臺北高等行政法院判決
96年度訴字第02939號原 告 甲○○訴訟代理人 丙○○專利代理人被 告 經濟部智慧財產局代 表 人 王美花（局長）訴訟代理人 己○○
戊○○
參 加 人 全懋精密科技股份有限公司代 表 人 乙○○（董事長）訴訟代理人 庚○○專利代理人
丁○○專利代理人黃麗蓉 律師複 代理人 焦子奇 律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國96年6 月20日經訴字第09606069280 號訴願決定，提起行政訴訟，經本院命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：緣參加人前於民國（下同）90年11月12日以「晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍鎳/ 金製程」向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第169598號專利證書。嗣原告以該專利有違核准時專利法第20條第2 項、第20條之1 及第71條第3 款規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。案經被告審查，於95年12月27日以（95）智專三（二）04066 字第09521152 380號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。原告不服，提起訴願，遭決定駁回，遂提起行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明求為判決：⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉被告應對系爭案做出舉發成立之處分。
⒊訴訟費用由被告負擔。
㈡被告聲明求為判決：⒈原告之訴駁回。
⒉訴訟費用由原告負擔。
㈢參加人聲明求為判決：⒈原告之訴駁回。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：㈠本案爭執點如下：系爭專利有無違反審定時專利法第20條
第2 項、第20條之1 、及第71條第3 款，而不符發明專利之要件？㈡原告主張之理由：
⒈緣參加人前於90年11月12日以「晶片封裝基板電性接觸
墊之電鍍鎳/ 金製程」向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第169598號專利證書。嗣原告以該專利有違核准時專利法第20條之1 、第20條第2 項及第71條第3 款規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。案經被告審查，於95年12月27日以（95）智專三（二）04066 字第09521152380 號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。原告不服，提起訴願，亦遭經濟部96年6 月20日經訴字第09606069280 號決定駁回。
⒉針對經濟部96年6 月20日之訴願決定書及原處分中有關
系爭專利95年4 月7 日申請專利範圍更正本為「上、下位概念技術特徵置換」、「申請專利範圍之減縮」及「未實質擴大或變更申請專利範圍」等，認有不符專利法之情事。
⒊按原告與被告之爭執，主要在於被告核准系爭案95年4
月7 日之更正，並據以處分「舉發不成立」。惟，該更正係實質變更且擴大系爭案之申請專利範圍，有違93年
7 月1 日施行之專利法第64條第2 項規定。因此，原告之訴是否有理由，目前應以該更正是否違法為論斷。
⒋依專利法第64條規定「發明專利權人申請更正專利說明
書或圖式，僅得就下列事項為之：一、申請專利範圍之減縮。二、誤記事項之訂正。三、不明瞭記載之釋明。前項更正，不超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且不得實質擴大或變更申請專利範圍。」。
⒌按，原告起訴被告，乃因不服其於95年12月27日(95)智
專三( 二)04066字第09521152380 號審定書所為之處分，而被告准予參加人對系爭專利之更正，即係該處分之一部份（詳見該審定書第2 頁第12行至倒數第5 行）。
既然被告准予更正係其所為處分之一部份，原告不服此項處分，當然可以提起行政救濟。又，參加人係在原告提起舉發以後，才申請更正系爭專利，因此，原告不可能在參加人更正以前就以此為事由提起舉發。貴院於準備程序中不斷申明專利法未規定更正可為提起舉發之事由，實與本訴訟無關。原告從未以更正為事由舉發系爭專利，在舉發申請書中亦從未提及與更正有關之事項，原告與參加人及被告所爭執的，乃是被告在原處分中的准予更正之處分。事實上，三方當事人從未爭執更正是否可為提起舉發之事由。在準備程序中受命法官亦對參加人自稱，專利法未規定更正可為提起舉發之事由，係其自己想出來的，而不是看到被告或參加人在答辯狀中有此主張，由此可證，更正是否可為提起舉發之事由，從來就不是本訴訟要裁判的事項。
⒍舉發標的：查，原告在舉發理由中，係主張系爭專利違
反專利法第71條第3 項、第20條之一及第20條第2 項之規定，即說明書要件、新穎性要件及進步性要件。然而，被告卻核准系爭專利更正，並以更正後之內容為舉發審查（原處分審定書第2 頁倒數第5-6 行）。被告此項核准更正之處分變更了原告舉發系爭專利之標的，造成原告在舉發理由中之主張未受審查，而且被告在原處分書中亦未說明，系爭專利更正前之內容是否如原告所主張的，違反專利法第71條第3 項、第20條之一及第20條第2 項之規定，因此，只有在系爭專利之更正不違法的條件下，被告之舉發不成立處分才有成立的可能性。換言之，本訴訟之爭點應係在於系爭專利申請之更正是否違反專利法第64條第2 項之規定，變更且擴大專利範圍。又，原告先前已經詳細說明過，系爭專利申請之更正已經變更且擴大了專利範圍，有違專利法第64條第2 項之規定，應不准予更正。既然被告係就系爭專利更正後之內容審查而為舉發不成立之處分，唯有先撤銷該准予更正之處分，回復系爭專利更正前之內容重為舉發審查，被告始有可能為適法之處分。此即原告在訴之聲明中對貴院之請求。
