臺北高等行政法院判決
96年度訴字第00704號原 告 日月光半導體製造股份有限公司代 表 人 甲○○訴訟代理人 陳森豐 律師被 告 經濟部代 表 人 乙○○部長）住同訴訟代理人 戊○○
參 加 人 丙○○訴訟代理人 丁○○上列當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國95年12月21日經訴字第09506184600 號訴願決定，提起行政訴訟，經本院裁定命參加人獨立參加訴訟，本院判決如下：
主 文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事 實
一、事實概要：原告前於民國90年10月24日以「無外引腳半導體封裝構造及其導線架」（下稱系爭案）向原處分機關智慧財產局（下稱原處分機關）申請發明專利，經原處分機關編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，參加人以其不符核准審定時專利法第20條之1 、第20條第1 項第1 款及第2 項規定，對之提起異議。原告復於92年5 月13日提出系爭案申請專利範圍修正本，經原處分機關審查准予修正，並於95年5 月19日以（95）智專三（二）04024 字第09520388240 號專利異議審定書為「異議不成立」之處分。參加人不服，提起訴願，經被告以95年12月21日經訴字第09506184600 號訴願決定：
「原處分撤銷，由原處分機關另為適法之處分」。原告不服，遂提起本件行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明：
⒈訴願決定撤銷。
⒉訴訟費用由被告負擔。
㈡被告聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
㈢原告聲明：
⒈駁回原告之訴。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：系爭案是否違反核准審定時專利法第20條第2項之規定，而應予撤銷專利權？㈠原告主張之理由：
⒈被告所為「原處分撤銷，由原處分機關另為適法之處分。
」之理由，主要係為：
①系爭案申請專利範圍第3 項之「無外引腳半導體封裝構
造之導線架」其請求主張之權利範圍為「物」而非方法，因此，不論是否採用衝壓或蝕刻方法形成，其主要技術特徵已揭示於引證4 （USP0000000）中。再者引證4第10圖至第13圖之第一凹陷與第二凹陷有部分彼此重疊，而系爭案之第一及第二半蝕刻區域投影至同一平面時完全不重疊，係因系爭案為避免過度蝕刻斷裂，為熟習該技術領域者慣用之設計，在「物」之功效與目的上並無二致，因此，系爭案屬運用申請前既有引證4 之技術與知識。
②引證2 、3 及4 皆屬半導體封裝之導線架結構，為同一
技術領域，功效目的亦相同，就結構而言，引證2 、3及4 彼此間並無不能結合論究系爭案申請專利範圍第3至5 項之疑慮。
⒉惟被告之前揭理由，特別是關於證據4 之論斷，顯有誤認，並基此而對系爭案之進步性為過低之評價：
①被告指稱「系爭案申請專利範圍第3 項之主要技術特徵
已揭示於引證4 （USP0000000）中。以及引證4 第10圖至第13圖所揭示之第一凹陷、第二凹陷雖與系爭案之第一及第二半蝕刻區不同，但為熟習該技術領域者慣用之設計，二者在「物」之功效與目的上並無二致。」乙節，實為被告僅憑引證4 部分圖式（第10圖至第13圖）所作之外觀推測，其既未深入理解引證4 之揭露內容，更未查以系爭案與引證4 所要解決之不同目的所在，乃有此等想當然爾之不當處分。
⑴引證4之目的與功效與系爭案乃大異其趣，蓋被告所
謂引證4 已經揭露系爭案之技術特徵主要為其第10圖至第13圖之揭示，惟引證4 之此等凹陷設計，如其說明書第5 欄第8 行以下所述：「藉由些微的位移導線架之引線部分，引線部分可被更加的鎖固包覆在塑料封膠體內」（It was found that,by slightly displacing the terminal sections of the lead frame
