1智慧財產法院民事判決2108年度民營訴字第2號3原告富晶電子股份有限公司45法定代理人俞再鈞6訴訟代理人郭雨嵐律師7汪家倩律師8潘皇維律師9輔佐人陳建銘10陳國強11被告紘康科技股份有限公司1213兼法定代理人趙伯寅1415被告許文怡161718黃俊錡19劉瑞謙2021林祥民2223陳宏維242526吳曉龍2711郭姿妤2李彥緒3吳忠任4卓彥宏5李金幸6李水竹7蔡欣洲8上列16人9共同10訴訟代理人李威廷律師11上列當事人間營業秘密排除侵害事件，本院於民國108年12月212日言詞辯論終結，判決如下：
13主文14原告之訴及假執行之聲請均駁回。
15訴訟費用由原告負擔。
16事實及理由17一、原告聲明求為判決：被告等不得取得、使用、或洩漏原告18「自燒錄OTP產品設計」之營業秘密。被告紘康科技股份19有限公司（下稱被告公司）應停止製造、銷售侵害如附表A20所列型號之晶片，其已製造者應予回收銷燬。原告願供擔21保，請准宣告假執行。訴訟費用由被告負擔。並主張略以
22：23自然人被告○○○等為原告離職員工，且為原告業務部、研發24處、產品工程處、品保部、系統工程部、財務部、銷售部、管25理部門之前主管，任職期間均與原告公司推出之產品業務有關26（起訴暨保全證據聲請狀─下稱起訴狀，附表B、民事準備27附表C），皆參與以被告○○○為首之共同離職、竊取原21告營業秘密另起被告公司之計畫與行為，而共同侵害原告營業2秘密。被告等竊取原告關於「自燒錄OTP產品設計（下稱據3爭產品設計）」之營業秘密，即階層架構下所有電路功能模組4之間介面I/O接腳的定義、數量等總和（限閱卷第585頁、原5證25至27），並利用該營業秘密生產相同或高度類似之HY161P52B晶片（下稱H晶片），而附表A所列型號之晶片係被7告公司所販售產品中具有SRAM電路之型號，且起訴狀附表8A所列型號之晶片均應具有相同於H晶片之SRAM電路，侵9害原告上開營業秘密。被告公司違反營業秘密法第10條第110項第1至3款與第2項規定，自然人被告等違反同法第10條11第1項第1至4款與第2項規定。原告依營業秘密法第11條12規定提起本件訴訟，請求如訴之聲明所示。
13原告之據爭產品設計之研發、製程、測試、參數等資訊，包括14原告之SRAM設計資料，均屬非一般涉及該類資訊之人所知
15、因其秘密性而具有實際經濟價值、且所有人已採取合理之保16密措施：
17原告於民國95年12月間完成據爭產品之測試，96年初推18出據爭產品，96年至100年間據爭產品之營業額合計達新19臺幣（下同）1億元以上，是該據爭產品設計顯為原告重要20之核心技術，並為具有高度市場價值之重要資產。
21原告為維護據爭產品設計之營業秘密及研發成果，不僅將據22爭產品設計之研發、製程、測試、參數等資訊自91年開始23納入原告ISO作業程序文件即資訊管理作業程序（原證824）外，更具體採行諸多保護措施，例如：
25就原告內部控管而言，原告程式及資料之存取控制均有規26範（原證8第3頁以下），包括內部連線系統之電腦存取27控制作業，明定個人密碼不得借他人使用、各單位電腦存31取控制均有特定權限、電腦作業系統應自動產生日誌檔L2ogfile記載每日執行情形、系統應設置AuditLog記錄危3害系統安全事件；權限控制、要求填據相關業務的保密條4款等。原告研發人員工作站亦有管制，必須先申請工作站5帳號，始能接觸使用工作站，且限於IC設計業務有關人6員才會被同意申請帳號。103年（含）之前的申請管制流7程，要以EHR電子表單申請帳號（原證9）；103年後8的申請管制流程因採用新系統，改以WebEIP電子表單申9請之（原證10）。研發人員之工作成果及資訊，存於原10告之工作站，依專案及個人建立檔案資料（原證11），11並依前述ISO作業程序責成專屬人員（工作站管理員）加12以控管及稽核（原證8）。而有關「據爭產品設計」之研13發、製程、測試、參數、或其他文件或資訊等，例如SRA14M設計資料、布局圖、布局規劃書等，即屬置於工作站，15僅限研發人員得以憑其帳號、密碼、及專案權限加以接觸16使用之機密資料。
17原告為保護原告之營業秘密，於聘僱人員時，與員工簽訂18「聘僱合約書」時，除於聘僱合約書第7條至第9條約定19機密資訊及保密條款（原證12、原證13）外，就員工任20職期間執行之工作及其產出或工作成果，除於聘僱合約第216條明確約定智慧財產歸屬於原告（原證12、原證13）22，並要求員工詳實記載於工作紀錄簿，且工作紀錄簿為原23告之財產，工作紀錄簿之領取及歸還均有管控及紀錄（原24證14、原證15、附表B）。
25就據爭產品相關技術，原告如有與其他公司往來而有使用26或揭露該等資訊之可能，為確保上開研發、製程、測試、27參數等資訊之安全與機密性，原告亦會與往來公司〔例如41，00000000公司（下稱○○公司）等〕簽訂「保2密合約」（原證16、原證17）。
3被告等已侵害原告之營業秘密，依營業秘密法第11條規定，4被告公司應停止製造、銷售侵害起訴狀附表A所列型號之晶5片，其已製造者應予回收銷毀，且被告等均不得取得、使用、6或洩漏原告「據爭產品設計」之營業秘密：
7被告公司乃原告前總經理即被告○○○率眾主管離職後，旋8即設立之公司，所營事業與原告完全相同。被告公司現為上9櫃公司，原告自被告公司104年6月5日之公開說明書（原10證3）中，察覺被告有極大可能涉嫌盜用原告之營業秘密。11原告將所購得之被告公司IC產品送請專業機構進行還原工12程及比對分析，發現該等產品係利用原告營業秘密而成（原13證6）。徵諸被告公司成立及推出競爭產品的時間等各情，14可知是因被告等挪用原告的資料開發自己的產品，始能在不15合理的短時間內即有產品發表問世：
16因各家公司的研發團隊成員不同，一家IC設計公司所完17成的電路設計，尤其是原始電路設計圖部分，會因其研發18團隊成員的人別、數量、與能力的獨特性而有不同。一顆19IC的設計，依其複雜程度不同，可以由數十、數百、甚20至數千張電路圖完成，而原始電路設計圖的階層式結構如21何分層、如何再細分個別的電路模組等等，都因設計人員22有別，而有其原創的表達與設計。亦即，不同的設計團隊23，如果是各自獨立開發，不會有一樣的電路階層式結構、24或一樣的電路模組細分方式。若不同公司的IC產品有相25同的電路階層式結構、電路模組等，則只有四種可能性，26即自行開發、還原工程、授權或買入、非法偷盜∕集體偷27盜。
51依被告公司公開說明書所言（原證3第48至49頁），已2設計完成的類比晶片產品，單是要更換供應商，就需要93個月至18個月的準備，遑論從頭開始、全新開發的類比I4C產品。然則，被告公司在96年7月9日成立，竟在975年2月就推出自家產品？時程上顯然不合理。依被告公司6上櫃前104年5月26日法人說明會簡報（原證5），該7公司表示產品導入不易，生命週期長，而被告公司的競爭8優勢在於「產品須做二次開發並重新取得認證」；此外，9被告公司簡報提到高精度量測技術需長期投入，該公司稱10其競爭優勢在於「所有高精度量測IP皆自主開發」（原11證5法說會簡報第17頁）。亦即，被告公司的晶片產品12，至少有「自主開發」、跟「二次開發」兩種型態。就「13自主開發」而言，由前述可知，從頭開始開發全新產品，14所需時間顯然遠遠長過9到18個月，因此被告公司97年152月推出之晶片產品顯然不是自主全新開發之產品；被告16公司縱使是將現成產品進行二次開發，在7個月內能夠全17部完成，亦顯然過於迅速，況且被告公司才新成立，何來18「既有產品」可以二次開發。
19原告因懷疑被告公司不合理之產品上市時程等與原告有關20，於發現前述被告公司公開說明書等資訊後，決定蒐集21購買被告公司產品加以求證。原告將所購得的被告公司H22晶片，連同原告自己的IC設計資料，於104年底送交專23業機構進行還原工程（reverseengineering）分析，經專24業公司拆解（decap、delayer）被告公司H晶片並進行25電路分析，與原告SRAMIP檔案、原告FS98031B晶片26（下稱F晶片）電路布局加以分析比對後，於105年1027月3日出具SRAM電路比對報告（原證6）及同年月761日出具布局比對報告予原告（原證7），該兩份報告證2實被告等人的確盜用原告公司之IC設計資料。
3原告晶片之SRAM電路設計（SRAMIP），最初是由原4告員工○○○於89年所完成，後續原告採用相同製程的5晶片產品如F晶片，均沿用修改自此SRAMIP。被告公6司具OTP自我燒錄功能的H晶片，則是遲至99年以後始7推出之產品（原證3第81頁）。然依專業機構105年108月3日出具之SRAM電路比對報告（原證6），被告公9司H晶片的SRAM電路設計不僅所呈現的「階層式架構10」與原告SRAMIP具有非常高度的相似性，且被告公司11H晶片的「SRAMcell模組」、「DataPath模組」、「Ad12dressPath模組」、「WriteandReadControl模組」，竟13均完全對應至原告SRAMIP的模組。此外，被告公司H14晶片之該等模組之功能、連接關係、接腳數、接腳定義等15也與原告公司SRAMIP的模組完全相同（原證6第25至1626頁）。甚且，依專業機構105年10月7日出具之布局17比對報告（原證7），被告公司H晶片之SRAMCell的18「1-bitCell」與「Multi-bitcell」布局，也與原告F晶片19近乎相同（原證7第16頁）。
20原證6電路比對報告，用以比對的原告SRAM電路設計21（SRAMIP）是原告採用○○公司0.35μm製程的晶片的22SRAM電路設計（下稱0000.35μmSRAMIP或原告公23司SRAMIP），是原告員工○○○於89年所完成，相關24多個尺寸（size）的SRAMIP資料皆存於原告研發（RD25）工作站名稱為0000000的資料庫（Library），其中的「00000000000」是128位元組（128bytes）的SRAMIP，有27○○○在89年做的設計模擬報告「工作站00000000.doc71」（原證25）可證。後續原告公司採用0000.35μmSR2AMIP製程的MCU產品，例如型號FS9912、FS9932、FS399O32、F晶片產品皆沿用此SRAMIP。