⒎原處分認為系爭專利95年4 月7 日申請專利範圍更正本
，將原申請專利範圍第4 項之「覆蓋上」更正為「利用物理沉積方式形成」，該更正係將其發明事項之上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決之問題仍相同，為申請專利範圍之減縮，且此一特徵於其附屬項（原申請專利範圍第9 項）中已有揭示，並未超出申請時原說明書及圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍，符合專利法第64條第
1 項第1 款及第2 項規定。⒏然上述認事用法明顯偏離事實，實有指鹿為馬離譜至極
之情事，令人痛心。對照更正前後內文可知，系爭案之更正係刪除了「覆蓋上」，而增加了「利用物理沉積方式形成」。惟「利用物理沉積方式形成」係製備「導電膜」之方法，與「覆蓋」無關，換言之，系爭案之更正係對於「導電膜」增加限定，卻減少了原有的「覆蓋」這項限定。因此，系爭案之更正顯然已經實質變更了申請專利範圍。
⒐從更正前的內容（覆蓋上一導電膜）來看，該技術手段
係在限定特別的構造，亦即，界定特定的空間型態。然而，在更正後的內容（利用物理沉積方式形成一導電膜）中，卻是製備物的方法。顯然二者的技術意涵並不相同，因此，該更正已變更發明之實質，毋庸置疑。專利審查基準第2 篇第6 章第2.4 節第1 段亦明白指出，「當說明書（包括申請專利範圍）或圖式之更正使請求項之解釋與原核准公告之請求項不同時，將導致實質擴大或變更申請專利範圍。」。
⒑進一步言，所謂「覆蓋上一導電膜」，係「以導電膜來
遮掩」之意，至於導電膜係由何種方法所製備而成，則在所不問。反觀「利用物理沉積方式形成一導電膜」，僅僅說明了導電膜係經由某種方法製備而成，與覆蓋無關。因此，該更正前後之實質內容的確不相同。換言之，「利用物理沉積方式形成」只是製備「導電膜」的方法，無涉「覆蓋」，如果用來覆蓋之物非「利用物理沉積方式形成」者，便不可能加入「利用物理沉積方式形成」這項限定。例如，「覆蓋上一膠帶」，因為膠帶非「利用物理沉積方式形成」，所以不可能出現「利用物理沉積方式形成一膠帶」。由此足可證明「覆蓋」和「利用物理沉積方式形成」係彼此完全獨立不相干的兩項觀念，「利用物理沉積方式形成」不能表達「覆蓋」之意，只能跟隨「導電膜」而其增加限定。因此，系爭案將「覆蓋上一導電膜」修改為「利用物理沉積方式形成一導電膜」，乃是減少了原有的「覆蓋」這項限定，並增加「利用物理沉積方式形成」這項限定，更正前後的意義完全不同，已經實質變更且擴大申請專利範圍。
⒒再深入來看，更正前的技術手段包含兩項特徵：「覆蓋
」和「導電膜」，前者係定義二物之間的相對關係，這一類型的用語例如有包裹、包覆、貼附、貼近等等，各定義出不同的空間型態；後者係定義具有特定性質之物，這一類型的用語例如有絕緣膜、耐火層、抗蝕膜等等。因此，系爭案將「覆蓋上一導電膜」變更為「利用物理沉積方式形成一導電膜」，係刪除了「覆蓋」這項特徵，已經變更發明之實質。專利審查基準第2 篇第6 章第2.4 節第1 段亦明白指出，「請求項減少限定條件……會導致實質擴大申請專利範圍」。
⒓按，「申請專利範圍之減縮」固為專利法第64條第1 項
第1 款所定，發明專利權人得申請更正專利說明書之事由，但同條第2 項亦明白規定：「前項更正，不得超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍，且不得實質擴大或變更申請專利範圍。」對此，專利審查基準第2 篇第
6 章第2.1 節第1 段更進一步闡釋：「申請專利之發明一經公告後即與公眾利益有關，…倘若允許專利權人任意更正說明書或圖式，藉以擴大、變更其應享有之專利保護範圍，勢必影響公眾利益，而違背專利制度公平、公正之意旨，故更正說明書或圖式僅得就申請專利範圍之減縮、…向專利專責機關申請更正。」是故，系爭案申請之更正變更且擴大發明之實質，依法應不得核准。⒔系爭案申請之更正刪除了請求項4 之「覆蓋」，這是擴
大申請專利範圍的一種典型的態樣。對於「刪除請求項之部分技術特徵」這種擴大申請專利範圍的型態，專利審查基準更特別在第2 篇第6 章第2.4 節第2 段中，將其列為「更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍」之第1 種情況。對於這種更正情況，專利審查基準第2 篇第6 章第2.4 節第2 段如此說明：「刪除元件、結構、成分、步驟、操作條件、反應條件等部分技術特徵，或縱使所刪除的部分是功效、用途等事項，由於經核准公告之申請專利範圍所記載之事項係專利權人為界定其申請專利之發明的必要技術特徵，刪除部分技術特徵後之請求項即使未超出原說明書或圖式所揭露之範圍，但減少限定條件之結果將導致實質擴大申請專利範圍。」換言之，系爭案申請之更正刪除請求項4之「覆蓋」，專利審查基準已經明白指出這就是擴大申請專利範圍之違法情事。
⒕再比較「覆蓋」和「利用物理沉積方式形成」這兩項技
術，「利用物理沉積方式形成」只不過是製備某物的方法而已，很明顯的，並無任何覆蓋之意。查，「覆蓋」者，係指「掩覆遮蓋」也（證據5 參照）。「利用物理沉積方式形成」不可能表達「掩覆遮蓋」之意。例如證據5 所舉的第一個例子，「覆蓋被褥」，如果改為「利用物理沉積方式形成被褥」，豈不荒唐。又，附件中的第三個例子，「枝枝相覆蓋，葉葉相交通」，更不可能與「利用物理沉積方式形成」有任何相關。「覆蓋」與「利用物理沉積方式形成」之不同甚明，縱使完全不懂技術者，亦足可分辨二者有異。參加人在更正理由中誆稱「利用物理沉積方式形成」係「覆蓋」的下位概念，毫無根據，而被告果信其言，更屬荒謬。
