臺北高等行政法院判決 九十一年度訴字第二二七五號
原 告 日月光半導體製造股份有限公司代 表 人 甲○○訴訟代理人 丁○○兼送達複 代理 人 己○○被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 蔡練生（局長）住同右訴訟代理人 戊○○
參 加 人 乙○○訴訟代理人 丙○○
鍾亦琳律師右當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十一年四月十五日經訴字第０九一０六一０七四五０號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟。本院判決如左：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：緣原告前於民國（下同）八十八年二月十一日以「複晶片單元及製造方法」向被告申請發明專利，經編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭專利）。公告期間，參加人以其違反專利法第二十條第一項第一款及第二項等規定，不符發明專利要件，檢具西元一九九八年二月二十四日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證一）及西元一九九三年七月二十日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證二），對之提起異議，案經原告於九十年八月十七日申請修正申請專利範圍，被告認符合專利法第四十四條之一第四項第一款之規定，乃准予修正，並依修正後內容審查，於九十年十二月四日以（九○）智專三（二）○四○八五字第○九○八九○○二三八六號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂向本院提起本件行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明求為判決：訴願決定及原處分均撤銷。
㈡被告及參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。
三、兩造之爭點：引證一、二是否足以證明系爭專利不具進步性？
甲、原告主張之理由：
一、按「稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作。」為專利法第十九條所明文規定，且發明專利係「申請前已見於刊物或已公開使用者」，或「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」，同法第二十條第一項第一款及第二項規定甚明。又任何人對於公告中之發明，認其有違前述法條之規定者，可於公告之日起三個月內，依專利法第四十一條之規定，附證據向專利專責機關提起異議。再依據被告所編印之專利審查基準第九章第三節「審查之基本原則」中，已明確指出「對於異議、舉發爭議案件，審理除就雙方當事人書面所主張之事實、證據、法條及提出之答辯等進行審查．．．」。是以，專利異議、舉發爭議案件之審理應採當事人進行主義，及專利異議成立於否，應以異議理由及證據認定之，倘所附異議證據無法證明公告之發明違反前揭法條之規定者，當為異議不成立之審定，合先敘明。
二、查，被告於其異議審定書中，亦已明確指出：「．．．異議證據雖然不足以證明系爭專利不具新穎性，亦難指稱系爭專利不可供產業上利用或無法實施．．．」。且參加人之異議理由全然未主張系爭專利之坑穴不具有進步性，然被告及訴願機關卻逕自推論「系爭專利以基板上之『坑穴』取代引證一及二之墊柱及墊塊，乃顯而易知」，而認定系爭專利不具進步性，顯已違反當事人進行主義，至為明顯。
三、茲就當事人進行主義再加以說明，訴願決定書中已明確指出：「又系爭專利之坑穴雖未見於引證一及二」，惟訴願決定卻認定：「但除該坑穴以外，系爭專利其他技術內容皆已見諸於引證一、二，況且引證一及二分別具有墊柱及墊塊，供第二晶片及晶片固接，系爭專利以基板上之坑穴取代引證一及二之墊柱或墊塊，乃顯而易知，是為熟習該項技術者所能輕易完成。」查，參加人於異議理由書中僅主張系爭專利之坑穴不具產業上的利用性，然而產業上的可利用性與進步性係為完全不同之基本要件 (Criteria)。職是，被告及訴願機關當不應自行推論系爭專利之坑穴不具進步性。再者，被告及訴願機關雖謂：「關係人於異議理由除主張系爭專利具坑穴之複晶片單元不具產業上利用性外，亦主張其不具進步性，故原處分機關並未違反當事人進行主義之原則」，但被告及訴願機關卻完全未能指出原異議理由中，有任何理由主張系爭專利之坑穴不具進步性。被告及訴願機關確實皆違反專利異議、舉發爭議案件之審理應採當事人進行主義之原則。
