臺北高等行政法院判決
93年度訴字第03143號原 告 矽品精密工業股份有限公司代 表 人 甲○○訴訟代理人 丙○○
戊○○複代理人 李宏澤律師被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 蔡練生（局長）住同上訴訟代理人 丁○○
參 加 人 乙○○上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國93年8月11日經訴字第09306224350號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
壹、事實概要：緣原告矽品精密工業股份有限公司前於民國（下同）90年1月5日以「四方扁平無接腳封裝及其製程」向被告經濟部智慧財產局申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭案）。公告期間，參加人乙○○以其違反核准審定時專利法第20條第1項第1款、第2項及第22條第3項之規定，不符發明專利要件，對之提起異議，案經被告審查，於93年3月1日以（93）智專三㈡04060字第09320191830號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，旋遭駁回，遂向本院提起行政訴訟。
貳、兩造聲明：
一、原告聲明求為判決：
㈠、訴願決定及原處分均撤銷。
㈡、訴訟費用由被告負擔。
二、被告聲明求為判決：
㈠、駁回原告之訴。
㈡、訴訟費用由原告負擔。
參、兩造之爭點：
一、原告主張之理由：參加人所提異議附件三、四為88年7月30日申請，89年12月11日審定公告之第00000000號「導線架」發明專利案（下稱引證一）；附件五、六為西元2000年11月7日公開之美國第0000000號「PLASTIC INTERGRATED CIRCUIT PACKAGE ANDMETHOD AND LEADFRAME FOR MAKING THE PACKAGE」專利案（下稱引證二）及其部分中文節譯本；附件七為西元1995年11月28日公開之美國第0000000號「SEMICONDUCTOR PACKAGE
AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME」專利案（下稱引證三）。系爭案與引證一、二、三間之技術領域、技術特徵、結構、目的等並不相同，應作實質區分。被告及訴願決定機關對此未經審酌，即遽為處分，實令人難以甘服：
㈠、引證一不足以證明系爭案不具進步性：訴願決定之見解顯然有誤，蓋不應以引證一具有「環形溝槽」之晶片座來涵蓋所有運用此技術之半導體封裝，而謂凡運用此「環形溝槽」之技術者均不具進步性：
１、系爭案為QFN（四方扁平無接腳）結構，而引證一為F/L（導線架）結構。因此，系爭案之「環型溝槽」之技術是運用在QFN（四方扁平無接腳）封裝之技術領域上，而引證一是運用在F/L（導線架）之技術領域上，二者顯然不同。甚且，在引證一、二、三中，更無任何文字或圖案有說明「環型溝槽」之技術可運用在四方扁平無接腳封裝之晶片座下表面，故非熟悉該項技藝者所能輕易完成。
２、系爭案之晶片座與導腳位於同一平面上，而引證一之晶片座與導腳係位於不同一平面上。詳言之，系爭案所揭露之晶片座220與導腳236必須位在封裝樹脂290之底部，而封裝樹脂290只暴露出晶片座220之下表面224以及導腳236之下表面234，且導腳236不會向外延伸。反之，引證一導腳64之內導腳部分66不在封裝樹脂50之底部，且導腳64之外導腳部分68係暴露並且延伸出封裝樹脂50之外，以形成一L形導腳或一J形導腳，此非四方扁平無接腳封裝之技術特徵。是系爭案與引證一之技術特徵顯有不同。