⒖系爭案自己亦提供反證證明「利用物理沉積方式形成」
與「覆蓋」無關。在系爭案申請更正前的申請專利範圍第9 項記載，「如申請專利範圍第4 或第5 項所述之一種晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍鎳/ 金製程，其中所述導電膜係可以濺鍍(Sputtering)、無電鍍(Electrole
ss Plating) 或物理、化學沈積(Deposition)等方式形成。」此請求項明白記載，「利用物理沉積方式形成」是針對「導電膜」的進一步限定，而非針對「覆蓋」的進一步限定。查，系爭案之專利說明書亦記載「利用物理沉積方式形成」是針對「導電膜」的進一步限定，並無記載任何內容係針對「覆蓋」進一步限定。換言之，系爭案的內容就已經證明「利用物理沉積方式形成」不是「覆蓋」的下位概念，因此，被告以「利用物理沉積方式形成」是「覆蓋」之下位概念為由核准該更正，明顯違法，以該更正後之申請專利範圍所為之「舉發不成立」處分，當然亦屬違法。另一方面，專利審查基準第
2 篇第6 章第2.4 節第2 段中明白指出，「將申請專利範圍未包含但發明說明或圖式中已揭露的其他技術特徵或技術手段，引進附加於原核准公告之請求項內或形成另一請求項」，乃是更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍之第4 種更正情況。據此，系爭案申請更正前之申請專利範圍第9 項既然未記載「利用物理沉積方式形成」是「覆蓋」之下位概念，申請更正時卻將「利用物理沉積方式形成」當作「覆蓋」之下位概念附加於原核准公告之請求項4 內，亦屬實質擴大或變更申請專利範圍。再者，根據專利審查基準第2篇 第
6 章第2.4 節第2 段中所列，更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍之第3 種更正情況，將「請求項之上位概念技術特徵更正為發明說明中所揭露之下位概念技術特徵，而該下位概念技術特徵非屬『原發明說明中已明確記載且為發明說明所支持者』。例如：將請求項記載之「有機酸」更正為下位概念技術特徵「甲酸」或「乙酸」，除非在發明說明中已明確記載該下位概念技術特徵「甲酸」或「乙酸」，且為發明說明所支持者，否則於更正後將導致實質變更申請專利範圍。」據此，既然系爭案之專利說明書從未記載「利用物理沉積方式形成」是「覆蓋」之下位概念，卻在申請更正時將「利用物理沉積方式形成」當作「覆蓋」之下位概念取代原來的特徵，亦屬更正結果導致實質擴大或變更原核准公告之申請專利範圍。
⒗將原申請專利範圍第4 項之「覆蓋上」刪除而更正為不
相關亦無上、下位概念技術特徵關係之「利用物理沉積方式形成」，顯已實質變更；且將原申請專利範圍第4項「覆蓋上」之條件刪除，亦有擴大申請專利範圍之情事。原處分及訴願決定認為「系爭專利95年4 月7 日申請專利範圍更正本，將原申請專利範圍第4 項之「覆蓋上」更正為「利用物理沉積方式形成」，係將其發明事項之上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術持徵」，顯屬張冠李戴悖離事實，實際上，系爭專利95年4 月7 日申請專利範圍更正本，有實質擴大或變更申請專利範圍之情事，不符合專利法第64條第1 項第1 款及第2 項規定。
⒘另原處分及訴願決定認為系爭專利95年4 月7 日申請專
利範圍更正本，將原申請專利範圍第9 項之更正，亦為將界定發明事項一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術持徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決之問題相同，亦為申請專利範圍之減縮，且未實質擴大或變更申專利範圍，亦符合專利法第64條第1 項第1 款及第2 項規定。在未明確詳加論述之情況下，含糊籠統即稱申請專利範圍更正符合專利法規定，其認事用法明顯悖離事實，亦漏未審酌。
⑴原申請專利範圍第9 項係依附於第4 項，係界定第4
項之「導電膜」「導電膜係可以濺鍍(Sputtering)、無電鍍(Electroless Plating) 或物理、化學沈積(D
eposition) 等方式形成」，因原申請專利範圍第4項之更正有質擴大或變更申請專利範圍之情事，故其附屬項第9 項亦不符合專利法第64條第1 項1 款及第
2 項規定。⑵將原申請專利範圍第9 項之更正係將「其中所述導電
膜係可以濺鍍(Sputtering)、無電鍍(Electroless Plating) 或物理、化學沈積(Deposition)等方式形成」，更正為「物理沉積方式形成一導電膜，係以濺鍍
(Sputtering) 方式形成」；上述更正係將申請專利範圍第9 項載述構成之「其中所述導電膜係可以濺鍍
(Sputtering) 、無電鍍(Electroless Plating) 或物理、化學沈積(Deposition)等方式形成」等，其中之「無電鍍(Electroless Plating) 或化學沈積(Dep
osition) 等方式形成」要件予以刪除，依據專利審查基準將申請專利範圍構成要件刪減，即有擴大申請專利範圍。
⑶又將原申請專利範圍第9 項之更正係將「其中所述導
電膜係可以濺鍍(Sputtering)、無電鍍(ElectrolessPlating)或物理、化學沈積(Deposition)等方式形成」更正為「物理沉積方式形成一導電膜，係以濺鍍(S
puttering) 方式形成」，亦有實質變更申請專利範圍之情事；係原申請專利範圍第9 項載述「其中所述導電膜係可以濺鍍(Sputtering)、無電鍍(Electro l
