臺灣板橋地方法院民事判決 96年度重智字第10號原 告 南茂科技股份有限公司法定代理人 乙○○訴訟代理人 黃福雄律師複代 理 人 周兆龍律師
李傑儀律師陳威如律師被 告 華東承啟科技股份有限公司法定代理人 甲○○訴訟代理人 桂齊恆律師
廖正多律師上列當事人間請求損害賠償等事件，經本院於民國98年4 月8 日言詞辯論終結，判決如下：
主 文原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、原告方面：
一、原告起訴主張：㈠緣原告為國內一提供高集積度、高精密度記憶體、混合訊號
模組及平面顯示器軀動積體電路等半導體產品之後段測試與封裝技術服務之高科技公司，並為中華民國發明專利第207627號（公告編號第497236號）「SOC 封裝過程」專利及中華民國發明專利第207525號（公告編號第511258號）「基板在晶片上之封裝過程」專利之專利權人，其專利權有效期間分別自民國91年8 月1 日起至110 年8 月26日止、91年11月21日起至110 年9 月16日止。前述專利方法均係用於改良習見之「球型陣列」（Ball Grid Array ．簡稱BGA） 半導體封裝型態．其發明目的係於基板在晶片上之封裝過程，利用一種兩階段特性具有溶劑之熱固性混合物以黏貼晶片，在乾燥後形成黏著乾膜．一方面可以黏固晶片並避免高流動性，使得具有熱固性黏著乾膜之基板可以堆疊、搬運或儲放，有利於後續SOC （Substrate-On-Chip ．即基板在晶片上）封裝之加工；另一方面可以在壓模過程．同時固化該熱固性混合物，利用壓模之壓力排除原本可能潛藏在黏著乾膜之空隙，以增加基板在晶片上封裝良率。其中：前述「SOC 封裝過程」發明專利之申請專利範圍為：⒈一種SOC 封裝過程．其步驟為（獨立項）：a)提供一基板．該基板具有一上表面、一下表面及連通上下表面之通孔；b)在基板之上表面形成一曆兩階段特性[two stage ]具有溶劑之熱固性混合物；c)去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜；d)提供至少一晶片，晶片具有一主動面及複數個在主動面之焊墊．其中晶片之主動面係接觸基板之上表面且晶片之焊墊係位置對應於基板之通孔；e)施壓加熱基板與晶片，使上述無溶劑之黏著乾模固化並結合晶片與基板；f)經由過孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；及g)形成一封膠材於該基板之通孔處。⒉如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以網版印刷方法形成一層熱固性混合物（附屬項）。⒊如申請專利範團第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以印刷[painting﹞、噴塗[spraying ﹞、旋塗﹝spinning﹞或浸染﹝dippin
g ﹞方法形成一層熱固性混合物（附屬項）。⒋如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面（附屬項）。⒌如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以壓模方式形成該封膠材（附屬項）。⒍如申請專利範圍第5 項中所述之SOC 封裝過程，其中該封膠材係密封晶片（附屬項）。⒎如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑（附屬項）。⒏如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於e)步驟之溫度（附屬項）。前述「基板在晶片上之封裝過程」發明專利之申請範圍則為：⒈一種基板在晶片上（SOC） 之封裝過程．其步驟包含有（獨立項)：a) 提供一基板．該基板具有一上表面、一下表面及連通上下表面之通孔；b)在基板之上表面形成一曆兩階段特性[two stage ]具有溶劑之熱固性混合物；c)去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜；d)提供至少一晶片，晶片具有一主動面及複數個在主動面之焊墊．其中晶片之主動面係接觸基板之上表面且晶片之焊墊係位置對應於基板之通孔；e)施壓加熱基板與晶片，使上述無溶劑之黏著乾模固化並結合晶片與基板；f)經由過孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；g)壓模形成一封膠材於該基板之通孔處；及h)加熱固化該封膠材與無溶劑之黏著乾膜。⒉如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其係以網版印刷方法形成一層熱固性混合物（附屬項）。⒊如申請專利範團第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物（附屬項）。⒋如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其在「加熱固化該封膠材」之h)步驟後，另包含有：
接植複數個焊球於基板之下表面（附屬項）。⒌如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其中係以該封膠材係密封晶片（附屬項）。⒍如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑（附屬項）。⒎如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上（SOC） 之封裝過程，其中在h)固化步驟之溫度係高於c)去除溶劑步驟之溫度（附屬項）。
㈡原告日前於市面上發現「APOGEE」品牌電腦記憶體模組（模
組標號:AU00000-000 P500,Z000000000）之記憶體產品（記憶體產標號:WA51082B-3B 、E715U8H26265 、0721，下稱系爭記憶體產品）涉有侵害前揭專利權之嫌，即委請財團法人臺灣經濟科技發展研究院（下簡稱台經院）就前開產品進行專利鑑定。經台經院鑑定後認為系爭記憶體產品其對應構成要件落入中華民國發明公告編號第497236號「SOC 封裝過程」專利權及中華民國發明公告編號第5ll258號「基板在晶片上之封裝過程」專利權之申請專利範圍．亦即系爭記憶體產品確有侵害原告上開專利權情事。而系爭記憶體產品係被使用於由被告所製造生產之電腦記憶體模組上．故被告所生產之電腦記憶體模組中系爭記憶體產品侵害原告專利，實彰彰明甚。原告發現上情後．曾於96年8 月9 日寄發律師函函請被告出面與原告協商處理前述侵害專利權事宜，惟被告之函覆顯然藉詞拖延，絲毫不見被告解決問題之誠意。原告不得已，只得提起本件訴訟，以維權益。
㈢被告不法侵害原告前述專利權之事實，已如前述。因被告自
承其係於95年3 月起始生產使用系爭記憶體產品之電腦記憶體模組，故原告乃先就被告95年銷售系爭記憶體產品所獲得之利益計算損害賠償金額。而依被告95年度財務報告記載，被告95年度總銷貨收入為新臺幣（下同）3,367,917,000 元，其中記憶體（Memory）之銷貨收入為1,496,983,000 元．
故記憶體之銷貨收入占被告95年度總銷貨收入比率約為44.45%（即1,496,983,000 ÷3,367,917,000 ≒44.45%），另被告95年度之營業淨利為57,661,000元，依照被告記憶體產品佔被告總銷貨收入之比率計算，則被告95年度因生產記憶體產品所獲得之利益為25,629,353元（即00000000元×44.45%＝25,629,353元），此即為原告就被告於95年度生產因侵害原告上揭專利權所得請求損害賠償之數額，此尚未含95年度後之損害賠償。茲謹先一部請求1,500 萬元之賠償金．至逾越前述金額之賠償金，原告暫予保留，待將來擴張起訴聲明或另訴主張之。
二、對被告抗辯之陳述：㈠依經濟部智慧財產局所制訂「專利侵害鑑定要點」規定，若
申請專利為一種「方法專利」時，仍得藉由分析「待鑑定物品」所使用之製造方法，與申請專利之構成要件加以比對，以確定是否落入申請專利之範圍，依台經院所為之專利權侵害鑑定研究報告書，係以被告所販賣之電腦記憶體模組產品為鑑定標的，並分析該鑑定標的之製造方法之構成要件，再與申請專利之構成要件相互比對，符合專利侵害鑑定要點相關規定，自足證明APOGEE品牌之電腦記憶體模組產品之「製造方法」係依原告所有之上揭2 項方法發明專利所實施自明，自有侵害原告專利權之事實。
㈡被告雖於日前向經濟部智慧財產局（下稱智慧財產局）提出
舉發案，惟該舉發案中所提之引證資料，業經我國智慧財產局及美國專利局於原告申請上揭專利時已就新穎性、進步性之要件加以審究，並經實質審查及核准公告在案，且前揭引證資料，被告除以非屬同一或類似技術領域抑或公告日晚於上揭專利申請日之美國專利號等不適格證據，而抗辯上揭專利不具新穎性、進步性，其舉發顯不具正當性；又被告所提美國專利局之核駁通知書，並非最終核駁結果，而該通知書內亦未比較上揭專利請求項與該案說明書所載先前技術之差異而為最後之駁回，被告竟恣意猜測美國審查委員之意見，並作出斷章取義之結論，益徵系爭舉發案顯係為拖延訴訟所為。再者，原告業於2004年2 月10日經美國專利局核准並公告取得專利權，被告所提之證據並不足動搖上揭專利之有效性。且按「至於有關發明、新型進步性或新式樣創作性專利要件之爭執，其所舉證據若為國內、外專利前案時，必須是申請在先且公告或公開先者始克當之；若是公告或公開在後者，則不能據以為證。」、「有關新穎性、進步性專利要件之爭執，舉證證據無論為國內或國外專利案或其他技術文獻資料，必須其公開日早於系爭專利案之申請日。」，此參89年7 月10日公告之專利審查基準即明，上揭專利第207627號「SOC 封裝過程」係於90年8 月27日提出申請，惟美國專利局通知函係於91年12月12日發布，依前揭專利審查基準規定，該通知函係屬不適格證據，自無證據力；又該通知函非最終審定，目的係聽取專利申請人之說明後為實體之判斷，原告於收受該通知函後僅單純反應技術特徵及技術現實，並無變更、限縮或修改專利範圍，而美國專利審查委員亦於聽取原告說明後核准專利，該確認意見方具證據力。
㈢另專利權之取得係採屬地主義，故發明創作人需依各國之專
利法向各該國主管機關註冊始能受到各該國之保護，且在一國取得之專利權，其期間、效力、無效、撤銷等，與在他國取得之權利，彼此互相獨立，不受影響，此即工業財產權獨立之原則，而美國與我國專利審查之過程與結果，可能因國情不同而有相異之結果，故原告於美國申請系爭專利案之過程，並不當然影響上揭專利於我國之效力，仍須依我國專利法及智慧財產局所公佈之專利審查基準來認定；復因專利權具有屬地性及獨立性，故所謂申請歷史禁反言乃係專指專利權人於我國申請專利權之歷史，且適用時點係限於專利權人於我國專利權申請後至公告前此段時點，於他國申請專利權之過程並不影響相應於我國專利權之申請專利範圍，且於專利舉發程序中，禁反言原則並非判斷專利權是否有效之要件，另適用禁反言原則，係以待鑑定物品業已適用均等論為前提，而適用均等論之前提，則係待鑑定物品基於全要件原則並不「符合文義讀取」，本件被告產品經台經院鑑定報告分析項，與原告專利權之構成要件均相同，符合「文義讀取」（即全要件原則），進而適用「逆均等論」之結果，兩者亦構成實質相同，並無適用禁反言原則之情形，被告之產品顯已侵害原告之專利權。準此，本件侵權鑑定既已符合「文義讀取」，原本即無適用「均等論」之餘地，更無判斷「先前技術阻卻」之問題；另先前技術阻卻，應以「被告產品」與「先前技術」作為比對對象，以證明被告之產品係依據先前技術所實施，然被告竟以「原告專利」與「先前技術」作為比較對象，顯係誤解先前技術阻卻之法理。
㈣被告與訴外人華東科技股份有限公司於96年9 月17日共同向
智慧財產局提出第000000000N01號專利舉發案，智慧財產局業於97年11月11日以第00000000000 號專利舉發審定書審定為「舉發不成立」，並全部駁回被告所主張之舉發理由。據此，上揭專利乃係以「兩階段特性（two stage） 具有溶劑之熱固性混合物結合其他步驟之「封裝方法專利」，並非被告所稱先前已公開使用之「B-Stage Epoxy 」之材料專利，被告顯有曲解專利法及上揭專利內容及範圍之嫌。且經由單一或結合數個被告援引之舉發證據，均未揭露上揭2 項專利之全部技術特徵，自無從否定上揭專利之可專利性。
㈤被告復辯稱原告未於專利物品或其包裝上標示專利證書號，
被告無從知悉是否侵害原告之專利云云。惟依現行實務見解，原告縱未依專利法第79條規定於專利物品或其包裝上標示專利證書號，若被告明知或可得而知為專利品，而仍侵害之，被告仍須負損害賠償責任。我國專利法係採公告主義，上揭專利業於91年8 月1 日、91年11月21日即刊登於中華民國專利公報，且專利期間分別自91年8 月1 日至110 年8 月26日止、91年11月21日至110 年9 月16日止，而被告自75年成立以來即以銷售電腦記憶體模組等相關設備產品為業，自不得諉為不知，被告之行為顯屬侵害原告專利權之行為。
㈥末者，被告辯稱上揭專利技術內容、專利權範圍及專利說明
書之記載不相吻合，亦未載明實施必要之事項及記載非發明之真實方法，該專利權應予撤銷云云。然關於上揭專利發明說明書之記載，凡申請專利範圍所記載之發明，得於發明說明書之「發明詳細說明」獲得支持，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者能瞭解該發明之內容，並可據以實施，則專利說明書之記載即符合專利法所謂之「明確充份揭露原則」，至「發明概要/ 發明摘要」僅係以簡要文字敘述專利內容之特點；「圖式」則係用以補充發明說明文字之描述，使熟習該技術者得清楚具體理解該發明之內容。因此關於「發明概要／發明摘要」及「圖式」之記載，實無可能、亦無必要將申請專利範圍所記載之技術特徵全數涵蓋，被告辯稱上揭專利技術內容、專利權範圍及專利說明書之記載不相吻合，亦未載明實施必要之事項及記載非發明之真實方法，該專利權應予撤銷云云，揆諸前揭說明，自屬無據。
三、爰依專利法第84條第1 項及第85條第1 項第2 款之規定，提起本件訴訟，並聲明求為判決：⑴被告應給付原告1,500 萬元，及自96年8 月10日起至清償日止，按年息百分之5 計算之利息。⑵被告不得製造、銷售任何使用中華民國發明專利第207627號及發明專利第207525號專利之半導體產品。⑶第⑴項聲明部分，願供擔保請准宣告假執行。
貳、被告方面：
一、被告則以下列情詞資為抗辯：㈠原告主張被告所生產之電腦記憶體模組中系爭記憶體產品侵
害原告專利，惟被告之電腦記憶體模組記憶體產品為購自訴外人翱昇公司、華東科技公司、聯測、爾必達，而該等公司亦表示並未侵害他人專利，原告既主張被告所供貨之電腦記憶體模組記憶體產品侵害其專利，自應就此負舉證責任。
㈡按「倘若發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該
項技術者所能輕易完成時，縱使具有功效之增進，仍難認已達到高度創作之技術水平而具進步性，即不得核准發明專利。」，且判斷發明是否能輕易完成時，准予將2 件或2 件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，准予將先前技術（priorart）之各片斷部分相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。本件原告主張之「SOC 封裝過程」及「基板在晶片上之封裝過程」2 項方法發明專利，實與前所公告之美國專利（即公告號0000000 、0000000 、
0 000000、0000000） 相同，顯係利用他人已有且公開之先行技術所申請，並不具有「新穎性」及「進步性」，依90年專利法第20條之1 規定，不得取得發明專利，被告自得依據專利侵害鑑定要點，主張所有製成產品之製程方法均適用「先前技術阻卻」而未落入上揭專利之專利權範圍。
㈢又原告就本件上揭專利曾於美國提出申請，惟遭美國專利局
駁回，其核駁理由係依美國專利法第102 條 (b)規定，若該項發明在本國或外國已經取得專利或在印刷出版物上已有敘述，或者在本國已經公開使用或出售，在向美國申請專利之日以前已達一年以上的，而上揭專利係美國專利第0000000號所預期之內容，亦即不具新穎性；且將上揭2 專利與美國專利US0000000 申請案之專利範圍比對，其中除其中步驟⑴基板限縮為線路基板；步驟⑵熱固性混合物之形成方法限縮為印刷；步驟⑶具體限縮為B 階黏著乾膜之玻璃移轉溫度（Tg）必須高於攝氏40度；步驟⑸限縮在施壓加熱步驟⑸中黏著乾膜由固化之前改變為沒有完全固化；並刪除附屬項⒉、⒊；另增加項數以具體說明黏晶步驟⑸的加熱溫度與時間，據此，美國專利已限縮專利範圍，依禁反言原則，自不得再行主張仍為專利權保護之範圍。
㈣被告已執前揭理由於96年9 月17日具文向專利專責機關智慧
財產局提起專利無效之舉發申請，雖經智慧財產局以「上揭專利第一項方法步驟有三次加熱步驟、上揭專利步驟之基板結構不同於證據2 （US0000000） 導線架結構.. 」 等理由，於97年11月11日以（97）智專三（二）04066 字第09720611520 號審定書為「基板在晶片上之封裝過程」專利權「舉發不成立」之處分，惟該處分有漏未審酌證據、理由不備等違法不當之處，被告已於97年12月9 日提起訴願。
㈤依智慧財產局發行「專利侵害鑑定要點」規定，以全要件原
則認定，系爭記憶體產品未符合上揭專利之專利範圍之文義限制，即不構成文義讀取。另按方法專利權人，除本法另有規定者外，專有排除他人未經其同意而使用該方法及使用、為販賣之要約、販賣或為上述目的而進口該方法直接製成物品之權，專利法第56條第2 項定有明文。本件原告固主張被告侵害原告之上揭方法專利，惟被告係運用Ablestik6202C為可B 階化膠黏劑（B-STA GEABLE ADHESIVE） 所製造系爭記憶體產品，顯非依據上揭發明專利所直接製成之物，自然不可能有侵害上揭發明專利之情形存在。且「SOC 封裝過程」、「基板在晶片上之封裝過程」2 者方法發明專利係存在不同製程步驟，惟台經院所出具之專利權侵害鑑定研究報告書，單憑與上揭專利權無關的「有關待證物是否具有『緩坡現象』」來加以比對，又其所驗證之證物係由原告自行處理後所提供，而非由該鑑定人所親自製作，其證據力實有疑問。另依該鑑定報告內容，非但無法證明被告記憶體產品其製造方法落入中華民國發明公告編號第497236號「SOC 封裝過程」專利權，及中華民國發明公告編號第511258號「基板在晶片上之封裝過程」專利權之申請範圍，反可直接證明三者製造方法確實不同。是以，原告主張之事實與專利法第56條明文規定侵害方法專利之要件顯然不符，是原告以被告侵害其專利為由，請求被告賠償損害，自無理由。
㈥依專利法第79條立法之理由，乃係因專利權所保障者涉及專
業技術，一般人從物品外觀上不易知悉是否為專利品，為避免公眾動輒侵害他人專利權，乃明定專利權人應在專利物品或其包裝上標示專利證書號數，以使公眾知所尊重，且此專利權人標示專利證書號數，應係屬專利權人之一種義務，如其怠於為此項標示，除可證明侵權人已明知或可得而知為專利物品外，即不得請求民事上損害賠償。原告並未於系爭專利產品或包裝標示專利證書號數，則被告因原告未附加標記已難知悉有專利存在之情事，而被告係於96年8 月10日收到原告之律師函始知有此情事，自難認被告有何侵害原告專利之故意或過失等情。