四、訴願決定書中述及：「系爭專利以基板上之坑穴取代引證一及二之墊柱或墊塊，乃顯而易知，是為熟習該項技術者所能輕易完成，其藉由坑穴來降低高度及節省導線，難稱為『突出的技術特徵』或『顯然的進步』，更非『獨特的功能』，自不具進步性」。既然被告暨訴願機關業已同意，系爭專利之坑穴具有降低高度及節省導線的特徵，但為何非為「獨特的功能」。請再次參考專利審查基準有關獨特的功能之論述：「．．．以先前技術之片斷部分相互組合，而判斷發明是否能輕易完成時，應考慮發明是否具有『突出的技術特徵』或『顯然的進步』。．．．『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上。」，既然本案具有改良的功效，克服先前技術中存在的問題，則自然系爭專利具有「顯然的進步」，因此具有「進步性」。至為明顯，被告之處分暨訴願機關之決定顯已違反前述專利審查基準及專利法之規定。
五、茲就被告之"專利審查基準"關於「進步性」之相關規定，再詳細說明如下：㈠「文獻之組合應注意事項」中述及：「．．．以先前技術之片斷部分相互組合，
而判斷發明是否能輕易完成時，應考慮發明是否具有『突出的技術特徵』或『顯然的進步』。．．．『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上」。系爭專利具有坑穴之基板，完全未見於引證案中（原異議審查委員亦同意此一論點），故單純組合引證案並不足以完成系爭專利。
再者，系爭專利之複晶片單元，具有降低高度以及節省導線等功效，既然先前技術之引證案並未完全揭示系爭專利之所有技術特徵，且系爭專利業已存在有功效上的進步，即非為精於本技藝者可輕易思及，實具進步性。
㈡「構成要件置換之發明」中述及：「構成要件置換之發明，係指將他發明之構成
要件之一部分，以其他已知之構件來置換之發明而言。如此之置換可產生突出的技術特徵或顯然的進步，此種構成要件置換之發明，視為非能輕易完成。惟如此之置換如未能產生突出的技術特徵或顯然的進步時，則視為熟習該項技術者所能輕易完成。」。因此，退而言之，即使如原審查委員所言，系爭專利之該坑穴之設置知識顯而易知（係用以取代引證一及二之墊柱及墊塊），然而引證案中未能揭示任何坑穴於先，且系爭專利具有獨特的功能於後，故系爭專利具有突出的技術特徵或顯然的進步，此應視為非能輕易完成。
㈢「審查上應注意事項」中述及：「．．．判定發明不具進步性時，原則上審查委
員應引證具體的既有之技術、知識資料，但該既有之技術、知識為習知或慣用（如教科書、標準、辭典等有記載）者，則不在此限，惟審定書內需充分說明。．．．進步性之研判，因審查委員在審查中瞭解其技術內容後，極易對發明之進步性作成偏低之評斷，以致有"後見之明"之情形，故審查時應以熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，作客觀之判斷。．．．」就本案而論，被告暨訴願機關欲將系爭專利之坑穴視為習知或慣用，但卻未能列舉任何先前技術、教科書、標準、辭典中，記載相關坑穴之技術特徵，故被告之處分暨訴願機關之決定實難令人誠服。又，系爭專利之該坑穴具有降低高度及節省導線之功效，明顯的系爭專利具有突出的技術特徵或為顯然的進步，此應視為非能輕易完成。因此，由前項之論述得知，被告機關暨訴願機關認為系爭專利顯而易知，實係為"後見之明"，且違反前揭審查基準。系爭專利具有坑穴之複晶片單元，確實具有"進步性"。
六、參加人於異議時確實有諸如：「此種坑穴結構實難看出有任何功效上之增進，更遑論有何顯然之進步而言」、「具坑穴之複晶片單元及其製法則不具產業上利用性及進步性」等等敘述。然而，參加人於異議理由書中確實未提及任何有關該坑穴不具有進步性之理由。參加人僅就系爭專利之坑穴不具產業上的可利用性說明其理由，然而產業上的可利用性與進步性係為完全不同之基本要件 ( Criteria)，不具產業上的可利用性並不等同於不具進步性。參加人之異議理由顯有明顯之邏輯上的錯誤。被告為專利審查之專責機關，理應察覺此一錯誤，而非逕自引用參加人之異議理由內容，為違法之處分。
再者，即使如參加人所述，「此種坑穴結構實難看出有任何功效上之增進，更遑論有何顯然之進步而言」。然被告機關業已指出「．．．異議證據．．．亦難指稱系爭專利不可供產業上利用或無法實施．．．」，既然被告業已認為系爭專利之坑穴具有產業上之利用性，則前述理由自然不復存在。在參加人未有其他理由的情況下，系爭專利中具有坑穴之複晶片單元之結構則應具有進步性。被告列舉其他理由認為系爭專利不具進步性，則確實皆違反專利異議、舉發爭議案件之審理應採當事人進行主義之原則。