4原告公司MCU產品型號FS9932的晶片於91年開始量產5，量產的時間點可由原告客戶的hexcode製作的光罩編號6紀錄證之。晶片產品從設計到製造量產的過程中，原告客7戶寫好應用的hexcode對應的布局圖需製作於光罩（MAS8K）上，須由原告公司提供布局圖資料，經光罩公司作光9罩編號後，製作不同的光罩再去生產。原告公司「FS993210光罩編號.pdf」（原證26）檔案為91-92的光罩編號紀錄11，可證明原告公司FS9932晶片於91年開始即量產出貨，12亦可證明其SRAMIP完成時間點至少早於91年。
13原告公司型號FS9932之晶片、F晶片，使用的都是原告14公司0000000.35μmSRAMIP。由原告公司RD工作站中15的資料，FS9932的SRAM電路名稱為「000000000」，是16從0000000資料庫（Library）的「000000000」IP複製而17來，打開000000000的電路圖，與000000000的電路圖完18全相同。而F晶片的SRAM電路名稱同樣為「00000000000」，同樣與「000000000」的電路完全相同（原證27）。
20透過還原工程取得IC的組成元件與連接方式後，雖然仍21無法還原出該IC的研發團隊是如何分層設計的原始電路22設計圖（originalcircuitschematicdesign），不過，透過23還原工程的電路擷取手段，仍可比對該積體電路的電路系24統與一特定階層式結構（hierarchicalarchitecture）的原始25電路設計圖之間的關係。亦即，還原工程雖無法還原出研26發團隊當初原始電路設計圖（originalcircuitschematicdesi27gn）的圖面，但比對還原而得之電路，可推知該電路系統81與原始電路設計圖之間的關係。
2就IC設計而言，如要從頭、全新設計開發某一IC產品的3所有電路，相當困難；但如透過非法的方式取得另一間公4司的電路設計資料再加以利用、或抄襲，或保留電路設計5的主要模組與架構不變，但就不重要的電路細節為細部變6更，則屬容易。原告SRAM電路設計，乃原告重要資產7，依員工與原告間之合約（原證12、原證13），該等SR8AM電路設計資料，其智慧財產權等權利均歸屬於原告。
9而自原告成立以來，原告從未將自己的SRAM電路設計10資料等營業秘密內容授權或讓與被告等。
11原告除發現被告公司H晶片產品係利用原告營業秘密而12成外，被告公司之發起人、代表人、股東、現任諸多重要13成員等，均係由原告離職赴任。除被告○○○為原告前總14經理兼研發處處長外，其餘被告分別為原告業務部、研發15處、產品工程處、品保部、系統工程部、財務部、銷售部
16、管理部門之前主管（被告等在原告之職務及到離職日期17如起訴狀附表B），對原告營業秘密及相關管控措施知之18甚詳。其中，被告○○○更為原告前總經理，在設立被告19公司前，原為原告總經理及董事，曾歷任原告的研發處長20（研發最高主管）、業務處長，於原告成立後不久即長期21擔任研發最高主管，並於95年8月25日起兼任總經理及22研發最高主管，96年1月1日開始專任總經理一職，被23告○○○因其職位對原告IC產品之研發、產銷等重要資24訊知之甚詳，此類資訊，非公司經營者難以知悉，外人難25以窺見。
26被告○○○在96年6月8日離開原告後，僅約1個月的27時間，即於同年7月9日成立被告公司，半年後即對外推91出一系列與原告相同產品快速搶佔市場。依原告內部調查2的結果，雖然諸多物證早已在被告○○○及其同夥分任原3告公司總經理、研發主管、工作站管理員、業務主管、及4財務主管等期間，分別被其以職務之便攜走或銷毀，以各5項事件的前後時間點來看，被告等人顯係在陸續從原告離6職之前，即已著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各樣7安排。
8從被告公司官方網站【新聞中心：＜2008/09/02＞紘康科9技新產品發表會圓滿落幕】之記載可知（原證22），被10告於97年9月2日前即發表HY11P系列晶片及其開發工11具與各項應用技術，甚且於96年12月24日（或之前）12已開始撰寫型號HY11P系列晶片之democode（範例程13式源代碼，原證23第23頁），基此，被告公司確實於公14司成立後「不到半年（96年7月設立至96年12月24日15）」即完成型號HY11P系列晶片之IC樣品取得驗證、可16送樣或是可接單出貨階段。此外，被告公司於公司成立後17「約一年（96年7月設立至97年9月2日）」即在深圳18上海賓館發表HY11P系列晶片，甚至同時推出該系列晶19片完整的開發平台及相關應用等。
20綜上所述，自然人被告○○○等人全為原告離職員工，且21為原告業務部、研發處、產品工程處、品保部、系統工程22部、財務部、銷售部、管理部門之前主管，足證自然人被23告○○○等人各自及全體確實充分接觸並瞭解原告「據爭24產品設計」之營業秘密。被告全體均明知「據爭產品之設25計」，包括SRAM電路、ADC、數位以及類比IP設計等26均屬原告所有且其上載有原告重要之研發、製程、測試、27參數等等營業秘密，卻未經原告同意或授權，擅自竊取並101持以使用於被告公司之IC產品，且該等使用原告營業秘2密之行為仍持續中，被告各自及全體業已該當營業秘密法3第10條第1項第1、2、3款與第2項之規定，侵害原告4之營業秘密。
5鈞院107年度民聲字第46號保全證據事件之107年12月265日執行保全證據攝影光碟內容，顯示被告公司之電腦有公7司成立「前」之資料，以及被告公司明知其有應提出之電路8圖檔、布局圖檔、lvs檔與drc檔等證據資料，卻刻意隱匿9證據。如被告未有違法情事，何須隱匿？參以原證6及原證107之比對結果，足證被告等確有竊取原告營業秘密之情事。11如被告欲為未侵害之抗辯、或主張被告公司產品均為自行開12發，則應提出被告公司開發系爭產品之時程、及設計資料等13證據，以實其說，否則依民事訴訟法第277條、第282條之
141、智慧財產案件審理法第10條之1等規定，認原告之主15張為真。
16原告上述主張均已證明被告等侵害原告之營業秘密，至少已17有釋明之程度。鈞院107年度民聲字第46號民事裁定亦已18肯認原告就被告等侵害原告營業秘密已盡釋明之責。從而，19原告爰依智慧財產案件審理法第10條之1第1項規定，被20告等應為具體答辯並提出相關資料。若被告等逾期未具體答21辯或未提出相關資料，則鈞院應依同條第2項規定認原告已22釋明之內容為真實。經查，被告等既主張其為自行開發，則23其必然有購入開發軟體記錄、設計相關資料（如電路IP設24計者、IP設計和模擬過程資料、報告文件等）、工作記錄25簿等設計開發各階段歷史資料，並應有合理的時間戳記可佐26證，被告應可自行提出相關資料以具體答辯其如何沒有侵害27原告之營業秘密，並應有合理的時間戳記可佐證。
111依營業秘密法第11條規定，被告等應立即停止其侵害行為，2且對於侵害行為作成之物應回收銷燬：
3被告等竊取原告關於「據爭產品設計」之營業秘密，並利用4該營業秘密生產相同或高度類似之H晶片，已如前述，是5原告自得依營業秘密法第11條請求排除及防止其侵害，至6屬明確。從而，原告訴請被告公司應停止製造、銷售侵害H7晶片，其已製造者應予回收銷燬，並訴請被告等不得使用8或洩漏原告所有「據爭產品設計」之營業秘密，以避免原告9之損害持續擴大，於法有據，自應准許。
10起訴狀附表A所列型號之晶片係被告公司所販售產品中具11有SRAM電路之型號。因IC產品設計及產銷之特性，晶片12產品重新設計所需耗費的人力時間及費用過分巨大，一般而13言，SRAM電路設計短時間內不會進行修改。故附表A所14列型號之晶片均應具有相同於H晶片之SRAM電路，侵害15原告之營業秘密，自應亦停止製造、銷售及回收銷燬。
16二、被告等答辯聲明：原告之訴及假執行之聲請均駁回。如17受不利之判決，被告願供擔保請准免為假執行。訴訟費用18由原告負擔。並辯稱略以：
19被告等有無取得、使用或洩漏原告F晶片SRAM電路及布局20資訊；被告公司H晶片電路及布局資訊內是否有使用以不正21當方法取得之資訊：
22被告○○○辯稱其在職原告期間職務為研發工程師，主要工23作內容負責LDO產品及研發修改（此產品也未在被告公司24產品線之列），且被告○○○皆未參與兩造公司間之OTP25或SRAM元件設計、開發或布局工程，否認使用原告關於S26RAM設計資料、布局圖、布局規劃書等之機密資料，亦否27認於任職原告期間或離職時備份、銷燬或攜走原告關於據爭121產品設計之SRAM電路及布局資訊等營業秘密，或利用系2統管理權限將系統中儲存之登入員工資料存取及作業過程（3LOG檔）刪除。被告○○○於被告公司職務由96至106年4為產品工程師，主要負責產品生產測試，完全與設計開發無5關，且其已於106年10月間離職被告公司，就原告之F晶6片及被告公司之H晶片等SRAM電路及布局比對資訊，已7無從對此為辯論。
8被告○○○、○○○、○○○辯稱其等於任職原告期間雖因9從事研發工作有取得及使用原告研發檔案資料之權限，惟因10研發職務分工之關係，並無取得或使用SRAM電路及布局11資訊之必要，且於任職原告期間及離職後均無取得、使用或12洩漏原告F晶片SRAM電路及布局資訊情事。又被告○○13○於96年7月至8月任職被告公司僅1個月期間，即於同14年8月15日赴美求學，對被告公司所研發之產品，完全沒15有參與，亦不知悉。
16被告公司抗辯：被告公司並無取得、使用或洩漏原告F晶片17SRAM電路及布局資訊情事，是被告公司H晶片電路及布18局資訊內並無以不正當方法取得之資訊。
19被告○○○、○○○辯稱其等於任職原告期間因從事研發工20作有取得及使用原告研發檔案資料之權限，若F晶片之SR21AM電路及布局資訊於被告等在職期間已存在於原告研發檔22案資料內，則被告因職務關係或有可能需要取得及或使用該23等資訊。惟被告等離職前，原告並未開發F晶片，該晶片之24SRAM電路及布局資訊於被告在職期間並不存在於原告研發25檔案資料內，被告無從取得、使用或洩漏該SRAM電路及26布局資訊。被告於離職之後亦無取得、使用或洩漏原告F晶27片SRAM電路及布局資訊情事。
131其餘被告抗辯：被告於任職原告期間並無取得及使用原告公2司研發檔案資料之權限，於任職原告期間及離職後均無取得
3、使用或洩漏原告F晶片SRAM電路及布局資訊情事。4原告主張被告等侵害其據爭產品設計之營業秘密，其論據為：5原告於104年在將被告公司H晶片送交專業機構進行還原工6程分析，並與原告SRAMIP檔案及F晶片電路及布局加以分7析比對後，確認被告公司晶片與原告產品之相似度高達令人匪8夷所思之程度。惟查：