㈦再者，「基板在晶片上之封裝過程」發明專利對於該「兩階
段特性 (two stage)具有溶劑之熱固性混合物」固化時機是在「壓模後」、「壓模過程」或「結合晶片與基板」時等相關技術特徵，在專利權範圍與說明書之內容並不吻合，且前後說明不一，顯然違反審定當時適用之專利法第71條第3 、
4 款，應不予專利，且屬非可供產業上利用之發明，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權。
㈧又原告主張被告95年度因生產記憶體產品所獲得之利益為25
,629,353 元 ，惟此乃原告之推測，並無實據可憑，因被告之產品項目甚多、供應商亦不僅為單一貨源，原告所主張之球型陣列半導體記憶體產品其產量僅約占被告產品項目之些微比例，故原告請求賠償金額之計算，實屬無據。
㈨末者，原告係以台經院之鑑定報告為據而提出本件訴訟，然
該份鑑定報告不僅鑑定程序不符，且內容亦自相矛盾，另自專利法取消刑罰後，已無所謂指定專利侵害鑑定機構之情事，原告委託鑑定之機構顯非司法院及行政院所指定之鑑定機構。且原告主張之「SOC 封裝過程」及「基板在晶片上之封裝過程」等2 項發明專利，均係屬「方法發明專利」而非「產品發明專利」，則本件鑑定機構徒以產品為據，在未鑑定該產品之製造過程為何，即論斷該產品乃係依照原告之上揭
2 項方法發明專利所實施，顯不符鑑定之最低要求，該鑑定報告書之證據力自應予以排除。
二、並聲明求為判決：原告之訴及假執行之聲請均駁回，如受不利判決，願供擔保請准宣告免為假執行。
叁、得心證之理由：
一、按智慧財產案件審理法已於96年3 月28日經以總統華總一義字第0960035700號令公布，並經司法院於97年5 月6 日以院台廳行一字第0970009972號令發布定97年7 月1 日施行。而依該法第37條第1 項第1 款規定，於該法施行前已繫屬於地方法院及高等法院之智慧財產民事事件，其法院管轄及審理程序應依其進行程度，由該法院依該法所定程序終結之，其已依法定程序進行之訴訟程序，其效力不受影響。本件係屬於智慧財產案件審理法施行前已繫屬於地方法院之智慧財產民事案件，依上開法條規定，即應由本院依其進行程度，依智慧財產案件審理法所定程序終結之，合先敘明。
二、次按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷；前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條第1 項、第2 項定有明文。本件原告起訴主張被告所製造生產之電腦記憶體模組之系爭記憶體產品侵害原告上揭2 項專利，惟因被告對於原告上揭2 項專利均主張有專利權無效之事由，並提出相關引證案為據。是本件被告既先就上揭2 項專利之有效性為抗辯，揆諸前揭法條規定意旨，自應先就此部分爭議為釐清，蓋倘原告上揭2 項專利確有無效事由，則原告據上揭2 項無效之專利請求被告賠償損害，即無須進一步探究。反之，若原告上揭2 項專利並無被告所述存有無效之事由，即應進一步審究被告所製造生產之電腦記憶體模組之系爭記憶體產品是否確有侵害原告上揭2 項專利權之事實，以及原告因此所受之損害若干？因此，上揭2 項專利之有效性既為本件侵權行為損害賠償請求之前提要件，自有先予論究之必要。
三、關於發明專利第207627號專利是否不具新穎性或進步性而無效部分：
㈠上揭專利「SOC 封裝過程」申請日為90年8 月27日，經智慧
財產局審定並准予專利，且於91年8 月1 日公告，故其專利權是否有應撤銷、廢止之原因，自應以核准處分時所適用之90年10月24日修正公布之專利法規定為斷，合先陳明。
㈡上揭專利申請專利範圍共計8 項，其中第1 項為獨立項，其餘為附屬項，其內容為：
1.一種SOC封裝過程，其步驟為：a)提供一基板，該基板具有一上表面、一下表面及連通上下
表面之通孔；b)在基板之上表面形成一層兩階段特性[two stage] 具有溶
劑之熱固性混合物；c)去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜；d)提供至少一晶片，晶片具有一主動面及複數個在主動面之焊墊，其中晶片之主動面係接觸基板之上表面且晶片之焊墊係位置對應於基板之通孔；e)施壓加熱基板與晶片，使上述無溶劑之黏著乾膜固化並結
合晶片與基板；f)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；及g)形成一封膠材於該基板之通孔處。
2.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以網版印刷方法形成一層熱固性混合物。
3.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物。
4.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面。
5.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以壓模方式形成該封膠材。
6.如申請專利範圍第5 項中所述之SOC 封裝過程，其中該封膠材係密封晶片。
7.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 封裝過程，其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑。
8.如申請專利範圍第1 項中所述之SOC 去裝過程，其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度。
㈢上揭專利之發明特徵：
一種SOC (Substrate-On-Chip) 封裝過程係在基板之上表面披覆一層兩階段特性〔two stage 〕具有溶劑之熱固性混合物，然後，加熱基板，以除去溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜，避免在黏晶時覆蓋晶片之焊墊，並有利於
SOC 封裝之加工。㈣被告抗辯上揭專利不具新穎性或進步性，提出下列證據：
證據1 ：2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即被證43）。
證據2 ：2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證45）。
證據3 ：2001年10月09日公告之美國專利US0000000 號（即被證47）。
證據4 ：1991年07月09日公告之美國專利US0000000 號（即被證49）。
證據5 ：2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即被證51）。
證據6 ：1998年11月24日公告之美國專利US0000000 號（即被證53）。
證據7 ：1992年09月15日公告之美國專利US0000000 號（即被證55）。
證據8 ：2000年04月04日公告之美國專利US0000000 號（即被證57）。
證據9 ：2000年10月17日公告之美國專利US0000000 號（即被證59）。
證據10：原告對被告主張專利權之通知函與專利權侵害鑑定研究報告書（即被證1 之附件2） 。
證據11：原告對被告主張專利權之網頁資料（即被證34）。
證據12：與本件相同申請內容之美國專利公開案US2003/0000000A1（即被證62）。
證據13：美國專利公開號US2003/0000000A1之美國官方核駁審定報告書，郵件日期（DATE MAILED） 為2002年12月12日（即被證64）。
證據14：1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （即被證65）。
證據15：經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料（http://www.creative materials.com） 之產品材料特性（data sheet）公開資訊，包含編號119-14（資料修訂日1998/7/22）、118-34（資料修訂日1998/7/22） 、及120-15（資料修訂日1998/9/21）之影本（即被證35）。
證據16：1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證75）。
證據17：原告對上揭專利主張專利權之網頁資料（即被證34，用於補強被證35）。
證據18；1997年01月03日公告之美國專利US0000000 號（即被證76）。
證據19：原告另一中華民國專利申請案00000000號（即被證72）。
證據20：原告另一中華民國專利申請案00000000號（即被證74）。
㈤被告抗辯上揭專利不具新穎性或進步性爭點整理如附表一所示。
㈥附表一爭點1上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）或傳統或溫度帶烘爐被固化或或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。被告據此指出結合證據1 及證據2 可證明系爭專利申請專利範圍第1-4 、7-8項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與上揭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示上揭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與上揭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同。因此，綜合上述，證據1 結合證據2 尚無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶上揭專利申請專利範圍第2-4 及7-8 項為第1 項之附屬項，
因附屬項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則證據1 結合證據2 既無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第2-4 、7-8 項不具進步性。
⑷另被告指出其中申請專利範圍第8 項之附加特徵 (e)步驟另
可由證據4 揭示，亦即上揭專利申請專利範圍第8 項可由證據1 、證據2 及證據4 結合而證明違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟該證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stag
e 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，故結合證據1 、證據2 及證據4 亦無法證明上揭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
㈦附表一爭點2上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架
與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示上揭專利申請專利範圍第
1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與上揭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同。因此，證據2 並無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具新穎性。
⑵上揭專利申請專利範圍第2 、3 及7 項為第1 項之附屬項，
而附屬項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則證據2 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第2 、3 及7 項違反專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性。
㈧附表一爭點3上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據3 係2001年10月09日公告之美國專利US0000000 號（即
被證47) ，其公告日晚於上揭專利之申請日2001年8 月27日，被告雖據以主張上揭專利第1 、4-6 項不符專利法第20條之1 而喪失（擬制）新穎性，但專利法第20條之1 規定「申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限。」，其中明文規定該先申請案係「申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案」，而證據3 既非屬在中華民國申請之專利先申請案，自無該法條之適用。
⑵綜此，該證據3 之公告日既係晚於上揭專利之申請日，且非
屬上揭專利申請前之中華民國國專利先申請案，故不具證據力，並無法證明上揭專利申請專利範圍第1 、4-6 項違反專利法第20條之1 而不具新穎性（擬制新穎性）。
㈨附表一爭點4上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）所揭示之內容與證
據1 美國專利US0000000 號（即被證43）相同，其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處亦揭示一種SOC （Substrate-On-Chip)之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第
5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。又該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外，證據2 第5 欄第49-65行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速 (快速)固 化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據4 係1991年07月09日公告之美國專利US0000000 號（即被證49），其揭示一種聯結晶片至基板之方法，被告指出證據4 於申請專利範圍第1 項、第8 項、第5欄第15-18 、29-32 、36-39 行等處揭示使用一種黏膠做為黏結晶片與基板，該黏膠係可釋放地被支撐在一含有離形塗層之支持膜，釋放至晶片表面用以接合至一基板，該經圓/黏膠成分可由一支持片釋放，且可在80℃經10或20分鐘而達成B-stage ，當黏晶狀態在100 ℃使原本非粘性黏膠重新溼潤化，並在（晶片）接合步驟中使用100 克重以施加壓力至晶片，然後快速固化在200 ℃經30秒時間。被告據此指出依本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據
4 可證明系爭專利申請專利範圍第1-4 、7-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與上揭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示上揭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。此外，證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與上揭專利申請專利範圍第
1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同；另證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜此，本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據4 尚無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶上揭專利申請專利範圍第2-4 及7-8 項為第1 項之附屬項，
附屬項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，而本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據4 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第2-4 、7-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
㈩附表一爭點5上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即
被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。又該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外，證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據
2 第6 欄第4- 7行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被告據此指出結合證據2 及證據5 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線
架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。此外，證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同；而證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第
1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜此，結合證據2 及證據
5 尚無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。⑶上揭專利申請專利範圍第2-8 項為第1 項之附屬項，而附屬
項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據2 及證據5 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第2-8 項不具進步性。
