41及被證7所教示的內容係已相當7於系爭專利請求項1所界定的範圍。
841與被證40的組合與系爭專利請求項1仍有差異9，即系爭專利請求項1所界定的層(4)材料鈦的亞化學計量的10氧化物，惟該差異仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕11易完成者，說明如下：
12ａ.被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2係為化學13計量的氧化物，二者雖有所不同。然而，如上所述，被14證7教示了在陽極氧化鋁基板上可形成一鈦層，再形成15銅層及銀層，該等結構的組合具有良好的附著力。據此16，所屬技術領域中具有通常知識者再參照被證40、41及17被證7後，仍有動機將被證40-5所揭示之在Cu與Al2O318之間的TiO2置換成鈦層。亦即經由被證40、41及被證719之組合，所屬技術領域中具有通常知識者係可輕易完成20一種TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag(93.5nm)/Cu/Ti/Al2O3(21Eloxal)的層系統結構，而該層系統係可對應系爭專利請22求項1所界定之HI層(10)/LI層(9)/層(7)/高純度金屬構23成的光密反射層(6)/層(5a)/層(4)/金屬基板(1)的層系統。
24b.此外，被證41第2頁「TheBernburgPVDline」揭示該25層系統係使用PVD的製程處理，而被證7同樣也是利用26PVD製程以完成該層系統，且被證7第209頁圖10教示27在陽極氧化鋁板上形成Ti時是利用濺鍍的方式進行。在581此，對應被證40-5及被證41，其係在陽極氧化鋁板上形2成TiO2，所屬技術領域中具有通常知識者在參照該等證3據時，係可利用反應性濺鍍透過添加氧來鍍覆進而輕易4達到完成TiOx(即亞化學計量之氧化鈦)的技術。據此，5經由被證40、41被證7之組合而完成TiO2/SiO2/CrOx/99.699%之Ag(93.5nm)/Cu/TiOx/Al2O3(Eloxal)的層系統結構7，而該層系統結構亦可對應系爭專利請求項1所界定之8層系統。
940、被證41及被證7之組合可達成系爭專利請求項110所產生的功效，說明如下：
11ａ.首先，有關系爭專利請求項1所達成的功效，經參酌系12爭專利說明書第1頁末行至第2頁第2行，其係為達到13具有溫度穩定性及耐腐蝕性的功效，且該層系統的各層14採用的設計方案係為使其良好地彼此附著或附著在基板15上，以及使表面反射器具有良好的耐磨性及耐腐蝕性。
16此外，系爭專利說明書第11頁第0027段亦記載該層系17統需要有溫度穩定性是因為要避免受溫度引發之衰減機18制等問題。
19ｂ.經查，被證41第2頁「Productstructure」揭示該層系20統可以最小化磨損傷害，而被證41第2頁「Applications21」揭示該層系統可以應用在LED反射器，且同頁「22Productstructure」末行揭示該等層系統結構增加了反射23率以及增加防止損壞與衰減的保護，其亦已教示了可適24用在高溫的環境中所引發的衰減機制。再者，被證7第25209頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構中的每一層均可26具有良好的附著力，甚至該等的銀層可具有良好的耐腐27蝕性。又，被證7第208頁左欄表2亦揭示當在陽極氧591化鋁基板上形成有鈦層、銅層及銀層時，其會具有良好2的化學穩定性。據此，所屬技術領域中具有通常知識者3當結合被證40、41及被證7時，自可預期在該等結構4中可以達到溫度穩定性及耐腐蝕性的功效。
5Veg6a98110產品之動機，亦無將Vega98110產品之Ag層修改為7光密反射層的動機，故仍無法輕易獲致系爭專利之層系統(8參原告於108年2月143至5頁9第參、一、(一)至(四)點及第6至8頁第二、(一)至(二)點)10，惟原告所稱之理由不可採，說明如下：
11ａ.經查，被證41第2頁的「Productstructure」及第5頁(12即倒數第2頁)的最下圖「Coatingsystemvega98(R)」13已記載該產品的概念在於要在陽極氧化鋁基板上形成99
14.99%的銀層，而該兩層之間需要有黏接層(Bondinglayer15)。據此，所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證4116的內容時，可以理解在反射層的系統中，可以使用99.9917%的銀作為反射層，而在該反射層與陽極氧化鋁基板之間18需要有黏接層。此外，被證7第205頁的圖1及第20619頁圖5揭示在該等的層系統中具有一「Basicreflection20layer」，而反射層的材料可以嘗試著使用銀，以取代鋁21材料，但由於銀與陽極氧化鋁基板之間並無黏著性(參被22證7第208頁「Adhsionandchemicalstabilityofthebasic23reflectionstack」第1段)。因此，被證7第208行左欄24末二行及右欄第1段第1至2行、圖7揭示了該層系統25可以同時使用銀/銅的堆疊結構，而銅與銀之間具有極佳26的黏著性，且被證7第209頁左欄第1段揭示該等的堆27疊結構可以具有良好的黏著性，亦即其已教示了若要將601銀反射層形成於陽極氧化鋁板的層系統上，使用含有銅2的堆疊結構是有其需要的，而非如原告所稱「倘若通常3知識者果真將非光密銀層修飾微光密反射層(原告仍否認4之)，其勢必會認為Vega98110產品之銅層因無法實現其5反射功能而無存在之必要」(5頁第(4)6點)。而如系爭專利說明書第0032段，即第13頁末段亦7記載層5a(即使用銅)是用來增強反射層的附著度。