9依營業秘密法第2條第1款規定，所稱「營業秘密」，需符10合要件之一為「非一般涉及該類資訊之人所知者」，因此一11般涉及該類資訊之人所習知之資訊，任何人皆可自由使用，12並非營業秘密法保護之標的。如原證5簡報第13頁所示，13RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種，原告既自稱已14就被告公司H晶片進行還原工程分析，則其分析結果所取15得之電路資訊，當不以SRAM電路為限。然原告卻僅提出S16RAM電路之分析比對報告，足證兩造晶片之其他電路有顯17著差異。至於二晶片之SRAM電路有類似之處，係因SRA18M電路相較於其他十數種電路，其內容相對簡單且為習知19資訊之故。
20SRAM記憶體之電路設計為一般涉及此類資訊之人所習知21之資訊，因此兩造晶片之SRAM記憶體之電路設計，諸如22「階層式架構」、「SRAMcell模組」、「DataPath模組」
23、「AddressPath模組」、「WriteandReadControl模組」24等通用模組，模組之功能、連接關係、接腳數、接腳定義等25，乃至於SRAMCell之布局，如有相似之處，自是理所當26然。原告輔佐人於鈞院107年10月22日保全證據程序調查27時，亦自認被告H晶片的SRAM1-bitCell電路架構是習知141的（電路架構）等語。
2原告前於106年間依據原證6及原證7還原工程分析之比對3報告，以被告公司H晶片之SRAM部分與原告F晶片之SR4AM部分之設計模組與電路布局相同為由向臺灣士林地方檢5察署（下稱士林地檢署）提出告訴，案經士林地檢署及臺灣6高等檢察署智慧財產檢察分署（下稱高檢智財分署）以「上7開二晶片除SRAMCELL主體部分使用與業界相同設計外，8其餘SRAMcd、SRAMpr之電路設計均非相同」（被證二9）、「二者在晶片之DataPath模組之SRAM00_w（1/2）
10、SRAM00_w（2/2）、SRAMsa亦有不同的設計；而二者11在控制電流穩定之電流鏡（CurrentMirror）設計組態、Addr12essPath模組、WriteandReadControl模組亦均有所不同」13等為由處分不起訴並駁回再議確定（被證一）。此外，本案14技術審查官於鈞院107年10月22日保全證據事件調查時，15亦依據原證6及原證7之比對報告指出兩造晶片之SRAM16記憶體電路設計之諸多差異，該等差異均具功能或設計上之17實質意義，而非只是形式上之差異。
18原告關於據爭產品設計之F晶片SRAM電路及布局資訊並19非屬「非一般涉及該類資訊之人所知」之資訊，自非營業秘20密法所定義之營業秘密。被告公司H晶片並未使用原告公21司關於據爭產品設計之SRAM電路及布局資訊等營業秘密22。
23原證6比對報告所謂：兩晶片SRAM的階層式架構高度相24似，皆具有四個功能模組，模組間連接關係相同，對應功能25區塊亦有相同之接腳數及接腳定義，及原證7比對報告所謂26兩晶片SRAM布局高度相似云云，均非事實。且原證6比27對報告所自行製作之兩晶片電路圖已顯示兩晶片電路設計不151同，縱使不同電路設計之功能相同，惟功能並非營業秘密，2電路設計不同即足以證明被告晶片SRAM未侵害原告晶片S3RAM之營業秘密。又縱然有部分電路相同，亦係因為相關4電路是習知資訊，況相同電路亦因元件參數不同而成為不同5之電路設計，布局圖也會因而有所不同。原告依據原證6電6路比對報告及原證7布局比對報告主張被告侵害其營業秘密7，顯無可採。
8原告主張被告侵害其「據爭產品設計」之營業秘密，論據之一9為：被告公司乃原告前總經理率眾主管離職後於96年7月成10立之公司，在短短7個月即於97年2月開始推出各項與原告11公司競爭之IC產品，時程上顯不合理。惟查：
12被告公司主要產品線包括「混合訊號單晶片」及「鋰電池管13理晶片」（原證5第4頁）。原告依據被告公司104年6月145日公開說明書第46頁所載，主張被告公司於97年2月推15出之自家產品，係指該公開說明書第46頁「公司沿革」項16下之「單節鋰電池保護晶片」（原證3），該產品係屬「鋰17電池管理晶片」產品，而據爭產品則屬「混合訊號單晶片」18產品，兩者並非相同系列產品。且「單節鋰電池保護晶片」19產品係「鋰電池管理晶片」之初階產品，相較於其他「鋰電20池管理晶片」，乃至於「混合訊號單晶片」，「單節鋰電池21保護晶片」之研發及設計相對單純，其所須時程較短，乃理22所當然。此由被告公司於96年7月設立後，於97年2月推23出「單節鋰電池保護晶片」，於98年9月完成「兩節鋰電24池保護晶片」之開發，於99年始成功開發有自燒錄功能之25OTP產品等情可證（原證3第81頁）。因此被告公司於設26立後七個月後推出「鋰電池管理晶片」之初階產品，於時程27上並無任何不合理之處。
161被告公司之晶片產品，自開案至量產可分為產品開案、設計
2、下線、驗證、試產及量產6個階段，每個階段均應召開審3查會議依據相關文件進行討論並作成結論。某一產品如經驗4證審查會議通過（或有條件通過），即為完成開發，可對外5發表（或推出）該產品，惟需經量產審查會議通過，始可正6式進行該產品之量產。被告公司97年1月17日就HY21107型號單節鋰電池保護晶片召開產品驗證審查會議，該會議結8論通過該項產品之驗證審查（被證三）。被告公司98年99月11日就HY2120型號雙節鋰電池保護晶片召開產品驗證10審查會議，該會議結論通過該項產品之驗證審查（被證四）11。被告公司99年11月26日就HY11P52型號晶片（具自燒12錄功能之OTP產品）召開產品驗證審查會議，該會議結論13有條件通過該項產品之驗證審查（被證五）。原告起訴書附14件A所列之被告公司晶片產品中，HY10P、HY13P、HY1415E、HY15P、HY16F18、HY16F19、HY16F39系列晶片產16品迄未經量產審查會議通過，尚未進行量產。其餘晶片產品17經量產審查會議通過之日期如鈞院卷第266、267頁表格18所示；被告公司鋰電池保護晶片於100年（含）前經量產審19查會議通過之日期如鈞院卷第267頁表格所示；被告公司20自96年成立至100年12月31日止，每年度保護晶片、MC21U晶片之營業額（千元）如鈞院卷第267頁表格所示。
22綜上所述，被告公司於96年7月成立2年後才開始有微控23制器晶片產品之量產，而「單節鋰電池保護晶片」產品係「24鋰電池管理晶片」之初階產品，相較於其他「鋰電池管理晶25片」，乃至於「微控制器晶片」，「單節鋰電池保護晶片」26之研發及設計相對單純，其所須時程較短，乃理所當然。被27告公司於公司設立後7個月後之97年2月推出「鋰電池管171理晶片」之初階產品，並於同年6月開始量產，至於微控制2器晶片則於98年8月以後才開始有產品量產，於時程上並3無任何不合理之處。又由於被告公司自98年8月以後才開4始有微控制器晶片產品之量產，而「鋰電池管理晶片」於957年6月即開始量產，因此被告公司96年7月成立以來，6前3年度之營業額，主要來自鋰電池保護晶片產品之銷售，7微控制器晶片產品之營業額僅占全部營業額約百分之16。
8況被告公司於97年2月推出之「單節鋰電池保護晶片」並9無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路設計。因此被告公10司推出「單節鋰電池保護晶片」之時程及營業額是否合理，11即與被告有無侵害原告「據爭產品」SRAM電路設計營業秘12密無任何關連性。原告以被告公司成立後短短數年即有不合13理之營業額，推論被告有侵害原告「據爭產品」SRAM電路14設計營業秘密，殊屬無稽。
15又查更換晶圓供應商，除必須就晶片產品進行重新設計、工16程試樣外，尚須進行晶片產品的規格認可、製程兼容性認可
17、可靠度認可等作業。至於推出新的晶片產品，係指完成設18計及工程試樣，並未涉及更換供應商時所需之規格、製程兼19容性、可靠度認可等作業程序，故其時程較更換晶圓供應商20之時程為短。被告公司於公開說明書第46頁之「公司沿革21」項下所載於97年2月推出「單節鋰電池保護晶片」，係22指該產品已於97年2月間完成設計及工程試樣而對外發表23推出，其時間在被告公司96年7月設立後七個月，與被告24公司為解釋進貨集中○○電子集團之原因，於公開說明書上25所稱更換晶圓供應商之轉換期至少需九個月至一年半左右的26時間，亦無任何矛盾或不合理之處。
27況查原告主張被告公司使用相同於H晶片SRAM電路之晶181片產品係利用原告據爭產品設計之營業秘密而成，無非以被2告公司H晶片與原告F晶片之SRAM電路設計極大部分相3同為論據。換言之，原告主張其受被告侵害者，係關於其據4爭產品SRAM電路設計之營業秘密。惟查被告公司於97年52月推出之「單節鋰電池保護晶片」並無SRAM記憶體，無6需使用原告之SRAM電路設計。因此被告公司推出「單節7鋰電池保護晶片」之時程是否合理，即與被告有無侵害原告8據爭產品SRAM電路設計營業秘密無任何關連性。
9原告既自認「是亞洲最早切入類比IC設計的先驅之一，精10通電路設計與整合技術」，即應知「鋰電池保護晶片」之設11計難度遠低於據爭產品，以及晶片產品推出所需時程與更換12晶圓供應商所需時程並不相同，更應知「鋰電池保護晶片」13並無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路設計。此外，原14告既係依據被告公司公開說明書所載主張被告公司於97年152月推出自家產品，即應明知被告公司於97年2月推出之16自家產品係「鋰電池保護晶片」，且原告亦明知被告公司之17自燒錄OTP產品係於99年始開發成功，而具OTP自我燒18錄功能的H晶片，則是遲至99年以後始推出產品（詳原告19民事起訴狀第12頁倒數第4行），詎原告訴訟代理人於鈞20院107年10月22日保全證據事件調查時聲稱被告公司成立21不到一年即推出自燒錄OTP產品云云。足證原告以被告公22司於公司設立後短短7個月即推出自家產品為論據，主張被23告竊取自燒錄OTP產品設計之SRAM電路設計之營業秘密24云云，其論理謬誤且混淆誤導事實。
