最 高 行 政 法 院 判 決
94年度判字第01434號上 訴 人 日月光半導體製造股份有限公司代 表 人 甲○○被 上訴 人 經濟部智慧財產局代 表 人 丙○○
參 加 人 乙○○上列當事人間因發明專利異議事件，上訴人對於中華民國93年3月3日臺北高等行政法院91年度訴字第4963號判決，提起上訴，本院判決如下：
主 文上訴駁回。
上訴審訴訟費用由上訴人負擔。
理 由
一、本件上訴人前於89年1月24日以「球格陣列封裝構造」向被上訴人申請發明專利，經被上訴人編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭案）。公告期間，參加人以其違反核准審定時專利法第20條第2項之規定，不符發明專利要件，對之提起異議，並提出異議附件三即86年1月28日公開之日本特開平9─27512號專利案（下稱引證二）等為證據。經被上訴人審查，於91年5月8日以智專三㈡04059字第09189001090號專利異議審定書以系爭案技術特徵已見於引證二，故不具進步性為由，乃為「異議成立，應不予專利」之處分。上訴人不服，循序提起行政訴訟。
二、上訴人起訴主張：㈠按任何人對於公告中之發明，認其有違專利法第19、20條之規定者，可於公告之日起三個月內，依專利法第41條之規定，附證據向專利專責機關提起異議。倘該發明確無違反前揭法條所規定之情事，自應為異議不成立之處分，准予該發明專利權。又依被上訴人頒布之89年10月版專利審查基準彙編第1篇第2章第4節「進步性」之「進步性判斷基本原則」，其第3點（第1-2-20頁）明文規定：「申請專利範圍之請求項有2項以上時，應就每一請求項各別判斷其進步性。」及「異議、舉發、依職權審查」中所述「審查發明、新型申請專利範圍所載之請求項，依本法施行細則第16條所規定，可包含多項請求項，而審查原則也是逐項審查」。其目的乃因每一申請專利範圍之請求項乃一個別之發明範圍，某一請求項（特別是獨立項）不具可准予專利之要件，並不當然意謂其附屬項亦不具備專利要件而不得准予專利。逐項審查意味對每一附屬項之內容審查，如若審查委員認為其不具進步性亦需提出適當之引證資料（亦見於專利審查基準第1篇第2章第4節「進步性」之「進步性判斷基本原則」中），並非由審查委員個人主觀判斷為之。此觀被上訴人之審查實務上，常以獨立項之權利範圍已為先前技藝所揭露，而要求將附屬項併入獨立項中，即可准予專利（即將原來之附屬項變更為獨立項），得以為證。㈡就本件系爭案申請專利範圍附屬項即申請專利範圍第2、3、4、5、7、8、9項而言，分別進一步界定系爭案其他之技術特徵，諸如該外排、中排以及內排晶片銲墊係相對於晶片之一側邊交錯排列（申請專利範圍第2項）；該第1組銲線的每一條銲線係大致垂直於該晶片之一側邊（申請專利範圍第3項）；該外排晶片銲墊之銲墊間隙（bond pad pitch）係小於該中排以及內排晶片銲墊之銲墊間隙（申請專利範圍第4項）；該外排晶片銲墊之銲墊間隙係不小於該中排或內排晶片銲墊之銲墊間隙的75％（申請專利範圍第5項）；以及一種具有陣列型銲墊之晶片（申請專利範圍第6至9項）。這些技術特徵並非為熟習該項技術者所能輕易完成。本件原處分僅概然略稱系爭案第1項（獨立項）中「晶片上之銲墊成三排之排列方式」已見於公開之結構中，為熟習此項技藝人士所能輕易完成者而不具進步性，卻未對系爭案之其他申請專利範圍（第2項至第9項）加以論究，顯然有違前揭專利審查基準之規定，其違法之處至為顯然。