臺北高等行政法院判決
95年度訴字第02035號原 告 日商‧日鑛金屬股份有限公司代 表 人 甲○○○訴訟代理人 桂齊恆律師複 代理人 謝智硯律師
李元戎被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 蔡練生（局長）訴訟代理人 丙○○
乙○○上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國95年04月18日經訴字第09506165130號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：原告前手日商‧能源股份有限公司於民國（以下同）87年03月26日以「濺鍍靶及其製法」向被告申請發明專利，並以西元1997年04月15日及1998年03月04日向日本申請之第111824號及第067668號專利申請案主張優先權，經被告編為第00000000號審查，不予專利；嗣該公司申請再審查，並於92年01月09日修正專利名稱為「濺鍍靶」及修正中文說明書及申請專利範圍，經被告再審查准予專利。公告期間，關係人日籍金子志乃以其違反核准審定時專利法第19條、第20條第1 項第1款 及第2 項規定，不符發明專利要件，於92年08月11日對之提起異議；原告則於93年03月24日申准受讓系爭案申請權之登記。案經被告審查，於94年03月24日以（94）智專二㈥01 101字第09420265780 號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，經訴願決定駁回，原告猶未甘服，遂向本院提起行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明：
1.原處分及訴願決定均撤銷。
2.訴訟費用由被告負擔。㈡被告聲明：
1.駁回原告之訴。
2.訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之主張：
甲、原告主張：㈠原處分並未敘明理由，明顯違反行為時專利法第38條第2項之規定：
1.按「經審查不予專利者，審定書應備具理由。」為行為時專利法第38條第2項之規定。準此，若經審查認應不予專利者，其書面之行政處分應記明理由，此由行政程序法第97條亦可得知。
2.原處分內容中並未敘明理由，明顯違反行為時專利法第38條第2項之規定：
⑴系爭案請求項1之構成要件係包含「①濺鍍靶被濺蝕面的
表面粗度Ra≦1.0μm。②附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al、Co、Ni、B之總量為500ppm以下。③濺鍍靶被濺蝕表面的氫含量50ppm以下。④被濺蝕表面的加工變質層厚度50μm以下」等4要件，惟原處分理由㈣則指系爭案靶特徵包含「表面粗度、附著物含量、含氫量、附著於被濺蝕表面之污染物質」，雖同樣含4要件但有2要件重複，亦即遺漏系爭案之構成要件④，並未完全掌握系爭案之特徵所在。
⑵查「附件二（即引證一）所揭示之靶材...其特徵包括：
抑制粒子發生（來自高熔點或靶材成分者）、表面中心線粗度Ra在0.05μm以下、加工變質（或殘留應力）層可藉由研磨『完全』除去，故引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案。」為原處分理由㈣所載。則依被告所言，引證一揭示的靶材頂多只含3個特徵（亦即至少不含系爭案構成要件④），且原處分第3頁第2至5行亦已承認引證一未具體揭示系爭案之構成要件②「附著之污染物質，在缺乏半數構成要件（四分之二）的情形下如何導出「引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案」之結論，在原處分中缺乏相關的支持，因此可說其審查不備理由有違前述規定。
⑶原處分認「引證二之靶材特徵實等同於系爭案」，惟依被