⑷另外，被告指出其中申請專利範圍第8 項之附加特徵e)步驟
可由證據4 揭示，亦即上揭專利申請專利範圍第8 項可由證據2 、證據5 及證據4 結合而證明違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟依上開爭點4 部分所述，證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。因此，結合證據2 、證據5 及證據4 顯亦無法證明上揭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
⑸綜合上述，結合證據2 及證據5 並無法證明上揭專利申請專
利範圍第1-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。而結合證據2 、證據5 及證據4 亦無法證明上揭專利申請專利範圍第8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點6上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據6 係1998年11月24日公告之美國專利US0000000號（被證53），其揭示一種利用室溫下黏膠之LOC 半導體組件，被告指出證據6 之第3 圖及第3 欄第60-67 行、及第4欄第49行至第5 欄第6 行中揭示黏膠40塗施於半導體裝置34之主動表面35或是一導線架12之引腳接指14之貼附面26，引腳接指14與半導體裝置34被壓合而接觸該黏膠40，其後熟化之。亦圖解說明，焊線100 延伸其間並電性連接引腳接指14與在該半導體裝置34之主動表面35上之焊墊36。另該黏膠是非導電性聚合物，選自於一種黏性且在室溫下可服貼之黏膠之組群或種類，並同時經由一模板例如模板70塗施於一基板，黏膠較佳地具有第一共聚物，是由一包含異丁基化合物之共聚物群組形成，明確地可為異丁基乙縮醛二酚共聚物。證據7 係1992年09月15日公告之美國專利US0000000 號（即被證55），其揭示一種半導體組裝元件，被告指出證據7 第9欄第48- 54行、第9 欄第68至第10欄第2 行、第10欄第40-6
6 行、第12欄第3-13行、第14欄第19-43 行、第17欄第56-6
0 行、第18欄第7-16行等處揭示一片狀介電中介物136 （參見圖7） 組合至晶片120 ，中介物136 包含一由具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層138 及一由有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層140 ，服貼底層可併有黏膠在其上下表面以固定撓性頂層138 至該晶片，端子148與具有外側部1534之引線150 是位設於該中介物之第一或下表面142 ，所以當該中介物位於晶片上，端子是朝向晶片12
0 ，因為服貼底層為柔軟可撓性，即使損傷經層138 至該晶片，層138 將可保持為可撓性，並且端子148 將保持相對於該些接點130 為可移動。可替換地，層140 可由一部份熟化彈性體所組成，例如所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在層13
8 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面（其餘內容見證據7） 。
被告據此指出結合證據5 、證據6 及證據7 可證明上揭專利申請專利範圍第1 至3 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並
未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同；而證據
6 並未揭示所使用黏膠於貼合引腳接指14與該半導體裝置34前須先預烤至B-satge ，亦未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。此外，證據6 係貼合引腳接指與該半導體裝置，與上揭專利申請專利範圍第1 項貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異；另證據7 雖揭示該服貼底層140 可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面，但證據7 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。此外，證據7 之服貼底層之主要功用與上揭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據7 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用，另外證據7 之結構與上揭專利申請專利範圍第
1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。綜此，結合證據5 、證據6 及證據7 並無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶上揭專利申請專利範圍第2 至6 項為第1 項之附屬項，而附
屬項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據5 、證據6 及證據7 既無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2 至6 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點7上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據7 係1992年09月15日公告之美國專利US0000000號（被證55），其揭示一種半導體組裝元件，被告指出證據
7 第9 欄第48-54 行、第9 欄第68至第10欄第2 行、第10欄第40-66 行、第12欄第3-13行、第14欄第19-43 行、第17欄第56-60 行、第18欄第7-16行等處揭示一片狀介電中介物13
6 （參見圖7） 組合至晶片120 ，中介物136 包含一由具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層138 及一由有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層140 ，服貼底層可併有黏膠在其上下表面以固定撓性頂層138 至該晶片，端子148 與具有外側部1534之引線150 是位設於該中介物之第一或下表面142 ，所以當該中介物位於晶片上，端子是朝向晶片120 ，因為服貼底層為柔軟可撓性，即使損傷經層138至該晶片，層138 將可保持為可撓性，並且端子148 將保持相對於該些接點130 為可移動。可替換地，層140 可由一部份熟化彈性體所組成，例如所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面（其餘內容見證據7） 。被告據此指出結合證據5 及證據7 可證明上揭專利申請專利範圍第1 、4-6 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並
未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同；而證據
7 雖揭示該服貼底層140 可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面，但證據7 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。此外，證據7 之服貼底層之主要功用與上揭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據7 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用，另外證據7 之結構與上揭專利申請專利範圍第1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。綜上，結合證據5 及證據7 並無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶上揭專利申請專利範圍第4-6 項為第1 項之附屬項，而附屬
項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據5 及證據7 既無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第4-6 項違反專利法第20條第2項而不具進步性。
附表一爭點8上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51) ，其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據8 係2000年04月04日公告之美國專利US000000
0 號（即被證57），其揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法。被告指出證據8 摘要、申請專利範圍第
8 、9 、12、30項以及第7 欄第34-36 、52-58 行、第8 欄第3-14行、第13欄第28-30 、40-42 、47-51 行、第14欄第13-19 行等處揭示該連接元件具有一可撓性片狀支撐結構，其上具有電性端子與連接物以及在底面之一黏膠，對準該連接元件與晶片，以使得該連接元件上之連接物對準該晶片之接點，施加壓力在該晶片與該連接元件之間，藉此上述壓力僅由該黏膠傳送在該晶片與該連接元件之間，以及活化該黏膠當維持這在該連接物與該晶片上接點之間的對位。未固化的黏膠以散佈或溶解該黏膠成分於一揮發性液態媒質。此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。在混合物已形成之後，以蒸發方式去除該液態媒質，而留下一呈所欲圖案未固化黏膠之薄層。該黏膠最佳呈固態狀態，並只要該黏膠低於一預設活化溫度可運用於維持固態大體上不具黏性。而後，該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化。被告據此指出結合證據5 及證據8 可證明上揭專利申請專利範圍第1 至3 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟上揭專利一樣皆屬於
SOC 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。惟證據8 揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，其中使用的黏膠於證據8 第7 欄第64行亦揭示為「熱固性」材質，且包含溶劑，且塗施於連接元件底面後以蒸發方式去除該液態媒質（即溶劑），而後該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化，其中結合過程除加熱外，證據8 於申請專利範圍第8 項步驟c)亦揭示施加壓力，雖然證據8 係連接元件至一半導體晶片，與上揭專利申請專利範圍第1 項結合基板至晶片其結構不盡相同，但兩者皆屬半導體晶片之技術領域，熟悉該項技術之人士仍可輕易結合證據5 及證據8 而完成上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，故結合證據5 及證據8 可證明上揭專利申請專利範圍第
1 項不具進步性。⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據5 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據5 及證據8 亦可證明上揭專利申請專利範圍第
2 項不具進步性。⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據5 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據5 及證據8 亦可證明上揭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，惟查除前述證據5 及證據8 之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據5 及證據8 亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑹申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以壓模方式形成該封膠材」，惟查除前述證據5及證據8 之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-34 之步驟11可參考第6 欄第62至67行以及圖6B，揭示以壓模方式形成一封膠材（90）及其頂部封膠（92），因此結合證據5 及證據
8 亦可證明上揭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。⑺申請專利範圍第6 項為第5 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，惟查除前述證據5 及證據
8 之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11及參考第6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 及證據8 亦可證明上揭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑻綜合上述，結合證據5 及證據8 可證明上揭專利申請專利範圍第1 至6 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點9上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據8 係2000年04月04日公告之美國專利US0000000 號（即被證57），其揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法。被告指出證據8 摘要、申請專利範圍第8 、9 、12、30項以及第7 欄第34-36 、52-58 行、第
8 欄第3-14行、第13欄第28-30 、40-42 、47-51 行、第14欄第13-19 行等處揭示該連接元件具有一可撓性片狀支撐結構，其上具有電性端子與連接物以及在底面之一黏膠，對準該連接元件與晶片，以使得該連接元件上之連接物對準該晶片之接點，施加壓力在該晶片與該連接元件之間，藉此上述壓力僅由該黏膠傳送在該晶片與該連接元件之間，以及活化該黏膠當維持這在該連接物與該晶片上接點之間的對位。未固化的黏膠以散佈或溶解該黏膠成分於一揮發性液態媒質。此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。在混合物已形成之後，以蒸發方式去除該液態媒質，而留下一呈所欲圖案未固化黏膠之薄層。該黏膠最佳呈固態狀態，並只要該黏膠低於一預設活化溫度可運用於維持固態大體上不具黏性。而後，該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化。被告據此指出結合證據1 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與上揭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同。惟證據8 揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，其中使用的黏膠於證據8 第7 欄第64行亦揭示為「熱固性」材質，且包含溶劑，且塗施於連接元件底面後以蒸發方式去除該液態媒質（即溶劑），而後該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化，其中結合過程除加熱外，證據8 於申請專利範圍第8 項步驟c)亦揭示揭示施加壓力，雖然證據8 係連接元件至一半導體晶片，與上揭專利申請專利範圍第1 項結合基板至晶片其結構不盡相同，但兩者皆屬半導體晶片之技術領域，熟悉該項技術之人士仍可輕易結合證據1 及證據8 而完成上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，故結合證據1 及證據8 可證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據1 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第
2 項不具進步性。⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」因此結合證據1 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第
3 項不具進步性。⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據1 之圖2 、圖3 及申請專利範圍第1 項之步驟g)及第2 欄第55行至第4 欄第8 行中揭示設置複數個格柵排列之球形接點於該基板之該導電面。因此結合證據1 及證據