㈢被上訴人之訴願答辯理由稱：「然第1項及第6項其獨立項所主張之技術特徵已確認為不具進步性，各附屬項僅為獨立項所述構成再加描述者，故亦不具進步性，原審查並無不當。」被上訴人完全誤解獨立項與附屬項之具有專利要件（進步性）與否之邏輯上因果關係。蓋專利審查基準第1-2-27頁業明文規定：「獨立項之發明具有進步性者，其附屬項當然具有進步性。且不得因獨立項之發明不具有進步性，而對其附屬項逕予核駁，因其附屬項仍須依進步性之審查基準，作進一步客觀的研判。」其緣由已前所述。訴願決定亦以獨立項為本，而率爾推論認定系爭案所有申請專利範圍皆不得准予專利，其邏輯謬誤有違專利審查基準之要求。㈣改制前行政法院82年度判字第2460號判決明文：「舉發案件，係採當事人進行主義，即核准之新型專利有無違反專利法規定之情事，祇依舉發人所舉之證據審查，專利局及行政爭訟受理機關，不得不待當事人舉出證據，逕依職權予以查證。」本件參加人提起異議之證據與理由僅針對系爭案請求項第1項而為之，而對系爭案請求項第2項至第9項則全未論及，即使被上訴人認定系爭案之附屬項（申請專利範圍第2、3、4、5、7、8、9項）不具進步性，依據當事人進行主義，亦不應審定系爭案異議成立。被上訴人若認為系爭案之附屬項不具進步性，依據當事人進行主義亦應當駁回參加人對系爭案之異議事件，並再根據專利法第45條依職權進行審查。本件原處分顯已違反異議程序所採當事人進行主義之要求。㈤再就系爭案申請專利範圍第1、6項（獨立項）而言，上訴人認為系爭案之技術特徵並非僅係被上訴人所認「系爭案創作目的所採用之技術特徵在於設計晶片表面之銲墊數改變習知結構之兩排銲墊成為三排銲墊之結構」，被上訴人明顯誤解系爭案之技術特徵：⒈系爭案說明書第6頁第11至20行中指出「本發明主要目的在大幅增加設計在晶片表面之最大可容許銲墊數，複數個晶片銲墊係排列成三排」，且說明書中習用技術之第1圖為兩排銲墊，且實施例之第3圖為三排銲墊。然而，請注意系爭案說明書第6頁第11至20行中亦指出「其可大幅增加設計在晶片表面之最大可容許銲墊數，並且不需增加銲線弧層而降低打線作業之困難度」、「該外排晶片銲墊只包含電源墊及接地墊，而輸入／輸出墊則配置在內排及中排。」這些技術特徵亦為本發明之一部分，進而構成本發明之整體。按專利之審查應就申請專利之內容整體觀之，而非單就其部分內容分別審查。⒉被上訴人復稱：「…引證二不具有系爭案之電源墊及接地墊，與系爭案之發明不同，惟查此一技術手段已揭示於系爭案所記載之第1圖先前技術內容中，故可知其非為一新技術，更無法認為是系爭案發明之技術特徵所在…。」上訴人懇請被上訴人明確指出，第1圖中何處揭示系爭案之電源墊及接地墊的配置方式。任何對本技藝略有瞭解者可知，半導體封裝的主要目的即在於對半導體裝置提供電源及接地。無庸贅述，不論第1圖之先前技術或引證二中皆必定具有電源墊及接地墊。然而，不論第1圖之先前技術或引證二中皆未能揭示系爭案中藉由將電源墊及接地墊配置於該外排銲墊，而達成系爭案增加最大銲墊數，且不增加銲線弧層高度的目的，此一特徵之論述可見於系爭案說明書中第5頁至第6頁。㈥綜上，系爭案申請專利範圍所界定之技術內容及特徵，尤其是系爭案之接地墊及電源墊之配置方式，並未為引證二及系爭案所列之先前技術所揭示，具備新穎性及進步性，符合專利法第20條第1項第1款及第2項之規定。再者，系爭案申請專利範圍之附屬項中，亦包含有其他的技術特徵，不僅未見於先前技術，亦非為熟習該項技藝者所能輕易思及，亦符合專利法第20條第1項第1款及第2項之規定。原處分及訴願決定除有違專利審查基準之要求，未對系爭案之進步性進行逐項審查外，並有違異議程序所採之當事人進行主義，對上訴人造成突襲。為此，訴請將原處分及訴願決定均撤銷等語。