25查被告公司於原證5簡報第17頁「產品技術競爭優勢」已26明載「所有高精度量測IP皆自主開發」，至於同頁簡報說27明被告公司競爭優勢之一「產品導入不易，生命週期長」時191，表示「產品需做二次開發，重新取得認證」，係指客戶就2所購買之內含MCU晶片做軟體開發及周邊的應用電路與零3件設計，以適用於客戶自己產品特性與需求（例如重量量測
4、溫度量測、電能量測），如被告公司之客戶擬改向其他供5應商購買晶片，則需就其產品特性及需求再次作軟體開發及6周邊的應用電路與零件設計開發，並重新取得認證，故客戶7不會輕易更換供應商，此為被告公司產品競爭優勢之一。是8被告公司於該簡報所稱之「二次開發」，係指客戶就被告公9司之晶片所作之軟體開發及周邊的應用電路與零件設計，而10非被告公司就自己之晶片作二次開發，原告主張被告公司才11新成立，何來「既有產品」可以二次開發云云，殊有誤會。12原告自認被告公司之「據爭產品」係於99年始開發成功（13被告公司具OTP自我燒錄功能的H晶片，是遲至99年以後14始推出之產品，詳原告民事起訴狀第12頁倒數第4行），15若原告所謂「被告等人顯係在陸續從原告離職之前，即已著16手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排、擅自竊取並17持（據爭產品之營業秘密）以使用於渠等（於96年7月）18成立之被告公司之IC產品」等情屬實，被告公司當不至於19遲至99年以後始推出具OTP自我燒錄功能晶片。況如原證205簡報第13頁所示，RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之21一種，其困難度及重要性之較其它電路為低，如被告已取得22原告「據爭產品」之營業秘密，當不至於僅使用其中之SR23AM電路設計。足證被告公司之「據爭產品」係自行開發完24成，並未使用原告公司關於「據爭產品設計」之SRAM電25路及布局資訊等營業秘密。
26末查原告前於106年間依據原證6及原證7還原工程分析之27比對報告，以被告公司H晶片之SRAM部分與原告F晶片201之SRAM部分之設計模組與電路布局相同為由向士林地檢2署提出告訴，案經檢察官處分不起訴，原告聲請再議，高檢3智財分署以「另從聲請人（即本件原告）公司網站（https
4：//www.ic-fortune.com/）中所列出的產品資訊，其中並無5生產、銷售系爭FS98031B晶片之資訊。自難僅憑聲請人提6出資利通公司之報告，即認被告等人在任職於聲請人公司期7間，即取得系爭FS98031B晶片之資訊，並在96年間離職8後，將資訊洩漏予被告紘康公司」等為由處分駁回確定（被9證一）。是原告F晶片於被告等人自原告公司離職前既未曾10存在，則原告主張「被告等人顯係在陸續從原告離職之前，11即已著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排」、「12擅自竊取並持（據爭產品之營業秘密）以使用於渠等（於9136年7月）成立之被告公司之IC產品」等情，顯非事實。
14三、協商兩造整理不爭執事項如下（本院卷第203頁）：15原告起訴狀附表A（本院卷第63頁）所列型號HY10P、H16Y11P、HY12P及HY13P系列晶片具有類似於型號HY11P52B17晶片（即H晶片）之SRAM電路。
18原告所提起訴狀附表B（本院卷第65頁）所列被告等於原19告任職期間之職務、到職日期與離職日期。
20原證1至原證5形式上真正。
21四、協商兩造整理爭執事項如下（本院卷第203頁）：
22原告據爭產品設計例如：型號FS98031B晶片（即F晶片）之23SRAM電路及布局資訊是否是原告之營業秘密〔F晶片之SRA24M電路及布局資訊是否非一般涉及該類資訊之人所知（秘密25性）？其經濟價值（經濟性）？原告是否採取合理保密措施〕26？27被告等是否以不正當方法取得、或取得後知悉例如F晶片之S211RAM電路及布局資訊是營業秘密而使用或洩漏？2如果原告F晶片之SRAM電路及布局資訊是原告之營業秘密3，被告等有侵害原告前開營業秘密之故意，原告請求排除侵害4是否有理由？5五、得心證之理由：
6營業秘密之要件：
7按營業秘密法第2條規定「本法所稱營業秘密，係指方法、8技術、製程、配方、程式、設計或其他可用於生產、銷售或9經營之資訊，而符合左列要件者：一、非一般涉及該類資訊10之人所知者。二、因其秘密性而具有實際或潛在之經濟價值11者。三、所有人已採取合理之保密措施者。」，是營業秘密12法所保護之營業秘密須具備秘密性、經濟性及合理之保密措13施三要件，茲分述如下：
14秘密性：係指非一般涉及該類資訊之人士所知悉之資訊，故15屬於產業間可輕易取得之資訊，則非營業秘密之標的。申言16之，秘密性之判斷，係採業界標準，除一般公眾所不知者外17，須相關專業領域中之人亦不知悉，倘為普遍共知或可輕易18得知者，則不具秘密性要件。
19經濟性：係指技術或資訊有秘密性，且具備實際或潛在之經20濟價值者，始有保護之必要性。是營業秘密之保護範圍，包21括實際及潛在之經濟價值，故尚在研發而未能量產之技術或22相關資訊，其具有潛在之經濟價值，亦受營業秘密法之保護23，不論是否得以獲利。
24合理保密措施：營業秘密之所有人主觀上有保護之意願，且25客觀上有保密的積極作為，使人了解其有將該資訊當成秘密26加以保守之意思，例如：與可能接觸該營業秘密之員工簽署27保密合約、對接觸該營業秘密者加以管制、於文件上標明「221機密」或「限閱」等註記、對營業秘密之資料予以上鎖、設2定密碼等，若營業秘密之所有人客觀上已為一定之行為，使3人了解其有將該資訊作為營業秘密保護之意，並將該資訊以4不易被任意接觸之方式予以控管，即足當之。
5原告據爭產品IC晶片之SRAMIP之階層式架構是原告之營業6秘密：
7原告據爭產品之研發、製程、測試、參數等資訊，包括IC8晶片之SRAMIP之階層式架構，並非一般涉及該類資訊相9關專業領域中之人所知悉，堪認具秘密性。
10原告主張於96年推出據爭產品，迄至100年間原告據爭產11品之營業額計達1億元以上（本院卷第36頁），是據爭12產品設計，包括IC晶片之SRAMIP之階層式架構即為原告13之核心技術，並具有經濟價值。
14原告就程式及資料之存取控制定有規範（原證8第3頁以15下，限制閱覽卷─下稱限閱卷，第205頁至第211頁），10163年（含）之前的申請管制流程，要以EHR電子表單申請17帳號（原證9，限閱卷第213頁）；103年後的申請管制流18程改以WebEIP電子表單申請（原證10，限閱卷第215頁）19；另研發人員之工作成果及資訊，存於原告之工作站，依專20案及個人建立檔案資料（原證11，限閱卷第217頁），並21依ISO作業程序責成工作站專責管理員加以控管及稽核（22原證8，限閱卷第205頁至第211頁）。再查，原告與員工23簽訂「聘僱合約書」時，於該合約書第6條約定智慧財產權24歸屬於原告，第7條至第9條約定機密資訊及保密條款（原25證12、原證13，限閱卷第219頁至第242頁），並要求員26工詳實記載於工作紀錄簿，且工作紀錄簿之領取及歸還均有27管控及紀錄（原證14、原證15，限閱卷第243頁至第269231頁）。復查，原告與其他公司往來如有使用或揭露據爭產2品相關技術，原告會與往來公司簽訂「保密合約」（原證1
36、原證17，限閱卷第271頁至第277頁），堪認原告就據4爭產品有關IC晶片之SRAMIP階層式架構，已採取合理之5保密措施。
6被告公司之SRAMIP之階層式架構與原告之SRAMIP之階層7式架構是否相似，且在該階層架構下之所有電路功能模組之間8介面I/O接腳的定義、數量等總和是否相同：
9被告公司之SRAMIP之階層式架構與原告公司之SRAMIP10階層式架構並非相同或近似：
11原告稱被告公司H晶片的SRAM電路設計所呈現的「階12層式架構」與原告公司SRAMIP具有非常高度的相似性13，且被告公司H晶片的「SRAMcell模組」、「DataPath14模組」、「AddressPath模組」、「WriteandReadContro15l模組」，均完全對應至原告公司SRAMIP的模組。此外16，被告公司H晶片之該等模組之功能、連接關係、接腳17數、接腳定義等也與原告公司SRAMIP的模組完全相同18，並提出原證6電路比對報告（原證6第25頁、第26頁19即限閱卷第135頁、第136頁、第319頁原證6-1中譯文20），以附其說；另原告訴訟代理人於108年12月2日言21詞辯論期日表示本件營業秘密範圍為「如今日庭提簡報第222頁所示（限閱卷585頁），即階層式架構下所有電路功23能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和」等語（本24院卷第330、331頁）。經查，原告上開庭呈簡報第225頁（限閱卷第585頁）所述之階層式架構圖為原證6第726頁3.1所示之IC-Fortune之階層式架構圖（限閱卷第12727頁，如附圖1-1所示），並經原告確認其中IC-Fortune為241其F晶片所使用的SRAMIP（本院卷第334頁第17至219行）。
3原告稱因各家IC設計公司的研發團隊成員不同，在完成4一個新設計的電路系統，會依其研發團隊成員的人別、數5量與能力的獨特性，創作出階層式結構（hierarchicalarchi6tecture）的原始電路設計圖（originalcircuitschematicdesi7gn）來表達IC電路系統，該原始電路設計圖的階層式結8構如何分層及再細分個別的電路模組，都有其原創的表達9與設計。IC製造與設計的流程，即是從IC設計公司的研10發團隊創作出階層式結構的原始電路設計圖開始，通過模11擬分析（Simulat00nanalysis）與驗證（Verificat00n）後12，可將原始電路設計圖轉換為積體電路布局（IClayout）13，再將積體電路布局製作成光罩（Mask），經由晶圓製14程（waferfabricat00n）與封裝（package），而得積體電15路（IC）產品，故主張系爭SRAM階層式架構圖為其公16司之營業秘密等語（本院卷第37、38頁）。經查：