ess Plating)或物理、化學沈積(Deposition)等方式形成」，其中「濺鍍(Sputtering)」、「無電鍍(Electroless Plating) 」或「物理、化學沈積(Deposition)」等方式均為同一概念技術持徵，「物理沉積方式」形成一導電膜與「以濺鍍(Sputtering)方式」屬等效可置換者，並無上、下位概念技術特徵之分，原申請專利範圍第9 項之更正將「物理沉積方式形成一導電膜」限定為「以濺鍍(Sputtering)方式」，有實質變更申請專利範圍。
⑷原申請專利範圍第4 項之更正有實質擴大或變更申請
專利範圍之情事，致使其後所載依附之附屬項（第5、6 、7 、8 項），所依附界定之標的有所不同，造成第5 、6 、7 、8 項等附屬項亦有實質擴大或變更申請專利範圍之情事。
⑸系爭專利95年4 月7 日申請專利範圍更正本，其申請
專利範圍第9 項之更正有實質擴大或變更申請專利範圍之情事，不符合專利法第64條第1 項第1 款及第2項規定。應不准更正。
⒙被告誤解上位概念與下位概念：在系爭專利申請之更正
中，「利用物理沉積方式形成」乃是製備「導電膜」之方法，與「覆蓋」無關。此亦可從系爭專利原來的申請專利範圍第9 項獲得證明。該請求項係申請「如申請專利範圍第4 或第5 項所述之一種晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍鎳/ 金製程，其中所述導電膜係可以濺鍍、無電鍍或物理、化學沈積等方式形成。」此請求項很明顯係對於「導電膜」之限定，並非對於「覆蓋」之限定，因此，將此請求項中的「物理沈積方式」併入申請專利範圍第4 項，只是增加對於「導電膜」之限定，並非對於「覆蓋」之限縮。原告在先前的陳報狀中已經詳細說明過，覆蓋和導電膜之製備方法無關，被告指「利用物理沉積方式形成」為「覆蓋上」之下位概念，「覆蓋上」為「利用物理沉積方式形成」之上位概念，完全是誤解。有關上位概念與下位概念，被告在其訂定之專利審查基準中亦有範例解說，該基準第2 篇第6 章第2.3.1節所列第5 種申請專利範圍減縮之事項為「請求項之技術特徵置換為發明說明中所對應記載之下位概念技術特徵」，並說明「例如：請求項記載「液晶顯示器」之上位概念技術特徵，在發明說明中敘述該「液晶顯示器」係指「液晶監視器」（下位概念技術特徵），將請求項中「液晶顯示器」用語更正為「液晶監視器」。」由於「液晶監視器」係「液晶顯示器」的一種，所以「液晶顯示器」係「液晶監視器」之上位概念技術特徵。一般人在日常生活中也很容易接觸此概念之範例，例如「金」、「銀」、「銅」、「鐵」都是「金屬」，所以「金屬」係「金」、「銀」、「銅」、「鐵」之上位概念，「金」、「銀」、「銅」、「鐵」係「金屬」之下位概念。然而，「覆蓋」與「利用物理沉積方式形成」彼此之間並不存在集合之關係，因此沒有上位概念與下位概念之關係。如果「形成導電膜的方法」果真是「覆蓋」的下位概念，則從字面上便可直接得知，被告與參加人又何必迂迴曲折，經過複雜的推論才能說明其主張。對於被告在行政訴訟補充答辯書中指摘原告刻意將「覆蓋上」作字面解讀一事，原告認為依專利法及施行細則之規定，申請專利範圍本來就必須以文字敘述，當然必須解讀其文字之意義，才能定出其範圍，而上位概念與下位概念之分辨，也必須仰賴文字解讀才能判斷。被告在行政訴訟補充答辯書中亦指摘原告在先前的陳報狀中舉例「覆蓋上一膠帶」令人不解，膠帶應該是用「貼」的。由此可見，被告確實未能完全瞭解「覆蓋」之意義，特別是在此技術領域中之意義。為此，原告特別以美國專利第0000000 號（附件）為例說明，該專利之申請專利範圍第1 項的步驟(b) 為「bonding a first tape o
nto the semiconductor element and the interconne
ct to cover therewith, and overlapping and bondi
ng a second tape onto the first tape」，在此步驟中，便是在半導體元件和互連線上覆蓋(cover) 上膠帶
(tape) ，由此可證，膠帶未必就不能用來覆蓋在半導體元件上。特別的是，此步驟更限定以黏(bonding) 的方式在半導體元件和互連線上覆蓋上膠帶，「覆蓋」和「黏」同時出現，亦證明二者屬於兩個不同的概念，才能同時並存。同樣的道理，系爭專利形成導電膜的方法和覆蓋也是兩個不同的概念，後者不是前者的上位概念。原告在先前的陳報狀中，已經舉證教育部國語推行委員會所編國語辭典修訂本第52則釋義，說明「覆蓋」乃是「掩覆遮蓋」之意，與形成導電膜的方法毫不相干，不能把形成導電膜的方法當成是覆蓋的下位概念。原告謹提醒貴院，原告的所有主張及理由皆係引經據典，提出文獻加以證明，除了專利審查基準以外，對於「覆蓋」之文義，更提出教育部國語推行委員會所編國語辭典修訂本為證，對於形成導電膜的方法和覆蓋屬於兩個不同的概念，亦提出美國專利第0000000 號加以佐證。反觀被告及參加人，卻是含糊地將「覆蓋」解釋為「形成導電膜之方法」的上位概念，從文義上看即不符合，又無其他證據可以證明，難以令人信服。
⒚原告從未同意系爭專利具有新穎性及進步性：參加人在
補充答辯狀中指原告已同意系爭專利具有新穎性及進步性，完全是子虛烏有。原告先前所提陳報狀係在補充說明系爭專利申請更正之違法事由，依據種種證據證明該更正已變更且擴大申請專利範圍，補充說明並無否定原告先前的主張，從提起舉發至今，原告一直認為系爭專利不具有新穎性及進步性，應不准予專利。專利審查基準第2 篇第6 章第2.1 節指出，「對於專利權人而言，說明書或圖式公告後之更正，除了可消除說明書及圖式中的疏失、缺漏外，主要是限縮申請專利範圍，以避免構成專利權被撤銷之理由。」若依參加人之邏輯，則其對於系爭專利之更正，應係因系爭專利已被舉發證據證明不具有新穎性及進步性，為避免專利權被撤銷，乃申請更正。由此進一步推知，只要不准系爭專利申請之更正，讓系爭專利回復原來的申請專利範圍，該申請專利範圍必然被舉發證據證明不具有新穎性及進步性，因而導致專利權被撤銷。