３、系爭案之「環型溝槽」所要解決的是貼帶與晶片座之間溢膠之問題，而引證一之「環型溝槽」所要解決的是晶片座與封膠模具之間溢膠之問題。二者所欲解決課題明顯不同，非熟悉該項技藝者所能輕易完成。引證一未揭露系爭案利用貼帶黏貼於晶片座及導腳下表面以防止溢膠之目的。引證一未揭露系爭案剝除貼帶以使封裝單元彼此分離。依上述分析，系爭案與引證一係屬不同技術領域、不同技術特徵、不同封裝技術、不同結構，二者不可混為一談。原處分及訴願決定未經詳查，即率依引證一認定系爭案不具進步性，顯有違誤。
㈡、引證二不足以證明系爭案不具進步性：系爭案與引證二具有如下之差異：引證二未揭露系爭案之晶片座底面具有環形溝槽之結構、引證二未揭露系爭案利用貼帶黏貼於晶片座及導腳下表面以防止溢膠之目的、引證二未揭露系爭案剝除貼帶以使封裝單元彼此分離。依上述分析，系爭案與引證二係屬不同技術特徵、不同結構，訴願決定所述實不正確。
㈢、引證三不足以證明系爭案不具進步性：系爭案與引證三具有如下之差異：
１、引證三未揭露系爭案之晶片座底面具有環形溝槽之結構。引證三之貼帶10黏貼於導腳20上，然系爭案之貼帶240黏貼於晶片座220及導腳230上，其黏貼面積較引證三為大，其防止溢膠效果較引證三為佳。系爭案因晶片座底面具有環形溝槽，藉由與膠帶黏貼，其黏貼力較引證三無設有環形溝槽與膠帶之黏貼力為大，故系爭案防止溢膠效果較引證三為佳。
２、系爭案之申請專利範圍第4項至第6項所述之「四方扁平無接腳封裝製程」，其中「將導線架210以晶片座220之下表面224及接腳230之下表面234貼附一貼帶240」之步驟，與引證三所述，利用一貼帶（adhesive tape）10貼附導腳（leadbars）20，但貼帶10不包括貼附晶片（chip）1之下表面之情形顯然不同。因此，既然晶片座與貼帶無關，且晶片座與貼帶之間無溢膠之問題，試問：又如何思及利用引證一之環型溝槽可以解決晶片座與貼帶之間溢膠之問題？
３、此外，引證三之貼帶為系爭案之習知技術，但引證三尚需多一道除去溢膠體之步驟。而系爭案申請專利範圍第4至第6項，其中藉由「進行一封膠步驟，以一封膠材料280包覆晶片
260、晶片260之上表面以及接腳230之上表面，在此步驟中貼帶240會變形而嵌入環型溝槽226，而防止封裝材料280包覆晶片座220之下表面224」之步驟，以節省除去溢膠體之製程，並說明貼帶240與環型溝槽226在製程上之依存性，實缺一不可。是系爭案顯具有進步性。依上述分析，系爭案與引證三亦屬不同技術特徵、不同結構，訴願決定所述顯有錯誤。
㈣、茲就系爭案之進步性，再說明如下：
１、關於系爭案之申請專利範圍第4項獨立項記載所敘述之「貼帶」，在封裝過程中會變形而嵌入環形溝槽．．．。由於該「貼帶」是在封裝過程中為防止封裝材料包覆晶片之第一下表面而被使用，故在封裝步驟完成後須將該貼帶剝除。也因此，在系爭案之申請專利範圍第1、2、3項之裝置項中，並未提及「貼帶」。然縱使如此，亦不影響系爭案申請專利範圍第1、2、3項之進步性，核先說明。
２、在習知技藝之四方扁平無接腳封裝製程，係先將晶片座之下表面及接腳之下表面黏上一貼帶，而貼帶黏覆於一支撐體上。接下來將晶片黏貼於晶片座上表面之上，而晶片之背面與晶片座之上表面接觸。然後再進行打線之製程，透過導線使得焊墊與接腳電性連通，然後再進行封膠之製程，最後再將貼帶去除，並進行接腳成型之步驟。不過在上述習知技藝封裝製程中，面臨到如下課題：亦即在進行封膠之製程時，其熔融之封裝材料灌入封膠模具之模穴內之速度極快，並且熔融之封裝材料之溫度亦極高，因而容易使貼帶與晶片座下表面之間產生剝離現象，而產生一間隙，此時熔融之封裝材料會進入此間隙中而形成一溢膠體。