行 政 法 院 判 決 八十七年度判字第一九六四號
原 告 台灣積體電路製造股份有限公司代 表 人 甲○○訴訟代理人 林鎰珠律師被 告 經濟部中央標準局右當事人間因發明專利申請事件，原告不服行政院中華民國八十七年三月十二日台八十七訴字第一○六一四號再訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如左︰
主 文原告之訴駁回。
事 實緣原告於民國八十四年一月二十七日以其「改善高阻抗複晶矽電阻匹配性之製程」係沈積可完全覆蓋複晶矽電阻層之金屬遮蔽層，藉遮蔽層之隔離，防止電漿化學氣相沈積法沈積氮化矽膜層時產生之氫擴散至複晶矽層而改變電阻之特性等情，向被告申請發明專利。案經編為第00000000號審查、再審查，不予專利，發給八十六年四月二十一日（）台專（伍）○四○四五字第一一四九四四號專利再審查審定書。原告不服，提起訴願、再訴願，遞遭駁回，遂提起行政訴訟。茲摘敍兩造訴辯意旨於次：
原告起訴意旨及補充理由略謂︰㈠、本案係一種改善高阻抗複晶矽電阻匹配之製程，主要在避免複晶矽電阻於電漿化學氣沈積步驟中，為滲透之氫改變其阻抗而影響不同電阻間之匹配性。其係於複晶矽電阻之複晶矽上方，以濺鍍法在特定區域內形成一金屬層，用以隔離於電漿化學氣相沈積中向下滲透之氫氣，藉以確保複晶矽之阻抗不受影響。該製程確可令複晶矽電阻之匹配性不受製程中之滲透氫影響，具備產業上之高度利用價值，已符合發明專利之要件。㈡、原告一再於訴願及再訴願理由中強調，美國專利案第五、三三○、九三○號（下稱引證案）之金屬障壁層與本案之金屬遮蔽層於發生現象與達成功效上均截然不同，並例舉二者在半導體構造、使用對象及達成目的等各方面之實際差異，卻未為再決定機關所接受。而原告再訴願理由中曾主張原決定機關所執理由之諸多謬誤，惟再決定機關對於其中多項爭議未置可否，甚至於再訴願決定理由中略去關鍵性字眼，而便宜行事。如：原決定機關指出 TIN金屬障壁層功能包括有：中介層，並特別以括弧文字（鎢、鋁介面）說明其係作為中介層之對象。事實上，所謂鎢、鋁介面係指中介層係位於鎢、矽接面或鋁、矽接面，其中作為鎢、矽接面之中介層時係為加強接合效果，作為鋁、矽接面之中介層則為防止互溶現象。而前述中介層皆必須與複晶矽直接接觸，方能產生預期效果，反觀本案之金屬遮蔽層則形成於複晶矽上方之氧化層上，並未與複晶矽直接接觸，原告乃據此向再訴願決定機關陳明其間之差異。惟再訴願決定機關除未置可否，仍沿用原決定機關之是項不當理由外，反將具有爭議性之括弧文字（鎢、鋁介面）逕予刪除，其作法實令原告不解。又原告主張原決定理由之不當處，亦未見再訴願決定機關予以釐清。如原決定理由中指出：若將引證案之金屬障壁層運用於本案，亦可達成防止氫擴散之功效。經原告於再訴願理由分析引證案之「障壁層」與本案之「遮蔽層」在定義上之差異，以反證二者間並不存在單純套用之問題，然再訴願決定機關對於原告之是項主張亦未置可否，僅一味援用原決定機關之理由，顯然無助於事實之釐清。㈢、本案並非被告所指係引證案之單純套用，且二者之基本定義大相逕庭，如本案之「金屬遮蔽層」與引證案之「金屬障壁層」之所以分別作如是之命名，係因就其構造及技術特性而言，分別有其特別意義存在，並不得作單純之相互取代。另以二者材質之差異而言，引證案之金屬障壁層並非指其障壁層係由「金屬」構成，而係指其構成障壁阻擋之「對象」為金屬者，如原決定理由中曾指出金屬障壁層係作為鎢、鋁介面之中介層者，其中鎢、鋁均為金屬而本案之金屬遮蔽層則係指遮蔽層本身係由金屬構成。又在達成功效目的部分，引證案之金屬障壁層為熟習此一技藝者所周知之TI、TIN或TIW，其主要目的在於提升金屬與其他材質（通常為矽）間之附著能力，以加強其歐姆式接觸（Ohmic Con-tact）或抑制接面發生之互溶現象，如原決定理由指金屬障壁層可作為鎢、鋁介面之中介層，其中鎢、鋁介面係指鎢、矽或鋁、矽接面，在前述之鎢、矽或鋁、矽接面間加入障壁層，用以防止複晶矽之電阻值下降。其中金屬障壁層之技術原理詳如下述：