8ｂ.另外，原告認為所屬技術領域中具有通常知識者不會有9動機修改Vega98110產品的理由在於，該產品以滿足客10戶之相關需求，而使用較厚的銀會導致生產成本增加，11因此技藝人士或生產工廠根本不會想增加銀之厚度，惟12Vega98110是否滿足客戶需求或是使用較厚的銀是否會增13加成本的問題，均非為考量系爭專利是否具有進步性的14因素。一發明是否具有進步性，係指該發明是不是可以15為所屬技術領域中具有通常知識者以申請時之相關先前16技術為基礎，利用申請時之通常知識，即能預期得到該17發明者，若能預期得到該發明者，則該發明之整體對於18該發明所屬技術領域中具有通常知識者係顯而易知者，19即能被輕易完成。是以，原告所稱之理由不可採。
201所請反射層系統在「高操作溫度」21下之溫度穩定性及腐蝕穩定性之功效並非Vega98110產品及22被證41之公開所得以預期(參原告於108年2月14日所提之235至6頁第(五)點)，惟經查系爭專利請求24項1並未界定其層系統是應用在「LED之MC-COB」上，且25參照系爭專利說明書第0001段所揭示的內容，系爭專利所26請之層系統係應用在作為溫度及腐蝕穩定之表面反射器，其27並未記載原告所稱反射層系統要在「高操作溫度下」之溫度611穩定性及腐蝕穩定性的效果。顯然系爭專利請求項1所請之2層系統的功效並非單只是應用在「LED之MC-COB」等之「3高操作溫度」下進行。系爭專利所請之發明其功效是包含了4只要是達到可以使得應用在表面反射器時，具有溫度及腐蝕5穩定的功效，即為系爭專利請求項1所欲達到的功效。因此6，如前述所示，被證40、41及被證7的組合均已教示了系7爭專利請求項1所欲達到的功效，故原告所稱並無理由。
864之EPO的初步意見肯認系爭專利請求項1之9層系統相較於Vega98110產品具備可專利性(參原告於10810年3月415頁的表格)，惟由於各11國的法令不盡相同，蓋不能以其他國家的審查意見而認定其12在本國亦應一併適用，且經查該EPO的初步意見是認為相13較於Vega98110產品，系爭專利請求項1之層系統具備新穎14性，其與本案被告所主張的理由不同，本案是有關系爭專利15是否具有進步性，而非是否具有新穎性。是以，本案系爭專16利是否有效仍應以當事人之主張以及是否符合我國專利法之17規定予以判斷，併此說明。
1840、41及被證719予以組合，並且可預期該等組合所形成之層系統係可以達到20溫度穩定性及耐腐蝕性的。是以，被證40、被證41及被證217之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
22系爭專利請求項2及3：
23系爭專利請求項2及3係為系爭專利請求項1之附屬項，於24解釋上應包含系爭專利請求項1的所有技術特徵，而請求項252及3則分別進一步界定基板(1)的材料與構成。經查，有關26請求項2及3依附請求項1的部分，如上所述，已為被證40
27、41及被證7之組合所教示，而被證40-5揭示了該層系統621具有Al2O3(Eloxal)，被證41第2頁「productstructure」亦揭2示了使用陽極氧化鋁基材的技術特徵，而被證7說明書第2038頁第2段同樣揭示了陽極氧化鋁的技術特徵，其均可對應4於系爭專利請求項2及3所進一步界定的技術特徵。因此，5被證40、被證41及被證7之組合仍足以證明系爭專利請求6項2及3不具進步性。
7系爭專利請求項8：
8系爭專利請求項8係為系爭專利請求項1至6中任一項之附9屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所10有技術，而請求項8進一步界定層(4)的材料為TiOx及TiNx11Oy。在此，有關請求項4至6係非屬原告所主張系爭專利受12侵害之權利範圍，故有關請求項4至6的部分則不予論述。13有關請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證1441及被證7之組合所教示。此外，有關TiOx的技術特徵已15如前述，為被證40、被證41及被證7之組合所教示。因此16，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求17項8不具進步性。
18系爭專利請求項9：
19系爭專利請求項9係為系爭專利請求項1至6中任一項之附20屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所21有技術，而請求項9進一步界定層(5a)的材料為選自非鐵磁22鎳合金，特別是NiV、優質鋼及銅。在此，有關請求項4至236係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請24求項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，25則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示26。此外，被證40-5及被證7均已揭示該層系統係使用Cu。