告所言，引證二濺鍍靶特徵包含：「具中心線粗度Ra為0.05至1.0μm，且加工變質層之厚度為20至100μm」，亦即頂多只含2個特徵（至少不含系爭案構成要件④），且被告於原處分第3頁第2至5行亦已承認引證二未具體揭示系爭案之構成要件②「附著之污染物質」，在缺乏半數構成要件的情形下如何導出「引證二之靶材特徵係實質等同於系爭案」之結論，在原處分中缺乏相關的支持，因此可說其審查不備理由而有違前述之規定。
㈡引證一、二並不具備系爭案構成要件①至④，系爭案確實具有進步性：
1.如系爭案說明書第28頁「發明之效果」欄所敘述，藉由具備請求項1（或請求項2至5）構成要件①至④，可防止濺鍍時結球的生成，有效抑制粒子的發生，並獲得將虛濺鍍所需時間大幅縮短等的顯著效果。
2.系爭案與引證一之技術明顯不同，引證一並未揭示系爭案之構成要件④，被告見解明顯有誤：
⑴按「引證一所揭示之靶材...其特徵包括...加工變質（或
殘留應力）層可藉由研磨『完全』除去，故引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案。」「在引證一中譯本闡述該案說明書第4頁左上欄（揭示）『由加工面殘留應力結果，與測定未經研磨之研磨面比較例一相較，藉由研磨完全除去產生的表層的塑性歪斜或彈性歪斜』與第4頁右上欄至左下欄以及表（揭示）『藉由進行作為最終精加工的機械化學拋光加工，確實可完全除去形成粒子的產生原因的加工缺陷層和殘留應力』。」分別為原處分理由㈣及訴願決定理由㈥所載。亦即，被告認為引證一說明書揭示之「藉由進行作為最終精加工的機械化學拋光加工，確實可完全除去形成粒子的產生原因的加工缺陷層和殘留應力」，係實質上等同於系爭案請求項1之構成要件④「被濺蝕表面的加工變質層厚度50μm以下」。
⑵引證一未揭示系爭案之構成要件④，被告見解明顯有誤：
①引證一雖揭示出「藉由進行作為最終精加工的機械化學
拋光加工，確實可完全除去形成粒子的產生原因的加工缺陷層和殘留應力」，然根據顯示其實施例結果之「表」可明顯看出，雖殘留應力減少但並非完全除去；且引證一關於加工變質層之評價方法與系爭案不同，引證一完全未探討深度方向的加工變質層，因此二者之技術完全不同。
②引證一中顯示實施例結果之「表」正上方，係記載著「
藉由進行作為最終精加工的機械化學拋光加工，確實可完全除去形成粒子的產生原因的加工缺陷層和殘留應力」，但依「表」中的實驗數據可明顯看出，實施例1至3（表中僅有3個實施例1，應為實施例1至3之誤記）的殘留應力雖有減少但並非完全除去，因此可知實施例的敘述與表的實驗結果相矛盾。
③一般之殘留應力測定法是藉由照射X射線來進行，這時
是根據「表面」之X射線侵入區域來獲得結晶構造之相關資訊。引證一的技術應該也是採用這種方法來測定。這種使用X射線之殘留應力測定法，其X射線之侵入區域會依試料、X射線波長；強度等而產生不同，因此無法測定出深度方向之正確的殘留應力。引證一是在依經驗或實驗而判斷幾乎完全除去殘留應力的時點，終止機械化學拋光加工，再以殘留應力測定法進行測定。這時，依據該測定方法，僅能測得「最表面」的殘留應力。因此，就算依測定結果判斷已除去大量的殘留應力，事實上很可能尚未完全除去。如此當然會發生上述矛盾的解釋。應特別注意，引證一僅測定靶表面之殘留應力，並未測定厚度（深度）方向之殘留應力。依引證一表中的數據可知，最表面事實上殘存有殘留應力，隨著深度變深，應會殘存有更大的殘留應力。引證一中並未認識到厚度方向之加工變質層的存在，當然也沒有須將其厚度加以限定的構想。相對於此，系爭案請求項1之構成要件④「被濺蝕表面的加工變質層厚度50μm以下」，不僅認識到厚度方向之加工變質層的存在，且進一步對其厚度做限定，根據此加工變質層的觀點可知，系爭案與引證一之技術明顯不同，引證一中並未揭示系爭案之構成要件④。
④附帶說明，系爭案中以X射線殘留應力測定法來測定加
工變質層的厚度時，係先測定表面的殘留應力，將測定後的表面經電解研磨除去以形成新生表面，再度以X射線測定新生表面的殘留應力，重複此步驟，俾使靶加工變質層的厚度成為50μm以下。使用X射線來測定殘留應力的方法係周知的方法，因此未特別記載於系爭案說明書中，但限定「厚度方向之加工變質層的厚度」之構想乃系爭案特有的技術特徵，如上所述完全未記載於引證一。因此，原處分所稱之「引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案」，並未載明其理由，且誠非屬實，事實上引證一並未揭示系爭案之構成要件④，當然無法推導出「引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案」之結論。