⑴、金屬障壁層（metal barrier ）中所謂障壁（barrier ），係由於其可抑制矽與鋁間之互溶（spiking ，尖峰現象）。故當其用於鋁、矽接面之隔離用途時，始稱之為「障壁」層。⑵、又障壁層用於鎢、矽接面時，則在加強鎢與矽間之附著性，換言之，當其用於鎢、矽接面形成障壁時，其實際功能為一接著層（gluing layer）。⑶、反觀本案之遮蔽層主要係由蒸鍍金屬構成，該蒸鍍金屬主要係形成於複晶矽上方之氧化層表面，並不與複晶矽直接接觸，其作用則在防止氫擴散影響阻抗匹配性。故引證案之金屬障壁層用於鋁、矽接面時，係抑制矽、鋁間之互溶，以此互溶現象相較於本案用以防止氫擴散之金屬遮蔽層，無論是原理現象或產生效果均完全不同；又引證案之金屬障壁層用於鎢、矽接面時，則為加強接合二者之接著效果，以此接著目的之中介層構造與本案防止氫擴散之遮蔽層相較，顯然更屬不當。㈣、由前述分析比較可知，就材質及達成功效而言，本案用以防止氫擴散之遮蔽層與引證案之障壁層應屬截然不同，除此以外，就半導體之構造型態而言，更可進一步證明其二者間之差異：如本案雖與複晶矽有關，惟遮蔽層之形成位置係在於複晶矽上方之氧化層表面，而與複晶矽並未直接接觸。然對於引證案之金屬障壁層而言，「直接接觸」係其必要且絕對之條件，以前述之鎢、矽接面或鋁、矽接面為例，如障壁層非位於鎢、矽接面之間而與二者直接接觸，即無法用以提高鎢、矽間之附著性；再如障壁層非位於鋁、矽接面之間而與二者直接接觸，則無法用以防止其接面之互溶現象，換言之，金屬障壁層之所以稱為障壁層，係因其與鎢、矽介面或鋁、矽介面直接接觸，始能分別抑制互溶或提高接著能力。故直接接觸係引證案「障壁層」之必然要件。當其如本案般係形成於複晶矽表面之氧化層上，而未與複晶矽直接接觸，即無法產生如前述之互溶抑制或提高接著能力等作用，而其實質上即已非前述所稱之「障壁層」。故本案之遮蔽層與引證案之障壁層在半導體之構造型態上存在有「未直接接觸」與「直接接觸」之懸殊差異，由此可進一步證明本案製程與引證案確屬不同。㈤、至於被告、訴願及再訴願機關一再指稱本案係為熟習此項技術人士參照引證案所輕易達成，顯然過於主觀。事實上，被告在審查過程中因瞭解本案技術內容後，極易主觀地將本案進步性作成偏低之評價，然而此種主觀之認定方式顯然不當，且為被告發行之「專利審查基準」提示應予避免者，如其中有關發明專利審查上應注意事項第６點即指出：「進步性之研判，因審查委員在審查中瞭解其技術內容，極易對發明之進步性作成偏低之評斷，以致有『後見之明』之情形，故審查時應以熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，作客觀之判斷。」由上述可知，儘管原告一再主張本案與引證案無論在整體構造型態、使用對象及達成功效上均有懸殊差異，不宜相互援引比較，惟原決定機關從未予正，僅一味援用被告之不當理由，即逕予認定本案不具進步性，其認事用法顯已違反前述「專利審查基準」提示之應注意事項，自有撤銷而予重新審酌之必要。㈥、本案得否准予專利及技術認定問題，謹請准予進行言詞辯論，以利事實真相之釐清。㈦、綜上所述，本案「遮蔽層」與引證案「金屬障壁層」確實存在結構性差異，二者不僅發生現象完全不同外，所欲達成之功效目的亦大相逕庭，而被告、訴願及再訴願機關無於此懸殊差距，逕指本案係引證案之單純套用，其認事用法明顯違誤，謹請詳為察核，並為判決撤銷再訴願決定、訴願決定及原處分，令被告重為本案應予專利之適法處分，用保原告權益等語。
被告答辯意旨略謂︰㈠、本案特徵乃藉由濺鍍法於複晶矽電阻層外之氧化層上沈積一金屬遮蔽層，以隔離後續製程之氫擴散至電阻層影響電阻值。（至於該濺鍍遮蔽層材質、厚度等則無說明。）㈡、又半導體製程中，為防止金屬接觸擴散（最有名者如鋁擴散），技術思想上常運用之手段為設置一擴散屏障層（（diffusion barrier 」於其間（當然亦有先摻雜微量鋁於矽層之揭示，因與本案較無關，不贅述），但非必然須與被保護層作直接接觸（亦有設罝中間緩衝層者），只要是能將擴散離子予以阻擋即可，另若為防止外界雜質滲入或特殊保護，則會於最近汙染源處設置保護層或遮蔽層，常見如薄膜電晶體中之保護層（Passivation ），或為降低離子佈植撞擊力時，刻意設置之遮蔽層等，前述皆屬已知之常見技術。