最 高 行 政 法 院 判 決 九十年度判字第一一五五號
原 告 美商．應用材料股份有限公司代 表 人 甲○○○訴訟代理人 陳文郎律師
劉法正律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 陳明邦右當事人間因發明專利異議事件，原告不服行政院中華民國八十八年九月二十七日台八十八訴字第三五七四○號再訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如左：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實緣原告於八十五年十月十九日以其「用於加工半導體晶圓之磁性限制性電漿反應器」係將磁場引至待停住電漿流所流經之區域或平面，在完全不依賴腔室壁下，將電漿限制在腔室內等情，向被告經濟部中央標準局（八十八年一月二十六日改制為經濟部智慧財產局）申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，余靜以本案有違專利法第十九條、第二十條第一項第一款及第二項規定，檢具日本特開平七－二二三八九號公開特許案（以下稱引證一）及特開平0－000000號公開特許案（以下稱引證二）公告影本等，對之提起異議。案經原告申准修正本案申請專利範圍，被告審查結果，為「本案異議成立，應不予專利」之審定，發給八十七年六月十六日台專（判）○四○二○字第一一九八八九號專利異議審定書。原告不服，提起訴願、再訴願，遞遭決定駁回，遂提起行政訴訟，茲摘敍兩造訴辯意旨於次：
原告起訴意旨略謂：一、本案訴訟爭點應被界定在如后述之範疇內，方屬適法。㈠關係人以四件異議證據對系爭案提起異議，被告審查認為證據一、二與本案之專利特徵實質上相同，證據三、四，則不具有與本案之專利特徵相同之技術內容，訴願、再訴願決定亦僅論及證據一、二與系爭案之關係，故本訴訟理由之爭點乃限定在證據一、二之證據力上。㈡系爭案於異議答辯期間曾修正申請專利範圍，將請求標的中成對之磁極限於形成「閉合磁路」（closed magnetic circuit） 之實施例如第４、５圖中所示者而有別於第２、３圖所示之「開磁路」（open magnetic circuit） 。因此，異議審查自應限於針對系爭案修正後，而非原核准之申請專利範圍。二、次查，系爭案中「閉合磁路」與「開磁路」之意義或其技術概念於說明書第頁中有所記載，即第７至９行 第３圖的實例可被視為一開路磁通路，因在第３圖中的磁通量的回返磁場力線係如圖示向外輻射出 ，以及第至行．．．閉路磁場通路（其內的回返磁場力線並不延伸至真空腔室內） 。為了避免第２與第３圖所示磁通量與某些回返磁場力線延伸至半導體晶圓附近，因而扭曲或干擾半導體晶圓的電漿加工，第４和５圖之實例即為此一缺失之改進之道，其中，隔著泵環道而相面對之磁極，係各為與晶圓檯座內心的各別馬蹄形環磁石和的一磁極。．．．包含內和外馬蹄形環磁石和的磁通路係一閉路，因在相面對磁極對、、和之間的磁通量力線係筆直延伸在磁極之間，而一般不向外彎曲，至少不至於達第２圖磁通量和第３圖中之磁通量的向外彎曲回返磁場力線程度。由是可見，如第４圖所示之磁極布列與第２、３圖所示之磁極布列具有實質技術思想上差異而能克服後者之潛在問題。且系爭案申請專利範圍請求標的皆經由異議答辯時所作修正而侷限在前者（第
４、５圖）提供之改進構造上。三、反觀證據一－日本特開平七－二二三八九號，圖１中所示之永久磁石配置方式即與系爭案第２圖之非專利標的電漿限制磁極配置方式及回返磁力線形式相同，依該一證據之記載，藉由永久磁石、之磁力線封閉而可避免電漿自排氣孔向下流出，但卻無法避免磁通量之回返磁力線（為開磁路形式）延伸至半導體晶圓附近而扭曲或干擾晶圓之加工，亦無法同時防止電漿由真空腔室側壁的間隙開口流出。此外，證據二－日本開平0－000000號之圓柱狀磁石係設置於環狀絕緣材內，以該案圖１所示之反應裝置構造觀之，其磁石的設置位置無法封閉晶圓檯座５之周邊和真空腔室的側壁與地板之間所形成之泵環道。