臺灣新竹地方法院民事判決 96年度重智字第2號原 告 晶宏半導體股份有限公司法定代理人 丁○○輔 佐 人 乙○○訴訟代理人 洪榮宗律師
林鈺珊律師上開二人之複 代理人 丙○○
科技生活館5樓訴訟代理人 王鳳儀律師複 代理人 蕭偉浚律師被 告 矽創電子股份有限公司兼法定代理 甲○○人前列二人共同訴訟代理人 陳群顯律師
戊○○上列當事人間請求損害賠償事件，本院於民國99年3月10日辯論終結，判決如下：
主 文原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
甲、程序事項
壹、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但請求之基礎事實同一或擴張者或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項第2款、第3款定有明文。本件原告起訴原請求：（一）被告應連帶給付原告新臺幣（下同）1億元及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年利率百分之5計算之利息。（二）被告就被告矽創電子股份有限公司（下稱被告矽創公司）型號「ST7637」及其他相同或類似具有「保護層之開口寬度不大於8μm」特徵之半導體裝置產品（含成品以及半成品，以下同），不得直接或間接製造、販賣、意圖販賣而為陳列、輸出、輸入、為販賣之要約、讓與、交付、加工製造或一切處分行為；不得陳列或散布有關上述產品廣告、標貼、說明書、價目表或其他具有促銷宣傳、推介商品功能之文書或類似物件；不得就上述產品於報章雜誌或其他任何傳播媒體為廣告或引述行為；亦不得為任何使用或實施中華民國I239580號發明專利或其他侵害該等專利權之行為。（三）原告願供擔保，請准宣告假執行。
嗣於本院審理中具狀變更第2項聲明為：被告就被告矽創公司型號為「ST7637」、「ST7628」以及其他相同或類似具有「保護層之開口寬度不大於8μm」特徵之半導體裝置產品（含成品及半成品，以下同），不得直接或間接製造、販賣、意圖販賣而陳列、輸出、輸入、為販賣之要約、讓與、交付、加工製造或其他一切處分行為；不得陳列或散佈有關上述產品廣告、標貼、說明書、價目表或其他具有促銷宣傳、推介商品功能之文書或類似物件；不得就上述產品於報章雜誌或其他任何傳播媒體為廣告或引述行為；亦不得為任何使用或實施中華民國I239580號發明專利或其他侵害該等專利權之行為。經核原告上開所為訴之聲明變更，係屬擴張應受判決事項之聲明，且基於主張被告侵害其專利權之同一基礎事實，是其訴之變更合於首揭規定，應予准許。
貳、按原告得於判決確定前撤回訴之一部或全部，但是被告已為本案之言詞辯論者，應得被告之同意，民事訴訟法第262條第1項定有明文。原告於民國97年1月8日具狀撤回上開變更後訴之聲明第2項，惟被告已為本案言詞辯論，且於97年1月14日具狀不同意原告此部分之撤回，揆諸前揭法條規定，原告訴之聲明第2項之撤回不合法，應不准許。
乙、實體事項
壹、原告主張：
一、原告研發之「具有凸塊之半導體裝置」發明，獲得中華民國經濟部智慧財產局審定核准之中華民國發明第I239580號專利（下稱系爭專利），專利期間為自94年9月11日至112年11月25日止；系爭專利於92年11月26日申請，智慧財產局於94年7月1日審定准予專利。
二、系爭專利之申請專利範圍共有16項，其中第1項、第14項為獨立項，其餘為附屬項。系爭專利申請專利範圍第1項為一種具有凸塊之半導體裝置，其包括：一基板，該基板係具有一正面，該基板之該正面係形成有至少一銲墊；一保護層，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊；及至少一凸塊，其係設於銲墊上，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。系爭專利申請專利範圍第14項為一種半導體裝置之異方性導電模連接構造，包含：一半導體裝置，其係包含一基板，該基板係具有一正面，該基板之該正面係形成有至少一銲墊；一保護層，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊；及至少一凸塊，其係設於銲墊上，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電模，其係設於該載板與半導體裝置之間，該異方性導電模係包含複數個導電粒子；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊的突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者。簡言之，系爭專利之特徵之一即為「保護層之開口寬度不大於8μm」以及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」；其他特徵則為申請專利範圍第7項所述之保護層厚度為介於1μm至2μm之間，以及其系爭專利申請專利範圍第8項所示凸塊之高度係介於10至20μm。
三、查被告矽創公司未經原告之同意或授權，竟利用原告所有系爭專利技術，持續製造並販售型號為「ST7637」、「ST7628」以及其他相同或類似具有原告系爭專利「保護層之開口寬度不大於8μm」技術之產品（下稱被控侵權物品），又被告矽創公司更以低價銷售被控侵權物品於台灣及大陸等地區之廠商（其中包括原告客戶在內）之方式牟利，並侵害原告系爭專利；原告所有之系爭技術既經智慧財產局審定公告發給系爭專利在案，依專利法第56條第1項及第84條第1項之規定，原告即專有排除他人未經同意而製造、為販賣之要約、販賣、使用或為上述目的而進口該發明專利物品之權，並對他人侵害專利權之行為，得請求損害賠償及排除、防止侵害。
四、原告根據被告矽創公司於自行製作散布之產品規格書，進行專利侵害比對分析，以就被控侵權物品與原告所有之系爭專利進行侵害比對分析如下：
（一）就被告矽創公司生產製造型號為「ST7637」之產品侵害系爭專利部分，原告已取得被告矽創公司所販售之被控侵權物品之樣品及其發票，經原告送請証揚國際法律事務所，就被控侵權物與系爭專利進行專利侵害鑑定，並作成專利侵害鑑定報告，其中於第10至13頁之鑑定意見認為前述被告矽創公司產製型號為「ST7637」之半導體裝置產品之構件內容、特徵，與原告之系爭專利之專利申請專利範圍至少第1、2、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13及14項構成實質上相同，足證被告矽創公司產銷之「ST7637」產品，確實侵害系爭專利無誤；於進行第二次鑑定時，財團法人經濟科技發展研究院鑑定報告第35、36、42、43、49及50頁進一步將原告所取得之型號為ST7637之產品第一次鑑定樣品與第二次鑑定樣品進行比對，亦確認兩者為相同規格之產品，亦即均為被告矽創公司產銷之型號為「ST7637」之產品。
（二）就被告矽創公司產生製造型號為「ST7628」之產品侵害系爭專利部分，原告並於市場上取得配置有被告矽創公司所產銷型號為「ST7628」液晶螢幕驅動IC之數位相框（Digi
tal Photo Fraμme）後，送交財團法人臺灣經濟科技發展研究院進行鑑定，並出具鑑定報告確認被告產銷之「ST7628」產品之構成要件與系爭專利權之申請專利範圍構成實質相同，亦即被告矽創公司產銷之「ST7628」產品已侵害原告系爭專利；於進行第二次鑑定，財團法人臺灣經濟科技發展研究院鑑定報告第30至31頁進一步將原告所取得之ST7628第一次鑑定樣品與第二次鑑定樣品進行比對，亦確認兩者為相同規格之產品，亦即均為被告矽創公司產銷之「ST7628」產品。
（三）原告就所有取樣樣品之真正性，實已盡相當之舉證責任，被告既已自承A2070（即「ST7637」產品之內部相對應編碼）、B2066（即「ST7628」產品之內部相對應編碼）係其公司之內部編碼可知，原告進行二次鑑定所取樣之樣品均係被告之產品甚明，實無任由被告再予否認之理。
五、損害賠償之計算
（一）查被告矽創公司所生產之被控侵權物品有侵害系爭專利之情業據前述，其造成原告受有損害，原告自得依專利法第85條第1項第2款規定請求損害賠償。原告初估被告矽創公司因銷售被控侵權物品所得收入，迄今約達1億元整，茲以此為被告所得之最低利益計算原告所受損害之最低金額；另就減損商譽部分，原告亦至少受有2,000萬元之損害，為此，原告爰就所受損害暫先行於1億元之範圍內請求之，並保留其他損害賠償請求權；又查被告甲○○係擔任被告矽創公司董事長之職，為被告矽創公司之負責人，其明知或可得而知矽創公司所產銷之產品侵害原告系爭專利，違反專利法，卻仍指令或任令為之，已屬執行業務違反法令致原告受有損害，自應依上開公司法及民法之規定與被告矽創公司對原告所受之上述損害負連帶賠償責任，為此主張如訴之聲明第1項之請求。
（二）按發明專利權受侵害時，專利權人除得請求上述之損害賠償外，尚得請求排除侵害，有侵害之虞者，得請求防止之，專利法第84 條第1項亦定有明文。查原告既獲智慧財產局審定核准系爭專利，自得行使前述排除、防止侵害等權利，而被告矽創公司所產銷之侵害系爭專利，既已侵害原告所有之前開專利，原告自得如訴之聲明第2項所示，訴請排除及防止被告等之侵害行為。
六、對於被告主張系爭專利不具專利有效性之抗辯：
（一）被告矽創公司雖以系爭專利不具可專利性為由，而分別向智慧財產局提出第000000000N01號舉發案（下稱N01號舉發案）、第000000000N02號舉發案（下稱N02號舉發案），然依前述智財案件審理法之規定意旨，法院就被告之該等抗辯，仍應依法自行判斷系爭專利之有效性。
（二）就NO2舉發案部分說明如下：
1、按被告所提NO2舉發案之證據為日本特開平00-00000專利暨中譯本（下稱引證一）不足以證明系爭專利不具專利有效性。
2、應將系爭專利權利項用語「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，且不包含引證一之「小坑洞型的開口」，此為影響判斷系爭專利是否具備專利要件之重要爭點，說明如下：
⑴ 被告一再爭執系爭專利權利項用語「保護層開口」已很明