3.系爭案之使用鑽石切削之精加工處理，其加工機構與引證一之研磨加工完全不同：
⑴按「至於附著於被濺蝕表面之污染物質（即主成分及合金
成分以外的高熔點金屬元素及Si 、Al、Co、Ni、B之總量為500ppm以下），雖引證一、二未具體揭示，但依常理可輕易推知，...係於靶之表面處理過程中僅使用具鑽石成分之研磨或切削，故靶面附著之污染可能只以碳為主，而其它...之污染，應僅與形成靶材時之起始料有關，更何況...只須採高純度起始料合成靶切削，再經超音波洗淨後，亦可輕易使其靶面具有該特徵。」「如果『只談鑽石研磨切削的過程，不談後續處理與濺鍍靶本身的雜質成分』，在此前提下原處分所述『包括引證一、二及系爭案均係於靶之表面處理過程中僅使用具鑽石成分之研磨或切削，故靶面附著之污染只以碳為主』之結論正確，因為物質元素不會無中生有。」分別為原處分及訴願決定所載。亦即，針對系爭案請求項1之構成要件②，被告指稱「靶面附著之污染可能只以碳為主，而其它...之污染，應僅與形成靶材時之起始料有關...只須採高純度起始料合成靶切削，再經超音波洗淨後，亦可輕易使其靶面具有該特徵」，惟被告之見解缺乏根據且明顯有誤。
⑵系爭案之使用鑽石切削之精加工處理，其加工機構與引證一之研磨加工完全不同：
①引證一之具體實施例，係將高熔點金屬合金（TiW等）
構成、經熱壓法形成之燒結體機械加工成靶的形狀，然後如實施例1所記載，以豎軸旋轉式平面磨床磨削後，使用「鑽石磨粒進行研磨加工」，經超音洗淨除去附著於研磨面之加工液後，用丙酮實施脫脂處理而製得。前揭「使用鑽石磨粒進行研磨加工」，係利用分散於介質中之無數磨粒與被研磨物間之磨耗現象。引證一之高熔點金屬合金（TiW等）燒結體屬於脆性材料，利用鑽石刀具之切削加工無法獲得另人滿意的靶表面，因此必須使用鑽石磨粒來進行研磨加工。相對於此，系爭案之「使用鑽石切削之精加工」，係使用高剛性、旋轉軸的旋轉精度良好之切削裝置，利用鑽石刀具之切削而一口氣對表面施以精加工者。於被切削物與鑽石刀具間不會產生燒結（sticking），也不會污染被切削物；且經鑽石切削之精加工處理之物，不僅能顯著降低氫含量，且能明顯減低其他高熔點金屬等的污染物質總量。因此，使用鑽石切削之精加工處理，能有效除去加工變質層、氫及其他雜質等的含量。系爭案之具體實施例，係以車床加工（使用刀具之切削加工）機械加工成靶形狀後，視需要，使用鑽石刀具進行精密切削。如實施例所示，這時是以金屬系（實施例之Ti、Ta、Cu、Al）靶為對象。
②根據上述說明可知，系爭案之使用鑽石切削之精加工處
理，其加工機構與引證一之研磨加工完全不同。鑽石切削加工，係利用刀具前端來切除或切斷被切削物；相對於此，使用鑽石磨粒之研磨加工，係利用分散於介質之無數磨粒與被研磨物間之磨耗現象。如此可知，雖然均是使用鑽石進行處理，但引證一之使用鑽石磨粒之研磨加工與系爭案之使用鑽石切削之精加工，二者確實屬完全不同的技術。
⑶被告所稱之「靶面附著之污染可能只以碳為主」明顯有誤：
①引證一係關於使用鑽石磨粒進行研磨加工的技術，該研
磨所使用的鑽石為不透明（黃色）的工業用鑽石，一般的製法，係在超高壓（50至60kbar）、高溫（1,500至1,600℃）下，以石墨為原料、使用鎳觸媒來製造。將石墨熔解於超高壓、高溫下之鎳中，因過飽和而析出之鑽石結晶，乃大小1μm至1mm之單結晶或微粉末。為了形成均一的磨粒而進行粉碎處理（藉由解理）而使鑽石微細化）時，會發生來自①粉碎介質之污染。又由於鑽石乃硬度最高的物質，不管粉碎裝置是使用那一種硬質材料，因鑽石會與粉碎裝置之內壁等接觸，故一定會發生來自該②接觸部之污染。在使用鑽石進行研磨時，係使用有機溶劑、膠態氧化矽（SiO2）等的混合漿料作為③分散介質，基於此，被告所稱之「靶面附著之污染可能只以碳為主」明顯有誤。