8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。⑹綜合上述，結合證據1 及證據8 可證明上揭專利申請專利範圍第1 至4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點10上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43) ，其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據9 係2000年10月17日公告之美國專利US0000000 號（即被證59），其揭示一種半導體組裝結構，被告指出證據9 第17欄第42-48 及63-65 行、第18欄第44-48 行、第22欄第5-8 及17-23 行中揭示一片狀介電中介物836 被組配至晶片820 ，中介物836 包含一材質具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層838 （參見圖13）以及一以材質具有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層840 ，可替換地，該服貼底層可由一部份熟化彈性體所組成，例如一種所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在該頂層組配之後，這部份熟化材料可經由加熱始其更加以完全熟化，使得該彈性體接合該頂層與該晶片表面（其餘內容見證據9） 。被告據此指出結合證據1 及證據9 可證明上揭專利申請專利範圍第1及4項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與上揭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據9 雖揭示該服貼底層可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在該頂層組配之後，這部份熟化材料可經由加熱始其更加以完全熟化，使得該彈性體接合該頂層與該晶片表面，但證據9 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與上揭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，此外證據9 之服貼底層之主要功用與上揭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據
9 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用（參見證據9 第22欄第10至12行），另外證據9 之結構與上揭專利申請專利範圍第1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。綜此，結合證據1 及證據9 並無法證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶上揭專利申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，而附屬項
係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據1 及證據9 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明上揭專利申請專利範圍第4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點11上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據3 係2001年10月09日公告之美國專利US0000000 號（即
被證47），其公告日晚於上揭專利之申請日2001年8 月27日；證據14係1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （即被證65）。被告主張結合證據3 及證據14可證明上揭專利第
1 及6 項不符專利法第20條之1 而喪失 (擬制)新 穎性。⑵查新穎性之比對應就請求項中所載之發明與單一先前技術進
行比對，即一發明與單一先前技術單獨比對，不得就該發明與多份引證文件中之全部或部分技術內容的組合，或一份引證文件中之部分技術內容的組合，或引證文件中之技術內容與其他形式已公開之先前技術內容的組合進行比對。故被告結合證據3 及證據14顯然不符新穎性之比對原則。
⑶專利法第20條之1 規定「申請專利之發明，與申請在先而在
其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限。」，其中明文規定該先申請案係「申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案」，而證據3 既非屬在中華民國申請之專利先申請案，自無該法條之適用。⑷綜合上述，結合證據3 及證據14並無法證明上揭專利申請專
利範圍第1 及6 項違反專利法第20條之1 而不具新穎性（擬制新穎性）。
附表一爭點12上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被證35係經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料（http://www.creative materials.com） 之產品材料特性（data sheet）公開資訊，包含編號119-14（資料修訂日1998/7 /22）、118-34（資料修訂日1998/7/22） 、及120-15（資料修訂日1998/9/21） 之影本。其中編號119-14之資料上「B-STAGE PROCEDURE 」揭示「Apply adhesive to substr
ate. Next apply heat to advance the curing to the non-tacky stage when cooled to room temperature. A temperature of 125 °C for 2-3 minutes is required,B-St
age time is mass related.User is encouraged to experiment for optimum drying time at agiven temperature.Store on release liner to prevent contamination.」，編號118-34及120-15之資料上亦有類似之揭示，被告認為該揭示可推知被證35的B-stageable EpoxyAdhesive 在B 階段過程應有去除溶劑之情事。被證75係1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-St
age Expoxy黏膠，被告指出被證75第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage），再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更多的熱（additional heat） ，則樹脂將成為永久性固體。被告據上指出結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明系爭專利申請專利範圍第1 至8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查被證35編號119-14、118-34及120-15之資料上「B-STAGE
PROCEDURE 」部分並無明確揭示「該材料包含溶劑以增加流動性且在B 階段過程應有去除溶劑之情事」，被告所言並不可採，而且被證35係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated)網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE)1998/7/22 、1998/7/22 、及1998/9/21 ，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。
證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟上揭專利一樣皆屬於SO
C 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，惟被證75揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，被證75第1欄第5-13中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更進一步加熱，則樹脂將成為永久性固體。故結合證據5 及被證75可揭示上揭專利之步驟 (a)(b)(c)(d)(f)(g)， 其中 (e)步驟貼合基板與晶片時加壓加熱中之「加壓」過程雖沒有為證據5 及被證75所揭示，但黏合物體時加壓乃一般常識，事實上也為半導體製封裝技術領域中之習知技術。因此，熟悉該項技術者仍能輕易結合證據5 及被證75而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容，即結合證據5（即被證51) 及被證75可證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，被告指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「DESCRIPTION 」及「B-STAGE PROCEDURE 」部分揭示能以網板印刷方法在基板上形成一層混合物，故被告主張結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明系爭專利申請專利範圍第
2 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟被證35如前所述係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE）1998/7/22、1998/7/22 、及1998/9/21 ，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。綜此，結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75尚無法證明上揭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，被告指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「DESCRIPTION 」及「B-STAGE PROCEDURE 」部分揭示該等特徵，故被告主張結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明上揭專利申請專利範圍第3 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟被證35如前所述係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated）網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE）1998/7/22、1998/7/22 、及1998/9/21 ，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。綜此，結合證據5 （即被證51) 、被證35及被證75尚無法證明上揭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，查除前述證據5 及被證75之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據5 及被證75亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑹申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以壓模方式形成該封膠材」，查除前述證據5 及被證75之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11可參考第6 欄第62至67行以及圖6B，揭示以壓模方式形成一封膠材（90）及其頂部封膠（92），因此結合證據5 及被證75亦可證明上揭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
⑺申請專利範圍第6 項為第5 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 及被證75之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11及參考第
6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 及被證75亦可證明上揭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑻申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證據5 及被證75之結合特徵外，被證75第1 欄第5-13行中已揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜，因此結合證據5 及被證75亦可證明上揭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。
⑼申請專利範圍第8 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度」，查除前述證據5 及被證75之結合特徵外，被證75於第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠，如再更多的熱（additional heat） ，則樹脂將成為永久性固體，熟悉該項技術者由此揭示可輕易完成系爭專利申請專利範圍第8 項之技術內容，即於上揭專利申請專利範圍第
1 項之步驟e)使無溶劑之黏著乾膜固化並結合晶片與基板時，施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度，因此結合證據5 及被證75亦可證明上揭專利申請專利範圍第8 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。被告雖另指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「B-STAGE PROCEDURE 」及「BOND
ING PROCEDURE 」部分揭示該等特徵，惟被證35如前所述證據力不足，故該有關被證35之理由並不可採，併予指明。⑽綜上，結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明上
揭專利申請專利範圍第1 、4 至8 項違反專利法第20條第2項而不具進步性，但尚不能證明系爭專利申請專利範圍第2及3 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點13上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。被證76係1997年01月03日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種電子元件層疊封裝方法，被告指出證據76於第1 欄第41至56行、第7 欄第5-9 及22-24 及32-35 行及申請專利範圍第6 項等處揭示一黏著材料層如聚亞醯胺，具有兩階段特性，於第1 階段為液態，塗施附著於晶圓上，接著加熱去除溶劑，形成無溶劑之黏著乾膜，接著於第2 階段加壓及熱使黏著乾膜成為黏滯流動性，該黏滯流動性之黏著乾膜並填補不規則平面及凹洞，之後熟化（cure）該黏膠使其黏結層狀結構物（其餘參見被證76）。被告據上指出結合證據1 （即被證43）及被證76可證明上揭專利申請專利範圍第1-4 及7-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠 (見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍)， 與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同，惟被證76揭示一種電子元件層疊封裝方法，證據76於第
1 欄第41至56行、第7 欄第5- 9及22-24 及32-35 行及申請專利範圍第6 項等處揭示一黏著材料層如聚亞醯胺，具有兩階段特性，於第1 階段為液態，塗施附著於晶圓上，接著加熱去除溶劑，形成無溶劑之黏著乾膜，接著於第2 階段加壓及加熱使黏著乾膜成為黏滯流動性，該黏滯流動性之黏著乾膜並填補不規則平面及凹洞，之後熟化（cure）該黏膠使其黏結層狀結構物。另被證76於第6 欄第18至39行中亦揭示該黏膠材料可為熱固性樹脂，並可進一步熟化成固態黏著層。雖然被證76元件層疊封裝之結構與系爭專利之貼合晶片與經基板之結構不具相同，但皆使用黏膠貼合半導體晶圓或晶片，應用領域仍為相同，熟悉該項技術者仍可輕易結合證據1（即被證43）及被證76而輕易完成上揭專利申請專利範圍第
1 項之技術內容，因此結合證據1 （即被證43) 及被證76可證明上揭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術
特徵為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1 （即被證43）及被證76之結合特徵外，證據
1 於第2 欄第26-27 行已揭示一種以網板印刷方式形成一層熱塑性化合物，此外被證76於第7 欄第25至29行亦揭示以漩塗、擠壓、噴塗、印刷浸染或凹凸印刷方式形成一層液態熱固性混合物於晶片上，因此結合證據1 （即被證43）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1(即被證43) 及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第25至29行亦揭示以漩塗、擠壓、噴塗、印刷浸染或凹凸印刷方式形成一層液態熱固性混合物於晶片上，因此結合證據1 （即被證43）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，惟查除前述證據1 （即被證43）及被證76之結合特徵外，證據1 之圖2 、圖3 及申請專利範圍第1 項之步驟 (g)及第2 欄第55行至第4 欄第8 行中揭示設置複數個格柵排列之球形接點於該基板之該導電面。因此結合證據1 （即被證43）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑹申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證據1 及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第31至35行已揭示一以加熱真空方式完全去除溶劑。因此結合證據1 （即被證43）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。
⑺申請專利範圍第8 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度」，查除前述證據1 及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第31至35行已揭示一去除溶劑步驟之溫度為起始的110 ℃至13