確，因此不得再參考發明說明及圖式，實乃誤解專利法第56條第3項之規定，蓋專利法第56條第3項之修法理由很明顯表示刪除舊法「必要時」之規定，而被告爭執的明確或不明確即是舊法「必要時」之一種態樣。專利法第56條第3項之修法理由並未設定什麼情形下不可以參考發明說明及圖式，其反而強調說明書所載之申請專利範圍僅就請求保護範圍之必要敘述，既不應侷限於申請專利範圍之字面，「實應」參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果。換言之，專利法第56條第3項之修法理由，顯然是要求以熟悉該項技術人士之觀點，在參考發明說明及圖式所揭示之目的、作用及效果後是否得以確定權利項用語之意義為判斷標準。其次，縱依被告之爭執理由，權利項用語明確或不明確的判斷標準並非是依照其字面來判定，專利法第56條第3項之修法理由已規定地非常清楚：「說明書所載之申請專利範圍僅就請求保護範圍之必要敘述，既不應侷限於申請專利範圍之字面意義，也不應僅被作為指南參考而已，實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果」。相反地，權利項用語明確或不明確的判斷標準應依照熟悉該項技術人士在參考發明說明及圖式所揭示之目的、作用及效果後作為判斷標準，這也就是專利法第56條第3項之修法理由所規定之「實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果」。另參原告提出蔡明誠教授作成之專家意見書指出「專利說明書之效果類似於契約，則在解釋申請專利範圍之用語自不可拘泥於字面上之文字，而應探求當事人之真意。而所謂探求當事人之真意即為專利法第56條第3項所稱之「實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果之實意」、「...對於申請專利範圍之用語解釋，應優先以所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解之內容為標準，以瞭解其界定之發明內容」、「解讀申請專利範圍不應僅是以字面上之機械式方法解讀」等語，據此，被告辯稱毋庸再審酌發明說明及圖式以確認其真正的目的、作用及效果云云，顯已違反專利法第56條第3項之規定及修法理由。查本案之權利項用語「保護層開口」依熟悉該項技術人士在參考發明說明及圖式所揭示之目的、作用及效果後均可以確認其係指「狹長型溝槽狀之保護層開口」，依專利法第56條第3項之修法理由，自然應將權利項用語「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」。據此，系爭專利之保護層開口明顯不同於引證一所揭示之「小坑洞型的開口」，被告不得再繼續無理地爭執系爭專利之保護層開口之字面意義。
⑵ N02舉發案之審查人員於解讀系爭專利之申請專利範圍時
，竟未將說明書及圖式內容所明示系爭專利之「狹長型溝槽狀」保護層開口之技術特徵納入解讀，以致於作成系爭專利不具新穎性之錯誤判斷，實屬重大誤違，為避免因N02舉發案審查人員之錯誤而造成本案審查進度上的不順利，原告於智慧財產局就NO2舉發案作成「舉發成立」審定後即97年6月18日，向智慧財產局提呈申請專利範圍更正本，將系爭專利申請專利範圍增加「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊之寬度被限定至不大於8μm」等語，此更正內容為一個下位概念，非實質擴大或變更。依專利審查基準第2-6-76頁規定「上位概念改為下位概念之更正」，係一種合法之更正。本案將原權利範圍「該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm」更正為「該保護層之該開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊方向之寬度係被限定至不大於8μm」，係將上位概念改為下位概念之更正或不明暸記載之釋明的更正，自屬合法之更正無疑，被告爭執原告之更正不合法之理由並不正確，故原告之更正並無其更正之申請顯然不應被准許之事由，依智慧財產案件審理細則第32條之規定，本案之審理自依更正後之申請專利範圍審理。
3、引證一利用「小坑洞型的開口」來黏合導電凸塊及IC上的銲墊及構成彼此的電氣導通。由於導電凸塊和IC銲墊的有效接合面積太小，即便能勉強壓合，將來也很可能會脫落，而影響產品的信賴度。在壓合的過程中，應力會集中於這個微小接合面積而導致這個開口位置容易界面裂縫。在產品長期使用過程中，微裂縫將逐漸成長而互相串聯終至斷裂，而與下層的IC銲墊電氣不穩定之導通，此有原告提出之專家鍾卓良教授專家意見書可證；且依據江國寧教授提出之模擬分析報告雖認為「小坑洞型的開口」違反物理原理，自然會造成電子遷移效應，具有重大瑕疵；又根據原告於產業界調查，引證一「小坑洞型的開口」根本無法據以實施且未被核准專利，因此市面上沒有任何產品係以3×3μm或5×5μm的「小坑洞型開口」製造，從而，引證一不具有產業利用價值，其所揭露之「小坑洞型的開口」無法為產界所利用、亦不足以促進產業發展。若允許不具產業利用性、無法促進產業發展的引證一號可以讓具有高度產業利用性的系爭專利喪失新穎性和進步性，其顯然和專利法第一條「鼓勵、保護、利用發明與創作，以促進產業發展」之立法目的背道而馳。
4、系爭專利之「溝槽型的保護層開口」係綜合考量凸塊下層之壓接性及凸塊上層之導電性，找出最佳之平衡點，用以使凸塊整體之導電性和壓接性達到最佳的效果，所製作出來的產品具有較佳之產品信賴度。然引證一完全偏向提高凸塊上層之導電性，而忽略凸塊下層之壓接性。且參原告提出江國寧教授所作出之符合科學根據之電腦模擬分析及其出具之專家意見書，即知（1）系爭專利在製造上與可實施上皆優於引證一之結構、（2）引證一號即使在多個小坑洞型金凸塊電訊通道下為避免空洞效應，其電鍍/濺鍍的速度將會大幅降低，生產成本因此提高而不符合量產競爭力、（3）引證一之「小坑洞型開口」無法避免電子遷移效應、（4）系爭專利與引證一號之結構具不同的基本特性、（5）系爭專利以至少一狹長型溝槽狀開口來實施，但可調整長邊以達成兼顧凸起區面積大於中央區面積及降低電流密度的好處，因此相較於引證一具有新穎性和進步性。
5、原告所提出美國聯邦上訴巡迴法院判決，可知美國專利實務肯認對申請專利範圍之用語之解釋應朝向使其專利權有效之方向解釋，且權利項的範圍在表面上不能確定，不代表其不明確。若發明專利對產業界的確有技術上的貢獻，則不應只因其字面上的不同解釋而導致其專利無效：法院要保護專利權人的發明貢獻，不可僅因其專利撰寫的技巧問題而判定其專利範圍無效。我國專利審查基準及專利侵害鑑定要點之編定有很大一部分是參考美國聯邦上訴巡迴法院之判決，因此美國聯邦上訴巡迴法院之判決，特別是長期一貫之法律見解，自然為系爭專利判斷之一可適用法理。
6、引證一與系爭專利之差異
⑴ 引證一之實施例3利用九個10×10μm的小坑洞型開口來黏
合導電凸塊及IC上的銲墊及構成彼此的電氣導通，其結構完全不同於系爭專利。系爭專利之「溝槽型的保護層開口」係位於中央區，而引證一之保護層開口係分散於各區域。而且引證一之實施例3之保護層開口係多個小坑洞型開口之組合，其開口寬度大於8μm，和系爭專利之「開口寬度8μm以下之溝槽型保護層開口」具有不同的結構。
⑵ 引證一目的在於縮小小坑洞型開口的平面尺寸及維持在1
μm以下深度，並希望藉由這種結構使異方性導電膜的導電粒子不會被拘束於該小坑洞型開口內，而能因此增加導電性。然而也由於小坑洞型開口的平面尺寸及深度均很小，因此即便有導電粒子掉落於小坑洞型開口上面，只要有一些外力影響，該導電粒子就很容易脫離該小坑洞型開口的上面。就製程的觀點而言，若導電粒子不被拘束住，在異方性導電膜因加熱而逐漸軟化的過程中該逃逸的導電粒子就很可能隨著異方性導電膜內樹脂的流動而逃逸出凸塊表面。反之，系爭專利之「溝槽型的保護層開口」的目的在於限制異方性導電膜之導電粒子之運動，和引證一之「小坑洞型的開口」必然會促進異方性導電膜之導電粒子之運動，兩者之功效和目的不同。由於系爭專利之「溝槽型的保護層開口」較引證一號之「小坑洞型的開口」更能捕捉和保留更多的導電粒子，大幅降低如引證一之相鄰導電凸塊短路的機率，且提高接合性和導電性。
7、系爭專利之附屬項具有新穎性和進步性：系爭專利之第3項進一步限定「該凸塊之該突起區與該中央區之高度差係不小於1μm」，及第7項進一步限定「該保護層之厚度係介於1至2μm」，其目的在於進一步限制導電粒子之運動，和引證一必需將其小坑洞型開口維持在1μm以下深度完全不同。又「專利審查基準」第2-3-29頁規定，「進步性之審查不得以發明說明中循序漸進、由淺入深的內容所產生的「後見之明」作成能輕易完成的判斷，逕予認定發明不具進步性；而應將申請專利之發明的整體與相關先前技術進行比對，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時的通常知識之觀點，作成客觀的判斷」，及專利審查基準第2-3-20頁規定，「若兩技術內容所揭露之必要技術特徵先天即不相容，則其技術內容的組合並非明顯」，換言之，「後見之明」係指審查人員應避免於瞭解專利案之技術內容後對系爭專利之進步性做成偏低之評斷，特別是審查人員利用系爭專利為指引，將個別的引證案以「拼圖」的方式予以結合，並據以稱系爭專利不具進步性。查引證一之技術特徵在於將開口之平面尺寸縮至最小，完全偏向提高凸塊上層之導電性，而忽略凸塊下層之導電性及壓接性。然而系爭專利第1圖之習知技術傾向採用較大的保護層開口，用以提高凸塊下層之導電性及壓接性，而忽略凸塊上層之導電性。顯見引證一和系爭專利第1圖之習知技術之目的及其技術手段彼此相互衝突，先天即不相容且無法予以結合。是依據前開基準之規定，引證一不足以證明系爭專利第3、7項不具進步性。
（三）NO1舉發案部分說明如下：
1、按被告所提NO1舉發案之證據，包含頎邦科技出具之設計規範書（下稱引證二）、米輯科技（現為飛信半導體）出具之設計規範書（下稱引證三）、飛利浦Oμm6208技術規格書（下稱引證四）、飛利浦Oμm6202/2晶片檢測報告認證本（下稱引證五）、NOKIA3410手機及其晶片模組之檢測報告認證本（下稱引證六）等。
2、就引證二頎邦科技出具之設計規範及引證三米輯科技（現為飛信半導體）出具之設計規範，本身處於保密狀態，其每頁下方均有保密警示文句，依專利審查基準第5-1-25頁規定「若證據所揭露之技術係負有保密義務之人所知悉且未洩漏者，則非屬先前技術。」，換言之，該等文件並非置於不特定第三人得以閱覽的狀態，亦不是以公開發行為目的，因此不是專利法第22條第1項第1款所指之「刊物」，被告主張該文件係屬公開文件云云，顯屬無據。是引證
二、三號設計文件，應非屬「先前技術」之範疇甚明，自不得援引為認定系爭專利是否不具可專利性之證據。另被告稱引證二之生效日即為其公開日，僅係被告之沒有根據的臆測之詞，依商業上的經驗法則，生效日不等於公開日，生效日至多只表示資料準備好了，在正式公開前（在此僅假設有公開）仍有其他商業上的條件要滿足，並非僅考量技術上的因素，是以不足以證明該等文件之公開日早於系爭專利之申請日。
3、縱認引證二、引證三具有證據能力，但引證二、引證三只是凸塊業者的設計規範，簡單說只是製造工具，僅代表在某一尺寸內其有足夠的製程能力製造，並無教示系爭專利之最終產品和設計概念的能力，且系爭專利之保護層開口等技術特徵利用半導體製程製作出來後，才進入金凸塊製程，並且系爭專利明確揭示將保護層開口寬度限定至8μm以下，具有進步性；引證二、引證三的製程臨界要求和系爭專利的最終產品是兩種不同的層次以及不同的技術領域的概念，不僅完全未提到系爭專利所欲解決的問題，甚至反面教示不要使用系爭專利的技術。在系爭專利申請日前，習知技術均傾向採用較大的保護層開口，用以提高凸塊下層之導電性及壓接性，引證
二、三也不例外，結構即採用較大的保護層開口，缺乏動機採用8μm以下之技術。因此，被告所提引證二、引證三不足以證明系爭專利不具新穎性和進步性。
4、就被告所提之NO1號舉發案之證據，其引證四、五、六之證據不具證據能力，亦不足以證明系爭專利不具專利有效性：
⑴ 系爭專利申請專利範圍之「保護層開口寬度」係指相鄰銲
墊方向所量測出來的數值，更正後之申請專利範圍巳明確定義。引證四、五、六所揭示的保護層開口應分別為15.3μm/25.7μm、29.1μm及16.0μm/26.5μm，與系爭專利之專利申請專利範圍之不大於8μm不同。
⑵ 引證四、五、六之驅動IC晶片的保護層開口上方有多條穿
越銲墊之橫向電源線，若將保護層開口旋轉九十度而成為縱向型的保護層開口，勢必和該等橫向電源線衝突而形成短路，而導致電路失效，因此不足以證明系爭專利不具進步性。
⑶ 引證四號所稱CBB opening語焉不詳，且無法從其他文件
得到印證，其所指之CBB opening究竟對應為保護層那一個位置、那一個方向和那一種功能的開口則未能得知，自無從和系爭專利比較。
