臺北高等行政法院判決
96年度訴字第01606號原 告 日月光半導體製造股份有限公司代 表 人 甲○○訴訟代理人 陳森豐 律師（兼送達代收人）被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 王美花（局長）訴訟代理人 丁○○
參 加 人 乙○○訴訟代理人 丙○○上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國96年3 月16日經訴字第09606063820 號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院依職權命第三人乙○○參加訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：原告前於民國（下同）92年3 月20日以「晶圓凸塊製程」向被告智慧財產局申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭專利）。公告期間，參加人乙○○以其違反核准審定時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定，不符發明專利要件，對之提起異議。案經被告審查，認其違反核准審定時專利法第20條第2 項規定，於95年10月24日以（95）智專三（二）04066 字第09520877290 號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分（下稱原處分）。原告不服，提起訴願，經經濟部96年3 月16日經訴字第09606063820 號訴願決定駁回，原告仍不服，遂向本院提起行政訴訟。本院依職權命參加人參加訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明：訴願決定及原處分均撤銷。
㈡被告聲明：原告之訴駁回。
三、兩造之爭點：結合證據2 、3 、5 、6 、7 可否證明系爭專利不具進步性？㈠原告主張：
⒈查原處分及訴願決定否定系爭專利之可專利性的理由，主要略為：
⑴系爭專利申請專利範圍第1 項迴銲步驟，與參加人所提
異議附件2 及附件9 （西元2002年4 月16日公告之美國第0000000 號專利案及其部分中譯本，下稱證據2 ）、附件3 （91年1 月11日審定公告之第00000000號「微間距之晶圓凸塊製程」發明專利案，下稱證據3 ）所揭示者不相同，難謂不具新穎性；惟查證據2 已揭示第二焊罩層之第二開口係大於第一焊罩層之第一開口；證據3申請專利範圍第19項，以及說明書第3 頁第4 至第9 行以揭示所謂之晶圓凸塊製程，常見於覆晶技術中，其主要是在晶圓上對外的接點上長出球底金屬層（UBM ），最後再利用晶圓凸塊與基板做連接。是系爭專利申請專利範圍第1 項關於迴銲步驟之主要技術特徵（於第一及第二圖案化光阻未移除前，進行迴銲步驟），雖與證據
2 及證據3 所揭示者有所差異，惟此差異可為熟習該項技術者所能藉以結合證據2 、3 所能輕易完成，難謂系爭專利具進步性。
⑵系爭專利之諸附屬項技術特徵已見於證據2 結合證據3
或5 （西元1993年9 月7 日公告之美國第0000000 號專利案，下同）、6 （西元2001年5 月15日公告之美國第0000000 號專利案，下同）、7 （92年2 月21日審定公告之第00000000號「凸塊製程」發明專利案，下同），難謂具有進步性。
⒉前揭訴願決定及原處分理由忽略系爭專利申請專利範圍第
1 項之整體技術特徵，並對系爭專利之技術特徵及其所可達到之進步功效視而不見，而致對系爭專利為過低之評價，卻未查證據2 、3 皆不能達到系爭專利所有之功效並解決既有之技術問題，僅係概然聲稱系爭專利為結合證據2、3 可以輕易完成，其決定顯有違法不當之處：
⑴系爭專利申請專利範圍第1 項為：「一種晶圓凸塊製程
，包括：提供一晶圓，具有複數個焊墊及一保護層覆蓋於該晶圓表面並暴露出該些焊墊；形成一第一球底金屬層覆於該保護層並覆於暴露出之該些焊墊；形成一第一圖案化光阻層於該第一球底金屬層，該第一圖案化光阻層具有複數個第一開口，分別對應於該些焊墊，並暴露出部份之該第一球底金屬層；形成一第二球底金屬層於該些第一開口中；形成一第二圖案化光阻層，覆於該第一圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有複數個第二開口，該些第二開口之大小係大於該些第一開口之大小，以暴露出該第二球底金屬層；將一焊料填充於該些第二開口，並覆於暴露出之該第二球底金屬層；進行一回焊步驟，使該焊料形成複數個球體凸塊；在該回焊步驟以後，移除該第二圖案化光阻層及該第一圖案化光阻層，以暴露出部份之該第一球底金屬層；以及移除暴露出之部份的該第一球底金屬層。」。