⒛更正係影響專利範圍之重大因素：對於專利說明書內容
之修改，在專利審查期間稱為修正，在專利核准以後稱為更正。依專利審查基準第1 篇第5 章第4 節所述，「更正係指對於已取得專利權後之說明書、圖式或圖說為修正之意，其與審查中之補充、修正不同。」專利審查基準第2 篇第6 章第2.1 節更進一步闡述，「申請專利之發明一經公告後即與公眾利益有關，而經核准更正之說明書或圖式公告於專利公報後，將溯自申請日生效，倘若允許專利權人任意更正說明書或圖式，藉以擴大、變更其應享有之專利保護範圍，勢必影響公眾利益，而違背專利制度公平、公正之意旨，故更正說明書或圖式僅得就申請專利範圍之減縮、誤記事項之訂正或不明瞭記載之釋明之事項，向專利專責機關申請更正。」由此可知，更正比修正受到更嚴格的限制。由於修改專利說明書內容影響公眾利益甚鉅，被告亦體認到專利法之規定可能有所不足，因此不斷修改專利法，以降低體制上可能之缺失。現行專利法第67條第1 項第1 款已將修正列為可提起舉發之事由，其明定違反第49條第4 項規定者，專利專責機關應依舉發撤銷其發明專利權，而第49條第4 項則是規定「修正，不得超出申請時原說明書或圖式所揭露之範圍。」雖然專利法尚未明文規定更正可為提起舉發之事由，但被告亦體認到更正事關重大，才會在目前的實務上將准否更正之處分合併在舉發審定書中，這正是本訴訟爭執更正的原因。如前所述，更正係比修正更嚴格限制的對於說明書、圖式或圖說為修正之意，既然修正都已經受到專利法之嚴格限制，且可成為提起舉發之事由，更正當然更應該受到更加嚴謹的審查，被告不應該在缺乏證據證明的情況下，含糊地將「覆蓋」解釋為「形成導電膜之方法」的上位概念。
綜上論陳，系爭案95年4 月7 日申請之更正違反專利法
第64條第2 項之規定，系爭專利申請專利範圍更正不符合專利法規定，不應為本件專利舉發案審定之依據，被告及訴願機關卻皆疏於究明此等事實，以致造成違法之行政行為，殊有可議之處。敬請 貴院明鑑，賜准判決如訴之聲明，俾維應有權益，並明法治，無任感禱。
㈢被告主張之理由：
⒈起訴理由稱原處分准予95年4 月7 日所提系爭專利申請
專利範圍更正本有實質變更之情事，應不准予更正。查95年4 月7 日更正本係將原審定公告本申請專利範圍第
4 項中「覆蓋上」更正為「利用物理沈積方式形成」，以及刪除附屬項9 主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」；相較原審定公告本，申請專利範圍第4 項中該基板表面覆蓋上…，其中「利用物理沉積方式形成」為「覆蓋上」之下位限縮，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且此一特徵在原審定公告本附屬項9 已有揭示，故未超出申請時所揭示之範圍；此特徵更正後亦未造成申請專利範圍第4 項課題變更，故更正本相較原審定公告本未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款規定，應准予更正。另查更正本將原審定公告本附屬項9 中主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」刪除，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款之規定可准予更正，原處分認事用法並無違誤。
⒉準備程序起訴補充理由稱系爭專利更正本係將原審定公
告本申請專利範圍第4 項中「覆蓋上」更正為「利用物理沈積方式形成」，以及刪除附屬項9 主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」已構成申請專利範圍第4 項技術實質變更；查系爭專利申請專利範圍第4 項中該基板表面覆蓋上…，其中「利用物理沉積方式形成」已見於原審定公告本申請專利範圍第9 項所揭示形成系爭專利之導電膜，就物理沉積方式而言，熟習該項技術者大都能知曉此方法應用於半導體或其相關領域層狀結構中是層層覆蓋，原告刻意將「覆蓋上」做字面解讀，其所舉例「覆蓋上一膠帶」更是令人不解，誠如一般大眾所知，膠帶是用「貼」，簡言之，更正為「物理沉積方式形成」該導電膜，為「覆蓋上」一導電膜進一步限定之下位限縮，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且此一特徵在原審定公告本附屬項9 已有揭示，故未超出申請時所揭示之範圍；此特徵更正後亦未造成申請專利範圍第4項課題變更，故更正本相較原審定公告本未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款規定，應准予更正。另查更正本將原審定公告本附屬項9 中主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」刪除，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款之規定可准予更正，原處分認事用法並無違誤。
⒊綜上所述，被告原處分並無違法，敬請駁回原告之訴。
㈣參加人主張之理由：
⒈原告於起訴理由書中，並未爭執舉發證據二至證據四是
否足以證明系爭案申請專利範圍第1 項及第4 項獨立項內容有違核准時專利法第20條之1 及第20條第2 項之規定，顯然原告已同意系爭案申請專利範圍具有擬制新穎性、進步性等專利要件。此外，原告於訴願階段並未爭執系爭案說明書是否有違核准時專利法第71條第3 款之規定，顯然原告也已同意系爭案說明書中並沒有記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者。故系爭案明顯無違核准時專利法第20條之1 、第20條第2 項、及第71條第3 款之規定，先予陳明。