（四）綜上所述，本件系爭專利確實具有可專利性，智慧產局於N01及N02舉發案中認定系爭專利不具可專利性，而應予撤銷云云，其認定顯有重大瑕疵，要無可採。
七、對於被告抗辯原告所提証揚國際法律事務所鑑定報告不足採之抗辯：上開鑑定報告雖係以照片及產品規格書等相關鑑定資料進行鑑定，然該等資料係由第三專業機構閎康科技股份有限公司就被控侵權物品實物之各項零件逐一進行拆解並拍攝照片及記錄各項資訊為證，則該等照片及資訊搭配被告公司網站上公開之產品規格，業已提供鑑定機構有關被控侵權物品充分且完整之資訊，足為據以作成鑑定，是該鑑定報告雖未進行實物鑑定，亦僅係鑑定之方法不同而已，並不影響鑑定之結論，則被告之主張即無足採。
八、對於被告所提財團法人台灣電子檢驗中心針對「ST7637」及「ST7638」產品之不侵權鑑定報告，稱被控侵權物品未侵權之抗辯：查被告所提上開不侵權鑑定報告之鑑定樣品是否確係被告本身之產品？被告並未加以證明，蓋被告提出之不侵權鑑定報告內並未檢附鑑定樣品之詳細照片，以顯示該樣品確係屬於被告公司產品之特徵；被告所提之不侵權鑑定報告第13頁之均等論列表比對並未踐行「均等論」鑑定之規範。在該列表中，僅簡要地敘述本專利案獨立申請專利範圍1之手段為將保護層之開口寬度限定至不大於8μm，而未探討待鑑定物ST7637產品是否採用獨立申請專利範圍1之實質相同的技術手段。簡言之，不侵權鑑定報告僅將「全要件原則」之比對結果複製至「均等論」比對，但未實質進行「均等論」比對。不侵權鑑定報告提及ST7637產品之技術手段非僅限制保護層開口寬度即可達成，但卻又未述及理由，實屬不知所云；究竟ST7637產品之技術手段為何，也未明示，顯然不符合侵害鑑定要點。
九、綜上而論，被告不法侵害原告系爭專利，並造成原告受有損害，事證明確，原告爰依專利法第84條第1項、專利法第85條第1項第2款以及民法第28條請求被告為損害賠償以及相關防止、排除專利權侵害行為，並聲明：（一）被告應連帶給付原告1億元及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日為止，按年利率百分之5計算之利息。（二）被告就被告矽創公司型號為「ST7637」、「ST7628」以及其他相同或類似具有「保護層之開口寬度不大於8μm」特徵之半導體裝置產品(含成品及半成品，以下同)，不得直接或間接製造、販賣、意圖販賣而陳列、輸出、輸入、為販賣之要約、讓與、交付、加工製造或其他一切處分行為；不得陳列或散佈有關上述產品廣告、標貼、說明書、價目表或其他具有促銷宣傳、推介商品功能之文書或類似物件；不得就上述產品於報章雜誌或其他任何傳播媒體為廣告或引述行為；亦不得為任何使用或實施中華民國I239580號發明專利或其他侵害該等專利權之行為。（三）原告願供擔保，請准宣告假執行。
貳、被告抗辯：
一、原告系爭專利業經被告提起舉發，並由經濟部智慧財產局二度審定「舉發成立，應撤銷專利權」在案，原告之訴願及行政訴訟亦均遭駁回，謹詳列相關舉發案之審理進度暨結果如下：
（一）N02舉發審定係於97年6月11日作成，主文為「舉發成立，應撤銷專利權」，經濟部嗣於同年10月27日駁回原告之訴願，原告猶未甘服，提起行政訴訟，亦經智慧財產法院於98年5月7日以97年行專訴字第85號判決「原告之訴駁回」在案，現由原告上訴最高行政法院審理中。
（二）N01舉發審定則係於97年8月15日作成，主文為「舉發成立，應撤銷專利權」，案經智慧財產局重為審查，仍於98年7月21日作成「舉發成立，應撤銷專利權」之審定，經濟部嗣於99年1月5日駁回原告之訴願。
（三）另查原告雖辯稱已提出專利範圍更正申請，請求法院併予審酌更正後之專利範圍云云，惟查其更正申請係於智慧局於97年6月11日作成N02舉發案之「舉發成立，應撤銷專利權」審定後，為混淆法院之判斷，於97年6月18日始行提出者，依據現行司法實務見解，此種於行政救濟程序中提出之更正，即非法之所許，更何況此一更正申請亦經智慧財產局於97年8月15日以N01舉發審定書併予駁回，系爭專利N01號舉發訴願決定書亦認本件更正不符專利法第64條第2項之規定，應不予准許。本案自應依系爭專利原公告核准之範圍為有效性之認定。
二、系爭專利申請專利範圍之各項技術特徵，已為引證一所揭示，故不具新穎性、進步性：
（一）系爭專利申請專利範圍第1項中所界定之「保護層開口」，不得任意限縮解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」，而與引證一區隔：
1、然按「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準」，專利法第56條第3項前段定有明文，該項後段「得審酌發明說明及圖式」以解釋專利權之範圍之規定，係僅於專利權之範圍記載「不明確」而須予以解釋時，始有其適用，原則上仍不得逕以發明說明中有記載而未記載於申請專利範圍中之其他發明技術特徵或功效，來做為判斷該申請專利範圍是否具有新穎性或進步性等可專利性之依據，此為歷來行政法院實務暨專利審查基準明示揭櫫之見解、N02舉發案訴願決定書亦闡述甚明。由於系爭專利「保護層開口」一詞之意義本即十分明確，本無另行解釋之必要，此觀系爭專利申請專利範圍中除對「保護層開口之一寬度」限定為不大於8μm外，對於另一維度（長度）及開口深度（高度）均無任何限制即可察知；換言之，系爭專利對於保護層開口之形狀為何，並無特殊之界定或限制，其申請範圍之文義本即涵蓋各種可能形狀之開口，而系爭專利之「申請專利範圍」既未對保護層開口之另一維度（長度）為任何限制，又何來原告事後所稱「狹長型溝槽狀」可言？更何況原告當庭亦坦承系爭專利「申請專利範圍」之文字中並未有「狹長型溝槽狀」等限制條件，適足證明原告事後將保護層開口解釋為「狹長型溝槽狀」，顯乏依據。
2、原告稱本件應依專利法第56條第3項後段參酌發明說明及圖式之內容以解釋申請專利範圍，然原告亦自認其發明說明或圖式中根本沒有「狹長型溝槽狀」等文字之記載，又原告雖辯稱系爭專利說明書第9頁有記載：「該開口114之寬度係不大於8μm，較佳地，係介於3至8μm，其長度係介於40至80μm」等語，可推知其保護層開口係「狹長型溝槽狀」云云。惟前揭文句僅係其「發明說明」中一種「實施方式」說明而已，該段文字亦清楚記載：「參閱所附圖式，本發明將列舉以下之實施例說明。依本發明之第一具體實施例，……在本實施例中，……該開口114之寬度係不大於8μm，較佳地，係介於3至8μm，其長度係介於40至80μm」，明顯可見原告所引述之文句僅係其一種實施例之說明，並非用以限制「申請專利範圍」之技術特徵。而實施例僅係發明專利眾多實施方法之一例示，屬於申請專利範圍之具體化下位概念，目的係便於公眾理解專利之技術內容，並不得事後用於限制、變更保護層開口之定義，而據以主張其技術特徵與先前技術不同。系爭專利之申請專利範圍、說明書及圖示中既從未記載「狹長型溝槽狀」等限制條件，事後即不得逕自援引主張為其技術特徵，至為顯然。
3、按「用於解釋申請專利範圍之證據包括內部證據與外部證據。若內部證據足使申請專利範圍清楚明確，則無須考慮外部證據。若外部證據與內部證據對於申請專利範圍之解釋有衝突或不一致者，則優先採用內部證據。」專利侵害鑑定要點第30頁「解釋申請專利範圍之證據」節撰述甚明，其中「申請專利範圍之文字」即屬首要之內部證據，應優先審酌；而其餘所屬技術領域中具有通常知識者之見解或觀點，則屬於外部證據，於內部證據足夠具體明確時，外部證據即無須審酌。而原告提出之南茂科技、飛信半導體私人信件及鍾卓良教授、江國寧教授意見，概屬外部證據，法院僅須參酌系爭專利申請專利範圍之文字（內部證據），即可清楚明確地察知系爭專利申請專利範圍之文義解釋本即涵蓋各種可能形狀之開口，並未排除其他形狀或其他實施例，而限縮申請專利之解釋範圍等情，為智慧財產法院97年行專訴字第85號判決第15頁具體指摘，是依據「內部證據優先於外部證據」、「內部證據中以申請專利範圍為準」等原則，自無再予審酌前述外部證據之必要，應無疑義。
4、原告另主張引證一不具產業利用性，不應因此使系爭專利喪失新穎性或進步性云云。惟按新穎性要件之論斷，在於系爭專利申請專利範圍中界定之技術特徵是否已為先前技術所揭露，與該先前技術專利案是否具備專利要件無涉，引證一公開遠早於原告專利申請日，乃先前技術，自得據以審查系爭專利相較於該先前技術是否具有新穎性及進步性，此與引證一本身是否具有產業利用價值及其高低無涉。原告又稱引證一日本特開平00-00000號專利之導電性不佳、易於斷裂、易產生金屬掏空，而系爭專利則無此等缺失云云，然該等功效之改善完全未記載於系爭專利之申請專利範圍，並非系爭專利所請求之技術特徵，自不可援引用以與先前技術區隔，而原告當庭亦未能指出系爭專利申請專利範圍中，究竟何處有記載此等功效增進，原告據此主張系爭專利具有新穎性及進步性，自屬無據。
（二）原告主張系爭專利申請專利範圍第1項「保護層開口寬度限定於不大於8μm」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」之主要技術特徵，均為引證一所揭示，不具新穎性：
1、「保護層開口寬度限定於不大於8μm」之技術特徵，已為引證一所揭示；引證一係在半導體晶片技術中，在電極上形成導電凸塊之結構及方法，其除揭示該半導體裝置包含基板、銲墊、保護層、凸塊等技術內容外，亦已段落【0017】中（中譯文參聲證十號證據4第11頁）揭示保護層的開口面積，尺寸為3×3μm~10×10μm，以其單側尺寸為3~10μm之技術特徵觀之，系爭專利申請專利範圍第1項獨立項所界定之「該保護層之該開口之ㄧ寬度係被限定至不大於8μm」技術特徵，已為引證一所揭示，二者在形式上及實質上均無任何差異，N02號舉發審定書暨該行政訴訟判決均明確肯認此點。
2、「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」之技術特徵，亦已為引證一所揭示：引證一段落【0027】【表1】（中譯文參聲證十號證據4第14-15頁）之實施例1已揭露中央區之面積為1.96μm2，而突起區面積＝凸塊面積－中央區面積＝4225μm2－1.96μm2＝4223.04μm2，其突起區面積（4223.04μm2）遠大於中央區之面積（1.96μm2），系爭專利之申請專利範圍第1項之技術特徵「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」及其第2項附屬項「俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積」、「該頂面之面積係不小於該銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍」之技術特徵，已為引證一所揭示，二者完全相同，在形式上及實質上均無任何差異，N02號舉發審定書暨該行政訴訟判決均明確肯認此點。
3、綜上，引證一所揭示者與系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵完全相同，在形式上及實質上均無任何差異，足證系爭專利申請專利範圍第1項於申請前已見於刊物，不具新穎性。
（三）系爭專利申請專利範圍第2項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該頂面之面積係不小於該銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍。」與引證一所揭示之凸塊頂面面積均大於銲墊顯露於該保護層之面積（即保護層開口面積）之兩倍（4223.04μm2＞1.96μm2之兩倍）者完全相同，在形式上及實質上均無任何差異，故系爭專利申請專利範圍第2項自不具新穎性。