27因此，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利631請求項9不具進步性。
2系爭專利請求項10及11：
3系爭專利請求項10係為系爭專利請求項1至6中任一項之4附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的5所有技術，而請求項11則為請求項10之附屬項。請求項106及11分別進一步界定反射層(6)的材料為選自純度至少為99.79%之銀等金屬。在此，有關請求項4至6係非屬原告所主8張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求項4至6的部分9則不予論述。有關請求項1至3的部分，則如上所述，已為10被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證41已11揭示該層系統係使用99.99%的銀。因此，被證40、被證4112及被證7之組合足以證明系爭專利請求項10及11不具進步13性。
14系爭專利請求項12：
15系爭專利請求項12係為系爭專利請求項1至6中任一項之16附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的17所有技術，而請求項12進一步界定層(7)的材料為由亞化學18計量之氧化鉻或氧化鈦構成。在此，有關請求項4至6係非19屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求項420至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，則如上21所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外22，被證40-5已揭示該層系統係使用CrOx。因此，被證40、23被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項12不具進24步性。
25系爭專利請求項13及14：
26系爭專利請求項13係為系爭專利請求項1至6中任一項之27附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的641所有技術，而請求項14則為請求項13之附屬項。請求項132及14分別進一步界定LI層(9)的折射率n為1.3至1.8，且3材料可為SiOx等的金屬氧化物等。在此，有關請求項4至64係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關請求5項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分，則6如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。7此外，被證40-5已揭示該層系統係使用SiO2，而被證40-58雖未揭示SiO2的折射率，惟SiO2的折射率會落於n為1.3至
91.8係屬其固有性質。因此，被證40、被證41及被證7之組10合足以證明系爭專利請求項13及14不具進步性。
11系爭專利請求項15及16：
12系爭專利請求項15係為系爭專利請求項1至6中任一項之13附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的14所有技術，而請求項16則為請求項15之附屬項。請求項1515及16分別進一步界定HI層(10)的折射率n為1.8至3.2，16且材料可為TiOx等的金屬氧化物等。在此，有關請求項417至6係非屬原告所主張系爭專利受侵害之權利範圍，故有關18請求項4至6的部分則不予論述。有關請求項1至3的部分19，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教20示。此外，被證40-5已揭示該層系統係使用TiO2，而被證4210-5雖未揭示TiO2的折射率，惟TiO2的折射率會落於n為1.228至3.2係屬其固有性質。因此，被證40、被證41及被證723之組合足以證明系爭專利請求項15及16不具進步性。
24系爭專利請求項30：
25系爭專利請求項30引用記載請求項1至29中任一項之獨立26項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至29中任一項的所27有技術，而請求項30界定該層系統可應用表面反射器等用651途。在此，有關請求項4至7、17至29係非屬原告所主張2系爭專利受侵害之權利範圍，故有關該等請求項的部分則不3予論述。有關請求項1至3、8至16的部分，則如上所述，4已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證541已揭示該層系統可應用於LED反射器，其係可對應於系爭6專利請求項30所界定之表面反射器。因此，被證40、被證741及被證7之組合足以證明系爭專利請求項30不具進步性8。