⑵系爭專利之發明目的乃是為解決晶圓凸塊製程中，晶片
與基板之間隙太小時，凸塊會承受較大之剪應力，而影響整體封裝結構之可靠度，而為改善此問題，係以形成較高的凸塊來改善之。而習知技術形成高凸塊之方法，係藉由增加總光阻層厚度，以增加銲料容積並形成較厚的銲料層，從而以形成較高的凸塊，然而藉由堆積多層光阻層，來逐步累積凸塊高度之作法，其製程難度及成本相對很高。利用前述系爭專利申請專利範圍第1 項之技術特徵，「先進行一回焊步驟，使該銲料（214 ）形成複數個球體凸塊（214a）」之步驟以後，始得進行「移除該第二圖案化光阻層（212 ）及該第一圖案化光阻層（208 ），以暴露出部份之該第一球底金屬層（206）」之步驟，由於進行凸塊形成，即銲料填充後就進行迴銲步驟，以形成球體凸塊，然後才移除光阻層，由於第二球底金屬層的外圍在填充銲料並加以迴銲時仍有光阻層的存在，因此可以使得全部的銲料在迴銲時會以第二球底金屬層為基座而全部堆積在第二球底金屬層之上，不會因為所填充之銲料尚未進行迴銲固定而向下包覆到第二球底金屬層，故系爭專利之技術可以形成較高的凸塊。
⑶反觀訴願決定或原處分所論及之證據2 ，其乃是先製作
圖案化之第一焊罩層（20）於基材（10）上，接著，形成一凸柱（30）於第一焊罩層（20）之第一開口（22）之內，之後，再形成具有第二開口（42）之第二焊罩層
（40）於第一焊罩層（20）上，然後，形成銲料（60、62）於這些第二開口（22），接著，移除第一焊罩層（20）及第二焊罩層（40），並移除局部暴露出之阻障層（或種子層）（14），之後，回焊銲料（60、62）使之成為球狀。其中，證據2 之說明書第5 欄第13至15行更提到，「…In alternate embodiment, solder bump
60 and 62 may not be reflowed until after beingattached to a substrate （中譯：…。在另一實施例中，銲料凸塊60及62可不被回焊，直到其連接至一載板為止。）」。詳言之，證據2 乃是在移除第一及第二焊罩層（20、40）之後，始對銲料（60、62）進行回焊，以使之成為球狀，這使得局部體積之銲料（60、62）將向下攀附至凸柱30及阻障層（或種子層）（14），因而造成所施加銲料（60、62）的體積並非全部運用來形成凸塊（60、62）的高度；此與系爭專利乃是在尚未移除第一及第二圖案化光阻層（208 、212 ）之前，就已經先對第7 圖之銲料（214 ）進行回焊以形成第8 圖之球狀凸塊214a，故而可以使得第7 圖之銲料（214 ）的體積完全都運用來形成第8 圖之球體凸塊（214a）。而因為銲料只會形成於第二球底金屬層210 之上（見第10圖），而不會形成於第二球底金屬層210 之側邊，如證據
2 之（FIG.7 及8 ），因此系爭專利最終形成之凸塊高度，會遠高於證據2 之凸塊高度。由於凸塊越高，凸塊所受剪應力會降低，以提高產品之可靠度（見系爭專利說明書第8 頁第4 段及第5 段，即其發明目的）。
⑷至於證據3 所述，其包括：提供一晶圓，具有複數個銲
墊及一保護層覆蓋於晶圓表面並暴露出該些銲墊，每一該些銲墊表面分別具有一球底金屬層；形成一第一圖案化厚膜層於該晶圓表面，該第一圖案化厚膜層具有複數個第一開口，該些第一開口分別暴露出該些球底金屬層；進行第一銲料填入步驟，將一第一銲料分別填入該些第一開口，進行第一迴銲步驟，使該第一銲料形成第一銲料柱；面並暴露出該些銲墊，每一該些銲墊表面分別具有一球底金屬層；形成一第一圖案化厚膜層於該晶圓表面，該第一圖案化厚膜層具有複數個第一開口，該些第一開口分別暴露出該些球底金屬層；進行第一銲料填入步驟，將一第一銲料分別填入該些第一開口，進行第一迴銲步驟，使該第一銲料形成第一銲料柱；形成一第二圖案化厚膜層於該第一圖案化厚膜層表面，該第二圖案化厚膜層具有複數個第二開口，該些第二開口分別暴露出該些第一開口；進行一第二銲料填入步驟，將該第二銲料分別填入該些第二開口，進行一第二迴銲步驟，使該第二銲料與第一銲料形成第二銲料柱；依序重複該圖案化厚膜層、該銲料填入步驟及該迴銲步驟1 次以上，撥除該些圖案化厚膜層；最後進行一整體迴銲步驟也使該些銲料柱形成一球體凸塊。關於證據3 ，原告首先必須指出系爭專利之第一開口208a內之第二球底金屬層