②引證一之實施例1，係使用鑽石磨粒來進行研磨加工，
關於其研磨盤，一般使用④不鏽鋼板（Fe、Ni、Cr）或玻璃板（SiO2）等，當然這些也會造成污染。研磨加工本來就會產生大量的加工變質層，就算事後進行超音波洗淨，也難以除去刺穿於靶表面之鑽石磨粒。引證一之實施例2中，係使用鑽石磨粒進行研磨加工後，使用0.3μm氧化鍶磨粒，在用丙烯酸樹脂拋光器加壓下加工10小時，再經超音波洗淨、丙酮脫脂。在製作這麼微細的氧化鍶時必須經由粉碎步驟，這時當然會受到雜質（不鏽鋼、超硬合金系）之污染。⑤氧化鍶與該等雜質會刺穿靶表面，就算經由超音波洗淨仍難以將其完全除去。引證一之實施例3中，係使用鑽石磨粒進行研磨加工後，使用0.02μm之SiO2粉末，用布拋光器實施20小時超長時間之機械化學拋光加工，再經超音波洗淨、丙酮脫脂。這時會有⑥SiO2粉末之殘留，為除去該污染物質，必須實施含酸性溶液之化學研磨（chemical etching），此⑦化學研磨將造成氫含量增加之另一問題。
③如上所述，引證一的技術，隨著鑽石磨粒研磨加工之進
行，不僅氫含量會增加，且會受到許多物質的污染（例如前揭①至⑦）。引證一不僅無法除去對於系爭案因車床加工所殘留的加工變質層，甚至會有另外產生加工變質層的可能。亦即，引證一記載之使用鑽石磨粒之研磨加工，係和系爭案說明書記載之使用鑽石刀具切削之精加工完全不同的技術。此外，使用鑽石磨粒之研磨加工具有相當多系爭案希望能減少的缺陷。因此，原處分指稱之「包括引證一、二及系爭案均係於靶之表面處理過程中僅使用具鑽石成分之研磨或切削，故靶面附著之污染只以碳為主」明顯與事實不符（事實上引證一會受前揭①至⑦之污染）。又關於原處分進一步指稱之「而其它...之污染，應僅與形成靶材時之起始料有關...只須採高純度起始料合成靶切削，再經超音波洗淨後，亦可輕易使其靶面具有該特徵」，這點也完全缺乏根據，根據上述說明可知，刺穿於靶表面之鑽石磨粒、氧化鍶及其粉碎步驟產生之雜質等，就算經超音波洗淨仍無法完全除去，因此原處分之見解明顯有誤。
⑷綜上所述，不僅如被告所承認引證一、二未具體揭示系爭
案請求項1之構成要件②「附著於被濺蝕表面之污染物質...」，事實上引證一、二中既未揭示、亦未暗示系爭案之構成要件。
4.被告認「系爭案要減少氫含量的作法並無顯著之功效」之結論，明顯有誤：
⑴按「至於靶表面之含氫量特徵，一般而言只要未曾對靶材
實施過化學研磨，其表面含氫量均自然可維持在50ppm以下，此可由系爭案說明書第23頁表10與表11之比較明顯得證，實施例中若曾實施化學研磨，即使在做過脫氫處理後，其含氫量仍明顯高過其它未做化學研磨者。」「因此系爭案要減少氫含量的作法並無顯著之功效。」分別為原處分及訴願決定所載。
⑵系爭案表10、11中，經化學研磨、脫氫處理者有實施例22
、25、26，其等的氫含量分別為10、15、20ppm。未經化學研磨之實施例21、23、24，其等的氫含量分別為10、1、10ppm。基於此被告判斷「實施例中若曾實施化學研磨，即使在做過脫氫處理後，其含氫量仍明顯高過其它未做化學研磨者」，然而被告之判斷並不正確。靶表面含氫量會因化學研磨而明顯增加至超過50ppm的程度。原處分拿經化學研磨者與未經化學研磨者做比對並不適當。
⑶化學研磨（chemical etching），係用含有鹽酸、硝酸、
硫酸、氫氟酸、過氧化氫等的蝕刻液，對表面（不僅是晶界而是整體）施以化學溶解。化學研磨能極有效地除去附著於表面之雜質。然而，這時會產生氫侵入表面之另一問題。因氫侵入會對靶產生不良影響之看法，系爭案是第一個提出並予以解明。系爭案採用脫氫處理，能穩定地將含氫量降低50ppm以下（在實施例頂多為20mm）。引證一完全未揭示這點，當然也沒有提供用來解決的手段，基於此，被告所持之「只要未曾對靶材實施過化學研磨，其表面含氫量均自然可維持在50ppm以下」的見解缺乏根據，當然據此導出之「系爭案要減少氫含量的作法並無顯著之功效」之結論明顯有誤。
⑷另引證一第4頁右上欄至左下欄以及表（揭示）「藉由進