（四）原告辯稱引證一與系爭專利所載之習知技術先天不相容，不得予以結合云云，惟引證一與系爭專利之目的均在改善半導體裝置與凸塊之導電性，引證一之【0032】段落已載明「根據本發明，將能夠縮小導電凸塊表面的凹陷之平面尺寸及深度，其結果將能夠增加導電凸塊上有助於導通之導電粒子數而提高半導體裝置的組裝可靠性」等內容，足見引證一之發明確可有效解決系爭專利發明說明中先前技術部分所載「當具有該凸塊之晶片利用一異方性導電膜與一電路板之接合墊接合時，該凸塊需擠壓該異方性導電膜，以藉由該異方性導電膜內之導電粒子與該電路板電性連接，習知之導電粒子之外徑為6μm，當該導電粒子之外徑縮小至3μm時，由於回字效應使得在該中央區與該接合墊之間之導電粒子無法有效接合，而影響電性能。」之技術課題；另引證一亦未限制不能將保護層厚度或保護層開口平面尺寸增加或擴大，致與系爭專利所載之先前技術內容不相合之反面教示，足見兩者本屬同一技術領域，自為所屬技術領域中具有通常知識者所能理解且能輕易予以結合運用者，並無原告所稱先天不相容致無法予以結合之情事。就系爭專利申請專利範圍第3項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該凸塊之該突起區與該中央區之高度差係不小於1μm。」加以分析，由於系爭專利說明書第7頁末2-3行發明說明中有關先前技術部分已載明：「該凸塊的突起區與該中央區之高度差約為2μm」，故結合系爭專利所載之習知技術與引證一得證明本項為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，故系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。
（五）就系爭專利申請專利範圍第4項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該凸塊係呈方柱狀與圓柱狀之其中之一」加以分析，由於凸塊形狀在系爭專利之說明書敘述中，並無對應之功效說明，亦非賴以與先前技術間達成發明特徵之部分；再者，引證一之【0017】段已揭示該凸塊面積範圍為900μm2（30×30μm）二維尺寸，故系爭專利申請專利範圍第4項進一步界定之「凸塊係呈方柱狀與圓柱狀之其中之一」等形狀之技術特徵，係為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一所揭示凸塊所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（六）就系爭專利申請專利範圍第5項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該凸塊係為非可迴銲性之導電凸塊〔non-reflowable conductive bump〕。」加以分析，該所謂「非可迴銲性」係指形成該導電凸塊之方式，其本質上仍是導電凸塊，而引證一已有揭示導電凸塊，故系爭專利申請專利範圍第5項之技術特徵，亦係所屬技術領域中具有通常知識者依引證一所揭示之導電凸塊所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（七）就系爭專利申請專利範圍第6項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該凸塊之材質係選自於金、銅、鋁與其合金之其中之一。」加以分析，此材質之選擇係屬凸塊製程領域之習知技術，此技術領域中，具有通常知識者可輕易擇用為凸塊之材質，且此等材料選擇亦非系爭專利賴以與先前技術間達成發明特徵之部分；再者，系爭專利說明書所載習知技術中已揭示該凸塊係以金為材質所製成，故系爭專利申請專利範圍第6項之技術特徵，亦為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一所揭示凸塊及系爭專利說明書所載習知技術揭示之凸塊材質之組合所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。原告辯稱引證一與系爭專利所載之習知技術先天不相容，不得予以結合部分，亦如前述申請專利範圍第3項之比對所述，茲不贅述。
（八）就系爭專利申請專利範圍第7項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該保護層之厚度係介於1至2μm。」加以分析，由於引證一之【0018】段已有揭示形成該保護層厚度約1μm，且保護層的厚度本就可藉成長保護層的沉積時間予以調整，故系爭專利申請專利範圍第7項之技術特徵亦為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一所揭示之保護層所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（九）系爭專利申請專利範圍第8項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該凸塊之高度係介於10至20 μm。」與引證一之【0012】段或引證一申請專利範圍第4項所揭示該凸塊高度為10至20μm相當，故不具進步性。
（十）系爭專利申請專利範圍第9項及第10項分別為：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該銲墊之間距係不大於100μm。」、「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該銲墊之間距係不大於50μm。」加以分析，銲墊之間距並無法對系爭專利之可專利性形成任何貢獻，與引證一相較，該等構成要件顯係所屬技術領域中具有通常知識者依引證一圖8所揭示之銲墊佈置之實施例而可輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（十一）系爭專利申請專利範圍第11項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該基板係選自於晶圓、晶片與晶片尺寸封裝〔Chip Scale Package，CSP〕之其中之一。」與引證一相較；引證一之【0018】段已揭示「圖3說明在IC主面上形成電極銲墊之製程。在以晶圓的形式所提供的IC1的主面（在矽基板內及基板上已經形成有規定的電路、配線、層間絕緣膜等...）上... 」之技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第11項亦為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一之先前技術所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（十二）系爭專利申請專利範圍第12項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其中該基板係為面板驅動晶片〔driver IC〕。」與引證一相較，引證一之【0014】段已揭示液晶顯示面板之驅動IC，故系爭專利申請範圍第12項亦為所屬技術領域中具有通常知識者由引證一之先前技術所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（十三）系爭專利申請專利範圍第13項：「如申請專利範圍第1項所述之具有凸塊之半導體裝置，其另包含一凸塊下金屬層〔Under Bump Metallization layer，UBM layer〕，其係設於該凸塊與該銲墊之間。」加以分析，由於系爭專利說明書所載之習知技術中已揭示在晶圓上形成一凸塊下金屬層，且引證一已揭示銲墊等技術，故系爭專利申請專利範圍第13項亦為所屬技術領域中具有通常知識者藉由引證一及系爭專利說明書所揭示之先前技術所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。原告辯稱引證一與系爭專利所載之習知技術先天不相容，不得予以結合部分，亦如前述申請專利範圍第3項之比對所述。
（十四）系爭專利申請專利範圍第14項：「一種半導體裝置之異方性導電膜連接構造，包含：一半導體裝置，其係包含一基板，該基板係具有一正面，該正面係形成有至少一銲墊及一保護層，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊，該銲墊上係設有一凸塊，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電膜，其係設於該載板與該半導體裝置之間，該異方性導電膜係包含有複數個導電粒子；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊之突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者。」其中，前言部分所界定之「基板」、「銲墊」、「保護層」、「保護層開口」、「凸塊」等習知結構及「保護層開口寬度限定於不大於8μm 」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」等技術特徵，均如前述第1項之比對所述已為引證一所揭示；本項新增之構成要件係「一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電膜，設於該載板與該半導體裝置之間，該異方性導電膜係包含有複數個導電粒子」，然查：引證一於段落【0001】、【0005】、【0014】及【0031】等（中譯文如聲證十號證據4第8、9、11、15、16頁），已揭示「液晶玻璃面板上設有一電極」、「以異方性導電膜（ACF）電性連接於載板與半導體裝置之二基板之間」、「異方性導電膜係由混有具導通作用的數μm的導電粒子之黏著劑所構成」等技術內容，故系爭專利申請專利範圍第14項之技術特徵已為引證一所揭示，二者完全相同，在形式上及實質上均無任何差異，該申請專利範圍於申請前已見於刊物，不具新穎性。
（十五）系爭專利申請專利範圍第15項：「如申請專利範圍第14項所述之之半導體裝置之異方性導電膜連接構造，其中該些導電粒子之粒徑係不大於6μm。」與引證一相較，引證一之【007】段已揭示導電粒子外徑為3~5μm之技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第15項之技術特徵當為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一之先前技術所能輕易完成者，故不具進步性。
（十六）系爭專利申請專利範圍第16項：「如申請專利範圍第14項所述之之半導體裝置之異方性導電膜連接構造，其中該保護層之該開口被限定寬度不大於該些導電粒子之粒徑的兩倍。」與引證一相較，引證一已揭示開口寬度為3~10μm之技術特徵；引證一之第【007】段亦揭示導電粒子外徑為3~5μm之技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第16項之技術特徵當為所屬技術領域中具有通常知識者依引證一之先前技術所能輕易完成者，亦不具進步性。
（十七）綜上，引證一已揭示系爭專利各項技術特徵，系爭專利申請專利範圍第1、2、8、14項不具新穎性；第3-7、9-
13、15 -16項不具進步性，具有應撤銷專利權之原因。
三、系爭專利申請專利範圍各項之技術特徵，均已為引證二、引證三、引證四、引證五、引證六所揭示，不具新穎性、進步性：