940、41及7之組合足以證明系爭專利請求項101至3、8至16、30不具進步性。
1140、41及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3
12、8至16及30不具進步性：13系爭專利請求項1：
1440及41之組合係如前述所示，該等組合與系爭專15利請求項1之差異在於：(a)系爭專利請求項1所界定的層(4)16材料鈦的亞化學計量的氧化物，而被證40-5所揭示之在Cu與17Al2O3之間的TiO2係為化學計量的氧化物；(b)被證40-5及被18證41雖然揭示具有一層99.99%的Ag層，惟該層尚無法說明19係為系爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反20射層」。
219的部分，已如前述，被證9雖然揭示在該層系統22尚可以形成一層具有光學密封特徵的Ag反射層，惟被證9並23未教示除了具有光密性質之反射層外，仍須具有如系爭專利24請求項1所界定之層(4)的結構。而被證40、41及9亦未教示25可達到具有溫度穩定性及耐腐蝕性等的功效。因此，被證40
26、41及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性27。
661系爭專利請求項2至3、8至16、30：
2被證40、41及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具3進步性，則被證40、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請4求項2至3、8至16、30不具進步性《論述理由詳如【貳、5
640、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項71至3、8至16、30不具進步性。
840及41之組合，或是被證40、41及9之組9合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步10性；但被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至
113、8至16及30不具進步性。12七、綜上所述，系爭產品於系爭專利優先權日前並未開始製造系13爭產品或已完成必要之準備工作。因此，不適用專利法第5914條第1項第3款之規定。又系爭專利說明書雖未違反專利法15第26條第1項之規定，且系爭專利請求項1至3、8至16、1630未違反專利法第26條第2項之規定，以及被證8、被證817及9之組合、被證8及10之組合、被證12、或被證12及被18證9之組合；被證40及41之組合，或是被證40、41及9之19組合，均不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不20具進步性，且被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證821及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭專22利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之23組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合不足以24證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。然而25，被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、268至16及30不具進步性，而有應撤銷之原因。準此，因系27爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性，而有應撤銷671之原因，揆諸智慧財產案件審理法第16條第2項「前項情形2，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴3訟中不得對於他造主張權利」規定，原告於本件民事訴訟自4不得對被告主張系爭專利之權利。是原告主張系爭產品侵害5系爭專利，依前揭規定提起本件訴訟，訴請判命如聲明所示6，即無理由，應予駁回。又原告之訴既經駁回，其假執行之7聲請即失其依據，應併予駁回。
8八、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法及證據，核與判9決之結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
10九、訴訟費用負擔之依據：智慧財產案件審理法第1條，民事訴11訟法第78條。
12中華民國108年3月26日13智慧財產法院第三庭14法官蕭文學15以上正本係照原本作成。
16如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
17如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
18中華民國108年4月8日19書記官蔣淑君68