行作為最終精加工的機械化學拋光加工，確實可完全除去形成粒子的產生原因的加工缺陷層和殘留應力」，所謂機械化學拋光加工，係同時併行化學研磨與機械加工之操作，其氫含量的增加程度與化學研磨相同，且操作會造成加工變質層之增加。然而引證一中並未對氫含量做任何的限制，如此亦可證實所稱「系爭案要減少氫含量的作法並無顯著之功效」之結論明顯有誤；另亦證實原處分所稱「引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案」之結論明顯有誤。
5.系爭案非為熟習此技藝人士，運用引證一、二之技術所能輕易完成：
⑴按「訴願理由述及殘存加工變質層之厚度...並非僅去除
表面層所能決定等語。...利用引證二之技術除去100μm厚度，則加工變質層的厚度很容易就低於50μm以下，因此系爭案...為熟習該項技術者所能輕易完成者。」為訴願決定所載，惟其係針對系爭案請求項1之構成要件④「被濺蝕表面的加工變質層厚度50μm以下」所為，然而該論點完全缺乏根據，當然據此導出之「系爭案...為熟習該項技術者所能輕易完成者」之結論明顯有誤。因若原先加工變質層的厚度超過150μm時，就算如訴願決定所言利用引證二之技術除去100μm厚度，則加工變質層的厚度仍會超過50μm（不會低於50μm），如此簡單地證明訴願決定之主張明顯有誤。
⑵引證二說明書第5頁右上欄第5至10行揭示「加工變質層除
去製程，可採用離子銑或濺蝕、電解拋光、化學研磨、研磨處理、拋光等適當的表面處理。這些，均能將靶面以不留應力的方式除去20至100μm，作為加工變質層除去製程乃有用者」，而列舉出各種加工方法。以下即針對各加工方法之可行性做檢討。例如，濺蝕雖不會產生應力，但濺蝕速度會受結晶構造（配向）等的影響而使表面粗度明顯變差，且伴隨濺蝕之加熱作用會使結晶粒徑發生變化。關於研磨與拋光，如引證一所記載，不儘須花費長時間，且就算在極低壓下緩慢加工，仍會產生殘留應力，當然無法做到不留應力的程度。又依加工條件之不同，也可能會發生更多的殘留應力，因此前揭訴願決定明顯有誤。
⑶附帶一提，引證二中，除前揭會產生問題之濺蝕、研磨、
拋光以外，同時出現「化學研磨」之記載，化學研磨係用含有鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸、過氧化氫等的蝕刻液，對表面（不僅是晶界而是整體）施以化學溶解。這時會產生氫侵入表面之另一問題。若未認知此氫含量增加的影響並提出相關解決手段，和濺蝕、研磨、拋光的情形相同，最終仍會發生問題而無法獲得系爭案之效果。
6.綜上所述，引證一、二均未揭示系爭案構成要件①至④，且無法達成系爭案之特有效果，熟習此技藝人士，就算運用引證一、二之技術仍無法輕易完成系爭案，系爭案當然具備進步性。
㈢原處分顯然違反比例原則：
1.按「行政行為，應依下列原則為之︰一、採取之方法應有助於目的之達成。二、有多種同樣能達成目的之方法時，應選擇對人民權益損害最少者。三、採取之方法所造成之損害不得與欲達成目的之利益顯失均衡。」為行政程序法第7條規定。準此，行政機關為行政行為，應兼顧公益及私益，而非僅為公益而置人民權益於不顧。
2.系爭案之請求項共有5項，被告本應依職權逐一陳述其有何違反專利法之處，若確有不當之處，應逐一批駁，而非一概而論，全部予以駁回，而不深究5個請求項中，何項確具有專利，何項並無存在之必要。顯見被告為達其目的，並未選擇對人民權益損害最少的方式為之，其違反前述規定甚明。
㈣綜上論陳，被告之認事用法顯有違法，為此，謹請 鈞院詳為查核，並早日賜判決如訴之聲明，藉維法紀，至感德便。
乙、被告主張：㈠原告訴稱「原處分並未敘明理由，明顯違反行為時專利法第
38條第2項之規定」，惟在訴願決定書之理由項一至二中已明確敘明異議成立應不予專利之理由，故並未違反專利法第38條第2項之規定。另原告訴稱「引證一之靶材僅具系爭案中所揭示相關4點特徵中之3點（即①至③者），而引證二則僅具4點特徵中之2點（即②與④）」，故原處分不備理由之論述應不成立，因原告所列之4點特徵已於引證一、二之特徵的組合所揭示；即原告同意引證一已具備特徵①至③，亦同意引證二具備特徵②與④，由於引證一、二均採相同之鑽石研磨處理，故縱使引證一未明確揭示特徵，引證二已可充分證明引證一之靶材實已具備特徵④之性質，更何況引證一已說明其加工質變層係被完全移除者（即特徵④）。綜上所述，系爭案申請專利範圍第1至5項為運用申請前既有之技術且為熟知該項技術者所能輕易完成，未具進步性。