（一）引證二、引證三確具證據能力：查引證二、引證三之性質係提供給所有相關產業界之不特定多數客戶參考之設計規範，客戶始能據此設計產品，並委託凸塊製程業者製造，其性質本即係提供予業界流通參考之用，並非機密文件，此觀頎邦科技聲明書所載：「本聲明所示之文件為提供予相關業務之客戶，作為金凸塊設計之規範與依據」及飛信半導體之聲明書所載：「提供Design Rules of Gold Bump
Process文件編號：4-FEPI-001予包括但不限於矽創電子股份有限公司等客戶。該文件係用於提供上述客戶進行有關金凸塊製程技術的產品設計及委託加工、製造之用。」之內容即可明瞭。原告亦早已持有頎邦科技之金凸塊設計規範，並早於96年8月2日即逕行交付與第三人鑑定機關台經院，自原告輕易取得、可任意散佈該等設計規範之行為即可知，該等設計規範並非機密文件，無須保密，足證該等設計規範確實已處於公眾所得知悉之狀態，至少為「申請前已為公眾所知悉者」之情形，可證明系爭專利不具新穎性或進步性。原告辯稱該等設計規範並非公開文件云云，不足為信。
（二）系爭專利申請專利範圍第1項界定之保護層開口「寬度」，不得事後強予解釋為「相鄰銲墊方向所量測出來之數值」，而與引證五、六區隔：
1、按「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準」，而關於保護層開口「寬度」之意義，系爭專利申請範圍中既未載明有何特殊之定義，自應回歸「寬度」一詞本身之意義而認定之，而不論依文義或一般具有通常知識者之認知，均咸認「長方形之二邊長中，長邊為長，短邊為寬」，此觀原告所提出原證26號之財團法人臺灣經濟科技發展研究院鑑定報告、被告所提被證4、5之電檢中心鑑定報告、專業檢測機構閎康公司出具之檢測報中，均不約而同以「短邊為寬度」之方式認定保護層開口之寬度，即可明瞭。
2、原告雖於庭期辯稱其限縮解釋之依據為系爭專利說明書第9頁：「該銲墊之間距係不大於100μm，較佳地，係不大於50μm，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊，該開口之寬度係不大於8μm，較佳地，係介於3至8μm，其長度係介於40至80μm」等記載，惟該段文字明顯一望即知，僅係就實施例中銲墊、保護層、開口等構造之尺寸一一予以說明而已，完全無法解讀出保護層開口寬度必須依據相鄰銲墊方向而量測之涵義。此外，保護層開口與銲墊為不同之構造，保護層開口之寬度為何，理當依據保護層開口本身來界定，與銲墊之方向或尺寸無涉。而究竟保護層開口之寬度與相鄰銲墊之方向有何邏輯上或技術上之關聯？何以保護層開口之寬度不適用具有通常知識者所習知「長邊為長度，短邊為寬度」之定義，而須依照相鄰銲墊之方向而量測？令人難以理解。此外，原告所引述之該段文字僅係其「發明說明」中之「實施方式」，並非「申請專利範圍」之限制條件，已如前述，況且系爭專利申請範圍暨發明說明、圖式均未提及保護層之「寬度」係指「相鄰銲墊方向所量測出來之數值」，難認原告主張為有理由。此外，原告自行援引之系爭專利說明書第9-10頁：
「保護層開口之寬度係不大於8μm，其長度係介於40μm至80μm」等記載可知，系爭專利說明書同樣亦係以長方形之長邊為長度、短邊為寬度的方式定義何謂保護層開口之「寬度」，更適足證明被告主張短邊為「寬度」，長邊為「長度」之解釋始為正確。
（三）系爭專利申請專利範圍第1項技術特徵與各引證證據之比對：
1、系爭專利申請專利範圍第1項前言部分之「基板」、「銲墊」、「保護層」、「保護層開口」、「凸塊」等習知結構，均屬先前技術之範疇，且各習知結構均已見於諸引證證據，此為原告所不爭執。
2、「保護層開口寬度限定於不大於8μm」、「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」之技術特徵，已為下列各件引證案所揭示：
⑴ 引證二於4/6頁已揭露一種保護層開口寬度為8μm之金凸
塊製程設計範例；亦揭露一種中央區面積為179.2μm2，突起區面積為404μm2之金凸塊，其突起區面積大於中央區面積，故已揭示此2項技術特徵
⑵ 引證三於3/5-4/5頁已揭露一種保護層開口寬度為5μm 之
金凸塊製程設計範例；亦已揭露一種中央區面積為460μm2，突起區面積為840μm2之金凸塊，其突起區面積大於中央區面積，故已揭示此2項技術特徵。
⑶ 引證四第61頁已揭示輸出端（Row/Column side）與介面
端（Interface side）所採用之二種凸塊規格，而該二種凸塊規格之保護層開口寬度均為5.4μm，已揭示此項特徵。原告雖辯稱不能確認引證四中「Passivation CBBopening」一詞之涵義即係指「保護層開口」而言，然由飛利浦公司歷來之晶片產品規格書可知，該公司所使用之「Passivation opening CBB」、「Passivation openingatpad」或「CBB opening」等詞語，均係指相同之意義，即銲墊上之保護層開口，是引證四確已揭示相關之保護層開口技術特徵；同時亦已揭露輸出端（Row/column side）與介面端（Interface side）所採用之二種凸塊規格，其中輸出端之凸塊之中央區面積為82.62μm2，突起區面積為2887. 38μm2；介面端之凸塊之中央區面積為138.78μm2，突起區面積為3641.22μm2，該二種凸塊之突起區面積均大於中央區面積，已揭示「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」之特徵。
⑷ 引證五中飛利浦OM6206-2晶片檢測報告第11頁顯示，該晶
片銲墊上之保護層開口（Pad Opening）尺寸為29.1μm×6.5μm，其寬度為6.5μm，已揭示「保護層開口寬度限定於不大於8μm」特徵。至原告辯稱引證五之保護層開口寬度應為29.1μm而非6.5μm云云，其主張顯與一般具有通常知識者對於短邊為「寬度」之認知不合，要無足採。該檢測報告第9、11頁顯示，該晶片凸塊之中央區面積為189μm2，突起區面積為3752μm2 ，其突起區面積大於中央區面積，故已揭示此2項技術特徵。
⑸ 引證六報告第24頁顯示，該晶片輸出端（output side ）
與介面端（input side）所採用之二種凸塊規格尺寸分別為16.0μm×6.8μm及26.5μm×6.5μm，其寬度分別為6.8μm及6.5μm，已揭示「保護層開口寬度限定於不大於8μm」特徵。至原告辯稱引證六之保護層開口寬度應為16μm及26.5μm，而非6.8μm及6.5μm云云，惟其主張顯與一般具有通常知識者對於短邊為「寬度」之認知不合，要無足採。該報告第24頁亦顯示該晶片輸出端（output side）與介面端（input side）所採用之二種凸塊規格中，輸出端之凸塊之中央區面積為109μm2，突起區面積為2962μm 2；輸入端之凸塊之中央區面積為172μm2，突起區面積為3470μm2，該二種凸塊之突起區面積均大於中央區面積，已揭示凸塊突起區之面積大於中央區之面積」特徵。
3、綜上，引證證據所揭示者與系爭專利申請專利範圍第1項完全相同，在形式上及實質上均無任何差異，足證該申請專利範圍於申請前已見於刊物，而不具新穎性。
（四）系爭專利申請專利範圍第2項：經由前述系爭專利申請範圍第1項之比對說明即可知，引證二、四、五、六中所揭示之凸塊頂面面積均大於銲墊顯露於該保護層之面積（即保護層開口面積）之兩倍，已揭示此項特徵，故系爭專利申請專利範圍第2項不具新穎性。
（五）系爭專利申請專利範圍第3項：由於系爭專利說明書第7頁末2-3行發明說明中有關先前技術部分已載明：「該凸塊的突起區與該中央區之高度差約為2μm」，故結合系爭專利所載之習知技術與引證二、三、四、五、六所揭示之凸塊得證明本項為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，不具進步性。
（六）系爭專利申請專利範圍第4項：由於凸塊之形狀為方柱狀與圓柱狀在系爭專利之說明書敘述中，並無對應之功效說明，亦非賴以與先前技術間達成發明特徵之部分，再者，該凸塊之形狀亦係所屬技術領域中具有通常知識者依引證
二、三、四、五、六中所揭示之凸塊所能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。
（七）系爭專利申請專利範圍第5項：系爭專利之凸塊係非可迴銲性之導電凸塊〔non-reflowable conductive bump〕，所謂「非可迴銲性」係指形成該導電凸塊之方式，其本質上仍是導電凸塊，而引證二、三、四、五、六均已揭示導電凸塊，是本項係所屬技術領域中具有通常知識者依各引證案所揭示之導電凸塊所能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性。
（八）系爭專利申請專利範圍第6項：系爭專利凸塊之材質選自於金、銅、鋁與其合金之其中之一，此乃材質之選擇係屬凸塊製程領域之習知技術，此技術領域中，具有通常知識者可輕易擇用為凸塊之材質，且此等材料選擇亦非系爭專利賴以與先前技術間達成發明特徵之部分；再者，系爭專利說明書所載習知技術中已揭示該凸塊係以金為材質所製成，是本項亦為所屬技術領域中具有通常知識者依引證二、三、四、五、六所揭示凸塊及系爭專利說明書所載習知技術揭示之凸塊材質之組合所能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第6項不具進步性。
（九）系爭專利申請專利範圍第7項：系爭專利之保護層厚度係介於1至2μm，由於保護層的厚度本就可藉成長保護層的沉積時間予以調整，是本項之技術特徵亦為所屬技術領域中具有通常知識者依引證二、三、四、五、六所揭示之保護層所能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性。
（十）系爭專利申請專利範圍第8項：系爭專利凸塊之高度係介於10至20μm，與諸引證案比對，引證二第5/6頁已揭示其凸塊高度（Bump Height）可為3-25μm；引證四第61頁已揭示其輸出端（Row/column side）與介面端（Interfaceside）所採用之二種凸塊規格之凸塊高度（Bump Height）均為15μm；引證五第10頁已顯示其凸塊高度（Bump Height）為16.5μm；引證六第17、20頁已顯示該晶片輸出端（output side）與介面端（input side）所採用之二種凸塊規格中，輸出端凸塊之高度（Bump Height）為14.1μm ；介面端凸塊之高度（Bump Height）為14.4μm，可證明該技術特徵已為各引證案所揭露，本項應不具新穎性。
（十一）系爭專利申請專利範圍第9項及第10項分別為：銲墊之間距並無法對系爭專利之可專利性形成任何貢獻，且該等技術特徵亦已為各引證案所揭露，故系爭專利申請專利範圍第9項及第10項當不具新穎性：引證二第4/6頁已揭示其凸塊間距為10μm，而因銲墊間距必然略小於凸塊間距，是引證二已揭示小於10μm之銲墊間距；引證三第3/5頁已揭示其凸塊間距為7μm及10μm，而因銲墊間距必然略小於凸塊間距，是引證二已揭示小於7μm及10μm之銲墊間距；引證四第61頁已揭示其輸出端（Row/column side）與介面端（Interface side）所採用之二種凸塊規格之銲墊間距（PadPitch）分別為51.84及63μm；引證五第11頁已顯示其銲墊間距為22μm；引證六第18、21頁已顯示該晶片輸出端（output side）與介面端（input side）所採用之二種凸塊規格中，輸出端凸塊之銲墊間距為23.2μm；介面端凸塊之銲墊間距為23.8μm。