0 ℃，並於第7 欄第56至65行及申請專利範圍第4 項揭示施壓加熱溫度為300 ℃至400 ℃，另被證76申請專利範圍第7項亦揭示去除溶劑步驟之溫度低於黏膠之固化溫度。因此結合證據1 （即被證43）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
⑻綜合上述，結合證據1 （即被證43）及被證76可證明上揭專
利申請專利範圍第1 至4 及7 至8 項違反專利法第20條第2項而不具進步性。
附表一爭點14上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（被
證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第
6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被證76係1997年01月03日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種電子元件層疊封裝方法，被告指出證據76於第1欄第41至56行、第7 欄第5-9 及22-24 及32-35 行及申請專利範圍第6 項等處揭示一黏著材料層如聚亞醯胺，具有兩階段特性，於第1 階段為液態，塗施附著於晶圓上，接著加熱去除溶劑，形成無溶劑之黏著乾膜，接著於第2 階段加壓及熱使黏著乾膜成為黏滯流動性，該黏滯流動性之黏著乾膜並填補不規則平面及凹洞，之後熟化（cure）該黏膠使其黏結層狀結構物（其餘參見被證76）。被告據上指出結合證據5（即被證51）及被證76可證明系爭專利申請專利範圍第1 及3-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟系爭專利一樣皆屬於SO
C 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，惟被證76揭示一種電子元件層疊封裝方法，證據76於第1 欄第41至56行、第7 欄第5-9 及22-24 及32-35 行及申請專利範圍第6 項等處揭示一黏著材料層如聚亞醯胺，具有兩階段特性，於第1階段為液態，塗施附著於晶圓上，接著加熱去除溶劑，形成無溶劑之黏著乾膜，接著於第2 階段加壓及加熱使黏著乾膜成為黏滯流動性，該黏滯流動性之黏著乾膜並填補不規則平面及凹洞，之後熟化（cure）該黏膠使其黏結層狀結構物。
另被證76於第6 欄第18至39行中亦揭示該黏膠材料可為熱固性樹脂，並可進一步熟化成固態黏著層。雖然被證76元件層疊封裝之結構與系爭專利之貼合晶片與經基板之結構不具相同，但皆使用黏膠貼合半導體晶圓或晶片，應用領域仍為相同，熟悉該項技術者仍可輕易結合證據5 （即被證51）及被證76而輕易完成上揭專利申請專利範圍第1 項之技術內容，因此結合證據5 （即被證51）及被證76可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，查除前述證據5 （即被證51）及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第25至29行亦揭示以漩塗、擠壓、噴塗、印刷浸染或凹凸印刷方式形成一層液態熱固性混合物於晶片上，因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑷申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，查除前述證據5 （即被證51）及被證76之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以壓模方式形成該封膠材」，查除前述證據5 及被證76之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11可參考第6 欄第62至67行以及圖6B，揭示以壓模方式形成一封膠材（90）及其頂部封膠（92），因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
⑹申請專利範圍第6 項為第5 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 及被證76之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11及參考第
6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑺申請專利範圍第6 項為第5 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 及被證76之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11及參考第
6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑻申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證據5 及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第31至35行已揭示一以加熱真空方式完全去除溶劑。因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。
⑼申請專利範圍第8 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中在e)步驟之施壓加熱溫度係高於c)步驟之溫度」，查除前述證據5 及被證76之結合特徵外，被證76於第7 欄第31至35行已揭示一去除溶劑步驟之溫度為起始的110 ℃至13
0 ℃，並於第7 欄第56至65行及申請專利範圍第4 項揭示施壓加熱溫度為300 ℃至400 ℃，另被證76申請專利範圍第7項亦揭示去除溶劑步驟之溫度低於黏膠之固化溫度。因此結合證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第8 項不具進步性。
⑽綜上，結合證據5 （即被證51）及被證76可證明上揭專利申
請專利範圍第1 、3 至8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表一爭點15上揭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴由爭點13可知結合證據1 （即被證43）及被證76可證明上揭
專利申請專利範圍第1 至4 及7 至8 項違反專利法第20條第
2 項而不具進步性。另由爭點14可知結合證據5 （即被證51）及被證76可證明系爭專利申請專利範圍第1 、3 至8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵故結合爭點13及爭點14所分析，結合證據1 （即被證43）、
證據5 （即被證51）及被證76亦可證明上揭專利申請專利範圍第1-8 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
四、關於發明專利第207525號專利（下稱系爭專利）是否不具新穎性或進步性而無效部分：
㈠系爭專利「基板在晶片上之封裝過程」申請日為90年9 月17
日，經智慧財產局審定並准予專利，且於91年11月21日公告，故其專利權是否有應撤銷、廢止之原因，自應以核准處分時所適用之90年10月24日修正公布之專利法規定為斷，併先陳明。
㈡系爭專利申請專利範圍共計7 項，其中第1 項為獨立項，其餘為附屬項。
1.一種基板在晶片上[SOC]之封裝過程，其步驟包含有：a)提供一基板，該基板具有一上表面、一下表面及連通上下
表面之通孔；b)在基板之上表面形成一層兩階段特性[two stage] 具有溶
劑之熱固性混合物；c)去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜；d)提供至少一晶片，晶片具有一主動面及複數個在主動面之
焊墊，其中晶片之主動面係接觸基板之上表面且晶片之焊墊係位置對應於基板之通孔；e)施壓加熱基板與晶片，使上述無溶劑之黏著乾膜黏合晶片
與基板；f)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；g)壓模形成一封膠材於該基板之通孔處;h)加熱固化該封膠材與無溶劑之黏著乾膜。
2.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其係以網版印刷方法形成一層熱固性混合物。
3.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物。
4.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其在「加熱固化該封膠材」之h)步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面。
5.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其中該封膠材係密封晶片。
6.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑。
7.如申請專利範圍第1 項中所述之基板在晶片上[SOC] 之封裝過程，其中在h)加熱固化步驟之溫度係高於c)去除溶劑步驟之溫度。
㈢系爭專利之發明特徵
一種基板在晶片上（Substrate-On-Chip ，SOC） 封裝過程係在基板之上表面披覆一層兩階段特性〔two stage 〕具有溶劑之熱固性混合物，然後，加熱基板，以除去溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜，避免在黏晶時覆蓋晶片之焊墊，並有利於SOC 封裝之加工，較佳地，在壓模後固化該熱固性混合物。
㈣被告抗辯系爭專利不具新穎性或進步性，提出下列證據：
證據1 ：2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即被證43）。
證據2 ：2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證45）。
證據3 ：1999年10月26日公告之美國專利US0000000 號（即被證2之附件7）。
證據4 ：1991年07月09日公告之美國專利US0000000 號（即被證49）。
證據5 ：2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即被證51) 。
證據6 ：1998年11月24日公告之美國專利US0000000 號（即被證53）。
證據7 ：1992年09月15日公告之美國專利US0000000 號（即被證55）。
證據8 ：2000年04月04日公告之美國專利US0000000 號（即被證57）。
證據9 ：2000年10月17日公告之美國專利US0000000 號（即被證59）。
證據10：原告對被告主張專利權之通知函與專利權侵害鑑定研究報告書（即被證1之附件2）。
證據11：原告對被告主張專利權之網頁資料（即被證34）。
證據12：與本件相同申請內容之美國專利公開案US2003/0000000A1（即被證62） 。
證據13：美國專利公開號US2003/0000000A1之美國官方核駁審定報告書，郵件日期（DATE MAILED） 為2002年12月12日（即被證64）。
證據14：1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （即被證65）。
證據15；經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料（http:// www.creative materials.com）之產品材料特性（data sheet）公開資訊，包含編號119-14（資料修訂日1998/7/22）、118-34（資料修訂日1998/7/22） 、及120-15（資料修訂日1998/9/21）之影本（即被證35）。
證據16；1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證75）。
證據17：原告對被告主張專利權之網頁資料，用於補強被證35（即被證34）。
證據18：1997年01月03日公告之美國專利US0000000 號（即被證76）。
證據19：原告另一中華民國專利申請案00000000號（即被證72）。
證據20：原告另一中華民國專利申請案00000000號（即被證74）。
㈤被告抗辯系爭專利不具新穎性或進步性爭點整理如附表二所示。
㈥附表二爭點1系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。
之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。被告據此指出結合證據1 及證據2 可證明系爭專利申請專利範圍第1-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同。故證據1 結合證據
2 尚無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑶系爭專利申請專利範圍第2-4 及6-7 項為第1 項之附屬項，
而附屬項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則證據1 結合證據2 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑷另外，被告指出其中申請專利範圍第7 項之附加特徵h)步驟
可由證據4 揭示，亦即系爭專利申請專利範圍第7 項可由證據1 、證據2 及證據4 結合而證明違反專利法第20條第2項而不具進步性。惟查證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-st
age 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。因此，結合證據1 、證據2 及證據4 亦無法明系爭專利申請專利範圍第7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑸綜合上述，結合證據1 及證據2 並無法證明系爭專利申請專
利範圍第1-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，而結合證據1 、證據2 及證據4 亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
㈦附表二爭點2系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴查證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線
架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同。綜此，證據2 並無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第1 項第
1 款而不具新穎性。⑵系爭專利申請專利範圍第2 、3 及6 項為第1 項之附屬項，
而附屬項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則證據2 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2 、3 及6 項違反專利法第20條第1 項第1 款而不具新穎性。
㈧附表二爭點3系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（即
被證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。
之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據14係1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （被證65），其揭示一種電半導體封裝構造之製造方法，被告指出證據14之申請專利範圍第1 項中揭示其步驟a)至h)，其中步驟b)中彈性體黏膠形成於基板表面，步驟d)施壓加熱基板與晶片之方式使黏膠黏合晶片與基板，步驟g)中形成一封膠材，步驟h)以加熱方式同時固化黏膠與封膠材。被告據此指出結合證據1 、證據2及證據14是否可證明系爭專利申請專利範圍第1-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同。另證據14並未揭示該黏膠係兩階段特性[two stage] 具有溶劑之熱固性混合物，且未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜上，結合證據1 、證據2 及證據14尚無法證明系爭專利申請專利範圍第
1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。⑶系爭專利申請專利範圍第2-4 及6-7 項為第1 項之附屬項，
而附屬項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則證據1 結合證據2 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。
⑷另外，被告指出其中申請專利範圍第7 項之附加特徵h)步驟
可由證據4 揭示，亦即系爭專利申請專利範圍第7 項可由證據1 、證據2 、證據14及證據4 結合而證明違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟查證據4 雖揭示使用具有B-stage的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。故結合證據1 、證據2 、證據14及證據4 亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。
⑸綜此，結合證據1 、證據2 及證據14並無法證明系爭專利申
請專利範圍第1-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，而結合證據1 、證據2 、證據14及證據4 亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
㈨附表二爭點4系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）所揭示之內容與證