by a partial stamping operation as shown in FI
G.12, the terminal are better locked into theplastichousing 30 ），以及「在鑄模過程中，塑料傾向於在C 點的位置流洩溢出，而在C 點的凹槽95則可以避免模鑄過程中所不需要的塑料流洩。」（It w
as found that during the molding operation,plastic tends to bleed past the slightly roundededge at location "C" in FIG.12‧‧‧It was fou
nd that the stamping of a square notch 95 at
the corner "C" in each terminal prevented thisundesired bleeding of plastic ）。
⑵反觀系爭案，其所要解決之問題係為：「半導體封裝
陣列在封膠之後，要切成單顆封裝體以完成整個封裝製程時，係利用一樹脂接合鋸刃（resin-bond sawblade ）來完成，而切割時，由於鋸刃必須同時切割金屬導線架以及封膠材料，因此，會導致鋸刃的壽命縮短，而增加製造之困擾與成本。有鑑於此，系爭案乃在導線架之上表面形成一第一半蝕刻區域（系爭案第7 圖），以及在導線架之下表面形成一第二半蝕刻區域（系爭案第9 圖），如此，可將整個導線架經蝕刻部分（涵蓋鋸刃切割封裝體之切割道207 ）之切割厚度減縮為原厚度之一半，而因此可大幅提昇鋸刃之壽命。由此可知，被告指稱引證4 與系爭案二者在「物」之功效與目的上並無二致，顯屬誤謬。
②被告指稱：「引證4 第10圖至第13圖之第一凹陷與第二
凹陷有部分彼此重疊，而系爭案之第一及第二半蝕刻區域投影至同一平面時完全不重疊，係因系爭案為避免過度蝕刻斷裂，為熟習該技術領域者慣用之設計。」亦顯未明瞭系爭案所欲解決之技術對象以及其問題所在。⑴系爭案係屬無外引腳之半導體封裝構造，所謂之無外引腳之封裝構造係由傳統之具備相當長的內接腳（innerlead）以及外接腳（outer lead）改良而來。基於其屬無外引腳之技術領域，在整個半導體封裝陣列完成封裝，而必須切割為個別單一之封裝體時，必須對引線部分加以切割時，由於所使用之鋸刃必須同時切割引線上之金屬導線架以及封膠材料，因此，會導致鋸刃的壽命縮短，而增加製造之困擾與成本，而透過系爭案之第一及第二半蝕刻區之設計，可以將所欲切割之部分的厚度縮減為一半，從而可解決習知所有的鋸刃壽命過短之技術問題。引證4 之發明目的與系爭案不同，並且，引證4亦非屬無外引腳之半導體封裝構造，其所面臨之切割問題，切割位置，皆與系爭案有所不同，也因此，其在凹槽之設計也不需如系爭案所要求之第一及第二半蝕刻區投影至同一平面必須完全不重疊之要求。凡此，皆足證系爭案並非如被告所指稱乃單純利用引證4 之技術或知識。
③被告另稱：「引證2 、3 及4 皆屬半導體封裝之導線架
結構，為同一技術領域，功效目的亦相同，就結構而言，引證2 、3 及4 彼此間並無不能結合論究系爭案申請專利範圍第3 至5 項之疑慮。」，亦顯有所偏：
⑴原告必須指出關於導線架之發明即有成千上百，其所
針對之解決問題皆有其針對性，並非同屬導線架領域即可稱功效目的相同，例如引證2 、3 為同一發明人Thomas P. Glenn 為解決內接腳（或稱導線架內部，internal lead frame ）過大所導致封裝體體積無法縮小的問題（A problem with conventional plasti