17從原證6比對報告第25及26頁記載將被告H晶片透過18還原工程與原告IC-Fortune使用之SRAMIP做比對，(19a)若是H晶片之SRAM電路上的某一接腳，其功能與I20C-Fortune電路上的另一接腳相同，即將相同的定義及21名稱用於H晶片電路上的接腳；(b)若是H晶片之SRA22M的某一功能區塊／模組，其功能與IC-Fortune電路上23的另一功能區塊／模組相同，即將相同的定義及名稱用24於H晶片電路上的該功能區塊／模組，故比對結果無25論是接腳定義或模組之分類係依據功能來作定義或歸類26等語（限閱卷第135、136頁、第319頁）。又查，原27證6比對報告第4頁「1.0概述」記載「雖然可透過對251一IC執行還原工程推導出該IC的組成元件及連接方式2，但無法藉此完全重建該IC的原始電路設計圖，原始3電路設計圖可顯示IC研發團隊如何設計階層式架構」4等語（限閱卷第114頁、第316頁），可見還原工程無5法正確還原或重建電路設計之原始階層式架構。而原告6主張依前開所述之比對方式將IC-fortune與H晶片兩者7個別的功能區塊與I/O接腳進行比較，進而得出兩者之8階層架構R1至R5顯示出高度的相似性（限閱卷第1359頁、第319頁）云云，惟由原證6上開之比對方式，可10知其中之SRAMIP之各模組係以功能來作劃分，因而11得出上開之結論，惟該領域中具通常知識者皆知具有相12同功能之電路模組，並不一定係以相同之電路或組成達13成，亦即同一種功能之電路，可藉由不同之電路組成或14構成元件來達成，且由於階層式架構係無法藉由還原工15程還原重建，是原告雖主張IC-Fortune之階層式架構圖16（如附圖1-1所示）為其生產F晶片使用之架構圖，然17而被告等依原告所提供其F晶片之SRAM.inc（原證2181為原告之F晶片SRAM之「電路圖.inc檔」與「布局19圖.gds檔」光碟，限閱外放證物袋）所得出之階層式架20構（被證9，限閱卷第416頁，如附圖1-3所示），與21被告公司依H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構（22被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2所示）相比較，23兩者之階層式架構有如附圖1-4所示顯著之差異，故原24告主張原證6之比對報告所得兩晶片的階層式架構有高25度相似性，難認可採。
26次查，若以被告公司經由H晶片之SRAM.inc檔所取得27之階層式架構圖（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2612所示）與原證6比對報告第17頁所載原告之IC-Fortu2ne之階層式架構圖（附圖1-1）作比較，其中原告附圖31-1所示之架構包含R1至R5，其中R1包含4個模組4，分別為「SRAMcell模組」、「DataPath模組」、「5AddressPath模組」、「WriteandReadControl模組」6，而被告公司H晶片之階層式架構圖（被證8，限閱卷7第402頁，如附圖1-2所示）之第一層架構包含「RAM8_CRT模組」、「RAM_00003模組」、「RAM_RDEC49模組」、「RAM_W4ARRAYx8模組」，比較兩者之第10一層架構即有不同；再者，原告如附圖1-1所示之第二11層架構R2至R5亦未有與被告公司H晶片之階層式架12構圖（限閱卷第402頁，如附圖1-2所示）對應之相同13模組。故原告主張被告公司之H晶片之SRAMIP係採14用原證6所提出之IC-Fortune之階層式架構，尚不足採15。
16再查，被告公司依原告提供其F晶片SRAM之「電路17圖.inc檔」與「布局圖.gds檔」（原證21，限閱外放證18物袋）得出之F晶片階層式架構（被證9，限閱卷第41196頁，如附圖1-3所示）之第一層架構具有6種模組（0000000,00,0000,0000,00000及000000），與原告10821年12月2日言詞辯論期日庭呈簡報第2頁（限閱卷第22585頁）即原證6第7頁3.1其所主張F晶片所使用IC-23Fortune之階層式架構圖（限閱卷第127頁，如附圖1-124所示），並不相同，足見原證6比對報告第17頁所載25之原告F晶片SRAM之階層式架構（附圖1-1），並非26依據該F晶片之SRAM.inc所得之真實階層式架構。再27者，比對被告公司經由H晶片之SRAM.inc檔所取得之271階層式架構圖（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-22所示）與原告所提供其F晶片之SRAM.inc（原證213，為原告之F晶片SRAM之「電路圖.inc檔」與「布局4圖.gds檔」光碟，限閱外放證物袋）所得出之階層式架5構（如附圖1-3所示），兩者之階層式架構迥異，其6中附圖1-2之第一階層架構具有4個模組，而附圖1-37則有6個模組，而兩者第一層架構下之第二層架構下延8伸細分出來之模組分別為9個及7個亦不相同，其更下9層之模組差異更大，承上，以原告與被告公司所提晶片10之SRAM.inc檔所得之階層式架構，二者使用之階層式11架構亦非相同。
12原告於108年12月2日言詞辯論期日簡報第5頁（限閱13卷第591頁，如附圖1-4所示）主張被告公司以兩造晶片14之SRAM.inc檔所得之階層式架構圖僅是重新群聚（group15）原告之電路模組，兩者其實是相同的且與原證6第1716頁IC-Fortune之階層式架構圖（如附圖1-1所示）完全相17同云云。惟查：
18原告係主張被告公司之H晶片侵害其原證6第17頁之19IC-Fortune之階層式架構圖（如附圖1-1所示），其營20業秘密即為該階層架構下所有電路功能模組之間介面I/21O接腳的定義、數量等總和，業經原告陳明在卷（本院22卷第330至331頁）。惟嗣後被告公司依原告所提供23之F晶片之SRAM.inc（原證21為原告之F晶片SRA24M之「電路圖.inc檔」與「布局圖.gds檔」光碟，限閱25外放證物袋）所得出之階層式架構（被證9，限閱卷第26416頁，如附圖1-3所示），與原告前開主張之原證627第17頁F晶片所使用之階層式架構（閱卷第127頁，281如附圖1-1所示）完全不同，換言之，原告所主張原證26第17頁之F晶片階層式架構並非依據原告之F晶片3之SRAM.inc檔所得，故原告以原證6第17頁之階層4式架構主張被告公司侵害之F晶片之SRAMIP即有可5議。
6原告於108年12月2日言詞辯論期日簡報第5頁（限7閱卷第591頁，如附圖1-4所示），主張依被告等所提8之附圖1-2、附圖1-3之架構圖，將該階層式架構之69個模組（A、B、C、D、E、F）重組，經（B,E）10模組群聚，（C,D）模組群聚，可對應被告公司之階層11式架構之4個模組云云。惟查，原告係以如附圖1-2所12示被告公司依H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構13，及如附圖1-3所示被告公司依原告所提供其F晶片之14SRAM.inc所得出之階層式架構作比對，而非以如附圖151-2所示階層式架構與附圖1-1所示原告所主張之IC-Fo16rtune之階層式架構圖作比對，該比對基礎即有未洽。17況原告稱各家公司的研發團隊成員不同，IC設計公司18要完成一個新設計的電路系統，會依其研發團隊成員的19人別、數量、與能力的獨特性，創作出階層式結構（hi20erarchicalarchitecture）的原始電路設計圖（originalcirc21uitschematicdesign）來表達IC電路系統。原始電路設22計圖的階層式結構如何分層及再細分個別的電路模組，23都有其原創的表達與設計，故原告之SRAM階層式架構24圖為其公司之營業秘密等語（本院卷第37至38頁）25，承此所述，如果認為被告公司之階層式架構係藉由將26原告之階層式架構之群聚及重組，並於群聚及重組後認27為兩者相同或近似，則形同主張該階層式架構可由電路291設計者依據功能自行作不同分類及定義，之後可以藉由2群聚重組模組而得，並因此認為群聚重組之後與之前設3計均相同，則此等階層式架構有何原創性之表達與設計4可言。再者，由如附圖1-4所示之階層式架構比對分析5，可知如附圖1-2與附圖1-3所示之階層式架構越往底6層之架構定義差異越大，益證如附圖1-2所示（限閱卷7第402頁）之階層式架構圖並非僅是如附圖1-3（限閱8卷第416頁）經單純地群聚、重組而得。在電路設計領9域中，一具有相同功能的電路模組可藉由不同設計方式10達成，且電路中之模組的改變或模組中元件之替換、增11減對於模組間或元件間的連接關係可能就牽動產生很大12的影響及差異，並非如原告所稱兩者之階層式架構及電13路設計僅是模組之間群聚重組或是電路元件之簡單替換14，故原告主張並無可取。
15被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有電路功能模16組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和與原告公司之SRA17MIP之階層式架構下所有電路功能模組之間介面I/O接腳18的定義、數量等總和及電路設計並非相同，已見前述。再以19原證6比對報告原告F晶片使用IC-Fortune之階層式架構圖20（如附圖1-1所示）及被告等以兩造F晶片、H晶片之SR21AM.inc檔分析結果（被證10，限閱卷第439至443頁），22兩造晶片之SRAMIP模組間之設計亦有如下不同之處：
23關於SRAMTOP部分：
24被告公司依原告所提供其F晶片之SRAM.inc所得出之25階層式架構（被證9，限閱卷第416頁，如附圖1-3所26示），原告F晶片具有6種模組（00000,00,0000,000270,00000及000000），各使用1次至8次不等，共計有30129個模組；被告公司依其H晶片之SRAM.inc檔所得之2階層式架構（被證8，限閱卷第402頁，如附圖1-2所3示），被告H晶片則有4種模組（RAM_CTR,RAM_040003,RAM_RDEC4,RAMW4ARRAY），各使用1次5或8次，共計有11個模組，兩者不但模組名稱、數目
6、功能不同，各模組之連接關係、功能區塊數目，乃至7於接腳數及接腳名稱均不相同。此外，對外接腳數部分8，原告F晶片有17個，被告公司H晶片有25個；內9部連線部分，原告F晶片有108線，被告公司H晶片10則有30線（被證10，限閱卷第440至443頁、簡報檔11第532至535頁），其中內部連線數量差異甚大，足見12其元件間之連接關係不同。