據1 美國專利US0000000 號（即被證43）相同，其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處亦揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據2係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外證據2 第5 欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第
6 欄第4-7 行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據4 係1991年07月09日公告之美國專利US0000000 號（被證49），其揭示一種聯結晶片至基板之方法，被告指出證據4 於申請專利範圍第1 項、第8 項、第
5 欄第15-18 、29-32 、36-39 行等處揭示使用一種黏膠做為黏結晶片與基板，該黏膠係可釋放地被支撐在一含有離形塗層之支持膜，釋放至晶片表面用以接合至一基板，該經圓/ 黏膠成分可由一支持片釋放，且可在80℃經10或20分鐘而達成B-stage ，當黏晶狀態在100 ℃使原本非粘性黏膠重新溼潤化，並在（晶片）接合步驟中使用100 克重以施加壓力至晶片，然後快速固化在200 ℃經30秒時間。被告據此指出結合本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據4 可證明系爭專利申請專利範圍第1-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。此外，證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第
1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同；另證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。因此，該本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據4 尚無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶系爭專利申請專利範圍第2-4 及6-7 項為第1 項之附屬項，
而附屬項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則本件系爭案之先前技術（含第1 、2 圖）結合證據2 及證據4 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2-4 、6-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
㈩附表二爭點5系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據2 係2000年01月25日公告之美國專利US0000000 號（即
被證45），其揭示一種聯接導線架至晶片之方法，被告指出證據2 第5 欄第20-26 行揭示該黏膠16可以是液態或膏狀混合物，具有反應單體或聚合物或稀釋樹脂，該黏膠16可為兩特性化學混合物。一是固化型包含溶劑之單體或中階聚合物與填料。二是乾燥型包含溶劑之聚合樹脂（預烤）與填料。此外，該黏膠16亦可為該兩種型態之組合。此外證據2 第5欄第49-65 行揭示在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化。之後，該導線架與晶片貼合是使用任何習知方法例如施加壓力，如有需要可進行一後烘烤步驟，該液態黏膠層可藉由紫外光（UV）、紅外光（IR）、或傳統或溫度帶烘爐被固化或乾燥。另證據2 第6 欄第4- 7行揭示如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。如果採一急速（快速）固化環氧物，則應使用一溫度帶烘爐。證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被告據此指出結合證據2及證據5 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據2 雖揭示有使用所謂「兩階段特性」的黏膠作為導線
架與晶片之黏著層，在該黏膠塗施在晶片之主動面或導線架之引腳接指之後並在該導線架與晶片貼合之前，一中階固化步驟可被使用，該黏膠能為B-stage 或部分熟化，但並未揭示於導線架與晶片貼合之前要將B-stage 黏膠形成無溶劑之黏著乾膜，證據2 於第6 欄第4-7 行所揭示之「如果採用一乾燥型黏膠，該黏膠應完全烘烤乾以去除溶劑。」係於後烘烤步驟（post curing step），該步驟係在導線架與晶片貼合之後，因此很明顯證據2 並未揭示系爭專利申請專利範圍第1 項於貼合晶片與基板前先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，此外，證據2 所揭示之結構係使導線架與晶片貼合，與系爭專利申請專利範圍第1 項係使晶片與基板貼合兩者結構亦明顯不同；而證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第
1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜合上述，結合證據2 及證據5 尚無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶系爭專利申請專利範圍第2-7 項為第1 項之附屬項，而附屬
項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據2 及證據5 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2-7 項不具進步性。
⑷另外，被告指出其中申請專利範圍第7 項之附加特徵h)步驟
可由證據4 揭示，亦即系爭專利申請專利範圍第7 項可由證據2 、證據5 及證據4 結合而證明違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟查證據4 雖揭示使用具有B-stage 的黏膠做為黏結晶片與基材之材料，但並未揭示該黏膠為形成B-stag
e 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜此，結合證據2 、證據5 及證據4 亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。
⑸綜合上述，結合證據2 及證據5 並無法證明系爭專利申請專
利範圍第1-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，而結合證據2 、證據5 及證據4 亦無法證明系爭專利申請專利範圍第7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點6系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據7 係1992年09月15日公告之美國專利US0000000號（被證55），其揭示一種半導體組裝元件，被告指出證據
7 第9 欄第48-54 行、第9 欄第68至第10欄第2 行、第10欄第40-66 行、第12欄第3-13行、第14欄第19-43 行、第17欄第56-60 行、第18欄第7-16行等處揭示一片狀介電中介物13
6 （參見圖7） 組合至晶片120 ，中介物136 包含一由具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層138 及一由有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層140 ，服貼底層可併有黏膠在其上下表面以固定撓性頂層138 至該晶片，端子148 與具有外側部1534之引線150 是位設於該中介物之第一或下表面142 ，所以當該中介物位於晶片上，端子是朝向晶片120 ，因為服貼底層為柔軟可撓性，即使損傷經層138至該晶片，層138 將可保持為可撓性，並且端子148 將保持相對於該些接點130 為可移動。可替換地，層140 可由一部份熟化彈性體所組成，例如所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面（其餘內容見證據7） 。被告據此指出結合證據5 及證據7 可證明系爭專利申請專利範圍第1 、4-5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並
未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同；而證據
7 雖揭示該服貼底層140 可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面，但證據7 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，此外證據7 之服貼底層之主要功用與系爭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據7 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用，另外證據7 之結構與系爭專利申請專利範圍第1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。因此，結合證據5 及證據7 並無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶系爭專利申請專利範圍第4-5 項為第1 項之附屬項，而附屬
項包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據5 及證據7 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第4-5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點7系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據6 係1998年11月24日公告之美國專利US0000000號（即被證53），其揭示一種利用室溫下黏膠之LOC 半導體組件，被告指出證據6 之第3 圖及第3 欄第60-67 行、及第
4 欄第49行至第5 欄第6 行中揭示黏膠40塗施於半導體裝置34之主動表面35或是一導線架12之引腳接指14之貼附面26，引腳接指14與半導體裝置34被壓合而接觸該黏膠40，其後熟化之。亦圖解說明，焊線100 延伸其間並電性連接引腳接指14與在該半導體裝置34之主動表面35上之焊墊36。另該黏膠是非導電性聚合物，選自於一種黏性且在室溫下可服貼之黏膠之組群或種類，並同時經由一模板例如模板70塗施於一基板，黏膠較佳地具有第一共聚物，是由一包含異丁基化合物之共聚物群組形成，明確地可為異丁基乙縮醛二酚共聚物。證據7 係1992年09月15日公告之美國專利US0000000 號（被證55），其揭示一種半導體組裝元件，被告指出證據7 第9欄第48-54 行、第9 欄第68至第10欄第2 行、第10欄第40-6
6 行、第12欄第3-13行、第14欄第19-43 行、第17欄第56-6
0 行、第18欄第7-16行等處揭示一片狀介電中介物136 （參見圖7） 組合至晶片120 ，中介物136 包含一由具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層138 及一由有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層140 ，服貼底層可併有黏膠在其上下表面以固定撓性頂層138 至該晶片，端子148與具有外側部1534之引線150 是位設於該中介物之第一或下表面142 ，所以當該中介物位於晶片上，端子是朝向晶片12
0 ，因為服貼底層為柔軟可撓性，即使損傷經層138 至該晶片，層138 將可保持為可撓性，並且端子148 將保持相對於該些接點130 為可移動。可替換地，層140 可由一部份熟化彈性體所組成，例如所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在層13
8 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面（其餘內容見證據7） 。
被告據此指出結合證據5 、證據6 及證據7 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 雖揭示一種BGA 之封裝方法，但其中使用之黏膠並
未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同；而證據
6 並未揭示所使用黏膠於貼合引腳接指14與該半導體裝置34前須先預烤至B-satge ，亦未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，此外證據6 係貼合引腳接指與該半導體裝置，與系爭專利申請專利範圍第1 項貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異；另證據7 雖揭示該服貼底層140 可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在層138 組合之後，經由加熱此一部份熟化物質可更完全熟化，促使該彈性體固定層138 與晶片表面，但證據7 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。此外，證據7 之服貼底層之主要功用與系爭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據7 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用，故證據7 之結構與系爭專利申請專利範圍第1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。基此，結合證據5 、證據6 及證據7 並無法證明系爭專利申請專利範圍第
1 項不具進步性。⑶系爭專利申請專利範圍第2 至5 項為第1 項之附屬項，而附
屬項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據5 、證據6 及證據7 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2 至5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點8系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（被
證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之之製造方法步驟1 至12。
第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。證據8 係2000年04月04日公告之美國專利US0000000號（被證57），其揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，被告指出證據8 摘要、申請專利範圍第8 、
9 、12、30項以及第7 欄第34-36 、52-58 行、第8 欄第3-14行、第13欄第28-30 、40-42 、47-51 行、第14欄第13-1
9 行等處揭示該連接元件具有一可撓性片狀支撐結構，其上具有電性端子與連接物以及在底面之一黏膠，對準該連接元件與晶片，以使得該連接元件上之連接物對準該晶片之接點，施加壓力在該晶片與該連接元件之間，藉此上述壓力僅由該黏膠傳送在該晶片與該連接元件之間，以及活化該黏膠當維持這在該連接物與該晶片上接點之間的對位。未固化的黏膠以散佈或溶解該黏膠成分於一揮發性液態媒質。此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。在混合物已形成之後，以蒸發方式去除該液態媒質，而留下一呈所欲圖案未固化黏膠之薄層。該黏膠最佳呈固態狀態，並只要該黏膠低於一預設活化溫度可運用於維持固態大體上不具黏性。而後，該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B- stage狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化。
被告據此指出結合證據5 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟系爭專利一樣皆屬於
SOC 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，此外第6 欄第64-66 行揭示利用烤箱加熱熟化封膠樹脂之步驟，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，惟證據
8 揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，其中使用的黏膠於證據8 第7 欄第64行亦揭示為「熱固性」材質，且包含溶劑，且塗施於連接元件底面後以蒸發方式去除該液態媒質（即溶劑），而後該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化，其中結合過程除加熱外，證據8 於申請專利範圍第8 項步驟c)亦揭示施加壓力，雖然證據8 係連接元件至一半導體晶片，與系爭專利申請專利範圍第1 項結合基板至晶片其結構不盡相同，但兩者皆屬半導體晶片之技術領域，熟悉該項技術之人士仍可輕易結合證據5 及證據8 而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，故結合證據5 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網版印刷方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據5 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據5 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第