㈢、我國專利制度，對於進步性之層次有發明與新型之區分，本案內容與引證案，若以審查新穎性之一對一比對角度觀之，當然不同。惟本案乃不合於發明之進步性，事實上，引證案之擴散屏障層，技術層次遠較本案之遮蔽層為高，且均已屬公開技術。何況本案既非材質上之突破（說明書隻字未提可知），亦非薄膜製程技術之創新，更非技術思想之更進步，豈能謂具高度創作之進步性﹖㈣、綜觀本案說明書內容或申請專利範圍，皆十分籠統，且僅為現有構造之改良，其效果完全可預期，製程技術又為熟習者可輕易完成，故不具進步性。㈤、基上所述，被告所為本案應不予專利之審定，並無違法，原告之訴為無理由，敬請予以駁回等語。
理 由按專利法第二十條第二項規定，發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。本件原告於八十四年一月二十七日以其「改善高阻抗複晶矽電阻匹配性之製程」，向被告申請發明專利。案經編為第00000000號審查、再審查，以本案金屬遮蔽層之設置技術，已見於引證案，引證案揭示一種靜態記憶體結構，設有金屬障壁層覆蓋複晶矽層以避免電阻值改變。本案係運用既有之技術，為熟悉該項技術者，所能輕易完成，依專利法第二十條第二項規定審定，不予專利。原告循序起訴謂本案與引證案無論在整體構造型態、使用對象及達成功效上均有懸殊差異，具有進步性及產業上之高度利用價值，符合發明專利之要件（詳如事實欄所載）云云。查本案特徵乃藉由濺鍍法於複晶矽電阻層外之氧化層上沉積一金屬遮蔽層，以隔離後續製程之氫擴散至電阻層影響電阻值。於半導體製程中，為防止金屬接觸擴散（最有名者如鋁擴散），技術思想上常運用之手段為設置一擴散屏障層（diffusion barrier ）於其間，非必然須與被保護層作直接接觸（亦有設罝中間緩衝層者），只要能將擴散離子予以阻擋即可。若為防止外界雜質滲入或特殊保護，則於最近汙染源處設置保護層或遮蔽層，常見如薄膜電晶體中之保護層（Passivation ），或為降低離子佈植撞擊力時，刻意設置之遮蔽層等，皆屬已知之常見技術。我國專利制度，對於進步性之層次有發明與新型之區分，本案內容與引證案，若以審查新穎性之一對一比對角度觀之，當然不同。惟本案乃不合於發明之進步性，事實上，引證案之擴散屏障層，技術層次遠較本案之遮蔽層為高，且均已屬公開技術。何況本案既非材質上之突破（說明書隻字未提可知），亦非薄膜製程技術之創新，更非技術思想之更進步，不能謂具高度創作之進步性。又引證案揭示一種靜態記憶體結構，設有金屬障壁層覆蓋複晶矽層以避免電阻值改變。其金屬層運用於本案，亦可避免氮化矽護層沈積時氫氣之擴散。故本案設置金屬障壁層以達阻擋之目的，在半導體製程領域屬易於思及達成者，並為業界所慣用之技術。本案專利說明書及申請專利範圍亦未說明其金屬層沈積之金屬種類及厚度，足見其技術僅為單純套用習知金屬層之阻擋作用，自不得申請取得發明專利等情，業據被告答辯及一再訴願決定指明，並有相關資料附原處分卷可供比對參酌。且本件經經濟部受理原告訴願後，曾囑請國立成功大學審查結果亦表示相同意見無訛，有審查意見書附原訴願卷足憑，被告所辯，洵屬可採，原告指被告之處分，違反其所訂「專利審查基準」所提示之應注意事項，殊非有據。從而原告前揭主張，要無足取，原處分為不予專利之審定及一再訴願決定遞予維持，俱無違誤之可言。原告起訴意旨，難謂有理，應予駁回。又本件事證已臻明晰，原告請求進行言詞辯論，核無必要，併此敍明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第二十六條後段，判決如主文。中 華 民 國 八十七 年 九 月 三十 日
行 政 法 院 第 一 庭
審 判 長 評 事 黃 綠 星
評 事 徐 樹 海評 事 高 秀 真評 事 藍 獻 林評 事 黃 璽 君右 正 本 證 明 與 原 本 無 異
法院書記官 邱 彰 德中 華 民 國 八十七 年 九 月 三十 日