210 （UBM ），其材質係選自於由鉻、鈦、鈦鎢合金、銅、鎳、鉻銅合金、鎳釩合金、鎳金合金、鋁及該等之組合所組成之族群中的一種材質（參系爭專利說明書第10頁、第11頁），然而，原處分所引用、比較之證據3，其第一開口308a內之第一銲料310 （solder）與系爭專利中所謂之第二球底金屬層210 （UBM ）乃截然不同，蓋熟悉該項技術者皆知，在凸塊製程（bumping ）領域中，證據3 中所謂之（第一）銲料（solder）不僅在材質特性上和系爭專利之第二球底金屬層（UBM ）完全不同，且兩者本質上之功能作用亦不相同。除此之外，證據3 所揭示者本就是系爭專利於其發明背景所陳述之先前技藝，證據3 藉由堆積多層光阻層（圖案化厚膜層），來逐步累積凸塊高度之作法，其製程難度及成本相對很高，而為系爭專利所欲改善之習知技藝問題所在，並且，其形成球體凸塊之結果，亦與證據2 相同，證據
3 也是在移除光阻層之後（撥除該些圖案化厚膜層後，才形成球體凸塊），而有著與證據2 相同之局部體積之銲料會向下攀附至凸柱及阻障層之側邊的問題，而影響到凸塊形成之高度。
⑸如前所述，證據2 、3 所揭示之技術或屬系爭專利所稱
之習知技術，或為系爭專利所欲改良之問題點所在，且證據2 、3 二者都屬在移除光阻層之後，才進行形成球體凸塊之迴銲步驟，因此也都有填充之銲料因為尚未迴銲固定而會向下攀附以致流至凸柱側邊之問題。更詳言之，系爭專利最後進行迴銲（reflow）時，由於第二球底金屬層210 （UBM ）之熔點高於銲料214 之熔點，因此在該迴銲溫度下，第二球底金屬層210 不致熔化，因此得以提供一面積較大且平整之上表面使銲料214 能依此為基座而完全向上攀附並朝中央集中，使得銲料214完全只形成在第二球底金屬層210 正上方且呈半圓形。
因此，系爭專利最終會具有一柱狀球底金屬層且各凸塊之間的間距相對較小，有利於增加單位面積下之凸塊佈局密度；相較於證據3 ，其第一銲料310 不但屬於會熔融之銲料，且由於第一銲料310 填入後即進行第一次迴銲而形成圓弧上表面，故第一銲料310 （solder）完全無法提供一面積夠大且平整之上表面積使第二銲料314得藉其為一基座而完全向上攀附並朝中央集中，以致於第二銲料314 並不會如系爭案般僅形成在第一銲料310之正上方。相較之下，由於第二銲料314 在側向凸出於第一銲料310 之外，故證據3 之各凸塊之間的間距相對較大，且進行最終迴銲之後，其第一310 銲料與第二銲料314 會呈一體積較大之球體，而不利於增加單位面積下之凸塊佈局密度。因此，系爭專利之凸塊製程及構造確實相對證據3 存在不同的構造特徵並具有功效之增進，系爭專利確實具有進步性。綜上所述，結合證據2 、
3 如何可以推知其等所均未提及之系爭專利的技術特徵「進行一回焊步驟，先使該銲料（214 ）形成複數個球體凸塊（214a）後，然後才進行移除該第二圖案化光阻層（212 ）及該第一圖案化光阻層（208 ），可以達到避免未迴銲固定之銲料向下攀附到凸柱側邊之問題。
⒊綜上所述，證據2 、3 所揭示之技術內容僅部分與系爭專
利相似，而系爭專利獨特之技術特徵，對所填充以形成晶圓凸塊之銲料先進行迴銲，而可以使銲料以第二球底金屬層為基座後全部堆積在第二球底金屬層之上，因此，不會因為所填充之銲料尚未進行迴銲固定而會向下流動包覆到第二球底金屬層，從而可以形成較高的凸塊，此等技術特徵皆為證據2 、3 所無，而證據2 、3 也無法達到此等功效，則結合證據2 、3 自亦無從獲得系爭專利之技術特徵，因此，系爭專利當非證據2 、3 結合所可輕易完成，而具有進步性要件。
㈡被告主張：