被上訴人則以：㈠上訴人訴稱被上訴人確實誤解獨立項與附屬項具有專利要件與否之邏輯關係，而未能詳細審查附屬項之技術內容，對於附屬項之審查確有違法不當之處云云。惟查系爭案所主張申請專利範圍共有9項，第1項及第6項為獨立項，第2、3、4項直接依附於第1項，而第5項直接依附於第4項、間接依附於第1項，另第7、8項直接依附於第6項，而第9項直接依附於第8項，間接依附於第6項等附屬項。次查主項第1項及第6項獨立項所主張之技術特徵已認定為不具進步性，而所依附各直接或間接附屬項其僅為相關獨立項所述構成再加描述者，亦不具進步性，此審查認定應無不當之處。㈡上訴人復稱系爭案申請專利範圍所界定之技術內容及特徵，尤其是系爭案之接地墊及電源墊之配置方式，並未為引證二及系爭案所列之先前技術所揭示，具備新穎性及進步性，符合專利法第20條第1項第1款及第2項之規定云云。惟查由系爭案專利說明書發明說明內容第6頁第11至20行已清楚說明本發明主要目的在大幅增加設計晶片表面之最大可容許銲墊數，複數個晶片銲墊係排列成三排，並在說明書提出之習用先前技術第1圖與系爭案發明第1較佳具體實施例第3圖予以相互比較，可非常清楚的知道系爭案創作目的所採用之技術特徵在於設計晶片表面之銲墊數改變習知結構之兩排銲墊成為三排銲墊之結構，然查引證二確已揭示了晶片上採用成三排列之結構者。另上訴人所認引證二內容並不具有系爭案之電源墊及接地墊的配置，可具有較低的銲線弧層高度，惟查此一技術手段亦仍已揭示於系爭案所記載之第1圖先前技術內容中，故可知亦非為一新技術，更無法認為是系爭案發明之技術特徵所在。原處分並無違法等語，資為抗辯。
三、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：㈠本件系爭案，其申請專利範圍為：「1.一種球格陣列（BGA）封裝構造，其係包含：一基板，具有一上表面及一下表面，該基板上表面設有一接地環（ground ring）、一電源環（powerring）以及複數條導電線路環繞該接地環以及電源環，該基板下表面設有複數個錫球銲墊分別電性連接至該接地環、電源環以及複數條導電線路；一晶片設於該基板上表面，該晶片具有複數個晶片銲墊位於其週邊，該複數個晶片銲墊係排列成三排，包含一內排、一中排以及一外排，其中該外排晶片銲墊只包含電源墊（power pad）以及接地墊（groundpad）；第1組銲線，其分別電性連接該晶片之電源墊至基板之電源環以及電性連接該晶片之接地墊至基板之接地環，其中該第1組銲線具有大致相同之線弧高度（loop height）；第2組銲線，其分別電性連接該晶片之中排晶片銲墊至基板上相對應之導電線路，其中該2組銲線具有大致相同之線弧高度；第3組銲線，其分別電性連接該晶片之內排晶片銲墊至基板上相對應之導電線路，其中該第3組銲線具有大致相同之線弧高度；一封膠體包覆該晶片，銲線以及該基板上表面；及複數個錫球設於該基板下表面之複數個錫球銲墊。2.依申請專利範圍第1項之球格陣列（BGA）封裝構造，其中該外排、中排以及內排晶片銲墊係相對於晶片之1側邊交錯排列。3.依申請專利範圍第1項之球格陣列（BGA ）封裝構造，其中該第1銲線的每一條銲線係大致垂直於該晶片之1側邊。4.依申請專利範圍第1項之球格陣列（BGA）封裝構造，其中該外排晶片銲墊之銲墊間隙（bond pad pitch）係小於該中排以及內排晶片銲墊之銲墊間隙。5.依申請專利範圍第4項之球格陣列（BGA）封裝構造，其中該外排晶片銲墊之銲墊間隙係不小於該中排或內排晶片銲墊之銲墊間隙的75％。