2 項不具進步性。⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據5 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至
1 4 行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據5 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「加熱固化該封膠材」之h)步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，惟查除前述證據5 及證據
8 之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據5 及證據
8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。⑹申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，惟查除前述證據5 及證據
8 之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-64 之步驟11及參考第6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
⑺綜上，結合證據5 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第
1 至5 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。附表二爭點9系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（被
證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據
1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據8 係2000年04月04日公告之美國專利US0000
000 號（被證57），其揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，被告指出證據8 摘要、申請專利範圍第
8 、9 、12、30項以及第7 欄第34-36 、52-58 行、第8 欄第3-14行、第13欄第28-30 、40-42 、47-51 行、第14欄第13-19 行等處揭示該連接元件具有一可撓性片狀支撐結構，其上具有電性端子與連接物以及在底面之一黏膠，對準該連接元件與晶片，以使得該連接元件上之連接物對準該晶片之接點，施加壓力在該晶片與該連接元件之間，藉此上述壓力僅由該黏膠傳送在該晶片與該連接元件之間，以及活化該黏膠當維持這在該連接物與該晶片上接點之間的對位。未固化的黏膠以散佈或溶解該黏膠成分於一揮發性液態媒質。此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。在混合物已形成之後，以蒸發方式去除該液態媒質，而留下一呈所欲圖案未固化黏膠之薄層。該黏膠最佳呈固態狀態，並只要該黏膠低於一預設活化溫度可運用於維持固態大體上不具黏性。而後，該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化。被告據此指出結合證據1 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第1 至4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同，惟證據8 揭示一種使用黏膠安裝連接元件至一半導體晶片之方法，其中使用的黏膠於證據8 第7 欄第64行亦揭示為「熱固性」材質，且包含溶劑，且塗施於連接元件底面後以蒸發方式去除該液態媒質（即溶劑），而後，該黏膠可經由加熱到一高溫足夠能啟動元件之間的反應，使黏膠層被引發到一黏性、半固化B-stage 狀態，但尚不足以高溫至完全固化，之後結合該支撐結構與該半導體晶片並維持該狀態，加熱並保持一升溫溫度直到該些層內B-stage 材料熟化，其中結合過程除加熱外，證據8 於申請專利範圍第8 項步驟c)亦揭示揭示施加壓力，此外以加熱固化封膠材料乃是半導體封裝領域中之熟知技藝，雖然證據8 係連接元件至一半導體晶片，與系爭專利申請專利範圍第1 項結合基板至晶片其結構不盡相同，但兩者皆屬半導體晶片之技術領域，熟悉該項技術之人士仍可輕易結合證據1 及證據8 而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，故結合證據1 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據1 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第
2 項不具進步性。⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據8 第8 欄第3 至14行中亦揭示「此一得到的混合物在其後塗佈在該底面呈所欲圖案，本質上利用任何圖案化液態形成方法，例如：鋼板印刷、網板印刷、或是照相網板印刷、或是以使用感光遮罩劑並圖案化照相以形成可塗佈黏膠之鋼板或遮罩的製程。」，因此結合證據1 及證據8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，惟查除前述證據1 及證據8 之結合特徵外，證據1 之圖2 、圖3 及申請專利範圍第1 項之步驟g)及第2 欄第55行至第4 欄第8 行中揭示設置複數個格柵排列之球形接點於該基板之該導電面。因此結合證據1 及證據
8 亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。⑹綜上，結合證據1 及證據8 可證明系爭專利申請專利範圍第
1 至4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。附表二爭點10系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據1 係2001年02月20日公告之美國專利US0000000 號（被
證43），其為一種晶片及尺寸級之封裝方法，被告指出證據
1 之圖2 、圖3 、發明說明及申請專利範圍第1 項等處揭示一種SOC （Substrate-On-Chip） 之封裝方法，該申請專利範圍第1 項揭示之步驟為：a)提供一基板，該基板具有一導電表面、及一非導電表面具可供單一或多個晶片置放區域，該晶片置放區具有單一或多個通孔；b)在晶片放置區域塗敷熱塑性黏著層至特定厚度；c)放置半導體晶片在每個晶片置放區域，使得該晶片主動面與熱塑性黏著層接觸，且該晶片主動面上複數個焊墊係位置對應至基板通孔；d)在特定壓力下對基板及晶片加熱至特定溫度經過一定時間；e)經由通孔打線電性連接晶片之焊墊至基板；f)在晶片放置區及通孔形成具非導電樹脂之保護層；g)在基板導電面上設置複數個球焊墊陣列。證據9 係2000年10月17日公告之美國專利US0000
000 號（被證59），其揭示一種半導體組裝結構，被告指出證據9 第17欄第42-48 及63-65 行、第18欄第44-48 行、第22欄第5-8 及17-23 行中揭示一片狀介電中介物836 被組配至晶片820 ，中介物836 包含一材質具有相對較高彈性模數材料薄片形成之可撓性頂層838 （參見圖13）以及一以材質具有相對較低彈性模數材料薄片形成之服貼底層840 ，可替換地，該服貼底層可由一部份熟化彈性體所組成，例如一種所謂的"B-stage" 矽膠彈性體，在該頂層組配之後，這部份熟化材料可經由加熱始其更加以完全熟化，使得該彈性體接合該頂層與該晶片表面 (其於餘內容見證據9)。被告據此指出結合證據1 及證據9 可證明系爭專利申請專利範圍第1 及
4 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。⑵查證據1 雖亦揭示一種SOC 之封裝方法，但其使用之黏膠乃
係不含溶劑之「熱塑性」黏膠（見證據1 第3 欄第21-26 行、申請專利範圍），與系爭專利申請專利範圍第1 項「具有溶劑之熱固性混合物」完全不同，因此其操作步驟亦隨之不同；而證據9 雖揭示該服貼底層可由一部份熟化的"B-stage" 矽膠彈性體組成，在該頂層組配之後，這部份熟化材料可經由加熱始其更加以完全熟化，使得該彈性體接合該頂層與該晶片表面，但證據9 並未揭示該服貼底層包含溶劑以增加流動性，亦未揭示該服貼底層於塗覆晶片後且未黏結至頂層前，該服貼底層須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同，此外證據9 之服貼底層之主要功用與系爭專利申請專利範圍第1 項之黏膠亦有所不同，證據
9 之服貼底層上下表面另施覆有黏膠做為黏結固定之用（參見證據9 第22欄第10至12行），另外證據9 之結構與系爭專利申請專利範圍第1 項之貼合晶片至基板於結構及步驟皆明顯有異。綜合上述，結合證據1 及證據9 並無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步。
⑶系爭專利申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，而附屬項
係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據1 及證據9 既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第4 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點11系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（被
證51) ，其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第
6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被證35係經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料（ht
tp://www.creative materials.com） 之產品材料特性（da
ta sheet）公開資訊，包含編號119-14（資料修訂日1998/7/22） 、118-34（資料修訂日1998/7/22） 、及120-15（資料修訂日1998/9/21） 之影本。其中編號119-14之資料上「B-STAGE PROCEDURE 」揭示「Apply adhesive to substrat
e.Next apply heat to advance the curing to the non-tacky stage when cooled to room temperature.A temperature of 125 °C for 2-3 minutes is required,B-Stagetime is mass related. User is encouraged to experime
nt for optimum drying time at a given temperature. Store on release liner to prevent contamination. 」，編號118-34及120-15之資料上亦有類似之揭示，被告認為該揭示可推知被證35的B-stageable Epoxy Adhesive在B 階段過成應有去除溶劑之情事。被證75係1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-St
age Expoxy黏膠，被告指出被證75第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage），再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更多的熱（additional heat） ，則樹脂將成為永久性固體。證據14係1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （被證65），其揭示一種電半導體封裝構造之製造方法，被告指出證據14之申請專利範圍第1 項中揭示其步驟a)至h)，其中步驟b)中彈性體黏膠形成於基板表面，步驟d)施壓加熱基板與晶片之方式使黏膠黏合晶片與基板，步驟g)中形成一封膠材，步驟h)以加熱方式同時固化黏膠與封膠材。被告據上指出證據5（即被證51）結合被證35、被證75及證據14（即被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第1-7 項違反專利法第20條第2項而不具進步性。
⑵查被證35編號119-14、118-34及120-15之資料上「B-STAGE
PROCEDURE 」部分並無明確揭示「該材料包含溶劑以增加流動性且在B 階段過成應有去除溶劑之情事」，被告所言並不可採，而且被證35係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE）1998/7/22、1998/7/22 、及1998/9/21，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟系爭專利一樣皆屬於
SOC 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，此外第6 欄第64-66 行揭示利用烤箱加熱熟化封膠樹脂之步驟，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，惟被證75揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，被證75第1 欄第5-13中揭示在可B- stage化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更進一步加熱，則樹脂將成為永久性固體。此外證據14（即被證65）之申請專利範圍第1 項中步驟d)揭示以足夠的壓力與溫度黏結晶片與機基板，而步驟h)則揭示在一固化溫度下固化黏膠及封膠材。故熟悉該項技術者能輕易結合證據5 、被證75及證據14而完成系爭專利申請專利範圍第1 項之技術內容，即結合證據5 （即被證51）、被證75及證據14（即被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第2 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以網板印刷方法形成一層熱固性混合物」，被告指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「DESCRIPTION 」及「B-STAGE PROCEDURE 」部分揭示能以網板印刷方法在基板上形成一層混合物，故被告主張結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明系爭專利申請專利範圍第
2 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟被證35如前所述係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE）1998/7/22、1998/7/22 、及1998/9/21 ，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。因此，結合證據5 （即被證51）、被證35、被證75及證據14（即被證65）尚無法證明系爭專利申請專利範圍第2 項不具進步性。
⑷申請專利範圍第3 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其係以印刷[painting]、噴塗[spraying]、旋塗[spinning]或浸染[dipping] 方法形成一層熱固性混合物」，被告指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「DESCRIPTION 」及「B-STAGE PROCEDURE 」部分揭示該等特徵，故被告主張結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75可證明系爭專利申請專利範圍第3 項違反專利法第20條第2 項不具進步性。惟被證35如前所述其證據力尚顯不足，故結合證據5 （即被證51）、被證35、被證75及證據14（即被證65）亦尚無法證明系爭專利申請專利範圍第3 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據
5 、被證75及證據14（即被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑹申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-6
4 之步驟11及參考第6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 及被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
⑺申請專利範圍第6 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，被證75第
1 欄第5-13行中已揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜，因此結合證據5 及被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑻申請專利範圍第7 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中在h)加熱固化步驟之溫度係高於c)去除溶劑步驟之溫度」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，被證75於第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating） （相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠，如再更多的熱（additionalheat），則樹脂將成為永久性固體，熟悉該項技術者由此揭示可輕易完成系爭專利申請專利範圍第7 項之技術內容，即於系爭專利申請專利範圍第1 項之步驟h)加熱固化步驟之溫度係高於c)步驟之溫度，因此結合證據5 及被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第7 項不具進步性。被告雖另指出被證35之編號119-14、118-34、及120-15資料上「B-STAGE PROCEDURE 」及「BONDING PROCEDURE 」部分揭示該等特徵，惟被證35如前所述其證據力尚有不足，故該有關被證35之理由並不可採，併予指明。