一旦多了此溢膠體後，還必須再進行一研磨步驟，將此溢膠體磨去，如此在製程上頗不具效率性。系爭案為解決前述習知技藝所面臨難題，以簡化封裝製程，降低製造成本，並減少溢膠情形發生，抑制其擴散之面積，仍提出解決方案。詳如系爭案申請專利圍第4項所載：「．．．進行一封膠步驟，以一封裝材料包覆該晶片、該晶片座之該第一上表面及該些接腳之該些第二上表面，在此步驟中該貼帶會變形而嵌入該環形溝槽，而防止該封裝材料包覆該晶片座之該第一下表面．．．。」及系爭案專利說明書所載：「由於環形凹槽位於晶片座之第一下表面，因此當熔融的封裝材料灌入封膠模具之模穴時，使模穴內的溫度、壓力急遽升高，導致貼帶嵌入環狀溝槽內，而產生一向上的力量，使得貼帶與晶片座的第一下表面之間貼得更緊密，可防止晶片座與貼帶剝離，而減少溢膠的情形發生。如此並不需如習知技藝一般，還多一道除去溢膠體的步驟，因此本發明可以簡化製程。即使溢膠的情形發生，溢膠體僅會存留在環形溝槽的外部，不致於擴散到環形溝槽的內部，可減少擴散的面積。」等語，可知系爭案首先提出利用封裝時模穴內溫度及壓力急遽升高，使貼帶嵌入環狀溝槽內，以解決、防止習知技藝所面臨之溢膠問題。此一技術特徵為引證案所無揭示，亦非熟習該項技術者所能輕易思及，自具有進步性。
㈤、又關於進步性審查，本案原處分及訴願決定僅以：系爭案申請專利範圍第4、5、6項之製程中，除了貼帶之貼附與剝除外，皆係運用引證一、二之既有技術或知識，而該貼帶之運用則已分別揭露於引證三之貼帶10貼附導腳20等語，遽認系爭案不具進步性；完全未依系爭案核准審定時之專利審查基準第1-2-27頁所示，針對系爭案之技術內容，綜合系爭案之目的、功效，研判系爭案所提出利用封裝時模穴內溫度及壓力急遽升高，使貼帶嵌入環狀溝槽內，以解決、防止習知技藝所面臨溢膠課題之技術特徵是否具進步性，是原處分及訴願決定顯有違法。
㈥、按舊專利審查基準第1-2-20頁、第1-2-27頁，新專利審查基準第2-3-20頁、第2-3-5頁之記載，是關於進步性之審查應「逐項審查」，即應以每一請求項中之記載，逐項進行判斷，且獨立項不具進步性時，其附屬項仍有具備進步性之可能，故應就其附屬項為審查，分項做成審查意見。查系爭案申請專利範圍第4項獨立項具有進步性，已如前述。又原處分及訴願決定將系爭案申請專利範圍第4至6項拆解成「貼帶」、「環形溝槽」等元件後分別與引證案比對，而未將系爭案發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效作為一整體予以考量，逐項進行判斷，顯有違前揭專利審查基準之規定。又系爭案申請專利範圍第5、6項為第4項獨立項之附屬項，依前揭專利審查基準之規定，如認第4項獨立項不具進步性，仍應就其附屬項第5、6項為審查，分項做成審查意見。惟原處分及訴願決定亦未另為審查並分項做成審查意見，亦有違前揭專利審查基準關於逐項審查之規定。綜上，系爭案與引證一、二、三之技術領域、技術特徵、結構、目的等並不相同，應作實質區分，不能混為一談。引證一、二、三等並無法證明系爭案不具進步性。是被告所為原處分及訴願決定機關所為訴願決定顯有違誤。