起訴理由稱原處分違反判斷進步性之基本原則及方式。查證據2 申請專利範圍第1 項為一種形成凸塊結構之方法，包括：提供具有焊墊之半導體裝置；形成第一焊罩層覆蓋該焊墊；圖樣化該第一焊罩層形成第一開口覆蓋至少部分焊墊；形成凸柱於該第一開口中；形成第二焊罩層覆蓋該第一罩層；圖樣化該第二焊罩層形成第二開口覆蓋至少部分第一開口係大於該第一開口。及附屬項14形成第一焊料凸塊於該第二開口中；移除該第一焊罩層以及該第二焊罩層。證據2 已揭示第二焊罩層之第二開口係大於第一焊罩層之第一開口，以及證據3 說明書第5 欄第41行至第6 欄第9 行已揭示：在完成電鍍步驟之後，移除焊罩層40以及未被焊料覆蓋之融合層38，加熱焊料至液化溫度以上進行回焊，如第5 圖所示。…移除未被凸塊覆蓋而暴露出來的球底金屬層部分，使得各個凸塊42之間彼此電性絕緣。又證據8 （參加人所提之異議附件
8 ，西元2002年4 月10公開刊載之「Protection of copperfrom intermetallic copper-tin formation for flipchipbumping applications」一文，下同））已揭示UBM 的結構製程技術。相較系爭專利，其差異僅在於證據2 、3 所揭示回焊步驟不同於系爭專利申請專利範圍第1 項主要技術特徵在於回焊步驟係於第一及第二圖案化光阻尚未移除前，進行回焊步驟。惟此差異可為熟悉該項技術者藉以結合證據2 、
3 所能輕易完成，難謂系爭專利申請專利範圍第1 項具進步性。系爭專利其他附屬項已見於其他證據所揭示，可為熟悉該項技術者結合證據2 、3 及其他證據所能輕易完成（詳參原處分之理由），故系爭專利其他附屬項亦不具進步性，原處分認事用法並無違誤，非為不適法之處分。
㈢參加人主張：
⒈原處分及訴願決定之理由並無違法不當之處：
⑴按依系爭專利核准審定時專利法第20條第2 項規定：「
發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，依法不得取得發明專利，法意甚明。另依被告所頒行之專利審查基準第1-2-19頁中闡示：「『輕易完成』係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。亦即，申請專利之發明具有『突出的技術特徵』或『顯然的進步』時，即認為超越熟習該項技術者所可預期之技術上一般發展，而非所能輕易完成者」。又，專利審查基準第1-2-21頁亦明確指出：「『突出的技術特徵』，係指申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基礎，仍然不易由邏輯分析、推理或試驗而得者」。換言之，一申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若可以先前技術為基礎，藉由邏輯分析、推理或試驗而得者，該發明應視為不具有突出的技術特徵，而為熟習該項技術者所能輕易完成。另於專利審查基準第1-2-21頁復指出：「『顯然的進步』係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上」。換言之，一申請專利之發明若不具有功效增進之處，則該發明應視為不具有顯然的進步，而為熟習該項技術者所能輕易完成，合先陳明。
⑵經查，系爭專利之技術內容，係如其申請專利範圍第1
項所界定者：「一種晶圓凸塊製程，包括：提供一晶圓，具有複數個焊墊及一保護層覆蓋於該晶圓表面並暴露出該些焊墊；形成一第一球底金屬層覆於該保護層並覆於暴露出之該些焊墊；形成一第一圖案化光阻層於該第一球底金屬層，該第一圖案化光阻層具有複數個第一開口，分別對應於該些焊墊，並暴露出部份之該第一球底金屬層；形成一第二球底金屬層於該些第一開口中；形成一第二圖案化光阻層，覆於該第一圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有複數個第二開口，該些第二開口之大小係大於該些第一開口之大小，以暴露出該第二球底金屬層；將一焊料填充於該些第二開口，並覆於暴露出之該第二球底金屬層；進行一回焊步驟，使該焊料形成複數個球體凸塊；在該回焊步驟以後，移除該第二圖案化光阻層及該第一圖案化光阻層，以暴露出部份之該第一球底金屬層；以及移除暴露出之部份的該第一球底金屬層」。再者，依系爭專利說明書第9 頁第10至15行指出其技術特徵在於：「依照本發明的特徵，第二開口的大小係大於第一開口，其目的在於，使填充焊料的開口面積（第二開口）大於焊料下方的球底金屬層（第二球底金屬層）的開口面積（第一開口）」。換言之，系爭專利之技術特徵係在於「使第二圖案化光阻層之第二開口大於第一圖案化光阻層之第一開口」。然而，證據