七、被告指出：「坑穴之降低高度及節省導線，須視基板之厚薄而定，若使用較薄之基板無須設該坑穴即可降低高度及節省導線，反之系爭案之方法須使用較厚之基板，再設一坑穴來降低整體之高度及節省導線」。被告既然已經認為「使用較厚之基板」，能夠「降低整體之高度及節省導線」，又焉能謂「難稱為『克服先前技術中存在的問題』，亦無所指『改良的功效』」。姑且不論系爭專利之坑穴是否不可應用至較薄之基板，以進一步降低薄的基板之高度，但至少系爭專利之坑穴已經可以降低較厚基板之整體高度，業已確實具有「改良的功效」，則系爭專利確實具有進步性。
八、綜上所述，系爭專利申請專利範圍所界定之技術內容及特徵，並未為引證一及引證二所完全揭示，具備新穎性，符合專利法第二十條第一項第一款之規定。再者，爭案申請專利範圍所界定之坑穴，不僅未見於先前技術，亦非為熟習該項技藝者所能輕易思及，符合專利法第二十條第二項之規定。請撤銷訴願決定暨原處分，以維專利法制。
乙、被告主張之理由：
一、有關系爭專利之「坑穴」部分，參加人於異議理由六、八後段已明確主張其不具進步性，故原處分並未違反當事人進行主義。
二、坑穴之降低高度及節省導線，須視基板之厚薄而定，若使用較薄之基板無須設該坑穴即可降低高度及節省導線，反之系爭專利之方法須使用較厚之基板，再設以一坑穴來降低整體之高度及節省導線，難稱為「克服先前技術中存在的問題」，亦無所指「改良的功效」，更為熟習該項技術者所能輕易完成者，系爭專利所界定之坑穴確不具進步性。
三、綜上所述，被告原處分並無違法，請駁回原告之訴。
丙、參加人主張之理由：
一、針對原告於起訴理由指稱原處分及訴願決定違反當事人進行主義乙節，顯然與事實不符，茲說明如下：
㈠根據鈞院九十年度訴字第五八二五號判決理由，有關當事人進行主義之相關見解
已明確指出：「按當事人進行主義者，係指就核准之系爭專利有無違反專利法規定之情事，僅依舉發人所舉之證據審查，主管機關及行政爭訟機關，不得不待當事人舉出證據，逕依職權予以查證。是苟舉發人於舉發申請中，確曾提出證據及理由，被告即得據以判斷系爭案是否不具專利法規定之專利要件」；換言之，參加人於異議理由中所提之證據與理由均得為審究之依據，被告與訴願決定機關並未就未提出之證據加以審究，即無違反當事人進行主義之情事，先予敘明。
㈡惟查，本發明專利異議事件中，參加人係以系爭專利有違專利法第二十條第一項
第一款及第二項有違專利要件新穎性與進步性之規定提起異議；又，異議理由六明敘有：「此種坑穴結構實難看出有任何功效上之增進，更遑論有何顯然之進步性可言」；再者，異議理由八亦指出，基於引證案所揭示之內容，系爭專利具坑穴之複晶片單元及其製法不具產業上利用性及進步性。換言之，參加人確已於異議理由提出證據及理由主張系爭專利不具進步性，被告與訴願決定機關既係就參加人所提異議證據而為審定，自無違反當事人進行主義之情事。
二、原告於行政訴訟起訴狀以及補充理由狀中，指稱該種坑穴結構具有降低整體高度及節省導線之優點，顯然與事實不符，係逐一說明如次：
㈠根據專利法第二十條第二項規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為
熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」；再者，由原告起訴理由可知，被告所頒行之專利審查基準中，關於發明專利進步性之概念已敘明：「『輕易完成』係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有突出的技術特徵或顯然的進步時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而非所能輕易完成者」（審查基準第1-2-18頁）；又，關於進步性之判斷方式亦指出：「『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上」（審查基準第1-2-21頁）。換言之，一申請專利之發明若未能克服先前技術中之問題點而具有增進之功效，或該發明之技術手段係熟習該項技術者可由引證案所揭示之內容而能輕易完成，則該發明應視為不具有專利要件之進步性，而不得依法取得發明專利，先予陳明。
㈡首先，就系爭專利是否具有降低整體高度之優點而言，封裝件之整體高度H係視