13依原證6比對報告第27至29頁（限閱卷第27頁至第2149頁）之兩晶片的電路圖及兩晶片.inc檔分析結果亦可15證兩晶片各模組間之連接關係並不相同，例如：模組間16之連線部分，原告F晶片沒有00_連線，被告H晶片沒17有CKS連線；00連線連接的模組不同；0000使用次18數不同：原告8次，被告1次；原告晶片連接0000及19SRAMcells的連線有64條，被告H晶片與之相對應的20連線只有8條（限閱卷第440至443頁、第528頁，如21附圖1-5所示）。
22關於SRAMCELL之差異：
23原告與被告公司之晶片均為128bytes即1024bit，皆使24用習知6TSRAMCELL，此未據兩造爭執，而被告公司25係採用8bitline，此與原告係採用64bitline（限閱卷第26528頁，如附圖1-5所示之Net8及0000欄）之陣列結27構不同；再者兩晶片之6TSRAMCELL係採用不同元311件參數，兩者電晶體之gatewide及gatelenth之製程參2數大小不同（限閱卷第445、538頁，如附圖1-6所示3），由於該參數及比例為積體電路設計之重要參數之一4，其與記憶體Cell的反應速度、功率損耗及晶片之面積5有關，故參數不同則電路設計即不同。
6關於SRAMcd部分：
7原告主張SRAMcd「同時具有○○○○○○開關及兩8個○○○，此兩個電路為等效電路並具有同功能」（原9證6第30頁、限閱卷第320頁）云云，惟查：
10A.依被證12R.JacobBaker"CMOScircuitdesign,layout11andsimulat00n2ndedit00n",IEEEPress,ISBN0-000-000000-X,2005.Page375,376（限閱卷第448頁，如附圖131-8所示）之公開日為94年，早於96年被告公司設14立日期及原告所主張被告公司開始撰寫HY11P系列15晶片之democode（範例程式源代碼）之96年12月1624日（限閱卷第336頁），是依被證12可證明SRA17Mcd電路圖為習知技術，而該電路使用由00000000開關作為傳輸閘電路，原告就此並未爭執，而比19對原告與被告公司之SRAMcd電路圖（限閱卷第14620頁、第148頁、第539至540頁，如附圖1-7所示）21，兩者皆使用CMOS開關作為傳輸閘，即是使用前揭22已揭露積體電路設計之基本電路，故屬習知之技術。
23B.如前所述，利用CMOS傳輸閘作為SRAM之cd電路24，為電路設計中所使用之習知技術。再由原證6比對25報告所載兩晶片之SRAMcd雖同有○○○○○○開26關（如附圖1-7所示），惟被告H晶片之開關共享一27個○○○且並未使用NMOS元件，而原告F晶片之321開關則各自有○○○○○，被告公司H晶片使用較少2之元件，有成本上優勢，故兩者之電路設計並不相同3。
4關於SRAMPR部分：
5經比對原告與被告公司之SRAMPR電路圖（限閱卷第6149頁、第543頁，如附圖1-9所示），原告F晶片之7SRAMPR電路使用ＮMOS元件，被告公司H晶片SRA8MPR電路使用PMOS元件，由於使用PMOS與ＮMOS9作為讀取資料前之pre-charge（預充電）時，PMOS元10件會pre-charge至Ｖdd，而使用NMOS則只會pre-charg11e至Ｖdd-Vth，故需藉由○○○○○○來確保ＮMOS之12bitline與bitlinebar充電電壓的一致性，故原告之SRA13MPR需使用0000000來達成充電功能；反觀，14被告公司僅需以2個PMOS元件即可達成相同功能，兩15者於預充電之電路設計即有不同，且因使用元件及元件16個數均不同，被告公司之電路設計使用較少之元件，相17較於原告之電路具有成本優勢，故兩者電路設計並非相18同。
19關於DataPath之差異：
20關於SRAM00_w部分：
21依原告提出之原證6比對報告認為兩晶片之SRAM00_22w之邏輯表示方式不同，兩者功能是相同的（限閱卷第23152頁、第321頁第4.3.1SRAM00_w段第3至4行）24，惟邏輯表示不同即表示電路設計不同，即便可達成的25功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者，比對兩26者之電路（限閱卷第155頁、第157頁、第546至54727頁，如附圖1-10所示），兩者無論於MOS使用個數及331邏輯閘之型態均不同，整體電路明顯不同。
2關於SRAMsa部分：
3由原告提出之原證6比對報告認為兩晶片之SRAMsa4之電路不同，兩者功能是相同的（限閱卷第152頁、第5321頁第4.3.2SRAMsa段第3至4行），原告於原證66並自認該部分之電路不同，即表示電路設計不同，即便7可達成的功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者8，比對兩者之電路（限閱卷第158至160頁、第549頁9，如附圖1-11所示），被告公司H晶片之SRAMsa部10分電路並無outm這條線路，且兩者接腳數量不同（原11告6條，被告5條），使用的元件個數不同，連接方式12差異很大，電路設計明顯迥異。
13關於SRAM00_r部分：
14由原告所提之原證6比對報告認為被告公司之SRAM0015_r不具有輸入訊號OUTm，且其邏輯表示式與原告的S16RAM00_r之邏輯表示式不同，兩者功能是相同的（限17閱卷第152頁、第321頁第4.3.2SRAM00_r段第1至183行），惟邏輯表示不同即表示電路設計不同，即便可19達成的功能相同，亦不可認為相同之電路設計。再者，20比對兩者之電路（限閱卷第161頁、第553頁，如附圖211-12所示），被告公司H晶片之電路之input輸入接腳22數2個，原告F晶片則有3個；被告公司H晶片電路係23使用NAND閘去驅動PMOS，以NOR閘去驅動NMOS24，原告F晶片則使用○○○○○及○○○○閘去驅動○25○及00000（00000000）加上○○○○○○去驅動26○○○元件，兩者使用的電路元件組成及個數均不同，27整體電路設計明顯不同。
341關於AddressPath之差異：
2關於SRAM000000部分：
3由原告提出之原證6之比對報告認為兩者的SRAM具4有一4-bit列位址（rowaddress），其000000為一4線5-16解碼器，雖然被告的00_2為一CMOS開關，而原6告的00為00000000000，兩者具有相同功7能，因為兩者的輸入00與00是反向的（限閱卷第1648頁、第322頁第4.4.1SRAM000000段）。惟查：
9A.比對兩者電路圖（限閱卷第165頁、第555頁，如附10圖1-13所示），原告之SRAM000000電路係由latch11電路及decoder電路所組成，被告公司主張該等電路12為一習知技術，並提出JacobBaker所著作"CMOScir13cuitdesign,layoutandsimulat00n2ndedit00n",IEEE\P14ress,ISBN0-000-0000-X,2005.Page457,386,331,46115（被證13，限閱卷第449至451頁，如附圖1-14所16示），由該內文（限閱卷第449頁，如附圖1-14-1所17示）可知訊號由Addressinput先經過Rowaddresslatc18hes及Columnaddresslatch後才會到達decoder，至於19latch與decoder等電路為被證13所揭示之習知電路20結構（限閱卷第450至451頁，如附圖1-14-2及1-1421-3所示），故被告公司之電路僅係採用習知之電路結22構，而原告對於被告公司H晶片依前開著作主張SR23AM000000電路圖為習知技術並未爭執。
24B.經比對原告與被告公司電路圖（限閱卷第165頁、第25555頁，如附圖1-13所示），被告公司H晶片的00_262為一CMOS開關，而原告F晶片的00為00000000000000，兩者的輸入00與00是相反的；351又相較於被告公司之電路圖，原告之SRAM0000000多加了00000000電路之元件，故兩者之電路設計並3非相同，被告公司H晶片電路設計少一個○○○，具4有成本上優勢，且兩者之輸入00與00是相反的，故5電路之控制方式不同，因認兩者之電路設計並不相同6。
7關於SRAM0000部分：
8由原告提出原證6之比對報告認為原告與被告公司的S9RAM具有一3-bit行位址（columnaddress），其000010為一行位址閂，雖然被告公司的00_2為一CMOS開關11，而原告的00為000000000000，兩者具12有相同功能，兩者的輸入00與00是反向的（限閱卷第13164頁、第322頁第4.4.2SRAM0000段）。惟查：
14A.如前所述，以latch作為記憶體之行位址SRAM000015模組，乃習知電路結構（限閱卷第449頁被證13，如16附圖1-14-1所示），故被告公司H晶片之電路僅係17採用習知之電路結構，而原告對於被告公司依該證據18主張SRAM0000電路圖為習知技術並未爭執。
19B.原證6比對報告已載明被告公司H晶片的00_2為一20CMOS開關，而原告F晶片的00為00000000000000，兩者的輸入00與00是相反的，再由原22證6比對報告第58頁所示之兩晶片之電路圖（限閱23卷第168、561頁，如附圖1-15所示）亦明顯不同，24被告公司H晶片設計少一個○○○，有成本上優勢，25且兩者之輸入00與00是相反的，故電路之控制方式26不同，因認兩者之電路設計並不相同。
27關於SRAM0000部分：
361A.由原告所提原證6之比對報告認為兩者的SRAM00020均為一3線-8線解碼器（限閱卷第164頁、第3223頁第4.4.3SRAM0000段），惟以3線-8線解碼器4（2的3次方＝8）作為記憶體之行位址解碼器，乃5前述被證13所揭露之習知電路結構（限閱卷第4496至451頁，如附圖1-14-3所示），故非屬營業秘密7，且原告對被告公司就該證據主張可以證明SRAM08000電路圖為習知技術並未爭執。