2 之美國專利第0000000 號之申請專利範圍第1 項已揭示一種形成凸塊結構之方法，包括：「提供具有焊墊之半導體裝置；形成第一焊罩層覆蓋該焊墊；形成第一焊罩層覆蓋該焊墊；圖樣化該第一焊罩層形成第一開口覆蓋至少部分焊墊；圖樣化該第一焊罩層形成第一開口覆蓋至少部分焊墊；形成凸柱於該第一開口中；形成第二焊罩層覆蓋該第一焊罩層；圖樣化該第二焊罩層形成第二開口覆蓋至少部分第一開口；形成第一焊料凸塊於該第二開口中；以及移除該第一焊罩層以及該第二焊罩層」。另外，於其申請專利範圍第14項復揭示：「該第二開口係大於該第一開口」。因此，比對系爭專利與證據
2 之內容明顯可知，系爭專利說明書中所自承之技術特徵：「使第二圖案化光阻層之第二開口大於第一圖案化光阻層之第一開口」，確已為證據2 所充分揭示。
⑶再者，證據3 之申請專利範圍第16項復揭示一種微間距
之晶圓凸塊製程，包括：「提供一晶圓，具有複數個焊墊及一保護層覆蓋於該晶圓表面並暴露出該些焊墊，每一該些焊墊表面分別具有一球底金屬層；形成一第一圖案化厚膜層於該晶圓表面，該第一圖案化厚膜層具有複數個第一開口，該些第一開口分別暴露出該些球底金屬層；進行一第一銲料填入步驟，將一第一銲料分別填入該些第一開口；進行一第一回焊步驟，使該第一銲料形成一第一銲料柱；形成一第二圖案化厚膜層於該第一圖案化厚膜層表面，該第二圖案化厚膜層具有複數個第二開口，該些第二開口分別暴露出該些第一開口；進行一第二銲料填入步驟，將該第二銲料分別填入該些第二開口；進行一第二回焊步驟，使該第二銲料與該第一銲料柱形成一第二銲料柱；依序重複該形成圖案化厚膜層、該銲料填入步驟及該回焊步驟1 次以上；剝除該些圖案化厚膜層；最後，進行一整體回焊步驟，以使該些銲料柱形成一球體凸塊」。另外，於其申請專利範圍第19項復揭示：「該些第二開口之尺寸大於對應之該些第一開口」。同樣地，證據3 申請專利範圍第1 及第4 項亦已揭示相似之技術內容。因此，比對系爭專利與證據3 之內容明顯可知，系爭專利說明書中所自承之技術特徵：「使第二圖案化光阻層之第二開口大於第一圖案化光阻層之第一開口」，確已為證據3 所充分揭示。
⑷另外，該系爭專利與證據2 所揭示之形成凸塊結構之方
法中惟一差異僅在於，系爭專利揭示在第一及第二圖案化光阻尚未移除前進行回銲步驟，而證據2 揭示在第一及第二圖案化光阻移除後進行回銲步驟，然而，就前述證據3 所揭示之技術內容可知，其可在第一及第二圖案化厚膜層（圖案化光阻）移除前，即進行第一及第二回銲作業，是以，即便系爭專利揭示在第一及第二圖案化光阻尚未移除前即進行回銲步驟，不同於證據2 所揭示之內容，但對於熟悉該項技術者而言，在未移除光阻前本即可進行回銲作業（即如證據3 所揭示者），是以，對於熟悉該項技術者而言，當可結合運用證據2 及證據
3 之內容而輕易思及完成系爭專利之技術內容，系爭專利實不具有進步性。
⑸再者，於證據6 第5 至8 圖中確已揭示如同系爭專利般
，在光阻層51之開口52中形成銲料62，並進行回銲作業形成球體凸塊71後，再移除該光阻層51及曝露之金屬層21之技術，亦即如同系爭專利般，證據6 確已揭示在圖案化光阻尚未移除前即先進行回焊步驟。是以，再次說明原告所強調系爭專利異於證據2 之技術內容早為業界習用之技術，顯見系爭專利所揭示之內容乃運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，實不具進步性。
⑹此外，即如前述，系爭專利說明書第9 頁第10至15行已
自承其技術特徵在於：「第二開口的大小係大於第一開口，其目的在於，使填充焊料的開口面積（第二開口）大於焊料下方的球底金屬層（第二球底金屬層）的開口面積（第一開口）」。同時再就系爭專利目的與功效而論，系爭專利說明書第12頁第24行至第13頁第13行所述：「依照本發明的特徵，第二開口的大小係大於第一開口，其目的在於，使填充焊料的開口面積（第二開口）大於焊料下方的球底金屬層（第二球底金屬層）的開口面積（第一開口）。依此特徵，在回焊步驟時，焊料會以開口面積較小的球底金屬層（第二球底金屬層）為基座，往上攀附，於是焊料便會朝中央集中，而高突於第二光阻層」。是以，原告指稱之第一及第二圖案化光阻尚未移除前進行回焊步驟，不僅非為其技術特徵所在，亦非為其達到所稱目的及功效所需之技術手段方法，而未具有「顯然的進步」，同時，對於熟悉該項技術者而言，本可以證據2 及證據3 等先前技術為基礎，藉由邏輯分析、推理或試驗而得者，亦不具有「突出的技術特徵」，是以，依前述專利法及專利審查基準規定，系爭專利所揭示之技術內容顯係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，實不具有進步性。