復由申請專利範圍第１項之特徵定義 在上述處理室內之上述電極間空間附近周圍，設置電漿封閉裝置俾將上述電漿封閉於該電極間空間 ，亦得見該前案之旨趣與系爭案修正後之請求標的不同。四、於此足見，原處分之謬誤在於，證據一、二俱未記載系爭案所揭露之「閉合磁路」應用於半導體晶圓之RF電漿反應裝置以侷限電漿離子之路徑的技術思想，而徒以：「①證據案一亦是一電漿處理裝置，其於晶圓檯座與腔室壁間之環狀溝之相對兩側上亦設有由一對磁鐵構成之電漿封閉機構，以阻止電漿流過該環狀溝；②證據案二亦是晶圓基板之電漿處理裝置，其在電漿噴嘴及晶圓檯座之晶圓環周之相對兩側設有互相對向且極性相反之永久磁鐵陣列，以此形成磁場而阻止電漿自其上部電極之周邊流出．．．云云」之理由，做成「本案違反專利法第二十條第二項之規定」的處分，實非根據系爭案修正後請求標的中「閉合磁路」之技術特徵，而僅是根據其上位概念之「以磁鐵形成固定磁場式之電漿封閉機構」所做成之審查。由於下位概念之技術內容在已知發明中並未有具體揭示，故事實上熟習該項技術者參酌當時之技術、知識，亦未必能從已知發明之上位概念而導出該下位概念之技術內容，又比已知發明之功效更為顯著，或能產生已知發明所未能預知之突出的技術特徵時，則視為熟習該項技術者非能輕易完成者，此為被告在其八十三年十月所訂定之「專利審查基準」第1-2-25頁中訂為發明進步性判斷原則之一，無容否認。五、及至系爭案進入行政救濟階段，訴願、再訴願決定除仍一逕維持被告之見解外，訴願機關尚誤解系爭案中「閉合磁路」與「開磁路」在特定應用環境下之涵義，稱『系爭案所提的磁鐵的形狀為環形，引證一、二則為馬蹄，然其磁力線均為封閉，尚無所訴「封閉」與「開放磁路」之差異可言』，顯然將物理學上之 磁力線為封閉 觀念與系爭案中之 閉合磁路 混為一談，顯然出自誤解。而再訴願決定機關對系爭案效果之質疑『．．．第十頁最後一行至第十一頁第一行之記載，亦可知本案封閉磁場通路設計仍有回返磁力場力線影響到晶片之問題，尤其是第二個磁鐵即便是N、S極相對，其磁力線仍不可能很均勻，邊緣仍有邊際效應，磁力線在邊緣區域仍是圓弧狀。』惟，上述所指之系爭案說明書記載，乃指出「因在相面對磁極對、、和之間的磁通量力線係直延伸在磁極之間，而一般不向外彎曲，至少不至於到第２圖磁通量和第３圖中的磁通量的外彎曲的回返磁場力線程度」。以上文字記載以及再訴願機關之質疑，均不能否認系爭案縱不能完全消弭電漿磁場干擾晶圓表面進行之電漿加工的問題，但仍具有改進之效果，既然此一改進效果所藉以達成之技術手段係為證據一、二完全未曾教示之技術思想，何以訴願、再訴願決定一再維持被告之違法處分，顯有可議。六、綜上所述，請求判決撤銷原處分、訴願及再訴願決定等語。
被告答辯意旨略謂：一、在磁路之技術領域中，利用永久磁鐵配合適當之軛鐵以形成一閉合之磁路，可廣泛地見之於各式動圈式拾訊頭或電錶指針之致動器、各式電動式（動圈式）揚聲器或致動器，係一已習用之技術手法，並無新穎之創意可言。而所謂之閉合磁路或是開磁路，其間之差異僅在於相關之軛鐵之介入與否；軛鐵之介入可以降低磁路之磁阻，提高磁通密度之量值，甚至於利用軛鐵之構形，而將磁通密度予以集中至一預定區域，上述皆是習知之磁路知識或技術，並非系爭案所首次揭示者。二、在基本原理上，磁力線係封閉者，其總磁通量沿著磁路係守恆，磁通量之值係由磁動勢及磁阻所決定；故廣義而言，一般之磁路均非絕對閉合者，否則即不能在預定之區域如系爭案中之環狀溝中形成磁場。又一般之揚聲器磁路亦是閉合者，而且在音圈溝之環狀溝內形成集中之磁場，用以對該溝內通有電流之振膜音圈產生電磁力。相較之下，系爭案之磁路構形實難謂技術思想之高度創作。三、在電漿封閉機構之技術手法上，系爭案所運用者係已習知之以永久磁鐵形成之固定磁場形式，其構成如同一電漿之反射鏡機制，已揭示於證據一及二。故整體而言仍是熟悉該項技術者所能輕易完成者，不合發明之進步要件。四、綜上所述，原處分並無違法，請駁回原告之訴等語。