9B.經比對原告與被告公司晶片之SRAM0000電路圖（10限閱卷第171頁、第563頁，如附圖1-16所示），11被告公司H晶片係以1個○○○加上PMOS作回授12，原告F晶片則以00000000000，故電13路設計上呈現甚大差異。另查被告公司H晶片的電14路使用8個decoder（解碼器），原告F晶片則使用1564個解碼器，數量相差達8倍之多，被告公司H晶16片之設計具有較大之成本優勢，故兩者電路明顯不17相同。
18原告稱被告公司僅係「簡單改變」原告之晶片電路，被告雖19指出兩晶片「少數部分」之電路不相同，然而該等不相同之20電路均係為「微小差異」或「等效元件」的差別，屬於「簡21單置換或等效置換」，並就被告等稱「兩晶片SRAMTOP之22對外接腳數並不相同，原告晶片有17個，被告晶片有25個23」，稱其原因僅係在於被告公司晶片將原告晶片設計的000000000，原告增加了8個接腳…被告公司所指僅係「簡25單置換或等效置換」，且0000000000000的設26計，在原告SRAMIP都有這樣的設計云云（限閱卷第470至27472頁）。惟查：
371被告公司經由比對原告所提供其F晶片之SRAM.inc及被2告公司H晶片之SRAM.inc檔所得之階層式架構，證明二3者無論是模組個數及各模組之使用次數、模組連接關係均4不同，且模組之間之內部連線原告晶片有108線，被告晶5片有30線，兩者差異甚大，已見前述，因內部連線係各模6組之間的連接關係，若電路設計不同，則連接方式則不同7，由此可證兩者之晶片設計並非相同。
8至於原告所主張SRAMTOP之對外接腳大抵包含位址接腳9A（X）與資料接腳D（X）及RE,WE讀寫控制接腳（10原告108年12月2日簡報第15頁，限閱卷第611頁），11該外部接腳個數與記憶體本身之位元數有關，電路設計者12可依所需之位元數去搭配設計外部接腳個數，實則兩晶片S13RAMTOP之對外接腳數並不相同，原告F晶片有17個，14被告公司H晶片有25個，被告公司H晶片多8個接腳，15係因被告公司將000000000，其設計即與原告F16晶片不同；至於兩晶片之資料接腳同為8個，係因為1byte17有8bit；兩晶片之位址接腳同為7個，係因為兩晶片均為11828bytes，是2的7次方，須有7個位元來定義不同之位置19，是接腳數差別縱使如原告所稱僅在於0000000000與否而實際輸出入接腳數均相同，惟此對外接腳數與電路21設計是否相同並無關連，原告以接腳數相同主張被告公司22H晶片侵害其營業秘密，並不足採。
23原告公司之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公司24之SRAMIP布局圖（layout）是否相同或近似：25原告之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公司之26SRAMIP布局圖（layout）並不相同或近似：
27原告主張被告公司之H晶片之SRAMCELL的「1bitCE381LL」與「Multi-bitcell」布局，與原告F晶片相同，並提2出原證7，以附其說，惟查，原告稱原證7第10頁中之3H晶片及F晶片的SRAM（1bitCELL）電路架構中之S4RAM1-bitCELL電路架構是習知的，原證7比對的是兩5者的電路布局等語（本院卷第34至35頁、本院卷6第291至293頁、限閱卷第194、324頁第3至8行）；7原告既稱1-bitCell電路係習知資訊，則原證7第13頁、8第14頁之H晶片與F晶片之SRAMCELL的「1bitCEL9L」」電路圖與布局圖（限閱卷第191至192頁，如附圖102-1所示）相同，乃為當然。又雖電路圖相同，若電路所11使用之元件參數不同，其電路設計即有所不同，業如前12述，則電路布局圖也會不同，而由附圖2-1所示（限閱卷13第191頁、192頁）照片雖不甚清晰，惟仍可見兩者之布14局圖並非相似。再查，原證7第15頁為H晶片與F晶片15之SRAMCELL的「multiple-bitCELL」」布局圖（限閱16卷第193頁，如附圖2-2所示），其照片雖非清晰，惟仍17可見兩者之布局圖其部分布局圖形及佈設相對位置並不18相同（如附圖2-2紅、藍、綠框標示處），故二者SRAM19IP布局圖並非相同或近似。
20被告依兩造晶片SRAM.gds檔分析取得上開兩晶片SRAM21之布局圖（被證15，限閱卷第455至459頁），無論是221-bitCell布局圖（限閱卷第456頁，如附圖2-3所示）或23是multiple-bitCell布局圖（限閱卷第455頁，如附圖2-424所示）兩者之出線位置不同，SRAMTop布局圖（限閱卷25第457、459頁，如附圖2-5所示）之比對顯示，除了Cel26larray呈現之布局不同且其周邊之出線電路亦完全不同，27故兩晶片並非相同之layout方式。
391由原證7之第7至8頁H晶片與F晶片之SRAMＡreaSi2ze（包含陣列及其他周邊電路）及SRAMArraySize（包3含陣列）之量測結果（限閱卷第185至186頁，如附圖24-6所示），關於SRAMAreaSize部分，被告公司H晶片25之全部面積為0.159mmx0.370mm=0.05883mm，原告公司26F晶片為000000mmx0000000mm=0.000000mm，可見被告7公司之SRAMＡreaSize面積比原告公司的小00%；關8於SRAMArraySize面積部分，被告公司H晶片為0.09929mmx0.302mm=0.02998mm，原告公司F晶片為0000mmZ000000000mm=0.00000000mm，可見被告公司之SRAMArray11Size面積比原告公司的大0%。是兩者cell晶胞數量雖相12同（均為1024bits），惟記憶體整體面積（包含陣列及13周邊電路）相差00%，顯示兩者之電路設計及布局方式14應為不同。
15原告另稱依原證7第23頁，H晶片與F晶片OTPROMT16op區域比較結果為兩造晶片應是經由相同的製程製造；17列/行解碼器高度相似；OTPROMIPs呈現出高度的相似18性（限閱卷第324頁）云云。經查，兩造晶片均係委託19○○公司（○○○）使用相同之製程製造，且兩晶片之20OTPROMIP均係使用○○公司授權之IP，此為兩造所不21爭執（本院卷第329至330頁），因此原證7比對報22告獲得前開分析結果實屬當然，況原告與被告公司之OT23PROMIP均係來自○○公司授權，該權利應歸屬○○公24司，原告據此指被告公司侵害原告之營業秘密，並不可25採。
26原告稱被告公司僅係「簡單改變」原告F晶片布局，兩27造晶片之Multi-bitcell雖有微小不同，但顯然具有高度相401似，至於1-bitcell布局圖兩者雖有微小不同，亦顯然具2有高度相似，被告公司顯係「竊取」原告F晶片SRAM13-bitcell的布局後，基於SRAM1-bitcell電路的連線架構4對稱性，而將原告F晶片SRAM1-bitCell的布局中「藍5色」區域（Diffusionlayer，擴散層）以中心線為軸簡單6對調左右兩側，兩晶片之SRAMCell布局不同，僅係簡7單改變之不同云云，並提出兩造之CELLARRAY（晶胞8陣列）比對圖（限閱卷第601頁，如附圖2-7所示），以9附其說。惟查：
10如附圖2-7所示兩造晶片晶胞陣列布局圖，比對如圖示11紅、綠、紫、藍、黃、棕色框標示處，顯示兩造晶片之12CELLARRAY布局圖有諸多不同之處，兩者並非相同13或近似。
14被告公司稱一般SRAM6TCell之SRAM晶胞及00000（00000000）layout，其風格大概分成Category1至516類（限閱卷第572頁，如附圖2-8所示），依附圖2-817所示，其中Category1之SRAM晶胞layout又分成Typ18e-1a及Type-1b，被告公司H晶片之SRAM晶胞係採la19youtType-1acell，而觀原告之F晶片SRAM晶胞係採T20ype-2cell，兩者之布局方式不同，此部分原告並未爭執21，故原告主張兩造晶片之SRAMCell布局不同，僅係22簡單改變之不同，並無理由。
23原告固主張據爭產品IC晶片之SRAM電路設計（SRAMIP24），係由原告員工○○○於89年所完成，採用○○公司025000.35μm製程晶片之SRAMIP，後續相同製程之MCU產26品如FS9912、FS9932、FS99032晶片、F晶片皆沿用此SR27AMIP，而此相同之SRAMIP之相關產品自91年即量產出411貨，原告並以此作為原證6之電路設計比對云云。惟查，2原告公司之SRAMIP之GDS布局圖（layout圖）與被告公3司之SRAMIP布局圖（layout）並不相同或近似，俱如前4述，且積體電路電路布局經作成晶片散布至市場後，極易5以還原工程加以分析、評估積體電路而得知其原電子電路6圖或功能圖，並據以設計功能相同之積體電路之電路布局7，此由原證6第25頁記載「IC還原工程是一種識別IC上8電路系統的組成元件並重建系統中連接方式的手段，藉由9對封裝IC進行逆向解析，回推該IC是如何創建的。IC還10原工程的工作流程包括去封裝、去層、拍照等步驟。之後11透過分析，可識別並確定電路系統中的組成元件及連接方12式。進一步則可完成電路擷取，以及獲得電路的功能配置13。」（限閱卷第135頁、第319頁）即明，是本件原告以14還原工程還原被告公司之H晶片之電路設計，而原告既主15張其自91年即使用○○○於89年所完成IC晶片之SRAM16IP量產出貨，迄今已10餘年在市場流通，而該等晶片（17包含F晶片）之SRAMIP既可藉由還原工程得知其電路布18局，即使其喪失秘密性，而不應認為是營業秘密。
19對原告下列主張之論駁理由：
20原告主張已證明被告等侵害原告之營業秘密，至少107年度21民聲字第46號民事保全證據裁定已肯認原告就被告等侵害22原告營業秘密已盡釋明之責。依智慧財產案件審理法第1023條之1第1項規定，被告等應為具體答辯並提出相關資料。24若被告等逾期未具體答辯或未提出相關資料，則依同條第225項規定應認原告已釋明之內容為真實，被告等應提出開發軟26體記錄、設計相關資料（如電路IP設計者、IP設計和模擬27過程資料、報告文件等）、工作記錄簿等各階段開發歷史資421料，並應有合理的時間戳記可佐證，否則依民事訴訟法第2277條、第282條之1、智慧財產案件審理法第10條之1等3規定，認原告主張被告等侵害原告之營業秘密為真云云。經4查：