㈡系爭案實未具進步性：
1.原告稱「引證一之表中可知其靶材表面殘留應力減少但非完全除去」、「引證一所採X射線對殘留應力之測定法無法測出深度方向之應力分佈」等，均屬合理，但是問題在系爭案亦未於說明書（包括各表及圖式）中說明其靶面應力分佈的數據作為說明之證據，原告所辯稱系爭案具備「完全」除去應力之功效，乃原告之臆斷；特別依一般習知判斷靶面經研磨拋光處理後，其殘留應力僅止於表面，而非如原告所稱該應力會隨著深度而有更大應力殘留的情況。因引證一、二或系爭案均採取研磨（包括電解及機械移除），故二者在降低靶面應力防止粒子發生之功效上實質相同，系爭案未具進步性。
2.原告所稱引證之鑽石研磨與系爭案之鑽石切削為不同技術，此點需予以澄清，一般所謂慢速鑽石切削是在圓鋼片之周緣附上鑽石層，故其不論是研磨或切削靶材作用原理類同，因此污染情形亦相當，特別切削時亦需配合潤滑油一樣有污染問題，因此不論是引證一或系爭案之拋光技術，只要採慢速再經起音波洗淨後，二者被污染之程度仍應相當；加工變質層情況下類同。
3.原告訴稱「被告認『系爭案要減少氫含量的作法並無顯著之功效』之結論，明顯有誤」，惟系爭靶材表面含氫量之功效，先前於原處分已敘明由系爭案所列表10及11中明顯可證明只要未經化學研磨（氫污染來源）處理（如引證案）則其靶材表面之含氫量應沒有理由會高於50ppm。因此，原告該點論述實屬無此必要。
4.又原告認「訴願決定所指稱之『利用引證二之技術除去100μm厚度，則加工變質層的厚度很容易就低於50μm以下』，明顯與事實不符，當然據此導出之『系爭案...為熟習該項技術者所能輕易完成者』之結論明顯有誤」，惟引證二固然不能完全顯示在除去100μm厚度之加工質變層後即可達到該層之厚度在50μm以下，但引證一確曾揭示其靶面質變（或歪斜）層，係可被完全移除，因此原告之質疑亦無理由。
㈢綜上所述，被告原處分並無違法，敬請駁回原告之訴。
理 由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依系爭案核准審定時專利法第19條暨第20條第1項前段之規定申請取得發明專利；惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。
二、本件係原告前手日商‧能源股份有限公司於87年3 月26日以「濺鍍靶及其製法」向被告申請發明專利，並以西元1997年04月15日及1998年03月04日向日本申請之第111824號及第067668號專利申請案主張優先權，經被告編為第00000000號審查，不予專利；嗣該公司申請再審查，並於92年01月09日修正專利名稱為「濺鍍靶」及修正中文說明書及申請專利範圍，經被告再審查准予專利。公告期間，參加人以其違反核准審定時專利法第19條、第20條第1 項第1 款及第2 項規定，不符發明專利要件，於92年08月11日對之提起異議；原告則於93年03月24日申准受讓系爭案申請權之登記。案經被告審查，於94年03月24日以（94）智專二㈥01 101字第09420265
780 號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告則不服，為如事實欄所載之主張。是本件應審究者即系爭案有無違反核准審定時專利法第20條第2項之規定？
三、本院判斷如下：㈠本件系爭92年01月09日修正為「濺鍍靶」之發明專利，依其
專利說明書所載，其申請專利範圍有五項，第1 項至第第4項均為獨立項，第5 項則為附屬項；第1 項為「一種濺鍍靶，其特徵在於，濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均粗度Ra≦1.0 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al 、Co 、