二、被告主張之理由：查系爭案晶片座具有一第一上表面及對應之一第一下表面，其中至少「一環形溝槽226，環繞於該第一下表面224之周緣」之技術特徵已揭露於引證一「該晶片座40底面58亦至少有一環型溝槽42a，環繞於其周緣」，導線架之複數個導腳64配置於該晶片座40之外圍，一晶片55以其背面貼附於該晶片座40之頂面57，且導腳64與晶片55之間以導線46電性連接，並以封裝樹脂50將晶片55、導線46及晶片座40的頂面57包裝起來，而露出該晶片座40的底面58及外導腳68等；而系爭案使晶片座220與接腳230皆位在封裝材料290之底部，或使晶片座220與接腳230之下表面位在同一平面上等，亦已揭露於該引證二，故系爭案將該引證一之既有技術轉用於該引證二之已知四方扁平無接腳封裝，乃熟習該項技術者所能輕易完成。另系爭案申請專利範圍第4項至6項之製程中，皆係運用該引證一、二之既有技術或知識，而該貼帶之運用則已分別揭露於該引證三之貼帶10貼附導腳20及系爭案專利說明書第4頁中段之習知技藝製程中。另引證一已就系爭案之環型溝槽技術特徵有所揭露，引證二、引證三亦已揭露系爭案專利特徵，又系爭案所謂貼帶之運用為熟悉該項技術特徵所能輕易完成。綜上所述，系爭案係組合引證一、二、及三之既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，自不具進步性，被告原處分並無違法，原告之訴應予駁回。
理 由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，固為系爭案核准審定時專利法第19條暨第20條第1項所明定。惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。
二、本件系爭第00000000號「四方扁平無接腳封裝及其製程」發明專利案，依91年9月30日申請專利範圍修正本所載，其封裝包括：一晶片座，該晶片座具有一第一上表面及對應的一第一下表面，其中至少一環溝槽，環繞於該第一下表面之周緣；複數個接腳，配置於該晶片座之外圍，每一該些接腳分別具有一第二上表面及對應的一第二下表面；一晶片，具有一主動表面及對應之一背面，該晶片以該背面貼附於該晶片之該第一上表面，而該主動表面具有複數個焊墊，分別與該些接腳電性連接；以及一封裝材料，包覆該晶片，該晶片座及該些接腳，而暴露出該晶片座之該第一下表面及該些接腳之該些第二下表面。其導線架包括：一晶片座，該晶片座具有一第一上表面及對應的一第一下表面，其中至少一環形溝槽，環繞於該第一下表面之周緣；以及複數個接腳，配置於該晶片座之外圍，每一該些接腳分別具有一第二上表面及對應的一第二下表面，其中該晶片座之該第一下表面與該些接腳之該第二下表面係位在同一平面上。另其封裝製程，包括：提供一導線架，該導線架具有至少一封裝單元，每一封裝單元包括：一晶片座，該晶片座具有一第一上表面及對應的一第一下表面，其中至少一環形溝槽，環繞於該第一下表面之周緣；以及複數個接腳，配置於該晶片座之外圍，每一該些接腳分別具有一第二上表面及對應的一第二下表面；將該導線架以該晶片座之該第一下表面及該些接腳之該些第二下表面貼附一貼帶；提供一晶片具有一主動表面及對應之一背面，該主動表面具有複數個焊墊；將該些晶片以該背面貼附於該晶片座之該第一上表面；將該些焊墊分別與該些接腳連接；進行一封膠步驟，以一封裝材料包覆該晶片，該晶片座之該第一上表面及該些接腳之該些第二上表面，在此步驟中該貼帶會變形而嵌入該環形溝槽，而防止該封裝材料包覆該晶片座之該第一下表面；以及剝除該貼帶，並使該些封裝單元彼此分離。
三、參加人所提異議附件三、四為88年7月30日申請，89年12月11日審定公告之第00000000號「導線架」發明專利案（即引證一）；附件五、六為西元2000年11月7日公開之美國第0000000號「PLASTIC INTERGRATED CIRCUIT PACKAGE ANDMETHOD AND LEADFRAME FOR MAKING THE PACKAGE」專利案（即引證二）及其部分中文節譯本；附件七為西元1995年11月28日公開之美國第0000000號「SEMICONDUCTOR PACKAGE
AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME」專利案（即引證三）。
四、被告審定略以，引證一揭露之晶片座底面至少有一環型溝槽，環繞於其周緣，導線架之複數個導腳配置於該晶片座之外圍，一晶片以其背面貼附於該晶片座之頂面，且導腳與晶片之間以導線電性連接，並以封裝樹脂將晶片、導線及晶片座的頂面包裝起來，而露出該晶片座的底面及外導腳，故系爭案申請專利範圍第1項至第3項除了接腳之構造外，已為引證一所揭露；而系爭案使晶片座與接腳皆位在封裝材料之底部，或使晶片座與接腳之下表面位在同一平面上，已揭露於引證二；又系爭案申請專利範圍第4項至第6項之製程中，除了貼帶之貼附與剝除外，皆已揭露於引證一及二，而該貼帶之運用則已揭露於引證三之貼帶貼附導腳及系爭專利說明書第4項中；另系爭案以環型溝槽來解決溢膠現象，亦為引證一所揭露。綜上所述，組合引證一、二及三足以證明系爭案係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，不具進步性，乃為「異議成立，應不予專利」之處分。
五、原告起訴意旨略謂：系爭案與引證一係屬不同技術領域、不同技術特徵、不同封裝技術與結構。系爭案與引證二、引證三亦屬不同技術特徵與結構。系爭案首先提出利用封裝時模穴內溫度及壓力急遽升高，使貼帶嵌入環狀溝槽內，以解決、防止習知技藝所面臨之溢膠問題。引證一、二及三並未揭示「環形溝槽」可配置在四方扁平無接腳封裝之晶片座下表面技術特徵，及解決貼帶與晶片座之間溢膠現象，系爭案非為熟習該項技術者所能輕易完成云云。
六、本院判斷如下：
㈠、系爭案於91年9月30日修正申請專利範圍及圖示，玆經被告與91年5月21日審定公告本比較，認未變更實質，並有申請專利範圍過廣、不明暸之情事，而准予修正，此為兩造所不爭。又本件兩造不爭執系爭案具新穎性，是本件應就系爭案是否具進步性為爭執要點，均此敘明。
㈡、經查，系爭案晶片座具有一第一上表面及對應的一第一下表面，其中至少「一環形溝槽，環繞於該第一下表面之周緣」之技術特徵已揭露於引證一「該晶片座底面亦至少有一環型溝槽，環繞於其周緣」，導線架之複數個導腳配置於該晶片座之外圍，一晶片以其背面貼附於該晶片座之頂面，且導腳與晶片之間以導線電性連接，並以封裝樹脂將晶片、導線及晶片座的頂面包裝起來，而露出該晶片座的底面及外導腳等。系爭案固因有接腳之構造，與引證一構件不同，固具新穎性，惟依上開說明，系爭案申請專利範圍第1、2、3項裝置項係運用引證一案既有之技術知識。
㈢、又引證二未揭露系爭案之晶片座底面具有環形溝槽之結構，固不足以證明系爭案不具新穎性。但系爭案使晶片座與接腳皆位在封裝材料之底部，或使晶片座與接腳之下表面位在同一平面上等，亦已揭露於引證二，是系爭案將該引證一之既有技術轉用於該引證二之已知四方扁平無接腳封裝，為熟習該項技術者所能輕易完成者，應不具進步性。原告徒以：申請專利範圍第1、2、3項裝置項部分，引證一、二及三並未揭示「環形溝槽」可配置在四方扁平無接腳封裝之晶片座下表面技術特徵，應具進步性云云，並非可採。
㈣、另系爭案申請專利範圍第4項至第6項之製程中，亦係運用該引證一及二之既有技術或知識，而該貼帶之運用則已分別揭露於引證三之貼帶貼附導腳及系爭案專利說明書第4頁中段之習知技術製程中。系爭案以引證一既有技術之「環型溝槽」解決運用習知貼帶後亦有之溢膠現象，亦為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，所有製程專利部分，亦不具進步性。原告主張：系爭案申請專利範圍第4項至第6項之製程專利部分，可解決貼帶與晶片座之間溢膠現象為非為熟習該項技術者所能輕易完成者云云，並非可採。