⒉原告於起訴狀中所為關於系爭專利最終形成之凸塊高度會遠高於異議證據之凸塊之陳述及圖式顯有誤導鈞院之嫌：
原告於起訴狀第7 頁圖式及相關內容中指稱：證據2 乃是在移除第一及第二焊罩層（20,40 ）之後，始對銲料（60,62 ）進行回焊，以使之成為球狀，這使得局部體積之銲料（60,62 ）將向下攀附至凸柱30及阻障層…因此系爭專利最終形成之凸塊高度，會遠高於證據2 之凸塊…云云。誠屬原告欲誤導鈞院之說辭。事實上，熟悉該項技術者均知，銲錫材料本身具有「內聚力鍵結力」，亦即其材料於回銲後具有內聚、緊縮效果，斷非原告於原告於起訴狀第
7 頁之圖式所謬稱之會發生塌陷問題。另外，雖證據2 第
7 、8 圖繪示銲料60,62 覆蓋凸柱30側邊，然而，仍可明顯看出該銲料所構成之球體凸塊僅極小部分形成在該凸柱側邊，絕大部分仍因內聚力作用而向集中外凸，保持一定高度，斷無原告於起訴狀中所謬稱之情事。再者，參照證據6 第5 至8 圖可知，其揭示在光阻層51之開口中形成銲料62，並進行回銲作業形成球體凸塊71時，因銲料本身具內聚力作用情況下，該球體凸塊71並未覆蓋於底下凸柱之側邊。以及該證據7 之第16及第17圖亦顯示，該銲料370於回銲後，因銲料本身內聚力作用下，所形成之球體凸塊
370 亦未覆蓋於底下金屬層之側邊。因此，由上可知，原告關於系爭專利最終形成之凸塊高度會遠高於異議證據之凸塊之陳述及圖式顯有誤導之嫌。
理 由
一、本件起訴時被告之代表人原為蔡練生，嗣變更為王美花，經其聲明承受訴訟，核無不合，應予准許。
二、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依系爭專利核准審定時專利法第19條暨第20條第
1 項之規定申請取得發明專利。惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2 項所明定。
三、原告前於92年3 月20日以「晶圓凸塊製程」向被告智慧財產局申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭專利）。公告期間，參加人乙○○以其違反核准審定時專利法第20條第1 項第1 款及第2 項之規定，不符發明專利要件，對之提起異議。案經被告審查，認其違反核准審定時專利法第20條第2 項規定，於95年10月24日以（95）智專三（二）04066 字第09520877290 號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，循序提起行政訴訟，並為事實欄所載各節之主張，是本件應審酌者厥為：結合證據2 、3 、5 、6 、7 可否證明系爭專利不具進步性？
四、經查：㈠本件系爭「晶圓凸塊製程」發明專利異議案，以系爭專利93
年10月14日修正本為審查依據，其申請專利範圍共12項，第
1 項為獨立項，餘為附屬項。系爭專利包括：提供一晶圓，具有複數個焊墊及一保護層覆蓋於該晶圓表面並暴露出該些焊墊；形成一第一球底金屬層覆於該保護層並覆於暴露出之該些焊墊；形成一第一圖案化光阻層於該第一球底金屬層，該第一圖案化光阻層具有複數個第一開口，分別對應於該些焊墊，並暴露出部分之該第一球底金屬層；形成一第二球底金屬層於該些第一開口中；形成一第二圖案化光阻層，覆於該第一圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層具有複數個第二開口，該些第二開口之大小係大於該些第一開口之大小，以暴露出該第二球底金屬層；將一焊料填充於該些第二開口，並覆於暴露出之該第二球底金屬層；進行一回焊步驟，使該焊料形成複數個球體凸塊；在該回焊步驟以後，移除該第二圖案化光阻層及該第一圖案化光阻層，以暴露出部分之該第一球底金屬層；以及移除暴露出之部分的該第一球底金屬層。參加人所提異議附件1 為系爭專利審定公告本；附件2 及附件9 為西元2002年4 月16日公告之美國第0000000 號專利案及其部分中譯本（即證據2 ）；附件3 為91年1 月11日審定公告之第00000000號「微間距之晶圓凸塊製程」發明專利案（即證據3 ）；附件4 為西元1998年6 月16日公告之美國第0000000 號專利案（即證據4 ）；附件5 為西元1993年9月7 日公告之美國第0000000 號專利案（即證據5 ）；附件