Ni、B 之總量為500ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下；且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μ
m 以下。」，第2 項為「一種濺鍍靶，其特徵在於，濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均粗度Ra≦0.2 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al 、Co 、Ni、B 之總量為500ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下；且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下。」，第3 項為「一種濺鍍靶，其特徵在於，濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均粗度Ra≦1.0 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al、Co、Ni、B 之總量為300ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下；且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下。」，第4 項為「一種濺鍍靶，其特徵在於，濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均粗度Ra≦
0.2 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al 、Co 、Ni、B 之總量為300ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm以下；且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下。」，第5 項為「如申請專利範圍第1-4 項中任一項之濺鍍靶，其中，濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為30ppm 以下。」。足認，系爭案係一種「濺鍍靶」，其特徵在於濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均度Ra≦1.0 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al、Co、Ni、B 之總量為為500ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下，且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下。是以，系爭案係一種物之發明，並非物之發明方法。
㈡經查，系爭案係一種「濺鍍靶」，其特徵在於濺鍍靶之被濺
蝕面的表面粗度，係中心線平均度Ra≦1.0 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al、Co、Ni、B 之總量為為500ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下，且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下。但如何達到使濺鍍靶之被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均度Ra≦1.0 μm ，且附著於被濺蝕表面之污染物質之總量為為500ppm以下；且濺鍍靶之被濺蝕表面的氫含量為50ppm 以下，且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為50μm 以下，所使用之技術方法或手段並未界定，則依其申請專利之定義，凡是存在於上開被濺鍍表面之特徵，均在原告主張之權利範圍。