㈤、此外，關於原告主張未就申請專利範圍附屬項5、6項，逐項審查問題，敘述如下：
①、按修正前專利法施行細則第16條第3項規定：「附屬項應敘
明所依附之項號及申請標的，並敘明所依附項目外之技術特點。」在專利審定階段，專利主管機關認附屬項具有所依附請求項以外之技術特徵時，若獨立項之請求經審查認為不具專利要件，但專利主管機關認為附屬項仍具專利要件者，基於逐項審查原則，專利審查主管機關固應依修正前專利法第40條第2項限期申復，但申請人若不願就不符專利要件之請求項加以刪除修正，而申請就全部請求項准予專利，則基於專利單一性原則（修正前專利法第31條第1項前段），全部之專利申請案自應全部否准，並無就同專利申請案作成部分請求項准專利，部分請求項否准專利之審定，此為專利單一性原則之問題，與逐項審查無關，是以申請專利範圍應如何修正，乃原告應參酌被告核駁理由通知書，作有利於原告專利權保護及他人利用之修正。
②、但在修正前專利法（即本件異議審定時）規定之異議階段，
依該法第102- 1條規定：「專利專責機關於審查新型專利時，得依職權或依申請通知申請人或異議人限期為下列各款之行為：一至專利專責機關面詢。二為必要之實驗、補送模型或樣品。三補充或修正說明書或圖式。前項第二款之實驗或補送模型或樣品，專利專責機關必要時得至現場或指定地點實施勘驗。依第一項第三款所為之補充或修正，不得變更申請案之實質。於審定公告後提出之補充、修正，並須有下列各款情事之一始得為之：一申請專利範圍過廣。二誤記之事項。三不明瞭之記載。」是以，異議人以引證案為異議後，如依異議之理由，專利權人如認其獨立項不具專利要件，但附屬項之附屬項特徵仍具專利要件者，專利權人自應依上開該法第102- 1條規定且合於上開規定下為補充或修正，以使該附屬項單獨成為獨立項而有該部分之專利，或將附屬項併入獨立項以免專利範圍過廣。但如專利權人於異議答辯，仍堅持其獨立項具專利要件，在異議審定前不為任何補充或修正，專利主管機關審查認獨立項不具進步性，縱附屬項與引證案相較，具進步性，亦應認系爭案包括附屬項在內，均應為異議成立之處分。殊不容專利權人於異議答辯時減縮其申請專利範圍，嗣後再籍逐項審查為由，於行政爭訟程序為新理由之提出，爭執異議審定為違法。又新專利審查基準係93年7月1日施行，係在異議審定判斷之後，自無適用之餘地，原告就新專利審查基準所為之主張，本院自無庸再予審酌。
③、經查，本案被告於參加人異議後，雖經原告於91年9月30日
修正系爭案申請專利範圍及圖示，但原告仍堅持其獨立項（系爭案申請專利範圍1、3、4項）具專利要件，是以本案申請專利範圍第2、5、6項之附屬項部分，被告並以之作為異議案之被比對對象，並與獨立項不具進步性一併說明而作成異議審定之處分，並無違逐項審查原則，原告自不得再於行政爭訟程序再為逐項審查新理由之提出。原告雖主張被告未為逐項審查，異議審定為違法云云，殊不可採。
㈥、綜上所述，系爭案係組合引證一、二及三之既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，不具進步性。
七、從而，被告認系爭案有違核准審定時專利法第20條第2項之規定，所為本件「異議成立，應不予專利」之處分，並無不合。訴願決定遞予駁回，亦無違誤，均應予維持。本件原告之訴為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中 華 民 國 94 年 10 月 27 日
第七庭 審判長 法 官 劉介中
法 官 黃秋鴻法 官 李玉卿上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 94 年 10 月 27 日
書記官 黃明和