⒉原告97年1 月30日所提之起訴聲明主張被告應為不准系
爭案95年4 月7 日之更正，並重為舉發審查。惟依系爭案核准時專利法之規定，核准時專利法第67條關於更正之規定，並非舉發可據以主張之理由，亦即系爭案之更正是否適法並非得提起舉發之理由，先予陳明。
⒊原告起訴理由第五大項稱參加人於95年4 月7 日所提系
爭案申請專利範圍更正本，係將原公告本申請專利範圍第4 項( 獨立項) 之「覆蓋上」更正為「利用物理沉積方式形成」，然「覆蓋上」與「利用物理沉積方式形成」並無上位概念與下位概念之技術關係，「利用物理沉積方式形成一導電膜」實係「導電膜」的下位概念技術特徵，並非「覆蓋上」之下位概念技術特徵；且稱將「覆蓋上」刪除而更正為不相關亦無上、下位概念技術特徵之「利用物理沉積方式形成」，顯有實質變更及擴大範圍之情事，明顯不符93年7 月1 日修正公佈之專利法第64條第1 項第1 款及第2 項之規定云云。惟該更正本將原申請專利範圍第4 項之「覆蓋上一導電膜」更正為「利用物理沉積方式形成一導電膜」，係將系爭案發明事項「覆蓋上一導電膜( 其方式可為濺鍍、無電鍍、物理沉積、或化學沉積等) 」之上位概念技術特徵，置換為發明說明所明確記載及實施例支持之「利用物理沉積方式形成一導電膜」下位概念技術特徵，又「在該基板之表面利用物理沉積方式形成一導電膜」其「在基板表面形成」一導電膜必定是在基板之表面「覆蓋上」一導電膜，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決之問題仍相同，係屬申請專利範圍之減縮，又此一特徵於系爭案原申請專利範圍第9 項中已有揭示，故該更正本並未超出申請時原說明書及圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍，起訴理由，不足採信。
謹辯明如後：
⑴首先，系爭案說明書第8 頁第1 段明顯載明「接著，
如圖三B 所示，於基板100 表面覆上一導電膜110 （Conductive Film ）；該導電膜110 主要係作為後述進行電鍍之電流傳導路徑，…，其係以濺鍍（Sputtering）、無電鍍（Electroless Plating ）或物理、化學沈積（Deposition）等方式形成該導電膜110 」。換言之，熟悉該項技藝人士，均可瞭解系爭案說明書之「覆蓋上一導電膜」係屬上位概念技術特徵，其方式可為濺鍍、無電鍍、物理沉積、或化學沉積等方式形成該導電膜，而「利用物理沉積方式形成一導電膜」係屬其中一種形成該導電膜之方式，明顯屬於下位概念技術特徵。
⑵「發明專利實體審查基準」第2-6-64頁「2.3.1 、申
請專利範圍之減縮」乙節舉例闡釋屬於申請專利範圍減縮之事項例示，其中第5 例明確指明「請求項之技術特徵置換為發明說明中所對應記載之下位概念技術特徵」係屬申請專利範圍之減縮。系爭案該更正本將原申請專利範圍第4 項之「在該基板之表面覆蓋上一導電膜」更正為「在該基板之表面利用物理沉積方式形成一導電膜」，係將系爭案發明事項「覆蓋上一導電膜( 其方式可為濺鍍、無電鍍、物理沉積、或化學沉積等) 」之上位概念技術特徵，置換為發明說明所明確記載及實施例支持之「利用物理沉積方式形成一導電膜」下位概念技術特徵，又「在該基板之表面利用物理沉積方式形成一導電膜」，其在基板表面形成一導電膜必定是在基板之表面覆蓋上一導電膜，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決之問題仍相同，故該更正本係屬申請專利範圍之減縮，又此一特徵於系爭案原申請專利範圍第9項 中已有揭示，且被發明說明所支持，並未超出申請時原說明書及圖式所揭露之範圍，亦未實質擴大或變更申請專利範圍，無違93年7 月1 日施行之專利法第64條第2 項之規定，陳報狀理由不足採信。
⑶此外，該更正本將原申請專利範圍第9 項之「所述導
電膜係可以濺鍍、無電鍍或物理、化學沈積等方式形成」更正為「所述物理沉積方式形成一導電膜，係以濺鍍方式形成」，係將系爭案發明事項「導電膜係可以濺鍍、無電鍍、或物理、化學沉積等方式形成」之施加導電膜之選擇方式，置換為發明說明所明確記載及實施例支持之「導電膜係以濺鍍方式形成」，且本領域之技藝人士均知悉更正本申請專利範圍第9 項之「濺鍍」乃為申請專利範圍第4 項之「物理沉積」之下位概念技術特徵，又更正本申請專利範圍中將「無電鍍、化學沉積方式」刪減，係為選項之刪除，依「發明專利實體審查基準」第2-6-64頁「2.3.1 、申請專利範圍之減縮」乙節舉例闡釋屬於申請專利範圍減縮之事項例示，其中第2 例明確指明「刪除擇一記載形式中所敘述的一個選項」係屬申請專利範圍之減縮。且因申請專利範圍第9 項依附於申請專利範圍第4項，故第9 項已縮減為僅為以濺鍍之物理沉積方式形成導電膜，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決之問題相同，並未實質擴大或變更申請專利範圍，係屬申請專利範圍之減縮，無違93年7 月1 日施行之專利法第64條第2 項規定，陳報狀理由不足採信。
⒋綜上，參加人於95年4 月7 日所提申請專利範圍更正本
，其更正之重點主要係將原申請專利範圍第9 項中之導電膜由物理沉積方式形成之主張合併至原第4 項中，並將原第9 項加以更正以對上述物理沉積方式細部說明其僅保留有濺鍍方法。亦即系爭案原公告本之申請專利範圍第9 項揭示有濺鍍、無電鍍、物理沉積、或化學沉積等導電膜之形成方式，今更正後申請專利範圍第4 項則主張導電膜係利用物理沉積方式形成，而第9 項則細部說明物理沉積方式僅保留有濺鍍方式，明顯係屬申請專利範圍之減縮，且熟悉該項技藝人士均瞭解濺鍍為物理沉積之一種方式，故該更正根本沒有變更實質內容及擴大範圍之情事，且亦被系爭案說明書所支持，完全符合93年7 月1 日修正公佈之專利法第64條第1 項第1 款及第2 項之規定，原處分並無違法之處，敬請駁回原告之訴。