6 為西元2001年5 月15日公告之美國第0000000 號專利案（即證據6 ）；附件7 為92年2 月21日審定公告之第00000000號「凸塊製程」發明專利案（即證據7 ）；附件8 為西元2002年4 月10日公開刊載之「Protection of copper fromintermetallic copper-tin formation for flipchipbumping applications」一文（即證據8 ），先予敘明。
㈡系爭專利與諸異議證據相較：證據2 申請專利範圍第1 項為
一種形成凸塊結構之方法，包括：提供具有焊墊之半導體裝置，形成第一焊罩層覆蓋該焊墊，圖樣化該第一焊罩層形成第一開口覆蓋至少部分焊墊，形成凸柱於該第一開口中，形成第二焊罩層覆蓋該第一焊罩層，圖樣化該第二焊罩層形成第二開口覆蓋至少部分第一開口係大於該第一開口；第14項附屬項形成第一焊料凸塊於該第二開口中，移除該第一焊罩層以及該第二焊罩層。證據3 申請專利範圍第16項為一種微間距之晶圓凸塊製程，包括：提供一晶圓，具有複數個焊墊及一保護層覆蓋於該晶圓表面並暴露出該些焊墊，每一該些焊墊表面分別具有一球底金屬層；形成一第一圖案化厚膜層於該晶圓表面，該第一圖案化厚膜層具有複數個第一開口，該些第一開口分別暴露出該些球底金屬層；進行一第一銲料填入步驟，將一第一銲料分別填入該些第一開口；進行一第一回焊步驟，使該第一銲料形成一第一銲料柱；形成一第二圖案化厚膜層於該第一圖案化厚膜層表面，該第二圖案化厚膜層具有複數個第二開口，該些第二開口分別暴露出該些第一開口；進行一第二銲料填入步驟，將該第二銲料分別填入該些第二開口；進行一第二回焊步驟，使該第二銲料與該第一銲料柱形成一第二銲料柱；依序重複該形成圖案化厚膜層、該銲料填入步驟及該回焊步驟1 次以上，剝除該些圖案化厚膜層；最後，進行一整體回焊步驟，以使該些銲料柱形成一球體凸塊。證據3 申請專利範圍第19項附屬項如第16項所述微間距之晶圓凸塊製程，其中該些第二開口之尺寸大於對應之該些第一開口。是系爭專利申請專利範圍第1 項該回焊步驟，與前揭證據2 及3 所揭示者雖不相同，固難謂不具新穎性；惟查，證據2 已揭示第二焊罩層之第二開口係大於第一焊罩層之第一開口；證據3 申請專利範圍第19項，以及說明書第3 頁第4 至第9 行已揭示所謂的晶圓凸塊製程，常見於覆晶技術中，其主要是在晶圓上對外的接點（通常是金屬焊墊）上長出球底金屬層（UBM,Under Bump Metallurgy ），並於球底金屬層之上成長晶圓凸塊，最後再利用晶圓凸塊直接與基板作連接。是系爭專利申請專利範圍第1 項關於回焊步驟之主要技術特徵（按於第一及第二圖案化光阻尚未移除前，進行回焊步驟），雖與證據2 及3 所揭示者有所差異，惟此差異為結合運用證據2 、3 ，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。
㈢又系爭專利申請專利範圍附屬項第2 項係如第1 項所述之晶
圓凸塊製程，其中填充該焊料的方法包括印刷填入；第3 項附屬項係如申請專利範圍第1 項所述之晶圓凸塊製程，其中填充該焊料的方法包括電鍍。而證據3 說明書第3 頁第4 至第9 行已揭示所謂的晶圓凸塊製程，常見於覆晶技術中，其主要是在晶圓上對外的接點（通常是金屬焊墊）上長出球底金屬層（UBM,UnderBumpMetallu rgy），並於球底金屬層之上成長晶圓凸塊，最後再利用晶圓凸塊直接與基板作連接。
在此製程中，其於球底金屬層之上成長晶圓凸塊的方式，常見的有銲料印刷及電鍍等方式。故系爭專利申請專利範圍第
2 項及第3 項附屬項所揭示之技術特徵已為證據2 結合證據
3 所揭示，而為熟習該項技術者運用該等技術所能輕易完成者。
㈣另系爭專利申請專利範圍第4 項附屬項係如第1 項所述之晶
圓凸塊製程，其中該些第二開口係呈斜角狀以暴露出該第二球底金屬層；第5 項附屬項係如第4 項所述之晶圓凸塊製程，其中該些第二開口係呈朝該些第一開口漸縮的方式以暴露出該第二球底金屬層；專利說明書第12頁第17至19行記載：