6.一種具有陣列型銲墊之晶片，其包含複數個晶片銲墊位於其上表面週邊，其特徵在於：該複數個片銲墊係排列成三排，包含一內排、一中排以及一外排，其中該外排晶片銲墊只包含電源墊（power pad）以及接地墊（ground pad）。7.依申請專利範圍第6項之具有陣列型銲墊之晶片，其中該外排、中排以及內排晶片銲墊係相對於晶片之一側邊交錯排列。8.依申請專利範圍第6項之具有陣列型銲墊之晶片，其中該外排晶片銲墊之銲墊間隙（bond pad pitch）係小於該中排以及內排晶片銲墊之銲墊間隙。9.依申請專利範圍第8項之具有陣列型銲墊之晶片，其中該外排晶片銲墊之銲墊間隙係不小於該中排或內排晶片銲墊之銲墊間隙的75％。」㈡經查：⒈由系爭案專利說明書發明說明內容第6頁第11至20 行已清楚說明本發明主要目的在大幅增加設計晶片表面之最大可容許銲墊數，複數個晶片銲墊係排列成3排，並在說明書提出之習用先前技術第1圖與系爭案發明第1較佳具體實施例第3圖予以相互比較，可清楚地知道系爭案創作目的所採用之技術特徵在於設計晶片表面之銲墊數改變習知結構之兩排銲墊成為三排銲墊之結構，然查引證二確已揭示了晶片上採用成三排列之結構者。⒉上訴人所稱引證二並不具有系爭案之電源墊及接地墊的配置，可具有較低的銲線弧層高度，惟查此一技術手段已揭示於系爭案所記載之第1圖先前技術內容中，故可知其亦非為一新技術，更無法認為是系爭案發明之技術特徵所在。⒊系爭案所主張申請專利範圍共有9項，第1項及第6項為獨立項，第2、3、4項直接依附於第1項，而第5項直接依附於第4項、間接依附於第1項，另第7、8項直接依附於第6項，而第9項直接依附於第8項，間接依附於第6項等附屬項。查主項第1項及第6項獨立項所主張之技術特徵已認定為不具進步性，而所依附各直接或間接附屬項其僅為相關獨立項所述構成再加描述者，亦不具進步性，原處分應無違誤之處。⒋被上訴人於原處分第3頁即明白記載「系爭案之創作目的乃是將第1圖先前技術原晶片中之銲墊由二排之方式，改為三排，即主要技術特徵是大幅增加晶片表面上之最大可容許銲墊數，此種創作目的已揭示於引證二之內容中，故系爭案之技術特徵改良設計已見於公開之結構中，為熟習此項技藝人士所能輕易完成者，不具進步性。」訴願決定書第4頁理由亦表明：「申請專利範圍共有9項…附屬項僅為獨立項所述構成再加描述者，故亦不具進步性。」顯見被上訴人及訴願決定機關均係就專利範圍全體加以判斷，因此並無所謂誤解獨立項與附屬項因果關係之情形發生。⒌按當事人進行主義者，係指就核准之系爭案有無違反專利法規定之情事，僅依舉發人所舉之證據審查，主管機關及行政爭訟機關，不得不待當事人舉出證據，逕依職權予以查證。是苟舉發人於舉發申請中，確曾提出證據及理由，被上訴人即得據以判斷系爭案是否不具專利法規定之專利要件。換言之，異議人於異議理由中所提之證據與理由均得為審究之依據。綜觀本件被上訴人與訴願決定機關並未就未提出之證據加以審究，即無違反當事人進行主義之情事，而對上訴人造成突襲等由，駁回上訴人原審之訴。