c packages is that their internal lead frameslimit reduction of the size of the packages,此部分記載於該等引證案之Background of the Invent
ion ），其與系爭案為解決切割半導體封裝體引線上鋸刃，其壽命過短之問題顯然不同。
⑵引證2 、3 所揭示者，皆僅有第二半蝕刻區域，其結
構與系爭案截然不同，自然也無法達到系爭案所稱切割厚度僅為原厚度之一半的目的，以改善鋸刃之壽命。
⑶引證4 並非屬無外引腳之封裝技術，所面對的與系爭
案所要解決之切割問題自亦有別。由此可知，引證2、3 、4 縱皆屬導線架之技術亦絕非如被告所稱功效、目的皆相同，否則引證2 、3 及4 既本屬功效、目的相同之技術，又何以能分別獲得專利。
⒊綜上所述，引證4 乃為加強封裝體塑料包覆、鎖固強度之
發明，並且亦不屬無外引腳之封裝技術，系爭案絕非可輕易推稱屬利用引證4 之技術、知識所完成之發明，而引證
2 、3 不僅發明目的、解決手段皆與系爭案不同，其所揭示之凹陷亦與系爭案之整體結構顯然有別，引證2 、3 、
4 皆屬與系爭案針對不同問題、目的所為之發明，由此等引證案自然無法藉由結合推知系爭案之發明。
㈡被告主張之理由：
⒈按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上
利用者，得依系爭案核准審定時專利法第19條暨第20條第
1 項前項之規定申請取得發明專利。惟如發明係「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得取得發明專利，復為同法第20條第2 項所明定。
⒉系爭案，依92年5 月13日申請專利範圍修正本觀之，其申
請專利範圍共5 項（第1 、3 項為獨立項）；而其第3 項為一種用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其包含複數個陣列排列的單元及複數個切割道（cutting street）位於該複數個單元之間，該每一個單元包含一晶片承座以及複數條引線設於該晶片承座之周圍，該晶片承座具有一上表面用以承載一半導體晶片，該導線架之上表面具有一第一半蝕刻區域涵蓋每一個切割道之第一部分以及每一條引線鄰近切割道之部分，該晶片承座之上表面係與該導線架之上表面共平面，其中該導線架另包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座至導線架，其中該導線架之下表面具有一第二半蝕刻區域涵蓋該複數個支撐肋條以及該每一個切割道之第二部分，並且當該第一及第二半蝕刻區域投影至同一平面時，其係完全不重疊者。
⒊原告於異議階段主張由引證2至4得證明系爭案申請專利範
圍第3 至5 項不具進步性，原處分機關則認引證2 、3 僅揭示第二半蝕刻區域，引證4 係運用沖壓形成導線架末端區域之階梯狀而非運用蝕刻技術，與系爭案或引證2 、3均不同，故以引證2 至4 均無法證明系爭案申請專利範圍第3 項不具進步性。惟查，依引證4 說明書及圖式第10至13圖所示，其業已揭示一具有階梯狀之導線架末端區域，亦類似系爭案申請專利範圍第3 項所揭示之第一及第二半蝕刻區域之結構。固然引證4 之第一、第二凹陷與系爭案導線架之第一、第二半蝕刻區域之創作功效略有不同，惟其所揭示之物的結構雷同，原處分機關未論及此，逕以系爭案與引證4 所運用之衝壓或蝕刻方式不同，即認引證4無法證明系爭案不具進步性，顯有違誤。又系爭案導線架將第一、第二半蝕刻區域彼此錯開不重疊，係為避免產生蝕刻貫穿或斷裂之問題，與原告所稱系爭案係解決鋸刀壽命縮短增加製造成本的問題乙節無涉。而系爭案導線架之第一、第二半蝕刻區域投影至同一平面完全不重疊結構，復為熟習半導體封裝及導線架領域者所慣用之設計，故系爭案申請專利範圍第3 項應屬運用申請前既有引證4 之技術或知識而為熟習該項技術者所能輕易完成，自不具進步性。