基板與晶片的厚度而定，而基板必須具有一定厚度，方得於該基板表面形成坑穴用以放置第一晶片，再將第二晶片放置於該第一晶片上。由整體觀之，系爭專利所揭示之封裝件係於基板500形成一坑穴用以放置第一晶片510，再將第二晶片520放置於該第一晶片510上，其整體高度雖係由基板500與第二晶片520所構成，但形成有坑穴之基板500本身已具有相當厚的厚度，相較於業界所使用與晶片之厚度相當甚至更薄之基板500’，系爭專利形成有坑穴之基板500的厚度已相當於基板500’與第一晶片510之厚度總和。因此，就封裝件整體高度而言，使用厚度較薄之基板即可在不需另行開設坑穴的條件下降低整體高度，系爭專利僅係增加基板厚度再將第一晶片置於其中，實質上並未使封裝件的整體高度降低。
㈢再者，原告雖於行政訴訟補充理由二中辯稱：「系爭專利之坑穴已經可以降低較
厚基板之整體高度」；惟，一般業界所使用之厚基板，通常係指疊合多層銅箔所形成之多層積層板，且各層均佈滿電路俾符合電子元件之電路需求。若欲於該種多層積層之基板形成坑穴，勢必會減少基板中可佈設電路之面積以及變更電路設計，而影響封裝件整體運作效能，亦會增加該第一晶片之導線長度。若欲於形成坑穴之條件下維持等量電路佈設，則勢必需要增加疊層的數量，使基板厚度增加，反而不利於降低封裝件之整體高度；故，原告所謂系爭專利具有降低高度與節省導線之功效，顯然與事實不符。
㈣另一方面，系爭專利欲於基板表面形成坑穴，必須經過：⒈將光阻薄膜塗覆於基
板表面；⒉透過光罩進行曝光，使光罩上的圖樣轉移至基板表面的光阻薄膜上；⒊進行顯影步驟俾確定欲於基板形成坑穴之位置；⒋利用蝕刻的方式在基板表面蝕刻出坑穴；以及⒌將該光阻薄膜剝離該基板表面等步驟。因此，熟習該項技術者均了解，在基板表面形成坑穴，必然會造成製造成本與時間之增加，而不利於產業上的應用。
綜上所述，原告所謂系爭專利具有降低整體高度以及節省導線之功效顯然與事實不符，又相較於引證案所揭示之內容，實未見有何技術之增進與產業利用之價值，系爭專利不具專利要件之事實，應已無庸置疑。
三、綜上所陳，被告所為異議成立之處分及訴願機關所為之決定均無違法之處，為此請判決如被告機關所請，實感德便。
理 由
壹、程序方面：本件被告之代表人原為陳明邦，九十一年九月九日變更為蔡練生，茲由其具狀聲明承受訴訟，核無不合，應予准許，先為敍明。
貳、實體方面：
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依系爭專利核准審定時專利法十九條暨第二十條第一項之規定申請取得發明專利。惟其發明如係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無欠缺新穎性情事，仍不得申請取得發明專利，同法第二十條第二項定有明文。復按八十三年一月二十一日修正公布之專利法第二十條第二項規定「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」，該法條刪除修法前之「未能增進功效」乙語，其立法目的乃係「為避免發明及新型之定義暨觀念混淆者，故刪除『未能增進功效』，俾使發明與新型專利之進步性有較明確之界定」。換言之，發明專利係為保護技術貢獻較大之發明，而新型專利係為保護技術貢獻較小之發明，以符合發明專利之保護期限（自申請日起算二十年）較新型專利之保護期限（自申請日起算十二年）長之衡平原則。因此，雖係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該項技術者所能輕易完成，但如具有功效之增進時，固可准予「新型」專利（參照專利法第九十八條第二項），然在判斷是否符合「發明」專利之進步性要件時，並不能僅考慮是否有功效之增進，而主要係以技術貢獻之跨幅是否足夠達到如專利法第十九條所述之「利用自然法則之技術思想之高度創作」作為判斷標準；倘若發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟悉該項技術者所能輕易完成時，縱使具有功效之增進，仍難認已達到高度創作之技術水平而具進步性，即不得核准發明專利。且依被告所頒行之專利審查基準，關於發明專利進步性之概念已敘明：「『輕易完成』係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有突出的技術特徵或顯然的進步時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而非所能輕易完成者」（審查基準第1-2-19頁）；又關於進步性之判斷方式亦指出：「『突出的技術特徵』係指申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基礎，仍然不易由邏輯分析、推理或試驗而得者」、「『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上」（審查基準第1-2-21頁）。換言之，一申請專利之發明若未能克服先前技術中之困難點，或該發明之技術手段係熟習該項技術者可由引證案所揭示之內容而能輕易完成，則該發明應視為不具有專利要件之進步性，而不得依法取得發明專利。