（十二）系爭專利申請專利範圍第11項：由於系爭專利說明書第7頁第11行已於先前技術部分記載：「目前在晶圓上形成凸塊的方法」，可見基板之形式係所屬技術領域中具有通常知識者依系爭專利說明書所載先前技術即能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第11項不具進步性。
（十三）系爭專利申請專利範圍第12項：由於系爭專利說明書第7頁第5-9行已於先前技術部分記載：「覆晶接合或內引腳接合的技術亦廣泛的運用在封裝技術中，尤其在液晶顯示螢幕的驅動晶片…」，可見基板之形式係所屬技術領域中具有通常知識者依系爭專利說明書所載先前技術即能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性。
（十四）系爭專利申請專利範圍第13項：由於系爭專利說明書所載之習知技術中已揭示在晶圓上形成一凸塊下金屬層，且引證二、三、四、五、六已揭示銲墊等技術，是本項亦為所屬技術領域中具有通常知識者藉由系爭專利說明書所揭示之先前技術即各引證案所能輕易完成之等效構件替換，故系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。
（十五）系爭專利申請專利範圍第14項：該項前言部分所界定之「基板」、「銲墊」、「保護層」、「保護層開口」、「凸塊」等習知結構及「保護層開口寬度限定於不大於8μm」及「凸塊突起區之面積大於中央區之面積」等技術特徵，均已被引證二、三、四、五、六等先前技術所揭示之理由已如前述第1項之比對所述；本項新增之構成要件係「一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電膜，設於該載板與該半導體裝置之間，該異方性導電膜係包含有複數個導電粒子」，然查系爭專利說明書第7頁末2行-第8頁第2行已於先前技術部分記載：「…當具有凸塊14之晶片11利用一異方性導電膜20與一電路板30之接合墊31接合時，該凸塊14需擠壓該異方性導電膜20，以藉由該異方性導電膜20內之導電粒子21與該電路板電性連接…」，是本項亦為所屬技術領域中具有通常知識者藉由系爭專利說明書所揭示之先前技術即各引證案所能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第14項不具進步性。
（十六）系爭專利申請專利範圍第15項：由於系爭專利說明書第8頁第2-3行所載之先前技術已揭露申請前之技術中，習知的導電粒子外徑係為6μm、且可縮小到3μm的技術選項，故結合系爭專利所載之習知技術與引證二、三、四、五、六得證明本項為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，不具進步性。
（十七）系爭專利申請專利範圍第16項：由於系爭專利說明書第8頁第2-3行所載之先前技術已揭露申請前之技術中，習知的導電粒子外徑係為6μm、且可縮小到3μm的技術選項，引證二、三、四、五、六則分別揭示5μm~8μm之保護層開口寬度，故結合系爭專利所載之習知技術與引證二、三、四、五、六得證明本項為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，不具進步性。
（十八）另系爭專利申請專利範圍第2至13項其中，包含系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證二、三、四、五、六等先前技術所揭示；系爭專利申請專利範圍第
15、16項其中，包含申請專利範圍第14項之技術特徵已被引證二、三、四、五、六所揭示，理由已如前述。綜上，引證二、三、四、五、六均已揭示系爭專利之各項技術特徵，系爭專利申請專利範圍第1、2、8-10項不具新穎性；第3- 7、11-16項不具進步性，依法具有應撤銷專利權之原因。
四、綜上，相較於引證一、二、三、四、五、六，系爭專利確具應撤銷原因甚明，系爭專利既有應撤銷之原因，智慧財產權人（即本件原告）於本件民事訴訟中不得對他造（即本件被告）主張權利，從而，原告之訴為無理由，應予駁回，為此聲明：（一）原告之訴及其假執行之聲均駁回。（二）如受不利之判決，被告願供擔保請准免為假執行。
叁、兩造不爭執事項如下:
一、原告研發之「具有凸塊之半導體裝置」發明，獲得中華民國經濟部智慧財產局審定核准之中華民國發明第I239580號專利即系爭專利，專利期間為自西元2005年9月11日至西元2012年11月25日止，系爭專利於92年11月26日申請，94年7月1日審定核准。
二、日本特開平00-00000專利暨中譯本即引證一，其公開日為西元1999年2月2日。
三、頎邦科技股份有限公司具備有金凸塊製程設計規範即引證二。
四、米輯科技股份有限公司具備有金凸塊製程設計規範即引證三。
五、荷蘭商皇家飛利浦電子股份有限公司之OM6208驅動IC晶片產品規格書即引證四，其公開生效日為西元2003年2月10日。
六、荷蘭商皇家飛利浦電子股份有限公司之OM6206-2晶片檢測報告即引證五，其規格書所載之公開日為西元2001年9月17日。
七、使用於Nokia3410手機之荷蘭商皇家飛利浦電子股份有限公司之OM6217-1晶片檢測報告，該手機之製造日期為西元2003年6月即引證六。
八、智慧財產局於97年6月11日，對NO2舉發案作成「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，原告對該處分不服提請訴願，嗣經經濟部於同年10月27日駁回原告之訴願，原告遂提起行政訴訟，亦經智慧財產法院於98年5月7日以97行專訴字第85號判決駁回原告之訴在案，現由原告上訴最高行政法院審理中。
九、原告於智慧財產局就系爭專利NO2舉發案作成「舉發成立」審定後即97年6月18日，就系爭專利申請範圍增加「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊之寬度被限定至不大於8μm」等語，向智慧財產局申請更正，經智慧財產局予以駁回其更正申請。系爭專利目前之「專利申請範圍」文字內容未有「狹長型溝槽狀的保護層開口」之字樣。
十、智慧財產局於97年8月15日，對系爭專利NO1舉發案作成「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，原告對該處分不服提請訴願，嗣經濟部撤銷原處分，責由原處分機關另為適法之處分，經原處分機關重為審查，並於98年7月21日作成「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，經濟部再於99年1月5日駁回原告之訴願在案。
肆、本件爭點如下，兩造不再主張其他爭點：
一、被告主張引證一是否可證明系爭專利申請專利範圍第1、2、
8、14項不具有新穎性；第3-7項、第9-13項、第15、16項不具進步性？
二、被告主張引證二至引證六，是否可分別證明系爭專利不具新穎性及進步性？（如爭點一已認定系爭專利不具進步性及新穎性，則此項爭點不再討論。）
三、原告所指被告製造、銷售、要約、陳列之系爭侵權產品是否侵害原告所有之系爭專利權？
伍、本院之判斷
一、系爭專利權是否有應撤銷之原因，應以系爭專利94年7月1日核准時所適用之92年2月6日修正公布之專利法為斷，合先敘明。
二、按專利專責機關於舉發審查時，得依申請或依職權通知專利權人限期為下列各款之行為：三、依第64條第1項及第2項規定更正，此為專利法第71條第1項第3款規定所明定，故專利權人更正案之提出，可於舉發審查過程中，經由專利專責機關依職權通知專利權人提出，或由專利權人申請提出，是原告於系爭專利遭舉發後，倘認為其系爭專利與習知技術特徵之差異在於保護層之開口為「狹長型溝渠狀之開口」，自得於舉發過程中自行向專利專責機關申請更正。惟查，原告於智慧財產局就系爭專利之NO2舉發案作成「舉發成立」審定後即97年6月18日，始就系爭專利申請專利範圍向智慧財產局申請更正，增加「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊之寬度被限定至不大於8μm」等語，經智慧財產局於97年8月15日以第N01號舉發審定書，併予認定原告之更正已實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍，予以駁回，故認原告此部分之更正不符專利法第64條第2項之規定，應不予准許。從而，系爭專利經智慧財產局作成舉發成立，撤銷專利權後，已發生專利權自始不存在之法律效果，此與「審定公告前」係處於申請狀態中，「審定公告後」或「舉發審查過程」係處於暫准或獲准專利權之狀態，均有不同，為免影響原舉發審定之法律安定性，縱該審定於行政救濟程序中尚未確定，仍難再向專利專責機關申請更正，準此，系爭專利之「申請專利範圍」內容未有「該保護層之開口呈狹長型溝槽狀，其相鄰銲墊之寬度被限定至不大於8μm」之限制條件，自應依系爭專利原公告核准之範圍為有效性之認定。
三、本件原告系爭專利申請專利範圍共計16項，其中第1項及第14項為獨立項，其餘則為附屬項。茲就原告系爭專利技術分析，可知系爭專利申請範圍第1項為一種具有凸塊之半導體裝置，其包括：一基板，該基板係具有一正面，該基板之該正面係形成有至少一銲墊；一保護層，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊；及至少一凸塊，其係設於銲墊上，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。系爭專利申請專利範圍第14項為一種半導體裝置之異方性導電模連接構造，包含：一半導體裝置，其係包含一基板，該基板係具有一正面，該基板之該正面係形成有至少一銲墊；一保護層，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口，以部分顯露該銲墊；及至少一凸塊，其係設於銲墊上，該凸塊係具有一頂面，該頂面係包含有一中央區及一突起區；一載板，其係具有至少一接合墊，該接合墊係對應該凸塊；及一異方性導電模，其係設於該載板與半導體裝置之間，該異方性導電模係包含複數個導電粒子；其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊的突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者，此有系爭專利之發明專利說明書在卷可證。是原告主張系爭專利之特徵係至少包含「保護層開口之寬度不大於8μm」及「突起區之面積大於中央區之面積」2項技術特徵，而其他特徵則為申請專利範圍第7項所示「保護層厚度為介於1μm至2μm之間」，以及其系爭專利申請專利範圍第8項所示「凸塊之高度係介於10至20μm」等語屬實，即可採信。
四、原告主張應將系爭專利申請範圍第1項、第14項項用語「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」云云，被告則辯稱系爭專利「保護層開口」一詞之意義本即十分明確，無另行解釋之必要，且觀系爭專利申請範圍中除對「保護層開口之一寬度」限定為不大於8μm外，對於另一維度（長度）及開口深度（高度）均無任何限制即可察知，故系爭專利對於保護層開口之形狀為何，並無特殊之界定或限制等語，經查：