⒋引證2 、3 與引證4 均屬半導體封裝結構或其導線架結構
領域之技術創作，彼此間並無完全不能組合之疑慮，原處分機關僅以引證4 所運用之衝壓技術與系爭案之蝕刻技術不同，即謂引證4 與引證2 、3 或系爭案有所不同，故引證4 無法與引證2 、3 組合以論究系爭案之進步性等語，亦有未妥。
⒌因原處分機關對於引證4 能否證明系爭案申請專利範圍第
3 至5 項以及引證2 至4 能否組合以論究系爭案不具進步性等節之見解，嫌有未洽，所為「異議不成立」之處分難謂無瑕疵。從而被告所為撤銷原處分，並命原處分機關應於收受訴願決定書後6 個月內另就結合引證2 至4 能否證明系爭案申請專利範圍第3 至5 項均不具進步性乙節重新審查後另為適法之處分之決定，並無違法或不當。
㈢參加人主張之理由：
⒈被告據以撤銷原處分之訴願決定理由，並無違法：
①按原處分機關所頒行之專利審查基準第2-1-45頁有關「
申請專利範圍之認定」已載明：「以製造方法界定物之申請專利範圍，其申請專利之發明應為申請專利範圍中所載之製造方法所賦予特性之物本身，亦即以製造方法界定物之申請專利範圍，其是否具備專利要件並非由製造方法決定。若請求項所載之物與先前技術中所揭露之物相同或屬能輕易完成者，即使先前技術所揭露之物係以不同方法所製得，該請求項仍不得予以專利」。換言之，「物」之請求項係有別於「方法」請求項。就「物」之請求項而言，若該「物」之結構特徵已為引證案所揭示，不論引證案所揭示製造該物或形成該物之方法為何，該「物」之請求項仍不應准予專利。
②原處分機關未釐清系爭案申請專利範圍第3至5項係「物
」之請求項而非「方法」請求項，而忽視系爭案申請專利範圍第3至5項「用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架」之結構特徵已為引證4 所揭示之事實，卻仍以引證4 係以衝壓技術形成階梯狀並非運用系爭案所界定之蝕刻技術為由，指稱引證4 與系爭案並不相同，原處分顯然有誤，因此，被告據以撤銷原處分之決定，並無違法之處。
⒉於進步性判斷中能否組合運用先前既有之技術或知識而輕
易完成系爭專利內容，係以該項技術領域具有通常知識者可否藉由一般邏輯分析、推理而得，並非以發明目的及功效是否一致為必要條件。
①按專利法第20條第2 項有關「進步性」之規定為：「發
明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」。依據該條項規定之意旨，申請專利之發明為運用申請當日之前既有之技術或知識以完成者，如該發明為熟習該項技術者之一般技術知識所能輕易完成者，即不具進步性。
②關於專利法前條項規定之解釋，係可參閱專利審查基準
所述：「既有之技術或知識」，係指申請當日之前，已見於國內外刊物或已公開使用之技術、知識。「熟習該項技術者」，係指虛擬一具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），並發揮一般創作能力，例如：選擇材料或變更設計，使當時該發明所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識的人而言。「輕易完成」，係指不能超越熟習該項技術者所可預期的技術上的一般發展，且單單可由先行技術推論而完成者。
③就專利法第20條第2 項有關「進步性」之規定中，於進
步性判斷中能否組合運用先前既有之技術或知識而輕易完成系爭專利內容，並非以發明目的及功效是否一致為必要條件。
④參照本院95訴2346號之判決內容可知，原告雖主張：「
引證2 、引證3 之發明目的、所要解決的技術問題，皆與系爭案南轅北轍、不相關連，熟習此領域之技藝人士，為解決系爭案所針對之技術問題，並沒有任何誘因去參酌引證2 、3 ，如何能謂可以『輕易組合』引證2 、