次查，參加人所提之異議資料，引證一為西元1991年11月15日公開之日本特開平0-00 0000 號專利案；其發明主要目的係製造一種在濺鍍時由靶所發生的粒子數量顯著減少之高品質高熔點金屬合金薄膜。引證一所揭示之靶材係以鑽石研磨與拋光，再經超音波除去附著之粒子後所製成，其特徵包括：抑制粒子發生（來自高熔點或靶材成分者）、表面中心線粗度Ra在0.05μm 以下、加工變質（或殘留應力）層可藉由研磨「完全」除去等，均可見於引證一之說明書及申請專利範圍，故引證一之靶材特徵係實質等同於系爭案。系爭案雖採慢速鑽石切削進行切割（或研磨）加上超純水洗淨，但效果仍等同於引證一所利用之鑽石研磨加上超音波震盪。至於靶表面之含氫量特徵，一般而言只要未曾對靶材實施過化學研磨，其表面含氫量均自然可維持在50ppm 以下，此可由系爭案說明書第23頁表10與表11之比較明顯得證，例如實施例中若曾實施化學研磨，即使在做過脫氫處理後，其含氫量仍明顯高過（約含10pp
m ）其它未做化學研磨者。另引證二係為西元1994年11月22日公開之日本特開平0-000000號專利案；其發明主要目的係以建立粒子產生數量非常少且氧含量低的濺鍍用矽化物靶的製造技術為目的。亦揭示具5.0 至1.0 μm 中心線粗度及移除加工變質層以20至100 μm 厚度無歪斜地濺鍍靶，由於鑽石研磨亦可進行較精細者（即等同系爭案所謂之精密切削者），故可推知引證一、二之靶材表面特徵與系爭案並無不同，不具進步性。
㈢至原告主張引證一之表中可知其靶材表面殘留應力減少，但
非完全除去及其所採X 射線對殘留應力之測定法無法測出深度方向之應力分佈乙節；惟查在系爭案申請專利範圍中只說明一種濺鍍靶，其特徵在於被濺蝕面的表面粗度，係中心線平均粗度Ra＜1.0 μm ；且附著於被濺蝕表面之污染物質，即主要成分及合金成分以外的高熔點金屬元素及Si、Al、Co、Ni、B 的總量為＜500ppm；且濺鍍靶之被濺鍍表面的氫含量為＜50ppm ；且被濺蝕表面的加工變質層之厚度為＜50μ
m 者。即系爭案並未於說明書（包括各表及圖式）中說明如何把靶內因為異相的存在、靶材與研磨材硬度差異、附著微細粒子用其方法與步驟而達到更低的表面污染物、更低的氫含量、更少的加工變質層厚度。是系爭案僅以該靶之物性（例如表面粗糙度、表面污染物質、表面氫含量與加工變質層的厚度）來界定；是以引證一、二或系爭案均採取研磨（包括電解及機械移除），故二者在降低靶面應力防止粒子發生之功效上實質相同；系爭案乃運用申請前既有之技術或知識，而為熟習項技術者所能輕易達成者，未具進步性。
㈣至原告所主張引證之鑽石研磨與系爭案之鑽石切削為不同技
術乙節；然查，依上開系爭案申請專利範圍第1 項至第5 項所載，均未以使用鑽石切削為構成要件；一般所謂慢速鑽石切削是在圓鋼片之周緣附上鑽石層，不論是研磨或切削靶材作用原理相似，其污染情形亦相當，況切削時亦需配合潤滑油，一樣有污染問題；不論是引證一或系爭案之拋光技術，只要採慢速再經起音波洗淨後，二者被污染之程度仍應相當。是以，原告上開主張， 容有誤解，自不足採。
四、綜上所述，被告以系爭案違反專利法第20條第2 項規定，而為「異議成立，應不予專利」之處分，依法自無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告主張前詞，聲請撤銷訴願決定及原處分，為無理由，應予駁回。
五、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已不影響判斷結果，自毋庸再加以論究，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第3項前段，判決如主文。
中 華 民 國 96 年 3 月 29 日
第七庭審判長法 官 李得灶
法 官 林育如法 官 黃秋鴻上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 96 年 3 月 29 日
書記官 蘇婉婷