⑼綜上，結合證據5 （即被證51）、被證35及被證75及證據14
（被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第1 、4 至7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，但尚不能證明系爭專利申請專利範圍第2 及3 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點12系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（即
被證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第
7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被證35係經2008年11月13日公證並印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料（
ht tp://www.creative materials.com）之產品材料特性（
da ta sheet） 公開資訊，包含編號119-14（資料修訂日1998/7 /22）、118-34（資料修訂日1998/7/22） 、及120-15（資料修訂日1998/9/21） 之影本。其中編號119-14之資料上「B-STAGE PROCEDURE 」揭示「Apply adhesive to substrate.Next apply heat to advance the curing to the non-t acky stage when cooled to room temperature.A tempera ture of 125 °C for 2-3 minutes is required,B-Stage time is mass related.User is encouraged to experiment for optimum drying time at a given temperatu
re. Store on release liner to prevent contamination.」，編號118-34及120-15之資料上亦有類似之揭示，被告認為該揭示可推知被證35的B-stageable Epoxy Adhesive在B階段過成應有去除溶劑之情事。證據14係1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （即被證65），其揭示一種電半導體封裝構造之製造方法，被告指出證據14之申請專利範圍第
1 項中揭示其步驟a)至h)，其中步驟b)中彈性體黏膠形成於基板表面，步驟d)施壓加熱基板與晶片之方式使黏膠黏合晶片與基板，步驟g)中形成一封膠材，步驟h)以加熱方式同時固化黏膠與封膠材。被告據上指出證據5 （即被證51）結合被證35及證據14（被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第1-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
⑵查被證35編號119-14、118-34及120-15之資料上「B-STAGE
PROCEDURE 」部分並無明確揭示「該材料包含溶劑以增加流動性且在B 階段過成應有去除溶劑之情事」，被告所言並不可採，而且被證35係2008年11月13日公證始印出之美國創意材料公司（Creative Materials Incorporated） 網頁資料，編號119-14、118-34、及120-15雖然分別列有資料修訂日（REVISION DATE）1998/7/22、1998/7/22 、及1998/9/21，但該日期屬於該文件之資料修訂日，未必於該日即已公開於網路上而為不特定人所可取得，被證35之證據力亦顯不足。證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟系爭專利一樣皆屬於
SOC 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，此外第6 欄第64-66 行揭示利用烤箱加熱熟化封膠樹脂之步驟，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵。另證據14並未揭示該黏膠係兩階段特性[two stage] 具有溶劑之熱固性混合物，且未揭示該黏膠為形成B-stage 前具有溶劑以增加其流動性，亦未揭示該黏膠塗覆於晶片（或基材）後且該晶片（或基板）未黏結至基材（或晶片）前須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，與系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵及步驟明顯不同。綜此，結合證據5 （即被證51）、被證35及證據14（被證65）尚無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶系爭專利申請專利範圍第2-7 項為第1 項之附屬項，而附屬
項係包含其獨立項第1 項所述之構成，並進一步為限制或附加，則結合證據5 （即被證51）、被證35及證據14（被證65）既無法證明系爭專利申請專利範圍第1 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性，自亦無法證明系爭專利申請專利範圍第2-7 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
附表二爭點13系爭專利不具新穎性或進步性抗辯部分：
⑴證據5 係2000年04月11日公告之美國專利US0000000 號（被
證51），其揭示一種BGA 的封裝方法，被告指出證據5 第7欄第30-61 行揭示BGA 封裝件62之製造方法步驟1 至12。第
6 欄第8-12行揭示晶片設置開口86允許該晶片16設置通過其中，並以一黏膠層72直接接合至該基板56，該黏膠層72能包含一種填充環氧物、一無填充環氧物、一丙烯酸或一聚亞醯胺材料。第6 欄第64至66行另揭示封膠樹脂能包含一使用壓模過程形成所需形狀之鄰甲酚基環氧物，之後利用烤箱熟化之。被證75係1983年10月25日公告之美國專利US0000000 號，揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，被告指出被證75第1 欄第5-13行中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（
dry coating） （相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更多的熱（additional heat），則樹脂將成為永久性固體。證據14係1999年10月26日公告之美國專利US0000000 （即被證65），其揭示一種電半導體封裝構造之製造方法，被告指出證據14之申請專利範圍第1項中揭示其步驟a)至h)，其中步驟b)中彈性體黏膠形成於基板表面，步驟d)施壓加熱基板與晶片之方式使黏膠黏合晶片與基板，步驟g)中形成一封膠材，步驟h)以加熱方式同時固化黏膠與封膠材。被告據上指出證據5 （即被證51）結合被證75及證據14（即被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第
1 、4-6 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。⑵證據5 揭示一種BGA 之封裝方法，跟系爭專利一樣皆屬於SO
C 之封裝方法，參見第7 欄第30-61 行揭示BGA 封裝件之製造方法步驟1 至12以及圖6A及6B，此外第6 欄第64-66 行揭示利用烤箱加熱熟化封膠樹脂之步驟，但其中使用之黏膠並未揭示包含溶劑以增加黏膠之流動性，亦未揭示黏膠於塗覆基板後且基板未黏結至晶片前，該連黏膠須先去除溶劑，使熱固性混合物形成無溶劑之黏著乾膜之技術特徵，惟被證75揭示一種無溶劑之UV可乾燥性B-Stage Expoxy黏膠，被證75第1 欄第5-13中揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜（dry coating）（相當於B-stage） ，再以加熱方式使樹脂流動，以做為一黏膠。如再更進一步加熱，則樹脂將成為永久性固體。此外證據14（被證65）之申請專利範圍第1 項中步驟d)揭示以足夠的壓力與溫度黏結晶片與機基板，而步驟h)則揭示在一固化溫度下固化黏膠及封膠材。故熟悉該項技術者能輕易結合證據5 、被證75及證據14而完成系爭專利申請專利範圍第
1 項之技術內容，即結合證據5 （即被證51）、被證75及證據14（被證65）可證明系爭專利申請專利範圍第1 項不具進步性。
⑶申請專利範圍第4 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其在「形成封膠材」之步驟後，另包含有：接植複數個焊球於基板之下表面」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，證據5 第7 欄第30至61行以及圖6A及6B揭示在形成封膠樹脂90之步驟11之後，於步驟12中，可設置複數個銲球88於該基板56之接求墊82，因此結合證據
5 、被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第4 項不具進步性。
⑷申請專利範圍第5 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中該封膠材係密封晶片」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，證據5 於第7 欄第29-6
4 之步驟11及參考第6 欄第62至67行以及圖6B及圖7 揭示該封膠材（90）係密封晶片（16），因此結合證據5 及被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第5 項不具進步性。
⑸申請專利範圍第6 項為第1 項之附屬項，其附加之技術特徵
為「其中係以加熱或真空乾燥方式去除溶劑」，查除前述證據5 及被證75及證據14（被證65）之結合特徵外，被證75第
1 欄第5-13行中已揭示在可B-stage 化樹脂的標準化流程中，以加熱方式蒸發溶劑以在基板上行成一乾膜，因此結合證據5 及被證75及證據14（被證65）亦可證明系爭專利申請專利範圍第6 項不具進步性。
⑹綜上，結合證據5 （即被證51）、被證75及證據14（被證65
）可證明系爭專利申請專利範圍第1 、4 至6 項違反專利法第20條第2 項而不具進步性。
肆、綜上所述，上揭2 項專利之有效性乃為本件侵權行為損害賠償請求之前提要件，而經本院比對上揭2 項專利與被告所提引證資料，認為上揭2 項專利之有效性確有消極事由存在，即被告抗辯上揭2 項專利依申請核准時之專利法（即90年10月24日修正公布之專利法）第71條第1 款規定，應不得取得專利權，而具有應予撤銷之原因，係屬可採，已詳述如上，則依智慧財產案件審理法第16條第2 項規定，原告於本件民事訴訟中自不得以上揭2 項專利權對於被告主張權利。從而，原告主張被告所製造生產之電腦記憶體模組之系爭記憶體產品已落入上揭2 項專利之範圍而侵害該2 項專利，依專利法第84條第1 項、第85條第1 項第2 款規定，請求被告賠償所受損害及排除其侵害等如訴之聲明所示，即屬於法無據，亦無深入討論之必要，均應予以駁回。
伍、原告之訴既經駁回，其假執行之聲請亦失所依附，應併予駁回。
陸、因本件事證已臻明確，兩造其餘主張陳述及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，均毋庸再予一一論述，附此敘明。
柒、結論：本件原告之訴為無理由，依民事訴訟法第78條，判決如主文。
中 華 民 國 98 年 6 月 10 日
民事第一庭法 官 黃若美以上正本係照原本作成如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀中 華 民 國 98 年 6 月 10 日
書記官 江怡萱附表一：
（依被告之專利無效抗辯主張事由及法條）┌────┬────┬──────┬────────────┐│爭點編號│請求項 │ 主張法條 │ 證據 │├────┼────┼──────┼────────────┤│1 │1-4，7-8│違反專利法第│證據1結合證據2 ││ │ │20條第2項 │（其中第8項係證據1結合證││ │ │ │據2及證據4） │├────┼────┼──────┼────────────┤│2 │1-3、7 │違反專利法第│證據2 ││ │ │20條第1項第1│ ││ │ │款 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│3 │1、4-6 │違反專利法第│證據3 ││ │ │20之1 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│4 │1-4、7-8│違反專利法第│系爭案之先前技術（含第1 ││ │ │20條第2項 │、2圖）結合證據2及證據4 │├────┼────┼──────┼────────────┤│5 │1-8 │違反專利法第│證據2結合證據5及證據4（ ││ │ │20條第2項 │其中第8項係證據2結合證據││ │ │ │5及證據4） │├────┼────┼──────┼────────────┤│6 │1-6 │違反專利法第│證據5結合證據6及證據7 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│7 │1、4-6 │違反專利法第│證據5結合證據7 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│8 │1-6 │違反專利法第│證據5結合證據8 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│9 │1-4 │違反專利法第│證據1結合證據8 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│10 │1、4 │違反專利法第│證據1結合證據9 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│11 │1、6 │違反專利法第│證據3結合證據14 ││ │ │20條之1 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│12 │1-8 │違反專利法第│證據5（即被證51）結合被 ││ │ │20條第2項 │證35與被證75 │├────┼────┼──────┼────────────┤│13 │1-4，7-8│違反專利法第│證據1（即被證43）結合被 ││ │ │20條第2項 │證76 │├────┼────┼──────┼────────────┤│14 │1、3-8 │違反專利法第│證據5（即被證51）結合被 ││ │ │20條第2項 │證76 │├────┼────┼──────┼────────────┤│15 │1-8 │違反專利法第│證據1（即被證43）結合證 ││ │ │20條第2項 │據5（即被證51）與被證76 │└────┴────┴──────┴────────────┘附表二：
（依被告之專利無效抗辯主張事由及法條）┌────┬────┬──────┬────────────┐│爭點編號│請求項 │ 主張法條 │ 證據 │├────┼────┼──────┼────────────┤│1 │1-4，6-7│違反專利法第│證據1結合證據2 ││ │ │20條第2項 │（其中第7項係證據1結合證││ │ │ │據2及證據4） │├────┼────┼──────┼────────────┤│2 │1-3、6 │違反專利法第│證據2 ││ │ │20條第1項第1│ ││ │ │款 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│3 │1-4、6-7│違反專利法第│證據1結合證據2及證據14（││ │ │20條第2項 │其中第7項係證據1結合證據││ │ │ │2、證據14及證據4） │├────┼────┼──────┼────────────┤│4 │1-4、6-7│違反專利法第│系爭案之先前技術（含第1 ││ │ │20條第2項 │、2圖）結合證據2及證據4 │├────┼────┼──────┼────────────┤│5 │1-7 │違反專利法第│證據5結合證據2（其中第7 ││ │ │20條第2項 │項係證據5結合證據2及證據││ │ │ │4） │├────┼────┼──────┼────────────┤│6 │1、4-5 │違反專利法第│證據5結合證據7 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│7 │1-5 │違反專利法第│證據5結合證據6及證據7 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│8 │1-5 │違反專利法第│證據5結合證據8 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│9 │1-4 │違反專利法第│證據1結合證據8 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│10 │1、4 │違反專利法第│證據1結合證據9 ││ │ │20條第2項 │ │├────┼────┼──────┼────────────┤│11 │1-7 │違反專利法第│證據5（即被證51）結合被 ││ │ │20條第2項 │證35、被證75及證據14（被││ │ │ │證65） │├────┼────┼──────┼────────────┤│12 │1-7 │違反專利法第│證據5（即被證51）結合被 ││ │ │20條第2項 │證35及證據14（被證65） │├────┼────┼──────┼────────────┤│13 │1、4-6 │違反專利法第│證據5（即被證51）結合被 ││ │ │20條第2項 │證75及證據14（被證65） │└────┴────┴──────┴────────────┘