3 ，以獲得系爭案之發明」云云。惟本院於該案判決理由五中則明確指出：「該項技術領域具有通常知識者藉由一般邏輯分析、推理而以引證2 所揭示具直線倒角之晶片，應用於半導體之封裝領域，而與引證3 之技術內容組合，自屬可輕易完成。原告主張對於熟習該項技術者，不能輕易組合引證2 、引證3 之技術內容一節，並非可採。」因此，專利法及專利審查基準中關於進步性之判斷係依熟悉該項技術領域者是否可藉由一般邏輯分析、推理而以引證案所揭示之內容輕易思及系爭案之技術特徵，非原告所稱應以發明目的及功效是否一致為判斷要件。
⒊系爭案所界定之結構特徵已為引證案所揭示，不具有可專利性。
①系爭案與引證2 、3 、4 所揭示之內容均係有關於半導
體封裝領域之導線架結構。引證2 、3 已揭示「具有凹陷結構（或凹穴部分）之導腳（或引腳）與晶片座結構」，而引證4 揭示「末端區域呈階梯狀之導線架」結構。
②就結構而言，引證2 、3 、4 不僅所揭示之技術領域與
系爭案相同，同時，對於熟悉該項領域者本可藉由一般邏輯分析、推理結合引證4 所揭示之「具有階梯狀結構之導線架末端區域」以及引證2 、3 所揭示「導腳/ 引腳30 及 晶片座22/24 下表面具有凹陷/ 凹穴結構」即可輕易完成系爭案請求項第3 至5 項「用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架」。
③系爭案修正後之申請專利範圍3至5項所界定「用以形成
無外引腳半導體封裝構造之導線架」之結構，已為引證案所揭示，其不具可專利性之事實，已無庸置疑，因此被告所為訴願成立之處分實無違誤。
理 由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依系爭案核准審定時專利法第19條暨第20條第1 項之規定申請取得發明專利。惟如「申請專利之發明，與申請在先而在其申請後使公開或公告之發明或新型專利申請案所附說明書或圖式載明之內容相同者，不得取得發明專利。」為同法第20條之1 所明定。又發明係「申請前已見於刊物或已公開使用者。」或「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得取得發明專利，復為同法第20條第1 項第1 款及第2 項所明定。而對於公告中之發明，任何人認有違反專利法第19條至第21條規定，提起異議者，依同法第41條規定，得自公告之日起3 個月內，備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起之。從而，系爭案有無違反前揭專利法情事而應不予專利，依法應由異議人附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭案有違前揭專利法之規定，自應為異議成立之處分。
二、本件系爭第00000000號「無外引腳半導體封裝構造及其導線架」發明專利原申請專利範圍共有7 項：
1、一種無外引腳半導體封裝構造，其具有複數個側邊(side surface)，該無外引腳半導體封裝構造係包含：一晶片承座以及複數條引線設於該晶片承座之周圍，該每一條引線之上表面具有一第一凹陷（indentation ）對應於該無外引腳半導體封裝構造複數個側邊之一而設；複數個支撐肋條連接至該晶片承座; 一半導體晶片設於該晶片承座並且電性連接至該複數條引線；及一封膠體覆蓋於該半導體晶片、複數條引線以及複數個支撐肋條，其中該每一條引線之下表面係裸露於該無外引腳半導體封裝構造之底部表面。
2、依申請專利範圍第1 項之無外引腳半導體封裝構造，其中該每一條引線之下表面具有一第一邊緣與該無外引腳導體封裝構造複數個側邊之一切齊，以及其他數個第二邊緣，其中該每一條引線之下表面具有一第二凹陷對應於該每一條引線下表面之第二邊緣而設。
3、依申請專利範圍第1 項之無外引腳半導體封裝構造，其中該晶片承座之下表面具有一第三凹陷對應於該晶片承座之邊緣而設，而且除了該第三凹陷之外，該晶片承座之下表面係裸露於該無外引腳半導體封裝構造之底部表面。