理 由
一、本件被告代表人原為蔡練生，訴訟中變更為王美花，業據被告新任代表人王美花提出承受訴訟狀聲明承受訴訟，核無不合，應予准許。
二、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為系爭專利核准時專利法第19條及第20條第1 項所明定。惟「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」、「申請專利之發明，與申請在先而在其申請後始公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。但其申請人與申請在先之發明或新型專利申請案之申請人相同者，不在此限。」及「有下列情事之一者，專利專責機關應依職權撤銷其發明專利權，並限期追繳證書，無法追回者，應公告證書作廢：..三、說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者。」復為同法第20條第2 項、第20條之1 及第71條第3 款所分別明定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反前揭專利法之規定者，依法得附具證據，向專利專責機關提起舉發。從而，系爭專利有無違反前揭專利法之情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違前揭專利法之規定，自應為舉發不成立之處分。
三、查本件系爭第00000000號「晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍鎳/ 金製程與結構」發明專利案，依其95年4 月7 日申請專利範圍更正本所示，其申請專利範圍共9 項，第1 項及第4項為獨立項，其餘為附屬項。又參加人於95年4 月7 日提出之系爭專利申請專利範圍更正本，係將原公告本申請專利範圍第4 項之「覆蓋上」更正為「利用物理沈積方式形成」，及將申請專利範圍第9 項（附屬項）所載「無電鍍或物理、化學沈積等」等文字刪除，並將「導電膜」更正為「物理沈積方式形成」，經核符合專利法第64條第1 項第1 款及第2項規定，被告准予更正，於法並無不合。且被告係依前該更正後之內容審查。而原告所舉舉發證據2 為90年8 月7 日申請，95年2 月21日公告之第00000000號發明專利案；證據3為90年9 月13日申請，94年4 月11日公告之第00 000000 號發明專利案；證據4 為88年9 月14日申請，90年5 月1 日公告之第00000000號發明專利案。舉發理由以證據2 至4 據為主張系爭專利申請專利範圍第1 項及第4 項有違專利法第20條之1 、第20條第2 項及第71條第3 款規定。
四、次查原告所舉舉發證據2 申請專利範圍第12項所揭示為一種半導體晶片封裝構造製造方法，包含下列步驟：㈠提供一膠帶，包含第一膠層於其上表面，第二膠層於其下表面，該膠帶具有複數個孔穴，將該膠帶藉由下表面之第二膠層固定於一非金屬硬質平板，形成一膠帶平板複合體；無電極電鍍一金屬薄鍍層於該膠帶平板複合體之表面上；將一半導體晶片固定於該膠帶平板複合體體之金屬薄鍍層上，使得該膠帶的孔穴位於該導體晶片的四周；將複數條連接線的第一端分別電性連接至該半導體晶片，其第二端分別穿過該膠帶的孔穴而連接至該非金屬硬質平板上之金屬薄鍍層，形成一封膠體至少覆蓋該半導體晶片、該複數條連接線以及該膠帶平板複合體表面之一部分；在封膠步驟形成之後，移除該非金屬硬質平板、膠帶及該金屬薄鍍層，使得該複數條連接線的第二端裸露於該封膠體外。另附屬項14所揭示為依申請專利範圍第12項之半導體晶片封裝構造製造方法，其中該金屬薄鍍層材質為金。經將上開證據2 申請專利範圍第12項及第14項所揭示者與系爭專利申請專利範圍第1 項「一種晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍結構，其包括有：一基板具有已電路圖案化之線路層，在該基板之最外表面覆有一防焊層，該線路層具有至少一裸露於該防焊層之電性接觸墊，其特徵在於：該電性接觸墊裸露之表面被一電鍍鎳/ 金層所包覆，且基板並未具有另外佈設作為電鍍鎳/ 金於該電性接觸墊之電鍍導線」相較，兩者技術內容顯然不同，難謂系爭專利申請專利範圍不具新穎性，應堪認定。
五、再查舉發證據3 所揭示為一種晶片級封裝之晶片封裝方法，係於一鍋質插入層中藉由半導體製程步驟與一積體電路晶片黏合，其步驟包括有：設置插槽，於該銅質插入層中設置複數個插槽；置入插塞，填入該插塞於該複數個插槽中；塗鋪光阻層，設置一第一光阻層於該銅質插入層之上側面；設置一第二光阻層該銅質插入層之下側面；第一曝光顯影，於該第二光阻層上長一顯影層；銅層蝕刻，蝕刻該銅質插入層之銅層形成一銅質顯影層；移除光質，去耳食該第一光阻層與該顯影層；移除光阻，去除該第一光阻層與該顯影層；設置罩幕，於該銅質插入層之下側面設置一罩幕；第二曝光顯影，該罩幕下設置一第二光罩層，並作曝光顯影，該罩幕形成一罩幕顯影層；銲接凸點，設置一凸點於該插之上側面；設置非電鍍性鎳金層，於該插塞與該銅質顯影層之一下側面形成一非電鍍性鎳金層；黏合積體電路晶片與銅質插入層，藉由一熱塑性聚亞醯胺之介質黏合該積體電路晶片與該銅質插入層之上側面；銲接錫球，於該非電鍍性鎳金層上銲接一錫球，完成晶片之貼合。而系爭專利申請專利範圍第4 項製程步驟包含：㈠提供一已電路圖案化而定義出線路層之基板，在該基板之表面利用物理沈積方式形成一導電膜；㈡於覆有導電膜之基板表面形成一第一光阻層，該光阻層具有開孔，以露出所述線路層作為該電性接觸墊區域上方之導電膜；㈢利除未被該第一光阻層所覆蓋之導電膜；㈣於基板上形成一第二光阻層，該第二光阻層覆住殘露於第一光阻層開孔區之導電膜；㈤對該基板至少一電性接觸墊進行電鍍鎳/ 金，使所述電性接觸墊表面鍍上鎳/ 金層；㈥移除第二、一光阻層及其所覆蓋之導電膜等步驟，核與證據3 所揭示者不同，難謂系爭專利申請專利範圍第4項不具新穎性，亦堪認定。