5本院認定被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有6電路功能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和及S7RAMIP模組間之設計均與原告公司據爭產品設計不同；8再者，SRAMIP可藉由還原工程得知其電路布局，是其9布局圖得否認係營業秘密即屬有疑，況原告與被告公司S10RAMIP之GDS電路布局圖（layout圖）並不相同或近似11，俱如前述；被告等已就其否認侵害原告前揭營業秘密為12具體答辯，已如前述，是並無原告主張依前揭法條規定認13原告主張被告等侵害營業秘密為真之適用。
14按證據有滅失或礙難使用之虞，或經他造同意者，得向法15院聲請保全；就確定事、物之現狀有法律上利益並有必要16時，亦得聲請為鑑定、勘驗或保全書證（民事訴訟法第31768條第1項規定參照）。本條後段規定擴大容許聲請保18全證據之範圍，其立法目的在於促使主張權利之人得蒐集19事證資料，以瞭解事實或物體之現狀，將有助於當事人研20判紛爭之實際狀況，進而成立調解或和解，以消弭訴訟，21達到預防訴訟之目的；此外亦得藉此賦予當事人充分蒐集22及整理事證資料之機會，而有助於法院於審理本案訴訟時23發現真實及妥適進行訴訟，以達審理集中化之目的。末按24民事訴訟法第370條、第284條規定，保全證據之聲請25，應表明應保全之證據、依該證據應證之事實，及應保全26證據之理由，且聲請人應提出證據以為釋明，使法院信其27主張為真實，以審酌應否准許保全證據之聲請。而查，R431AM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種（原證5簡報第213頁，本院卷第313頁），故電路資訊不以SRAM電3路為限，原告於本院107年度民聲字第46號民事保全證4據僅提出SRAM電路之分析比對報告（原證6），本院承5前保全證據之立法意旨，為賦予當事人「充分蒐集及整理6事證資料之機會」，爰審酌原告提出之SRAM電路比對報7告、保密合約等證據，認原告就「保全證據之聲請理由」8已盡釋明之責，而為准許保全證據聲請之裁定，惟於本院9審理時，原告就被告等是否侵害原告之營業秘密，因與保10全證據聲請釋明標的不同，其釋明即應有所區別，自不得11以本院曾准為保全證據之裁定，執為原告就被告等侵害營12業秘密已為釋明之理由，併此敘明。
13原告主張被告等以不正當方法取得、使用或洩漏原告F晶片14SRAM電路及布局資料云云。惟查，自然人被告○○○等人15離開原告，分別係在94年1月14日至96年8月31日之間16，有原告起訴狀之附表B可稽（本院卷第65頁），並為17兩造所不爭執（本院卷第203頁），而原告亦陳稱被告○18○○、○○○都有超級使用權限，在他們離職後檢查他們電19腦找不到下載紀錄等語（本院卷第213頁），原告亦未舉20證其他自然人被告等有取得原告前開營業秘密之資料，迄自21然人被告○○○等人離職已逾10年，原告始於107年9月2226日提起本件訴訟，指稱自然人被告○○○等人離職時不23法取得原告前開營業秘密，殊違情理；況被告公司前開H24晶片SRAMIP之階層式架構及GDS電路布局圖（layout圖25）與原告據爭產品SRAM電路設計並不相同或近似，業如26前述，是原告前開主張並不可採。
27原告稱被告公司乃原告前總經理即被告○○○率眾主管離職441後於96年7月成立之公司，在短短7個月即於97年2月開2始推出各項與原告公司競爭之IC產品，其時程與營業額不3合理云云。惟查：
4被告公司辯稱其主要產品線包括「混合訊號單晶片」及「5鋰電池管理晶片」，有被告公司上櫃前104年5月26日6法人說明會簡報（本院卷第109頁），而被告公司1047年6月5日公開說明書第46頁所載於97年2月推出之自8家產品，係指該頁「公司沿革」項下之「單節鋰電池保護9晶片」（本院卷第97頁），該產品係屬「鋰電池管理10晶片」產品，而原告之據爭產品則屬「混合訊號單晶片」11產品，兩者並非相同系列產品；又「單節鋰電池保護晶片12」產品係「鋰電池管理晶片」之初階產品，此由前開說明13書所載被告公司於96年7月設立後，於97年2月推出「14單節鋰電池保護晶片」，於98年9月完成「兩節鋰電池15保護晶片」之開發，於99年始成功開發有自燒錄功能之16OTP產品等情可參（本院卷第101頁），此亦未據原17告爭執，「單節鋰電池保護晶片」之研發及設計相對單純18，其所須時程較短，是被告公司於設立後7個月後推出「19鋰電池管理晶片」之初階產品，於時程上並無不合理之處20。
21被告公司稱其晶片產品自開案至量產，可分為產品開案、22設計、下線、驗證、試產及量產6個階段，每一階段均應23召開審查會議依據相關文件進行討論並作成結論。某一產24品如經驗證審查會議通過（或有條件通過），即為完成開25發，可對外發表（或推出）該產品，惟需經量產審查會議26通過，始可正式進行該產品之量產。經查，被告公司9727年1月17日就HY2110型號單節鋰電池保護晶片召開產451品驗證審查會議，通過該項產品之驗證審查，有被告公司2之產品驗證審查會議紀錄影本附卷可稽（本院卷第2713頁），又於98年9月11日就HY2120型號雙節鋰電池保4護晶片召開產品驗證審查會議，通過該項產品之驗證審查5（本院卷第273頁），繼於99年11月26日就HY11P562型號晶片（具自燒錄功能之OTP產品）召開產品驗證審7查會議，有條件通過該項產品之驗證審查（本院卷第2875頁）；至於原告起訴狀之附表A（本院卷第63頁）9所列被告公司晶片產品之HY10P、HY13P、HY14E、H10Y15P、HY16F18、HY16F19、HY16F39系列晶片產品迄11未經量產審查會議通過，未進行量產，其餘晶片產品經量12產審查會議通過之日期如被告公司陳報本院卷第266、13267頁表格所示（期間為98年8月21日至105年12月2146日止不等日期）。
15承前被告公司於公開說明書第46頁（本院卷第97頁）16之「公司沿革」項下所載於97年2月推出「單節鋰電池17保護晶片」，據被告公司稱該時間係指該產品已於97年182月間完成設計及工程試樣而對外發表推出，其時間是在19被告公司設立後7個月，此與被告公司說明何以進貨集中20○○電子集團之原因，而於公開說明書上所稱「更換晶圓21供應商之轉換期」至少需9個月至1年半左右的時間，並22無任何矛盾或不合理之處。再者，被告說明更換晶圓供應23商，除必須就晶片產品進行重新設計、工程試樣外，尚須24進行晶片產品的規格認可、製程兼容性認可、可靠度認可25等作業，而推出新的晶片產品，係指完成設計及工程試樣26，並未涉及更換供應商時所需之規格、製程兼容性、可靠27度認可等作業程序，故其時程較更換晶圓供應商之時程為461短，是被告公司所述並無扞格，非不足採。
2承上，被告公司於96年7月設立後7個月，於97年2月3推出「鋰電池管理晶片」之初階產品，並於同年6月開始4量產，該產品並無SRAM記憶體，無需使用SRAM電路5設計，即與被告等有無侵害原告據爭產品SRAM電路設6計之營業秘密無任何關連性。被告公司迄98年8月以後7才量產微控制器晶片產品，時間已在公司設立2年之後，8是於生產時程上並無任何不合理之處，是由上述被告公司9量產「鋰電池管理晶片」、微控制器晶片之先後時間，及10被告公司陳報本院卷第267頁自96年至100年保護晶11片及MCU晶片每年度營業額，及原告於起訴狀亦稱被告12公司具OTP自我燒錄功能的H晶片，是遲至99年以後始13推出之產品（本院卷第34頁），推估被告公司自96年147月成立前3年度之營業額，主要來自鋰電池保護晶片產15品之銷售，其與被告公司有無侵害原告據爭產品SRAM16電路設計之營業秘密無關，原告以被告公司成立後短短數17年即有不合理之營業額，推論被告有侵害原告據爭產品S18RAM電路設計之營業秘密，殊無可採。
19原告稱自然人被告○○○等係在陸續從原告離職之前，即已20著手為攜走原告資訊及成立被告公司的各項安排、擅自竊取21據爭產品設計之營業秘密云云。惟自然人被告○○○等離開22原告，分別係在94年1月14日至96年8月31日之間，誠23如前述，原告亦自認被告公司於99年才開發成功具OTP自24我燒錄功能的H晶片，於99年以後始推出產品，誠如前述25，如自然人被告○○○等人早已不法取得原告主張本件之營26業秘密，當不至於遲至99年以後始推出具OTP自我燒錄功27能之晶片，且原證5簡報第13頁所示（本院卷第313頁471），RAM僅係混合訊號晶片十數種電路之一種，其困難度2及重要性較之其它電路為低，如被告已取得原告據爭產品設3計之營業秘密，當不至於僅使用其中之SRAM電路設計。
4足證被告公司係自行開發完成H晶片之電路設計，並未使5用原告公司據爭產品設計之營業秘密。
6六、綜上所述，被告公司H晶片SRAMIP之階層式架構下所有電7路功能模組之間介面I/O接腳的定義、數量等總和及SRAMI8P模組間之設計均與原告公司據爭產品設計不同；再者，SRA9MIP可藉由還原工程得知其電路布局，是其布局圖難認係營10業秘密，況原告與被告公司SRAMIP之GDS電路布局圖（la11yout圖）並不相同或近似，此外，原告亦無法證明被告等有12以不正當方法取得或使用原告前開之營業秘密，是其提起本13件訴訟，訴請判決如聲明所示，即無理由，應予駁回。又原14告之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應併予駁回15。
16七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊、防禦方法及未經援用之17證據，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不逐一論列18，附此敘明。
19八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法20第1條，民事訴訟法第78條規定，判決如主文。
21中華民國109年1月13日22智慧財產法院第三庭23法官杜惠錦24以上正本係照原本作成。
25如對本判決上訴，須於判決送達後20日之不變期間內，向本院提26出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
27中華民國109年1月14日481書記官林佳蘋49150