4、一種用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其包含複數個陣列排列的單元以及複數個切割道(cutting street)位於該複數個單元件之間，該每一單元包含一晶片承座以及複數條引線設於該晶片承座之周圍，該晶片承座具有一上表面用以承載一半導體晶片，該導線架之上表面具有一第一半蝕刻區域涵蓋每一個切割道之第一部分以及每一條引線鄰近切割道之部分，該晶片承座之上表面係與該導線架之上表面共平面。
5、依申請專利範圍第4 項之用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其另包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座至導線架，其中該導線架之下表面具有一第二半蝕刻區域涵蓋該複數個支撐肋條以及該每一個切割道之第二部分，並且當該第一以及第二半蝕刻區域投影至同一平面時，其係完全不重疊。
6、依申請專利範圍第5 項之用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其中該第二半蝕刻區域係涵蓋該每一條引線之邊緣區域。
7、依申請專利範圍第5 項之用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其中該第二半蝕刻區域係涵蓋該晶片承座之邊緣。
嗣原告於93年5 月13日提出修正本，將原申請專利範圍第2、5 項附屬項分別修正至獨立項，經原處分機關准予修正，修正後申請專利範圍為：
1、一種無外引腳半導體封裝構造，其具有複數個側邊(side surface)，該無外引腳半導體封裝構造係包含：一晶片承座以及複數條引線設於該晶片承座之周圍，該每一條引線之上表面具有一第一凹陷（indentation ）對應於該無外引腳半導體封裝構造複數個側邊之一而設；複數個支撐肋條連接至該晶片承座; 一半導體晶片設於該晶片承座並且電性連接至該複數條引線；及一封膠體覆蓋於該半導體晶片、複數條引線以及複數個支撐肋條，其中該每一條引線之下表面具有一第一邊緣與該無外引腳導體封裝構造複數個側邊之一切齊，以及其他數個第二邊緣，其中該每一條引線之下表面具有一第二凹陷對應於該每一條引線下表面之第二邊緣而設，該第一凹陷與第二凹陷係彼此錯開設置，除了該無外引腳半導體封裝構造之底部表面。
2、依申請專利範圍第1 項之無外引腳半導體封裝構造，其中該晶片承座之下表面具有一第三凹陷對應於該晶片承座之邊緣而設，而且除了該第三凹陷之外，該晶片承座之下表面係裸露於該無外引腳半導體封裝構造之底部表面。
3、一種用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其包含複數個陣列排列的單元以及複數個切割道(cutting street)位於該複數個單元件之間，該每一單元包含一晶片承座以及複數條引線設於該晶片承座之周圍，該晶片承座具有一上表面用以承載一半導體晶片，該導線架之上表面具有一第一半蝕刻區域涵蓋每一個切割道之第一部分以及每一條引線鄰近切割道之部分，該晶片承座之上表面係與該導線架之上表面共平面，其中該導線架，其另包含複數個支撐肋條用以連接該晶片承座至導線架，其中該導線架之下表面具有一第二半蝕刻區域涵蓋該複數個支撐肋條以及該每一個切割道之第二部分，並且當該第一以及第二半蝕刻區域投影至同一平面時，其係完全不重疊。
4、依申請專利範圍第3 項之用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其中該第二半蝕刻區域係涵蓋該每一條引線之邊緣區域。
5、依申請專利範圍第5 項之用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架，其中該第二半蝕刻區域係涵蓋該晶片承座之邊緣。