依照本發明的特徵，並不限定第二開口的形狀，可為圓形、方形、多角形等，只要其大小足以暴露出球底金屬層（第二球底金屬層）即可。而證據5 圖式第3 圖及其說明書第4 欄第21至26行已揭示呈現漸縮形式之開口。故系爭專利申請專利範圍第4 項及第5 項附屬項所揭示之技術特徵已見於證據
2 及5 ，為熟習該項技術者運用結合證據2 及5 所能輕易完成者。
㈤再系爭專利申請專利範圍第6 項附屬項係如第1 項所述之晶
圓凸塊製程，其中形成該第一球底金屬層的方法包括濺鍍；第7 項附屬項係如第1項 所述之晶圓凸塊製程，其中形成該第二球底金屬層的方法包括電鍍。而證據6 說明書第3 欄第33至40行已揭示依序沈積多層UBM 形成如其圖式第2 圖所示之復合層結構；於一較佳具體實例中係於含有鈦靶材、鉻靶材、及銅靶材之濺鍍裝置中濺鍍該層。故系爭專利申請專利範圍第6 項及第7 項附屬項所揭示之技術特徵已見於證據2及6 ，為熟習該項技術者運用結合證據2 及6 所能輕易完成者。
㈥系爭專利申請專利範圍第8 項附屬項係如第1 項所述之晶圓
凸塊製程，其中該第一球底金屬層係選自於由鉻、鈦、鈦鎢合金、銅、鎳、鉻銅合金、鎳釩合金、鎳金合金、鋁及該等之組合所組成之組群中的一種材質；第9 項附屬項係如第l項所述之晶圓凸塊製程，其中該第二球底金屬層係選自於由鉻、鈦、鈦鎢合金、銅鎳、鉻銅合金、鎳釩合金、鎳金合金、鋁及該等之組合所組成之組群中的一種材質。而證據3 專利說明書第9 頁第2 至5 行已揭示：球底金屬層係選自於由鉻、鈦、鈦鎢合金、銅、鎳、鉻銅合金、鎳金合金及此些之組合所組成之組群中的一種材質。故系爭專利申請專利範圍第8 項及第9 項附屬項所揭示之技術特徵已見於證據2 及3，為熟習該項技術者運用結合證據2 及3 所能輕易完成者。㈦系爭專利申請專利範圍第10項附屬項係如第1 項所述之晶圓
凸塊製程，其中該焊料包括錫鉛合金；第11項附屬項係如第
1 項所述之晶圓凸塊製程，其中該焊料包括金；第12項附屬項係如第1 項所述之晶圓凸塊製程，其中該焊料包含鉛材料。而證據7 說明書第14頁第16至17行已揭示：焊塊的材質可以是金、錫鉛合金、或是無鉛的金屬等。故系爭專利申請專利範圍第10項至第12項附屬項所揭示之技術特徵已見於證據
2 及7 ，為熟習該項技術者運用結合證據2 及7 所能輕易完成者。
五、原告雖稱：證據2 乃是在移除第一及第二焊罩層（20,40 ）之後，始對銲料（60 ,62）進行回焊，以使之成為球狀，這使得局部體積之銲料（60,62 ）將向下攀附至凸柱30及阻障層，因此系爭專利最終形成之凸塊高度，會遠高於證據2 之凸塊，系爭專利之技術自具進步性云云。惟查：
㈠按銲錫材料本身即具有「內聚力鍵結力」，亦即其材料於回
銲後即具有內聚、緊縮之效果而形成凸塊，而非原告於起訴狀第7 頁之圖式所稱之會發生塌陷問題。
㈡此外，雖證據2 第7 、8 圖繪示銲料60,62 覆蓋凸柱30側邊
，然而，仍可明顯看出該銲料所構成之球體凸塊僅極小部分形成在該凸柱側邊，絕大部分仍因內聚力作用而向集中外凸，保持一定高度，亦無原告於起訴狀第7 頁之圖式中所稱之情事。
㈢再者，參照證據6 第5 至8 圖可知，其揭示在光阻層51之開
口中形成銲料62，並進行回銲作業形成球體凸塊71時，因銲料本身具內聚力作用情況下，該球體凸塊71並未覆蓋於底下凸柱之側邊。以及該證據7 之第16 及 第17圖亦顯示，該銲料370 於回銲後，因銲料本身內聚力作用下，所形成之球體凸塊370 亦未覆蓋於底下金屬層之側邊。由上可知，原告所稱關於系爭專利最終形成之凸塊高度會遠高於異議證據之凸塊，系爭專利之技術具進步性云云，即不足採。
六、綜上所述，系爭專利相較於諸異議證據，顯屬運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。從而，被告以系爭專利有違首揭專利法第20條第2 項規定，所為「異議成立，應不予專利」之處分，並無不法，訴願決定予以維持，亦無不合。原告徒執前詞，訴請撤銷，為無理由，應予駁回。
七、兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中 華 民 國 97 年 1 月 9 日
臺北高等行政法院第二庭
審判長法 官 徐 瑞 晃
法 官 畢 乃 俊法 官 陳 金 圍上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 97 年 1 月 9 日
書記官 陳 可 欣