（一）按專利法第26條規定「說明書，應載明發明名稱、發明說明、摘要及申請專利範圍。發明說明應明確且充分揭露，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實施。申請專利範圍應明確記載申請專利之發明，各申請專利範圍應以簡潔之方式記載，且必須為發明說明及圖式所支持。發明說明、申請專利範圍及圖式之揭露方式，於本法施行細則定之。」即知申請專利範圍之記載必須符合簡潔之要求，通常其描述比較概括、抽象，相對地，發明說明書則比較能夠表現一個專利發明的具體內涵，故專利法於第56條第3項規定「發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式。」是發明專利權範圍以說明書所載之申請專利範圍為準，申請專利範圍必須記載構成發明之技術，以界定專利權保護之範圍，此為認定有無專利侵權之重要事項；而在解釋申請專利範圍時，發明說明及圖式係屬於從屬地位，未曾記載於申請專利範圍之事項，固不在保護範圍之內；惟說明書所載之申請專利範圍僅就請求保護範圍之必要敘述，既不應侷限於申請專利範圍之字面意義，也不應僅被作為指南參考而已，實應參考其發明說明及圖式，以瞭解其目的、作用及效果。再依智慧財產局所制定專利審查基準第二篇第一章3.5中明載「申請專利範圍之認定應以申請專利範圍中所載之文字為基礎，並得審酌發明說明、圖式及申請時的通常知識。認定申請專利範圍時，原則上應以每一申請專利範圍所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常所總括的範圍，予以認定。對於申請專利範圍中之用語，若發明說明中另有明確揭露之定義或說明時，應考量該定義或說明；對於申請專利範圍中之記載有疑義而需要解釋時，應一併考量發明說明、圖式及該發明所屬技術領域中具通常知識者之通常知識」之意旨、侵害鑑定要點第31頁規定「專利權範圍主要取決於申請專利範圍中之文字，若申請專利範圍中之記載內容明確時，應以其所載之文字意義及該發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關技術中通常總括的範圍予以解釋」之意旨，可知於解釋申請專利範圍時，應以申請專利範圍所記載之文字意義及該文字在相關技術中通常所總括的範圍，予以認定。綜上所述，申請專利範圍方為定義專利權之直接、根本及唯一之依據，發明說明及圖式雖可且應作為解釋申請專利範圍之參考，但其僅屬於從屬地位，其參考之用途係在於瞭解申請專利範圍所載內容之「目的、作用及效果」，以探求發明人在技術上之真意，復原申請專利範圍文字化後技術內容之原本樣貌，方能對申請專利範圍作出正確的解釋，因此，所謂參酌專利說明書來解釋申請專利範圍，應該僅對申請專利範圍中既有之限制條件（文字、用語）加以解釋，不可透過或依據專利說明書之內容而增加、減少申請專利範圍所記載的限制條件，以致實質變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利權範圍，否則將使專利權範圍產生不確定性，影響公眾之利益甚巨。
（二）次按智慧財產局所制定之專利侵害鑑定要點第30頁明文「用於解釋申請專利範圍的證據包括內部證據及外部證據。若內部證據足使申請專利範圍清楚明確，則無須考慮外部證據。若外部證據與內部證據對於申請專利範圍的解釋有衝突或不一致者，則優先採用內部證據」等語，本件原告系爭專利申請專利範圍所記載之文字即為一內部證據，而原告於訴願階段所提之鍾卓良教授所出具之專家意見書、南茂科技公司及飛信半導體公司之電子郵件及行政訴訟階段所提之江國寧教授所出具之模擬分析報告等則屬外部證據，倘內部證據已清楚明確時，實無須考慮外部證據。
（三）基於上述理由，客觀解釋系爭專利申請專利範圍之「保護層開口」文字用語，其中銲墊係成長於基板之正面上，保護層係成長於基板之正面上，該開口係為部分顯露該銲墊，故所謂的開口應是一具有三度空間（長、寬、高）且相對於保護層為中空並位於銲墊表面上以部分顯露銲墊之結構，而系爭專利申請專利範圍第1、14項所界定開口之一寬度係被限制不大於8μm，其並未對另二維空間及形狀作限定，故其所界定之範圍除了寬度小於或等於8μm，長度及高度之範圍則無限制，更無論保護層開口之形狀為何。再者，系爭專利之發明說明書自始亦未限制保護層開口之形狀，且觀系爭專利之圖示，均為剖面圖，只能查知保護層開口之寬度對突起區與中央區面積大小之影響，尚無法得知保護層開口是否為「狹長型」，因此，難認保護層開口限制為「狹長型溝槽狀開口」係發明人於系爭專利權利項用語之真意。復查，系爭申請專利範圍第1項中所述之保護層「具有至少一開口，部分顯露該銲墊....其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。」、系爭申請專利範圍第14項中所述之保護層「具有至少一開口，以部分顯露該銲墊....其中，該保護層之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm，俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得在該凸塊之突起區與該接合墊間之有效接合導電粒子增多者」，可知系爭專利之目的、作用及效果已清楚記載於申請專利範圍第
1 、14項內，在於藉由限定保護層開口之寬度不大於8μm，以使突起區之面積大於中央區之面積，俾增加導電性，此目的、作用及效果即與發明說明及圖示內容所載之內容相同。雖系爭專利說明書實施例（說明書第9頁末數第1行至第10頁第1行）有記載開口長度為介於40至80μm，然系爭專利發明說明書並未描述該「開口長度係介於40至80μm」一情與上開系爭專利所欲達成之特殊效果與目的間有何關聯性，從而，原告將「開口長度係介於40至80μm」讀入系爭專利申請專利範圍內，而將系爭專利之保護層開口解釋為「狹長型溝槽狀開口」，要非可採。準此，依據申請專利範圍文字記載客觀之解釋，系爭專利之保護層開口其應包含二維空間為方形及長方形之開口構造，而未限制為「狹長型溝槽狀」開口，應予認定。況從技術之角度觀之，二維之面積概念確為長度及寬度組合而成，但以系爭專利而言，申請專利範圍第1、14項就長度及高度之範圍則無限制，故單僅就寬度一維即可決定突起區及中央區面積之增減，換言之，無論系爭專利保護層開口是否為「狹長型」，均可藉由限制保護層開口之寬度小於8μm而達成上開系爭專利所欲達成之效果與目的，故而，若依原告主張將「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀開口」，而排除其它可能的形狀，顯然造成系爭專利權利範圍之實質變動。綜上，原告將申請專利範圍第1項中之「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀之保護層開口」之主張，實不足採。
五、原告復主張引證一的3×3μm或5×5μm「小坑洞型的開口」無法克服物理上之缺陷，且有短路或造成電遷移現象，不具備可實施性，市面上亦未製造，且未被核准專利，不具有產業利用價值之引證一不應用以證明系爭專利喪失新穎性和進步性云云，並出具江國寧教授所出具之專家意見書、鍾卓良教授出具之專家意見書以玆證實，惟按專利審查基準第2-3-5頁明文「專利申請案經公開或公告後，即構成先前技術的一部分，無論該申請案嗣後是否經放棄或撤回，均得作為新穎性審查之引證文件。審查新穎性時，應以引證文件中所公開之內容為準，而引證文件揭露之程度必須促使該發明所屬技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明」等語，查引證一為一公開之日本專利文獻，其公開日係早於系爭專利申請日，故引證一已構成系爭專利之先前技術的一部分，引證一教示縮小保護層開口之寬度至不大於8μm（實施例揭示3×3μm，及5×5μm之範圍），以使凸塊突起區之面積大於中央區之面積（由引證一說明書第【0027】段表1中可得知），且引證一說明書第【0007】段及第【0008】段揭示了習知利用異方性導電膜（ACF）之接合，因為凸塊凹陷之尺寸及深度問題導致導電粒子將完全無助於導通或僅能以極高的阻抗來導通，而提出縮小導電凸塊表面之凹陷平面尺寸及深度以增加導電凸塊上有助於導通的導電粒子數目，來提高半導體裝置組裝可靠度，引證一並提出實施例及相關數據以驗證並支持其發明之可實施性，故由引證一所揭露之程度應該足以促使液晶顯示裝置封裝業者之技術領域中具通常知識者能製造或使用申請專利之發明，至於引證一是否可作為系爭專利不具新穎性及進步性的適格引證，與其本身是否具產業上利用價值及其技術利用之高低無涉。再者，江國寧教授提出之模擬分析報告雖認為「小坑洞型的開口」違反物理原理，自然會造成電子遷移效應云云。然由該分析報告可知，其係在探究凸塊與銲墊間因尺寸縮小所造成之短通道效應，與引證一及系爭專利所欲解決之問題在於「凸塊與載板接合墊間藉由異方性導電膜接合」因保護層開口大小所造成後續凸塊與載板接合墊之電性接觸問題，係屬不同技術問題，關於開口縮小至物理極限後凸塊與銲墊間因電子遷移所造成之金屬淘空，亦非系爭專利於申請時所欲解決之技術問題（即非系爭專利所欲保護之技術特徵），且因尺寸縮小所造成電子遷移問題於系爭專利申請時之半導體製程中於鋁金屬銲墊中加入適量之銅金屬即可獲致改善，是引證一應可作為系爭專利不具新穎性之適格引證，原告上開指訴，應不足採。
六、引證一是否可證明系爭專利申請專利範圍不具有新穎性或進步性？
（一）關於系爭專利申請專利範圍第1項，引證一之圖1（參本院卷二第251頁）揭示具有凸塊（4，圖示編號，下同）之半導體裝置，包含：一基板(1) ，其係具有一正面（說明書第【0016】段第1行IC1主表面，參本院卷二第264頁），該基板之該正面係形成有至少一銲墊(2) ，形成於基板之正面上；一保護層(3) ，其係形成於該基板之該正面，該保護層係具有至少一開口(3a) ，以部分顯露該銲墊(2)；及至少一凸塊(4) ，其係設於該銲墊上，該凸塊係具有一頂面（圖1有顯示但未標元件符號），該頂面係包含有一中央區4a及一突起區（圖1有顯示但未標元件符號），引證一第【0017】段（參本院卷第264頁）已揭示開口（3a）具有極小之開口面積，尺寸為3×3μm，5×5μm，10×