其中第1 、3 項為獨立項，其餘為附屬項。
三、參加人所提異議引證1 為89年10月31日申請，92年3 月1 日公告之第00000000號「四方扁平無接腳封裝導線架」發明專利案；引證2 為西元2001年8 月28日公告之美國第0000000號專利案及其摘譯本；引證3 為西元2000年11月7 日公告之美國第0000000 號專利案及其摘譯本；引證4為西元1999年5月18日公告之美國第0000000 號專利案及其摘譯本。參加人於異議理由係主張引證1 可證明系爭案原申請專利範圍第1、4 項獨立項不具新穎性；引證2 、3 可證明系爭案原申請專利範圍第2 、3 項附屬項不具新穎性、進步性；引證2 、
3 、4 可證明系爭案原申請專利範圍第5 、6 、7 項附屬項不具新穎性、進步性。而系爭案經原告於92年5 月13日修正申請專利範圍後，因原告將原本第2 、5 項附屬項分別修正至獨立項中，且附屬項原本包含獨立項之技術內容，故原異議理由對照修正後系爭案申請專利範圍，應審究者為：引證
1 可否證明系爭案申請專利範圍第1 、3 項不具新穎性；引證2 、3 可否證明系爭案申請專利範圍第1 、2 項不具新穎性、進步性；以及引證2 、3 、4 可否證明系爭案申請專利範圍第3 、4 、5 項不具新穎性、進步性等。至於引證1 能否證明系爭案不具進步性，原異議理由並未主張；另參加人於訴願階段始主張系爭案申請專利範圍第1 項所載內容已為引證4 所揭露云云，亦非原異議理由主張範圍，均未經原處分機關審查，故均非本件審究之範疇。
四、原處分機關略以，依系爭案92年5 月13日申請專利範圍修正本進行審查，系爭案申請專利範圍第1 項獨立項中所述之每一條引線340 之下表面具有一第二凹陷344 對應於該每一條引線340 下表面之第二邊緣340b而設，該第一凹陷342 與第二凹陷344 係彼此錯開設置，除了該第二凹陷344 之外，該每一條引線340 之下表面係裸露於該無外引腳半導體封裝構造之底部表面；而引證1 只揭露導腳上表面具有第一凹陷，並未揭示有第二凹陷之構造，亦無揭示第一凹陷與第二凹陷係彼此錯開設置等技術內容，故系爭案申請專利範圍第1 項仍具新穎性。又引證1 亦未揭露系爭案申請專利範圍第3 項獨立項所述之導線架之下表面具有一第二半蝕刻區域涵蓋該複數個支撐肋條以及該每一個切割道之第二部分，並且當該第一以及第二半蝕刻區域350 、352 投影至同一平面時，其係完全不重疊之技術內容，故系爭案申請專利範圍第3 項具新穎性。又系爭案申請專利範圍第1 項之技術內容具有第一凹陷與第二凹陷，且第一凹陷與第二凹陷係彼此錯開設置；然引證2 、3 僅揭示第二凹陷，與系爭案前揭技術內容並不相同，而系爭案申請專利範圍第2 項附屬項之內容包含第1項獨立項，故引證2 、3 不能證明系爭案申請專利範圍第2項不具新穎性或進步性。再者，系爭案申請專利範圍第3 項獨立項之技術內容具有第一半蝕刻區域與第二半蝕刻區域；然引證2 、3 僅揭示第二半蝕刻區域，與系爭案不同，而引證4 係運用衝壓形成階梯狀，並非運用蝕刻技術，亦與系爭案不同。而系爭案申請專利範圍第4 、5 項附屬項包含第3項獨立項內容，故引證2 、3 、4 均不能證明系爭案申請專利範圍第4 、5 項不具新穎性。另外，引證4 所運用之技術內容與引證2 、3 不同，亦不能互相組合以證明系爭案申請專利範圍第4 、5 項不具進步性，乃為異議不成立之處分。
五、參加人對原審定處分認引證1 無法證明系爭案申請專利範圍第1 、3 項獨立項不具新穎性乙節未不服外，對其餘部分不服提起訴願，稱系爭案申請專利範圍第3 至5 項所界定「用以形成無外引腳半導體封裝構造之導線架」，其利用蝕刻方式在該導線架引線部分形成之半蝕刻區，與引證4 所揭示具有階梯狀結構之導線架末端區域，就結構本身而言，並無實質差異；原處分機關卻以引證4 係由衝壓技術形成階梯狀並非運用系爭案之蝕刻技術為由，指稱引證4 與系爭案不同，有違專利審查基準。且引證2 、3 、4 所揭示內容均係有關於半導體封裝領域之導線架結構，就結構而言，三者不但並未存有無法結合的差異性，更具有用以組合之相同結構特徵，原處分機關卻稱引證4 係運用衝壓技術形成階梯狀與引證