理 由依專利法第二十條第二項規定，發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。本件原告於八十五年十月十九日以其「用於加工半導體晶圓之磁性限制性電漿反應器」向被告申請發明專利，公告期間，余靜以本案有違專利法第十九條、第二十條第一項第一款及第二項規定，對之提起異議，被告以本案修正申請專利範圍雖強調其磁場係封閉磁路之一部分，但在技術上，本案特徵所在之以磁鐵形成固定磁場式之電漿封閉機構，以阻止電漿自一溝或開口流出，實質上已揭示於引證一及引證二，其在磁路上之強調與變更，仍是熟習該項技術者所能輕易完成，乃依專利法第二十條第二項規定，為「本案異議成立，應不予專利。」之審定。原告不服，為前開主張，惟查本案係將半導體晶圓加工使用的反應器（Chamber）中的電漿（Plasma） ，在不藉由腔室壁（Chamberwall）的協助下，經由定義的磁場將電漿（Plasma）限制在Chamber中，如此一來Plasma就不會經由反應泵環道（Pump inlet端）或是晶圓間縫閥（Slit valve）洩露，而且宣稱Chamber 中的特定區域，使其不受電漿侵襲；而形成磁場的方法，係利用發明說明中附圖所示的環形或者是馬蹄型磁鐵，擺放在slit valve與pump inlet端。原告所稱的：「在開發的磁場通路中，迴返磁力線向外彎曲．．．，因而影響干擾半導體晶圓的電漿加工」云云，實際上可藉由調整磁鐵的位置來避免所謂的回返磁場力線延伸到晶圓的附近，將磁場影響wafer 上方的電漿減到最小的程度，其認為該技術可以避免習知的技術問題，實有待商榷。且其再次陳述其磁鐵擺放與設計理念，但是其實際功用與證據案一、二所陳述的是如出一轍，基本上只是屬於修改磁鐵形狀與位置，只應以改良案件視之。再證據一所申請的專利著重於防止電漿從「反應泵環道」洩露出去，沒有強調在晶圓交換的部分，而證據二是直接將電漿以磁場侷限在Chamber 中，追究其技術層面是一模一樣，只是應用在反應腔室中不同地方而已。原告所提其磁石在設計與擺放位置或有不同，但是基本上其一再提及電漿經由間縫開口而自真空腔室中流出一事，其實在眞實的半導體設備機台中，chamber 的設計、電極的擺放、大小，皆已將整個plasma侷限在chamber 中央，加上電漿的形成要在高度眞空下，若是真的有電漿漏出，表示眞空度奇差無比（因為slit valve已洩露），因此電漿根本形成不起來，自無「流出」的問題，其實原申請案件中之所以也在slit valve前加固定磁場，應只是防止電漿中離子撞擊slit valve，造成damage而已（需要經年累月使用），本案實係以熟知的技術可以輕易完成之事等情，此有工業技術研究院電子工業研究所八十八年一月二十五日（八八）工研電審字第○○四一號審查意見書附訴願卷可稽，核其所提審查意見，係基於其專業知識所為，客觀公正，實堪採憑。本案與證據一、二觀念相同，不論磁鐵形狀為本案所提出之環形、馬蹄形，或是該證據
一、二所提之形狀，其磁力線都是封閉的，自無「封閉」或「開放磁路」問題。原告仍謂本案縱不能完全消弭電漿磁場干擾晶圓表面進行之電漿加工問題，其仍具有改進之效果云云，顯係其一己主觀之見，尚非可採。從而被告依首揭規定為本案異議成立，應不予專利之審定，核無違誤。一再訴願決定遞予維持，俱屬妥適。原告之訴為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法施行法第二條、行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中 華 民 國 九十 年 六 月 二十八 日
最 高 行 政 法 院 第 四 庭
審 判 長 法 官 吳 錦 龍
法 官 趙 永 康法 官 黃 璽 君法 官 姜 仁 脩法 官 劉 鑫 楨右 正 本 證 明 與 原 本 無 異
法院書記官 莊 俊 亨中 華 民 國 九十 年 六 月 二十八 日