二、本件系爭第00000000號「複晶片單元及製造方法」發明專利案，其為一種複晶片單元，包括：一基板，其上表面設有一坑穴；一第一晶片，其上表面包含數個銲墊，該第一晶片以一膠層黏貼於該基板坑穴之底面；及一第二晶片，其上表面包含數個銲墊，該第二晶片以一膠層黏貼於該基板及該第一晶片之上表面；其中該第一晶片之數個銲墊裸出於該第二晶片之側邊者。參加人所舉異議證據包括：西元一九九八年二月二十四日公告之美國第0000000號專利案（即引證一）及西元一九九三年七月二十日公告之美國第0000000號專利案（即引證二）。被告略以，引證一及二於第一、二晶片上表面亦包含數個銲墊，該第二晶片亦以膠層黏於該第一晶片之上表面，且該第一晶片之數個銲墊裸出於該第二晶片之側邊，此外亦含墊塊等；是以系爭專利之主要技術內容乃運用上開引證既有之技術或知識，系爭專利僅將其中之第一晶片改以黏貼於基板之一坑穴底面，使第二晶片部分黏貼於該基板上表面，其中該坑穴之設置知識顯而易知，乃熟習該項技術者所能輕易完成。故引證一及二雖不足證明系爭專利不具新穎性，亦難指稱系爭專利不可供產業上利用或無法據以實施，但仍得證明系爭專利不具進步性，乃為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，循序提起訴願及行政訴訟，主張系爭專利具有坑穴之複晶片單元，其功效不僅在於高度的降低，同時亦具有節省導線之功效，且系爭專利之墊條係延伸於晶片之外，因此具有極佳支撐作用，可緩衝抵銷晶片之受力，增加該堆疊晶片之可信賴度，並藉由該墊條，可使該晶片更加輕易的安裝於該墊條上，藉此該堆疊晶片能更可靠且快速的製造，具進步性；又參加人並未主張或暗示該坑穴之設置知識為顯而易知，乃熟習該項技術者所能輕易完成，基於專利異議案應採當事人進行主義原則，被告自行推論或依職權認定該坑穴之設置知識為顯而易知，為熟習該項技術者所能輕易完成者，實屬不當云云。
三、本院查：㈠參加人於異議理由除主張系爭專利具坑穴之複晶片單元不具產業上利用性外，亦
主張其不具進步性（參見原處分卷第五六、五七頁異議理由六、八後段），故原處分並未違反當事人進行主義之原則，合先敘明。
㈡又系爭專利之坑穴雖未見於引證一及二，但除該坑穴以外，系爭專利其他技術內
容皆已見諸於引證一、二，況且引證一及二分別具有墊柱及墊塊，供第二晶片及晶片固接，系爭專利以基板上之坑穴取代引證一及二之墊柱或墊塊，就原告所主張之坑穴具有降低高度及節省導線之功效而言，乃等效變更，屬於「置換容易性」範疇。蓋坑穴之降低高度及節省導線，須視基板之厚薄而定，若使用較薄之基板無須設該坑穴即可降低高度及節省導線，反之系爭專利之方法須使用較厚之基板，再設以一坑穴來降低整體之高度及節省導線，即難稱為「克服先前技術中存在的問題」及「突出的技術特徵」，並未「超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展」，尚非「利用自然法則之技術思想之高度創作」，亦無其所指「改良的功效」或「獨特的功能」，是為熟習該項技術者所能輕易完成，自不具進步性。
㈢況查如系爭案所示，其於基板形成坑穴，勢必會減少基板中可佈設電路之面積以
及變更電路設計，而影響封裝件整體運作效能，亦會增加該第一晶片之導線長度。若欲於形成坑穴之條件下維持等量電路佈設，則勢必需要增加疊層的數量，使基板厚度增加，反而不利於降低封裝件之整體高度。此有參加人所提答辯狀附件三之圖示可稽（該圖示僅係就系爭案實施時可能情形之輔助說明，並非新證據），故原告所謂系爭專利具有降低高度與節省導線之功效，亦與事實不符。
四、綜上所述，被告以系爭專利不符合首揭專利法第二十條第二項規定進步性之要件，所為本件「異議成立，應不予專利」之處分，認事用法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告起訴意旨，仍執前詞及個人主觀之見解，請求撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如
主文。中 華 民 國 九十二 年 十 月 十六 日
臺北高等行政法院 第三庭
審判長 法 官 姜素娥
法 官 陳國成法 官 林文舟右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 九十二 年 十 月 十六 日
書記官 余淑芬