2 、3 不同，指稱各引證案不能相互結合，亦有漏未審查的瑕疵等語。訴願決定除認定引證2 、3 不能證明系爭案申請專利範圍第1 、2 項不具新穎性、進步性（此部分與原處分認定相同，原告亦無爭執，非本院審究範圍）外，另認定系爭案申請專利範圍第3 至5 項為運用引證4 之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，應不具進步性；且引證2 、3 、4 皆屬半導體封裝之導線架結構，為同一技術領域，功效目的亦相同，故就結構而言，引證2 、3 、4 彼此間並無不能結合論究系爭案申請專利範圍第3 至5 項進步性之疑慮，而將原處分撤銷，由原處分機關另為適法之處分。
原告對訴願決定不服起訴主張上開情詞。
六、經查：依據專利審查基準第2-1-45頁有關專利申請範圍之認定：「即使先前技術所揭露之物係以不同方法所製得，該請求項仍不得予以專利」。因此，就「物」之請求項而言，若該「物」之結構特徵已為引證案所揭示，不論引證案所揭示製造該物或形成該物之方法為何，該「物」之請求項仍不應准予專利。系爭案申請專利範圍第3 項之無外引腳半導體封裝構造之導線架，其請求主張之權利範圍為「物」而非「方法」。而引證4 說明書及圖式第10至13圖所示，其業已揭示一具有階梯狀之導線架末端區域，亦類似系爭案申請專利範圍第3項 所揭示之第一及第二半蝕刻區域之結構。固然引證
4 之第一、第二凹陷其設計功效原係為鎖固及防止塑料外溢，採用衝壓方法形成，而系爭案導線架之第一、第二半蝕刻區域之創作功效係為減少切割厚度延長鋸刃壽命，採用蝕刻方法形成，惟二者所揭示之物的結構雷同，其主要技術特徵已揭示於引證4 當中，熟習半導體封裝構造領域技術之人不難由引證4 之技術特徵推導運用於系爭案。再者，引證4 第10圖至第13圖之第一凹陷與第二凹陷有部分彼此重疊，而系爭案第一以及第二半蝕刻區域投影至同一平面時完全不重疊，係因系爭案為避免過度蝕刻斷裂，為熟習該領域技術者慣用之設計。因此引證4 雖無法證明系爭案申請專利範圍第3、4 、5 項不具新穎性，然系爭案申請專利範圍第3 、4 、
5 項仍屬運用申請前既有引證4 之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，應不具進步性。且引證2 、3 與引證4 皆屬半導體封裝之導線架結構，為同一技術領域，故就結構而言，引證2 、3 、4 彼此間並無不能結合論究系爭案申請專利範圍第3 至5 項進步性之疑慮。原處分遽認引證
2 至4 無法證明系爭案申請專利範圍第3 至5 項不具進步性，且認引證4 所運用之技術內容與引證2 、3 不同，亦不能互相組合以證系爭案申請專利範圍第4 、5 項不具進步性，而為異議不成立之處分，尚有未洽。
七、綜上所述，訴願決定認原處分以引證2 、3 、4 不能證明系爭案申請專利範圍第3 至5 項不具進步性，而為異議不成立之處分，尚嫌未洽，而將原處分撤銷，由原處分機關於收受訴願決定書後6 個月內另就結合引證2 至4 能否證明系爭案申請專利範圍第3 至5 項均不具進步性乙節重行審酌後，另為適法之處分，核無不合。原告徒執前詞，訴請撤銷訴願決定，為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中 華 民 國 97 年 1 月 24 日
臺北高等行政法院第四庭
審判長法 官 陳國成
法 官 李玉卿法 官 陳忠行上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中 華 民 國 97 年 1 月 24 日
書記官 陳又慈