六、復查舉發證據4 說明書第9 質所揭示晶片封裝結構，其金屬覆蓋層形成在該複數個連接墊沒有可撓性承載板覆蓋之表面，該金屬覆蓋層可以習用之電鍍方法形成於該複數個連接墊上，例如先鍍上一層鎳，再鍍上一層金。由於該金屬覆蓋層係塗覆在內以電性連接材料結合力及導電性較佳者，將其與系爭專利申請專利範圍第1 項相較，兩者之結構不同，且其技術背景及所欲達成目的亦不同，非為熟習該項技術者可藉證據4 揭示所能輕易完成，從而，系爭專利申請專利範圍第
1 項具有進步性，足堪認定。另證據4 說明書第9 頁揭示晶片封裝製造採用塗佈一光阻層於該金屬層之表面上，以微影進行圖案轉移，利用蝕刻將金屬層未被光阻保護方部份除去而形成相對應之複數個連接墊，除去光阻層等製造步驟；而系爭專利申請專利範圍第4 項晶片封裝基板電性接觸墊之電鍍鎳/ 金制程與之不同，難謂熟習該項技術者可藉證據4 揭示所能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第4 項具進步性，亦堪肯認。
七、又查系爭專利申請專利範圍第1 項所載「未具有另外佈設作為電鍍鎳/ 金於該電性接觸墊之電鍍導線」係以未具有...為其特徵，並無使熟習該項技術者無法明瞭而不能據以實施之記載，難謂系爭專利申請專利範圍第1 項有違專利法第71條第3款之規定。此外，原告於訴願階段並未爭執系爭案說明書是否有違核准時專利法第71條第3 款之規定，足證系爭案說明書中並沒有記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者之情事。
八、原告主張原處分准予95年4 月7 日所提系爭專利申請專利範圍更正本有實質變更之情事，應不准予更正云云，查更正固係影響專利範圍之重大因素，且系爭案係在原告提出舉發後被告准許參加人更正，但查參加人95年4 月7 日更正本係將原審定公告本申請專利範圍第4 項中「覆蓋上」更正為「利用物理沈積方式形成」，以及刪除附屬項9 主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」；相較原審定公告本，申請專利範圍第4項中該基板表面覆蓋上…，其中「利用物理沉積方式形成」為「覆蓋上」之下位限縮，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，又所謂「在基板表面形成」一導電膜必定是在基板之表面「覆蓋上」一導電膜，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且此一特徵在原審定公告本附屬項9 已有揭示，故未超出申請時所揭示之範圍；此特徵更正後亦未造成申請專利範圍第4 項課題變更，故更正本相較原審定公告本未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款規定，應准予更正。此外，更正本將原審定公告本附屬項9 中主要技術特徵「無電鍍或物理、化學沉積等」刪除，且將「導電膜」更正為「物理沉積方式形成」，係將系爭案發明事項「導電膜係可以濺鍍、無電鍍、或物理、化學沉積等方式形成」之施加導電膜之選擇方式，置換為發明說明所明確記載及實施例支持之「導電膜係以濺鍍方式形成」，而該領域之技藝人士均知悉更正本申請專利範圍第9 項之「濺鍍」乃為申請專利範圍第4 項之「物理沉積」之下位概念技術特徵，亦即將界定發明事項的一部分上位概念技術特徵置換為發明說明所明確記載及實施例支持之下位概念技術特徵，且更正前、後之產業利用領域及發明所欲解決的問題是相同的，屬申請專利範圍之減縮，且未實質擴大或變更申請專利範圍，符合93年7 月1 日修正公布之專利法第64條第1 項第2 款之規定可准予更正，於法並無不合。原告一再爭執「利用物理沈積方式形成」係製備「導電膜」之方法，與「覆蓋」無關，並質疑「覆蓋上」與「利用物理沈積方式形成」之上、下位概念關係，以及提出國語辭典對「覆蓋」之釋義指掩覆遮蓋之意，暨援引美國專利第0000000 號為例指稱「覆蓋」與「黏」為不同概念云云，顯係對於「覆蓋」之字意做狹礙之解讀，而未慮及方法上之形成，容有誤解，洵不足採。
九、末查原告於起訴理由書中，並未爭執舉發證據2 至證據4 是否足以證明系爭案申請專利範圍第1 項及第4 項獨立項內容有違核准時專利法第20條之1 及第20條第2 項之規定，足見原告對此部分已無爭執，本件對該部分應無庸審究。
十、綜合上述，本件原告起訴論旨均不足採，被告以系爭案未違反核准審定時專利法第20條之1 、第20條第2 項及第71條第
3 款之規定，而為舉發不成立之處分，核無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告徒執前詞及一己主觀見解，訴請撤銷，並請求判命被告為舉發成立之處分，為無理由，應予駁回。
十一、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法，核與本件判決結果不生影響，爰不逐一論述，併此敘明。
十二、據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1 項前段，判決如主文。
中 華 民 國 97 年 3 月 20 日
臺北高等行政法院第六庭審判長法 官 林 文 舟
法 官 陳 鴻 斌法 官 闕 銘 富上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 97 年 3 月 24 日
書記官 孫 筱 晴