10 μm，以單側尺寸為3～10μm，相較系爭專利申請專利範圍第1項，引證一已揭示該保護層3μm及5μm之該開口之一寬度係被限定至不大於8μm技術特徵；再者，引證一說明書第【0027】段【表1】實施例1（參本院卷二第267、2 68頁）揭示中央區面積（4a）為1.96μm2，突起區面積＝凸塊面積-中央區面積為4223.04μm2，其凸塊之該突起區之面積大於該中央區之面積，如此俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。原告將系爭專利的「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀的保護層開口」實乃實質變動申請專利範圍之解釋，洵非可採，業如前述。故系爭專利申請專利範圍第1項所界定之技術特徵範圍已包含引證一所揭示之技術內容，故引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第1項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（二）關於系爭專利申請專利範圍第2項，引證一說明書第【0027】段【表1】實施例1（參本院卷二第267-268頁）更揭示了銲墊顯露於保護層之面積為1.96μm2，凸塊頂面面積為4225μm2，其凸塊頂面面積係大於銲墊顯露於該保護層之面積的兩倍，再包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，故引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第2項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（三）關於系爭專利申請專利範圍第4項，係凸塊係呈「方柱狀」與「圓柱狀」之其一之請求，其中，關於凸塊係呈「方柱狀」之部分，由引證一之圖2上視圖（參本院卷二第251頁）顯示該凸塊(4)之二維為一方形形狀，再搭配圖1之側視圖（參本院卷二第251頁），可推定該凸塊為ㄧ方柱狀，再包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，故引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第4項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。關於凸塊係呈「圓柱狀」之部分，引證一並未揭示凸塊為一圓柱狀，惟凸塊為圓柱狀，僅為形狀上之改變，其於系爭專利之說明書中並未敘述該圓柱狀之凸塊會有產生無法預期之功效，有關凸塊為圓柱狀乃引證一之簡單改變，該凸塊係作銲墊與外界連接之媒介，其形狀之改變對於系爭專利之發明並未產生無法預期之功效，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，整體觀之，本項發明為發明所屬技術領域中具通常知識者依據引證一之簡易改變所能輕易完成，故引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。
（四）關於系爭專利申請專利範圍第5項，原告指引證一未揭露該凸塊為非可迴銲性之導電凸塊，認引證一尚無法證明系爭專利申請專利範圍第5項不具新穎性，惟所謂「非可迴銲性」係指形成該導電凸塊之方式，其本質上仍是導電凸塊，參酌系爭專利說明書並未描述非可迴銲性之導電凸塊對於系爭專利之發明會產生無法預期之功效，相較於引證一已有揭示導電凸塊，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，整體觀之，本項發明為發明所屬技術領域中具通常知識者所能輕易完成之等效構件替換，不具進步性。
（五）關於系爭專利申請專利範圍第6項，係關於凸塊材料係選自於金、銅、鋁與其合金之其中之一，其中關於凸塊之材質係選自「金」之部分，由引證一說明書第【0020】段第4行（參本院卷二第265頁）凸塊之材質係選自於金，故再包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，引證一足以系爭專利申請專利範圍第6項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。關於凸塊之材質係選自「銅、鋁與其合金之一」之請求，引證一未揭示銅、鋁與其合金作為凸塊材料，惟本項發明僅係凸塊材料之選用，此材料之選擇為凸塊製程之習知技術，對於發明所屬技術領中具有通常知識者言，在依據引證一之教示下將凸塊材料以上述金屬材料作替換乃易於思及，並未產生無法預期之功效，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，整體觀之，本項發明為發明所屬技術領域中具通常知識者所能輕易完成。
（六）關於系爭專利申請專利範圍第7項，引證一說明書第【0018】段第6行（參本院卷二第265頁）揭示保護層之厚度大約為1.0μm，而系爭專利係將保護層厚度限定介於1至2μ
m ，本項發明在於保護層厚度之數值改變，該厚度之變化可藉由引證一揭示之保護層之沈積時間予以調整而達成系爭發明之保護層厚度，故系爭專利申請專利範圍第7項為發明所屬技術領中具通常知識者依據引證一所揭示之保護層所能輕易完成者，不具進步性。
（七）關於系爭專利申請專利範圍第8項，引證一申請專利範圍第4項、引證一之說明書第【0012】段第2行（參本院卷二第263頁）已揭示凸塊之高度係介於10至20μm，再包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第8項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（八）關於系爭專利申請專利範圍第9項，係界定銲墊間距係不大於100μm，引證一未揭示該銲墊間之數值限定，惟參酌系爭專利說明書並未描述該數值範圍會對系爭專利發明產生特殊之功效，本項發明其僅為發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌引證一並經由例行工作之普通手段即能得知該銲墊間距的數值範圍，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，整體觀之，本項發明為發明所屬技術領域中具通常知識者所能輕易完成，故不具進步性。
（九）關於系爭專利申請專利範圍第10項，係界定銲墊間距係不大於50μm，引證一未揭示該銲墊間之數值限定，惟參酌系爭專利說明書並未描述該數值範圍會對系爭專利發明產生特殊之功效，本項發明其僅為發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌引證一並經由例行工作之普通手段即能得知該銲墊間距的數值範圍，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，整體觀之，本項發明為發明所屬技術領域中具通常知識者所能輕易完成，故不具進步性。
（十）關於系爭專利申請專利範圍第11項，引證一之圖1及說明書第【0016】段第1行（參本院卷二第251、264頁）揭示「在IC1主表面上被形成的電極銲墊(2)上，形成有導電凸塊4」、【0018】段（參本院卷二第265頁）並揭示「圖3說明在IC主面上形成電極銲墊之製程。在以晶圓的形式所提供的IC1的主面（在矽基板內及基板上已經形成有規定的電路、配線、層間絕緣膜等...）上...」，足可直接且無歧異推知該基板為一晶圓或晶片或晶片封裝級之其中之一，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第11項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（十一）關於系爭專利申請專利範圍第12項，引證一說明書第【0014】段第2行（參本院卷二第264頁）揭示「本發明適用於以COG組裝工程組裝於液晶玻璃面板上之驅動IC」，故包含申請專利範圍第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第12項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（十二）關於系爭專利申請專利範圍第13項，引證一之圖1、4及說明書第【0019】段揭示（參本院卷二第251、252、265頁）於凸塊(4) 與銲墊(2)間包含有一凸塊下金屬層（由鈦-鎢薄膜(5)及金薄膜(6)組成），故包含請求項第1項之技術特徵已被引證一所揭示之理由已如前述，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第13項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（十三）關於系爭專利申請專利範圍第14項，引證一之圖5（參本院卷二第251頁）揭示一種半導體之異方性導電膜連接構造，包含一半導體裝置包含：一基板(1) ，其係具有一正面（說明書第【0016】段第1行IC1主表面，參本院卷二第264頁），該基板之該正面係形成有至少一銲墊(2)及一保護層(3)，該保護層係具有至少一開口(3a)，以部分顯露該銲墊(2)；及該銲墊上設有一凸塊(4)，其係設於該銲墊上，該凸塊係具有一頂面（圖有顯示但未標元件符號），該頂面係包含有一中央區4a及一突起區（圖1有顯示但未標元件符號），一液晶玻璃面板（7，對應於系爭專利之「載板」）至少一電極（8，對應於系爭專利之「接合墊」），該電極（8）係對應該凸塊(4)；一異方性導電膜（混有導電粒子10及黏著劑9），其係設於該載板與該半導體裝置之間（說明書第【0022】段第2至3行，參本院卷二第266頁），引證一第【0017】段（參本院卷二第264頁）已揭示開口（3a）具有極小之開口面積，尺寸為3×3μm，5×5μm，10×10μm，以單側尺寸為3～10μm，相較系爭專利第1項，引證一已揭示該保護層3μm及5μm之該開口之寬度係被限定至不大於8μm技術特徵；再者，引證一說明書第【0027】段【表1】實施例1（參本院卷二第267、268頁）揭示中央區面積（4a）為1.96μm2，突起區面積＝凸塊面積-中央區面積為4223.04μm2，其凸塊之該突起區之面積大於該中央區之面積，如此俾增加該凸塊之該突起區之面積以使該突起區之面積大於該中央區之面積，使得有效接合導電粒子增多者。原告主張系爭專利的「保護層開口」解釋為「狹長型溝槽狀的保護層開口」，與引證一為「小坑洞型的開口」不同云云，原告之解釋實乃實質變動申請專利範圍之解釋，洵非可採，承如前述。故系爭專利申請專利範圍第14項所界定之技術範圍已包含引證一所揭示之技術內容，足證明系爭專利申請專利範圍第14項為申請前已見於刊物或已公開使用而不具新穎性。
（十四）綜上所述，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第1、2、8、11、12、13、14項不具新穎性，基於新穎性審查是在進步性之前，又審查進步性之有無，係以無不具新穎性之情事為前提，故上開各項既有不具新穎性之情事，自無再審究進步性之必要。此外，引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第5、7、9、10項不具進步性；引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第4、6項不具新穎性及進步性。至系爭專利申請專利範圍第3、15、16項不在原告主張被控侵權物品與系爭專利申請專利範圍各項構成實質上相同之範疇內，實無審究其等是否具有新穎性及進步性之必要，併與敘明。
七、綜上所述，被告所提引證一足以證明系爭專利申請專利範圍第1、2、8、11、12、13、14項不具新穎性；第5、7、9、10項不具進步性；第4、6項不具新穎性及進步性，換言之，依被告所提引證一即足以證明系爭專利有得撤銷之原因，依智慧財產案件審理法第16條第2項規定，原告系爭專利於本件訴訟中自不得對於被告主張權利，則被告主張引證二至六是否足以證明系爭專利不具新穎性、進步性，及系爭專利依引證二至六是否有應撤銷之原因；被告矽創公司所製造並販售前揭被控侵權物品，是否與系爭專利之申請專利範圍實質相同，而有侵害原告所有系爭專利權，以及原告請求之損害賠償是否正當有據等，均已無加以審究之必要。從而，原告主張系爭專利權受侵害，而請求如訴之聲明所示，核無理由，應予駁回。原告之訴既已駁回，其假執行之聲請亦失所依附，應併予駁回。
陸、兩造其餘攻擊防禦方法及舉證，因本件事證已臻明確，且與判決基礎不生影響，爰不一一論述，附此敘明。
柒、據上論斷：原告之訴為無理由，並依民事訴訟法第78條判決如主文。
中 華 民 國 99 年 4 月 7 日
民事第二庭 審判長法 官 蔡孟芳
法 官 高敏俐法 官 羅惠雯以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
中 華 民 國 99 年 4 月 7 日
書記官 廖婉伶