四、上訴意旨復執前詞，並主張：㈠上訴人業於原審主張原處分及訴願決定違反被上訴人頒布之89年10月版專利審查基準彙編第1篇第2章第4節「進步性」之「進步性判斷基本原則」之第1-2-20頁以及第1-2-27頁之審查要求，且說明被上訴人之審查實務亦常要求將附屬項併入獨立項中即將原來之附屬項變更為獨立項，即准專利，引以為證。此般觀念亦與再發明之觀念不謀而合；實則依審定時專利法第29條規定意指可知，再發明本係原發明之附屬項。再發明能否准予專利，乃視其利用原發明技術所完成之附加部分，結合原發明之固有部分，是否具有功效增進或屬非能輕易完成而論，並非僅因其屬再發明或其屬附屬項，即一概推定不得另准專利。原處分及訴願決定確實未對其餘附屬項進行審查，原判決不察，僅以「附屬項僅為獨立項所述構成再加描述，故亦不具進步性」為由，論斷被上訴人及訴願決定機關「均係就專利範圍全體加以判斷」，惟倘以此附屬項為獨立項之再加描述者之附屬項本質說明，可被視為被上訴人及訴願決定機關已對附屬項加以判斷，則此亦屬不附理由之判斷，仍屬違法。㈡又原判決僅謂綜觀本件被上訴人及訴願決定機關並未就參加人未提出之證據加以審究，即認無違反當事人進行主義，惟查本件參加人所提異議理由並未主張系爭案附屬項有如何違反專利法情事，而就其異議理由中所附之證據而論，亦全然未揭露於系爭案附屬項技術特徵之描述，原處分竟對異議理由所未主張、異議證據中所未揭露之系爭案附屬項一併予以駁回，豈能謂「未違反當事人進行主義」，原判決對此亦有不當適用當事人進行主義之違法。請將原判決廢棄改判等語。
五、本院按：凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，固為系爭案核准審定時專利法第19條暨第20條第1項所規定。惟如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。經查，系爭案所主張申請專利範圍共有9項，第1項及第6項為獨立項，第2、3、4項直接依附於第1項，而第5項直接依附於第4項、間接依附於第1項，另第7、8項直接依附於第6項，而第9項直接依附於第8項，間接依附於第6項等附屬項，此有系爭案專利說明書附於原處分卷為憑，依系爭案專利說明書發明說明內容第6頁之說明，可知系爭案創作目的所採用之技術特徵在於設計晶片表面之銲墊數改變習知結構之兩排銲墊成為三排銲墊之結構，而引證二已揭示有一晶片之銲墊成三排之排列方式，使晶片與基板間之電性連接採三組具不同線弧高度之銲線為技術手段，故系爭案之技術特徵改良設計「晶片上之銲墊成三排之排列方式」，已見於公開之結構中，為熟習此項技藝人士所能輕易完成者，不具進步性，又所依附各直接或間接之前述附屬項，依系爭案專利說明書之內容所載，僅為相關獨立項所述構成再加描述者，上開獨立項既不具進步性，前述附屬項自亦不具進步性，原審就系爭案不具進步性等情，業於理由內詳為論述，足見原審已就其得為心証之理由記明於判決，上訴人主張原判決有不備理由之情事，尚有誤解。又當事人進行主義，係指就核准之系爭案有無違反專利法規定之情事，僅依舉發人所舉之證據審查，主管機關及行政爭訟機關，不得不待當事人舉出證據，逕依職權予以查證。本件參加人既以系爭案違反核准審定時專利法第20條第2項之規定，不符發明專利要件，提起異議，並提出引證二為證據，被上訴人據此判斷系爭案是否不具專利法規定之專利要件，對系爭案附屬項併予裁駁，自無違當事人進行主義之原則。從而原審因將原決定及原處分均予維持，駁回上訴人之訴，核無違誤。上訴論旨，仍執前詞，指摘原判決違誤，求予廢棄，難認有理由，應予駁回。
據上論結，本件上訴為無理由，爰依行政訴訟法第255條第1項、第98條第3項前段，判決如主文。
中 華 民 國 94 年 9 月 15 日
第四庭審判長法 官 趙 永 康
法 官 鄭 淑 貞法 官 黃 淑 玲法 官 侯 東 昇法 官 林 文 舟以 上 正 本 證 明 與 原 本 無 異中 華 民 國 94 年 9 月 16 日
書記官 王 褔 瀛